JPH0536033A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPH0536033A JPH0536033A JP21420191A JP21420191A JPH0536033A JP H0536033 A JPH0536033 A JP H0536033A JP 21420191 A JP21420191 A JP 21420191A JP 21420191 A JP21420191 A JP 21420191A JP H0536033 A JPH0536033 A JP H0536033A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- soft magnetic
- amorphous soft
- magnetoresistive element
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】Ｃｏ系アモルファス軟磁性膜と非磁性金属膜と
を積層した磁気抵抗素子であり、非磁性金属膜がＣｏ系
アモルファス軟磁性膜の間に挟挿されるような積層構造
が好ましい。Ｃｏ系アモルファス軟磁性膜中のＣｏ含有
量は７０at％〜９０at％であり、Ｃｏ系アモルファス軟
磁性膜および非磁性金属膜の膜厚はそれぞれ２〜１００
Åの範囲内であることが好ましい。 【効果】本発明の磁気抵抗素子は磁気抵抗変化が大き
く、保磁力および透磁率は従来のパーマロイ程度となる
ので磁気抵抗素子として非常に優れている。
を積層した磁気抵抗素子であり、非磁性金属膜がＣｏ系
アモルファス軟磁性膜の間に挟挿されるような積層構造
が好ましい。Ｃｏ系アモルファス軟磁性膜中のＣｏ含有
量は７０at％〜９０at％であり、Ｃｏ系アモルファス軟
磁性膜および非磁性金属膜の膜厚はそれぞれ２〜１００
Åの範囲内であることが好ましい。 【効果】本発明の磁気抵抗素子は磁気抵抗変化が大き
く、保磁力および透磁率は従来のパーマロイ程度となる
ので磁気抵抗素子として非常に優れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗素子に関する。
更に詳細には、本発明はその磁気抵抗効果の磁場依存性
の改良に関する。
更に詳細には、本発明はその磁気抵抗効果の磁場依存性
の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録装置の小型化および高密度化に
伴い、記録と再生を分離したシステムの技術開発が進め
られている。このうち、再生に使用するヘッドとして
は、ヘッド−媒体間の相対速度が小さくても、原理的に
高出力が期待できる磁気抵抗素子を用いたヘッドの開発
が進められている。
伴い、記録と再生を分離したシステムの技術開発が進め
られている。このうち、再生に使用するヘッドとして
は、ヘッド−媒体間の相対速度が小さくても、原理的に
高出力が期待できる磁気抵抗素子を用いたヘッドの開発
が進められている。
【０００３】この磁気抵抗素子には、パーマロイ薄膜が
用いられているが、高記録密度でも高いＳ／Ｎ比を得る
ために、より出力の大きい、すなわち、より磁気抵抗変
化の大きい磁気抵抗素子が望まれていた。
用いられているが、高記録密度でも高いＳ／Ｎ比を得る
ために、より出力の大きい、すなわち、より磁気抵抗変
化の大きい磁気抵抗素子が望まれていた。
【０００４】最近、磁気抵抗効果の大きな磁性膜とし
て、［Ｆｅ／Ｃｒ］n ，［Ｃｏ／Ｃｕ］n ，［Ｃｏ／Ｃ
ｕ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ］n などが開発されている。しか
し、これらの磁性膜は保磁力が大きく、透磁率が低いた
めに、磁気抵抗型磁気ヘッド用磁気抵抗素子としては不
十分であった。
て、［Ｆｅ／Ｃｒ］n ，［Ｃｏ／Ｃｕ］n ，［Ｃｏ／Ｃ
ｕ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ］n などが開発されている。しか
し、これらの磁性膜は保磁力が大きく、透磁率が低いた
めに、磁気抵抗型磁気ヘッド用磁気抵抗素子としては不
十分であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、従来の磁
