JPH05342588A - 光ディスク再生装置 - Google Patents
光ディスク再生装置Info
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- JPH05342588A JPH05342588A JP4150902A JP15090292A JPH05342588A JP H05342588 A JPH05342588 A JP H05342588A JP 4150902 A JP4150902 A JP 4150902A JP 15090292 A JP15090292 A JP 15090292A JP H05342588 A JPH05342588 A JP H05342588A
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- equalizer
- optical disk
- high frequency
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一定角速度で回転される光ディスクから読み
取られたＲＦ信号に対して高周波成分の補正量を最適に
する。 【構成】 光ディスク１が一定角速度で動作されるＣＡ
Ｖ光ディスク１Ｃであった場合には、イコライザー１０
による高周波成分の補正量Ｃを光ディスク１Ｃの内周Ｒ
1 側から外周Ｒ2 側に向かって連続的に小さくなるよう
に変化させている。このため、ＭＴＦの変化が補正量Ｃ
の変化により補われ、内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側の全領
域において、最適な補正を行うことができる。
取られたＲＦ信号に対して高周波成分の補正量を最適に
する。 【構成】 光ディスク１が一定角速度で動作されるＣＡ
Ｖ光ディスク１Ｃであった場合には、イコライザー１０
による高周波成分の補正量Ｃを光ディスク１Ｃの内周Ｒ
1 側から外周Ｒ2 側に向かって連続的に小さくなるよう
に変化させている。このため、ＭＴＦの変化が補正量Ｃ
の変化により補われ、内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側の全領
域において、最適な補正を行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、一定角速度
（ＣＡＶ）で動作される光ディスクと一定線速度（ＣＬ
Ｖ）で動作される光ディスクの両方の光ディスクを取り
扱うことの可能な光ディスク記録再生装置に適用して好
適な光ディスク再生装置に関する。
（ＣＡＶ）で動作される光ディスクと一定線速度（ＣＬ
Ｖ）で動作される光ディスクの両方の光ディスクを取り
扱うことの可能な光ディスク記録再生装置に適用して好
適な光ディスク再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、光ディスクに記録された情報
信号を読み取る際には、読み取り信号（一般には、ＲＦ
信号という）の高周波成分を上げて読み取りエラーが少
なくなるようにされている。この高周波成分を上げる、
すなわち補正する回路がイコライザーである。
信号を読み取る際には、読み取り信号（一般には、ＲＦ
信号という）の高周波成分を上げて読み取りエラーが少
なくなるようにされている。この高周波成分を上げる、
すなわち補正する回路がイコライザーである。
【０００３】高周波数成分を補正する理由は、光ディス
クとその光ディスクに記録されたピットを読み取る光学
系、すなわち光ピックアップとの相対速度などによって
決定されるＭＴＦ(Modulation Transfer Function)が空
間周波数が高くなると小さくなる特性を有しているから
である。
クとその光ディスクに記録されたピットを読み取る光学
系、すなわち光ピックアップとの相対速度などによって
決定されるＭＴＦ(Modulation Transfer Function)が空
間周波数が高くなると小さくなる特性を有しているから
である。
【０００４】したがって、同一の回転数（rpm）で比較
した場合には、比較的に記録密度の高い光ディスク、例
えば、最短ピット長が0.5μｍの光ディスク（以下、必
要に応じて、倍密度光ディスクという）に対して、比較
的に記録密度の低い光ディスク、例えば、最短ピット長
が1μｍの光ディスク（以下、必要に応じて、単密度光
ディスクという）とでは、上記イコライザーによる補正
量を異なる値に設定する必要がある。
した場合には、比較的に記録密度の高い光ディスク、例
えば、最短ピット長が0.5μｍの光ディスク（以下、必
要に応じて、倍密度光ディスクという）に対して、比較
的に記録密度の低い光ディスク、例えば、最短ピット長
が1μｍの光ディスク（以下、必要に応じて、単密度光
ディスクという）とでは、上記イコライザーによる補正
量を異なる値に設定する必要がある。
【０００５】そこで、従来の技術による光ディスク装置
では、イコライザーの補正量切換用のスイッチを個別に
設けて、ユーザが光ディスクの記録密度に応じてそのス
イッチを切り換えることにより、倍密度光ディスクに対
しては、単密度の光ディスクに対するよりもより補正量
が大きくなるように設定していた。
では、イコライザーの補正量切換用のスイッチを個別に
設けて、ユーザが光ディスクの記録密度に応じてそのス
イッチを切り換えることにより、倍密度光ディスクに対
しては、単密度の光ディスクに対するよりもより補正量
が大きくなるように設定していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
技術においては、例えば、一定角速度（以下、必要に応