気抵抗素子が有していた高保磁力、低透磁率という欠点
を解決し、以て磁気抵抗変化の大きな磁気抵抗素子を提
供することを目的とする。
気抵抗素子が有していた高保磁力、低透磁率という欠点
を解決し、以て磁気抵抗変化の大きな磁気抵抗素子を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明ではＣｏ系アモルファス軟磁性膜と非磁性金
属とを積層したことを特徴とする磁気抵抗素子を提供す
る。
に、本発明ではＣｏ系アモルファス軟磁性膜と非磁性金
属とを積層したことを特徴とする磁気抵抗素子を提供す
る。
【０００７】
【作用】本発明者が長年にわたり広範な実験と研究を続
けた結果、Ｃｏ系アモルファス金属と非磁性金属とを積
層した膜は磁気抵抗変化が大きく、また保磁力および透
磁率はパーマロイ程度となり、磁気抵抗素子として非常
に優れていることが発見された。本発明はこの知見に基
づき完成された。
けた結果、Ｃｏ系アモルファス金属と非磁性金属とを積
層した膜は磁気抵抗変化が大きく、また保磁力および透
磁率はパーマロイ程度となり、磁気抵抗素子として非常
に優れていることが発見された。本発明はこの知見に基
づき完成された。
【０００８】Ｃｏ系アモルファス金属と非磁性金属とを
積層すると磁気抵抗変化が大きくなる正確なメカニズム
は未だ解明されていないので推測の域を出ないが、非磁
性層の存在により、Ｃｏ系アモルファス金属のスピン配
列が、磁場がかかっている時と、いない時とで、大きく
変化し、その変化により磁気抵抗変化が大きくなるので
あろうと思われる。
積層すると磁気抵抗変化が大きくなる正確なメカニズム
は未だ解明されていないので推測の域を出ないが、非磁
性層の存在により、Ｃｏ系アモルファス金属のスピン配
列が、磁場がかかっている時と、いない時とで、大きく
変化し、その変化により磁気抵抗変化が大きくなるので
あろうと思われる。
【０００９】Ｃｏ系アモルファス膜中のＣｏ含有量は７
０at％以上９０at％以下であることが望ましい。Ｃｏ含
有量が９０at％を超えると膜の軟磁気特性が劣化し、７
０at％より小さいと磁気抵抗の変化が小さくなるので好
ましくない。
０at％以上９０at％以下であることが望ましい。Ｃｏ含
有量が９０at％を超えると膜の軟磁気特性が劣化し、７
０at％より小さいと磁気抵抗の変化が小さくなるので好
ましくない。
【００１０】Ｃｏ系アモルファス膜の膜厚は２Å以上１
００Å以下が望ましい。２Åより薄くても、あるいは１
００Åよりも厚くても、磁気抵抗効果は小さくなる。
００Å以下が望ましい。２Åより薄くても、あるいは１
００Åよりも厚くても、磁気抵抗効果は小さくなる。
【００１１】また、非磁性膜の膜厚も２Å以上１００Å
以下が望ましい。非磁性膜の場合もアモルファス膜と同
様に、２Åより薄くても、あるいは１００Åよりも厚く
ても、磁気抵抗効果は小さくなる。
以下が望ましい。非磁性膜の場合もアモルファス膜と同
様に、２Åより薄くても、あるいは１００Åよりも厚く
ても、磁気抵抗効果は小さくなる。
【００１２】Ｃｏ系アモルファス膜と非磁性膜とは交互
に複数層積重させることもできる。積層数は特に限定さ
れない。磁性層全体の厚さと各アモルファス膜および非
磁性膜の選択された膜厚が決まれば積層数は自ずから決
定される。重要なことは、非磁性膜がＣｏ系アモルファ
ス膜に挟挿されるような積層構造を形成することであ
る。従って、例えば、最小の積層数は３層であり、基板
側からアモルファス膜、その上に非磁性膜が積層され、
この非磁性膜上にアモルファス膜が積層されていること
が好ましい。アモルファス膜と非磁性膜との２層だけの
全体構造ではアモルファスのスピン配列が大きく変化し
ないなどの理由により本発明の所期の効果が得られな
い。
に複数層積重させることもできる。積層数は特に限定さ
れない。磁性層全体の厚さと各アモルファス膜および非
磁性膜の選択された膜厚が決まれば積層数は自ずから決
定される。重要なことは、非磁性膜がＣｏ系アモルファ
ス膜に挟挿されるような積層構造を形成することであ
る。従って、例えば、最小の積層数は３層であり、基板
側からアモルファス膜、その上に非磁性膜が積層され、
この非磁性膜上にアモルファス膜が積層されていること
が好ましい。アモルファス膜と非磁性膜との２層だけの
全体構造ではアモルファスのスピン配列が大きく変化し
ないなどの理由により本発明の所期の効果が得られな
い。
【００１３】Ｃｏアモルファス膜の材料としては、Ｃｏ
Ｚｒ系アモルファス（例えば、ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＮ
ｂ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＺｒＰｄおよびＣｏＺｒＰｔな
ど）、ＣｏＨｆ系アモルファス（例えば、ＣｏＨｆＮ
ｂ，ＣｏＨｆＴａ，ＣｏＨｆＰｄおよびＣｏＨｆＰｔな
ど）、ＣｏＦｅＳｉＢ系アモルファスなどが好適に使用
できる。
Ｚｒ系アモルファス（例えば、ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＮ
ｂ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＺｒＰｄおよびＣｏＺｒＰｔな
ど）、ＣｏＨｆ系アモルファス（例えば、ＣｏＨｆＮ
ｂ，ＣｏＨｆＴａ，ＣｏＨｆＰｄおよびＣｏＨｆＰｔな
ど）、ＣｏＦｅＳｉＢ系アモルファスなどが好適に使用
できる。
【００１４】非磁性金属としては、貴金属、例えば、Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒおよび
Ｐｔなどが、磁気抵抗が大きくなるため、望ましい。
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒおよび
Ｐｔなどが、磁気抵抗が大きくなるため、望ましい。
【００１５】Ｃｏアモルファス膜および非磁性金属層は
真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イ
オンプレーティング法、クラスタイオンビーム法、分子
線エピタキシー法などの公知のベーパデボジション法に
より形成することができる。
真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イ
オンプレーティング法、クラスタイオンビーム法、分子
線エピタキシー法などの公知のベーパデボジション法に
より形成することができる。
【００１６】基体と（Ｃｏ系アモルファス膜／非磁性金
属）積層膜との間に、膜厚１０〜１００ÅのＦｅ、Ｃｏ
などのバッファ層を設けることもできる。このようなバ
ッファ層を設けると、積層膜にかかる歪が小さくなり保
磁力を小さくするなどの効果が得られる。
属）積層膜との間に、膜厚１０〜１００ÅのＦｅ、Ｃｏ
などのバッファ層を設けることもできる。このようなバ
ッファ層を設けると、積層膜にかかる歪が小さくなり保
磁力を小さくするなどの効果が得られる。
【００１７】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。実施例１〜３ 図１に示されるような高周波マグネトロンスパッタ装置
により、以下の条件で（Ｃｏx Ｚｒ1-x ／Ｃｕ）積層膜
を作製した。ただし、実施例１はｘ＝０．９，実施例２
はｘ＝０．８，実施例３はｘ＝０．７とした。 1.Ａｒ圧： ２mTorr 2.高周波出力： ５００Ｗ（１３．５４ＭＨz ） 3.スパッタ速度： ＣｏＺｒ １Å／秒 Ｃｕ １Å／秒 4.基板： Ｓｉウエハ（（１１１）面カット） 5.１層の膜厚： ＣｏＺｒ ７Å Ｃｕ １０Å 6.積層数： （ＣｏＺｒ／Ｃｕ）を２０層 ＣｏＺｒのＣｏ濃度はＣｏターゲット上のＺｒチップの
個数を変えて求めた。ＣｏＺｒとＣｕの膜厚は各ターゲ
ットについているシャッタで調節した。
する。実施例１〜３ 図１に示されるような高周波マグネトロンスパッタ装置
により、以下の条件で（Ｃｏx Ｚｒ1-x ／Ｃｕ）積層膜
を作製した。ただし、実施例１はｘ＝０．９，実施例２
はｘ＝０．８，実施例３はｘ＝０．７とした。 1.Ａｒ圧： ２mTorr 2.高周波出力： ５００Ｗ（１３．５４ＭＨz ） 3.スパッタ速度： ＣｏＺｒ １Å／秒 Ｃｕ １Å／秒 4.基板： Ｓｉウエハ（（１１１）面カット） 5.１層の膜厚： ＣｏＺｒ ７Å Ｃｕ １０Å 6.積層数： （ＣｏＺｒ／Ｃｕ）を２０層 ＣｏＺｒのＣｏ濃度はＣｏターゲット上のＺｒチップの
個数を変えて求めた。ＣｏＺｒとＣｕの膜厚は各ターゲ
ットについているシャッタで調節した。
【００１８】比較例１および２
実施例１〜３と同じ装置を用い、同じ成膜条件で（Ｃｏ
x Ｚｒ1-x ／Ｃｕ）積層膜を作製した。ただし、比較例
１はｘ＝０．９５，比較例２はｘ＝０．６とした。
x Ｚｒ1-x ／Ｃｕ）積層膜を作製した。ただし、比較例
１はｘ＝０．９５，比較例２はｘ＝０．６とした。
【００１９】実施例４〜７
実施例１〜３と同じ装置および成膜条件により（Ｃｏ85
Ｚｒ15／Ｃｕ）積層膜を作製した。Ｃｕの膜厚は１０Å
一定とし、Ｃｏ85Ｚｒ15の膜厚を２Å（実施例４），１
０Å（実施例５），５０Å（実施例６）および１００Å
（実施例７）としたものをそれぞれ作製した。
Ｚｒ15／Ｃｕ）積層膜を作製した。Ｃｕの膜厚は１０Å
一定とし、Ｃｏ85Ｚｒ15の膜厚を２Å（実施例４），１
０Å（実施例５），５０Å（実施例６）および１００Å
（実施例７）としたものをそれぞれ作製した。
【００２０】比較例５および６
実施例４〜７と同じ装置および成膜条件により（Ｃｏ85
Ｚｒ15／Ｃｕ）積層膜を作製した。ただし、Ｃｏ85Ｚｒ
15の膜厚を１．５Å（比較例５）および１５０Å（比較
例６）とした。
Ｚｒ15／Ｃｕ）積層膜を作製した。ただし、Ｃｏ85Ｚｒ
15の膜厚を１．５Å（比較例５）および１５０Å（比較
例６）とした。
【００２１】実施例８〜１１
実施例１〜３と同じ装置および成膜条件により（Ｃｏ85
Ｚｒ15／Ｃｕ）積層膜を作製した。Ｃｏ85Ｚｒ15の膜厚
は７Å一定とし、Ｃｕの膜厚を２Å（実施例８），１０
Å（実施例９），５０Å（実施例１０）および１００Å
（実施例１１）としたものをそれぞれ作製した。
Ｚｒ15／Ｃｕ）積層膜を作製した。Ｃｏ85Ｚｒ15の膜厚
は７Å一定とし、Ｃｕの膜厚を２Å（実施例８），１０
Å（実施例９），５０Å（実施例１０）および１００Å
（実施例１１）としたものをそれぞれ作製した。
【００２２】比較例７および８
実施例８〜１１と同じ装置および成膜条件により（Ｃｏ
85Ｚｒ15／Ｃｕ）積層膜を作製した。ただし、Ｃｕの膜
厚を１．５Å（比較例７）および１５０Å（比較例８）
とした。
85Ｚｒ15／Ｃｕ）積層膜を作製した。ただし、Ｃｕの膜
厚を１．５Å（比較例７）および１５０Å（比較例８）
とした。
【００２３】前記の各実施例および比較例で得られた磁
性膜の保磁力、透磁率および磁気抵抗効果を調べた。保
磁力は試料振動型磁力計で測定した。透磁率はコの字形
のフェライトコアを用いて閉磁路をつくり、ベクトルイ
ンピーダンスメータを用いて周波数１ＭＨz で測定し
た。磁気抵抗効果は試料に磁場をかけながら電気抵抗を
測定し、磁場０のときの電気抵抗をＲ0 、磁場がかかっ
ているときの電気抵抗をＲH とし、ΔＲ／Ｒ0 ＝｜Ｒ0
−ＲH ｜／Ｒ0 の関係式より求めた。
性膜の保磁力、透磁率および磁気抵抗効果を調べた。保
磁力は試料振動型磁力計で測定した。透磁率はコの字形
のフェライトコアを用いて閉磁路をつくり、ベクトルイ
ンピーダンスメータを用いて周波数１ＭＨz で測定し
た。磁気抵抗効果は試料に磁場をかけながら電気抵抗を
測定し、磁場０のときの電気抵抗をＲ0 、磁場がかかっ
ているときの電気抵抗をＲH とし、ΔＲ／Ｒ0 ＝｜Ｒ0
−ＲH ｜／Ｒ0 の関係式より求めた。
【００２４】保磁力、透磁率および磁気抵抗効果のＣｏ
濃度依存性を下記の表１に示す。
濃度依存性を下記の表１に示す。
【００２５】
【表１】
表１
保 磁 力 透 磁 率 磁気抵抗効果
試 料 （Oe） （１ＭＨz ） （％）
実施例１ １ １０００ １０
実施例２ ０．５ ２０００ ９
実施例３ ０．３ ３０００ ７
比較例１ １０ ２００ ２０
比較例２ ０．５ ２５００ ２
【００２６】保磁力、透磁率および磁気抵抗効果のＣｏ
アモルファス膜厚依存性を下記の表２に示す。
アモルファス膜厚依存性を下記の表２に示す。
【００２７】
【表２】
表２
保 磁 力 透 磁 率 磁気抵抗効果
試 料 （Oe） （１ＭＨz ） （％）
実施例４ ０．５ ２０００ １０
実施例５ ０．４ １８００ １５
実施例６ ０．４ １９００ ８
実施例７ ０．３ ２０００ ７
比較例３ ０．２ ５０００ ０
比較例４ ０．２ ５０００ １
【００２８】保磁力、透磁率および磁気抵抗効果のＣｕ
膜厚依存性を下記の表３に示す。
膜厚依存性を下記の表３に示す。
【００２９】
【表３】
表３
保 磁 力 透 磁 率 磁気抵抗効果
試 料 （Oe） （１ＭＨz ） （％）
実施例 ８ ０．５ ２０００ １５
実施例 ９ ０．４ ２５００ １５
実施例１０ ０．３ ３０００ １０
実施例１１ ０．４ ２４００ ７
比較例 ５ ０．５ ２１００ ０
比較例 ６ ０．５ ２０００ １
【００３０】前記の表１〜３に示された結果から明らか
なように、本発明の積層膜は比較例の積層膜に比べて磁
気抵抗効果が極めて優れている。また、本発明の積層膜
の磁気抵抗効果は既存の磁気抵抗素子用磁性膜（例え
ば、Ｎｉ−ＦｅおよびＮｉ−Ｃｏ合金など）の磁気抵抗
効果（ΔＲ／Ｒ）MAX ＝６．５％よりも遥かに大きく、
磁気特性の点でも優れている。
なように、本発明の積層膜は比較例の積層膜に比べて磁
気抵抗効果が極めて優れている。また、本発明の積層膜
の磁気抵抗効果は既存の磁気抵抗素子用磁性膜（例え
ば、Ｎｉ−ＦｅおよびＮｉ−Ｃｏ合金など）の磁気抵抗
効果（ΔＲ／Ｒ）MAX ＝６．５％よりも遥かに大きく、
磁気特性の点でも優れている。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｃｏアモルファス膜と非磁性金属膜を積層することによ
り磁気抵抗効果の大きな磁性膜を得ることができる。
Ｃｏアモルファス膜と非磁性金属膜を積層することによ
り磁気抵抗効果の大きな磁性膜を得ることができる。
【図１】実施例および比較例の積層膜を作製するのに使
用される高周波マグネトロンスパッタ装置の模式的構成
図である。
用される高周波マグネトロンスパッタ装置の模式的構成
図である。
１ Ｃｏアモルファスターゲット
２ 非磁性金属ターゲット
３ 基板
４ シャッタ
５ 隔壁
６ 真空容器
７ 高周波電源
８ Ａｒ導入バルブ
９ Ａｒ導入口
１０ 真空排気系
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｃｏ系アモルファス軟磁性膜と非磁性金
属膜とを積層したことを特徴とする磁気抵抗素子。 - 【請求項２】 非磁性金属膜がＣｏ系アモルファス軟磁
性膜の間に挟挿された積層構造を有する請求項１の磁気
抵抗素子。 - 【請求項３】 Ｃｏ系アモルファス軟磁性膜中のＣｏ含
有量が７０at％以上９０at％以下であることを特徴とす
る請求項１の磁気抵抗素子。 - 【請求項４】 非磁性金属が貴金属であることを特徴と
する請求項１の磁気抵抗素子。 - 【請求項５】 Ｃｏ系アモルファス軟磁性膜の膜厚は２
〜１００Åの範囲内であり、非磁性金属膜の膜厚は２〜
１００Åの範囲内であることを特徴とする請求項１の磁
気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21420191A JPH0536033A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21420191A JPH0536033A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536033A true JPH0536033A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16651908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21420191A Pending JPH0536033A (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536033A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6031692A (en) * | 1996-02-22 | 2000-02-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and magnetoresistive head |
| US6249406B1 (en) | 1996-09-23 | 2001-06-19 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with a soft adjacent layer having high magnetization, high resistivity, low intrinsic anisotropy and near zero magnetostriction |
| US6315839B1 (en) | 1998-10-21 | 2001-11-13 | International Business Machines Corporation | Method of making a keeper layer for a spin valve sensor with low intrinsic anisotropy field |
| US6353519B2 (en) | 1998-12-04 | 2002-03-05 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor having antiparallel (AP) pinned layer structure with high resistance and low coercivity |
-
1991
- 1991-08-01 JP JP21420191A patent/JPH0536033A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6031692A (en) * | 1996-02-22 | 2000-02-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and magnetoresistive head |
| US6198610B1 (en) | 1996-02-22 | 2001-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and magnetoresistive head |
| US6249406B1 (en) | 1996-09-23 | 2001-06-19 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with a soft adjacent layer having high magnetization, high resistivity, low intrinsic anisotropy and near zero magnetostriction |
| US7009822B1 (en) | 1996-09-23 | 2006-03-07 | Hardayal Singh Gill | AMR Sensor with a soft adjacent layer having high magnetization, high resistivity, low intrinsic anisotropy and near zero magnetostriction |
| US6315839B1 (en) | 1998-10-21 | 2001-11-13 | International Business Machines Corporation | Method of making a keeper layer for a spin valve sensor with low intrinsic anisotropy field |
| US6353519B2 (en) | 1998-12-04 | 2002-03-05 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor having antiparallel (AP) pinned layer structure with high resistance and low coercivity |
| US6353518B2 (en) | 1998-12-04 | 2002-03-05 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor having antiparallel (AP) pinned layer structure with low coercivity and high resistance |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010116 |