じて、ＣＡＶ(Constant Angular Velocity)という）で
動作される光ディスクに対して一定の補正量を与えるよ
うにしていた。
技術においては、例えば、一定角速度（以下、必要に応
じて、ＣＡＶ(Constant Angular Velocity)という）で
動作される光ディスクに対して一定の補正量を与えるよ
うにしていた。
【０００７】しかしながら、ＣＡＶ光ディスクに対し
て、その内周側から外周側に渡って一定の補正量を与え
るようにした場合には、例えば、中央部で補正量が最適
値であっても、内周側では補正量不足、外周側では補正
量過多になってしまい、内周側および外周側において、
読み取りエラーが多くなるという問題があった。内周側
で最適になるように設定した場合には、外周側では、相
当に補正量過多になってしまい、あるデータパターンを
有する読み取り信号では、特に読み取りエラーが大きく
なってしまうという問題があった。
て、その内周側から外周側に渡って一定の補正量を与え
るようにした場合には、例えば、中央部で補正量が最適
値であっても、内周側では補正量不足、外周側では補正
量過多になってしまい、内周側および外周側において、
読み取りエラーが多くなるという問題があった。内周側
で最適になるように設定した場合には、外周側では、相
当に補正量過多になってしまい、あるデータパターンを
有する読み取り信号では、特に読み取りエラーが大きく
なってしまうという問題があった。
【０００８】また、記録密度の異なるＣＬＶ光ディスク
に対応して、個別に設けられた上記補正量切換スイッチ
を操作することも繁雑であり、かつ操作ミスを起こす場
合があるという問題もあった。
に対応して、個別に設けられた上記補正量切換スイッチ
を操作することも繁雑であり、かつ操作ミスを起こす場
合があるという問題もあった。
【０００９】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、ＣＡＶ光ディスクに対して補正量が最適に
なる光ディスク再生装置を提供することを目的とする。
ものであり、ＣＡＶ光ディスクに対して補正量が最適に
なる光ディスク再生装置を提供することを目的とする。
【００１０】また、本発明は、補正量の切り換えを光デ
ィスクの種類に応じて自動的に切り換えることを可能と
する光ディスク再生装置を提供することを目的とする。
ィスクの種類に応じて自動的に切り換えることを可能と
する光ディスク再生装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、例え
ば、図１および図３Ｃに示すように、光ディスク１から
読み取られた読み取り信号Ｓ1 の高周波成分を上げて読
み取りエラーが少なくなるようにされた光ディスク再生
装置において、上記高周波成分を変化させるイコライザ
ー１０を有し、光ディスク１が一定角速度で動作される
光ディスク１Ｃであった場合には、イコライザー１０に
よる高周波成分の補正量Ｃが光ディスク１Ｃの内周Ｒ1
側から外周Ｒ2 側に向かって小さくなるように設定（特
性６３参照）されたものである。
ば、図１および図３Ｃに示すように、光ディスク１から
読み取られた読み取り信号Ｓ1 の高周波成分を上げて読
み取りエラーが少なくなるようにされた光ディスク再生
装置において、上記高周波成分を変化させるイコライザ
ー１０を有し、光ディスク１が一定角速度で動作される
光ディスク１Ｃであった場合には、イコライザー１０に
よる高周波成分の補正量Ｃが光ディスク１Ｃの内周Ｒ1
側から外周Ｒ2 側に向かって小さくなるように設定（特
性６３参照）されたものである。
【００１２】また、第２の本発明は、図５に示すよう
に、イコライザー１０が電圧制御可変抵抗素子２９を有
するものである。
に、イコライザー１０が電圧制御可変抵抗素子２９を有
するものである。
【００１３】さらに、第３の本発明は、図１および図３
Ｃに示すように、光ディスク１から読み取られた読み取
り信号Ｓ1 の高周波成分を上げて読み取りエラーが少な
くなるようにされた光ディスク再生装置において、光デ
ィスク１の種類を判別する判別手段４と、上記高周波成
分を変化させるイコライザー１０とを有し、判別手段４
によって、光ディスク１が一定角速度で動作される光デ
ィスク１Ｃであった場合には、イコライザー１０による
高周波成分の補正量Ｃが光ディスク１Ｃの内周Ｒ1 側か
ら外周Ｒ2 側に向かって小さくなるように設定（特性６
３参照）され、光ディスク１が一定線速度で動作される
光ディスク１Ａ，１Ｂであった場合には、イコライザー
１０による高周波成分の補正量Ｃが光ディスク１Ａ，１
Ｂの内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側の間で一定値（特性６
２，特性６１参照）に設定されたものである。
Ｃに示すように、光ディスク１から読み取られた読み取
り信号Ｓ1 の高周波成分を上げて読み取りエラーが少な
くなるようにされた光ディスク再生装置において、光デ
ィスク１の種類を判別する判別手段４と、上記高周波成
分を変化させるイコライザー１０とを有し、判別手段４
によって、光ディスク１が一定角速度で動作される光デ
ィスク１Ｃであった場合には、イコライザー１０による
高周波成分の補正量Ｃが光ディスク１Ｃの内周Ｒ1 側か
ら外周Ｒ2 側に向かって小さくなるように設定（特性６
３参照）され、光ディスク１が一定線速度で動作される
光ディスク１Ａ，１Ｂであった場合には、イコライザー
１０による高周波成分の補正量Ｃが光ディスク１Ａ，１
Ｂの内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側の間で一定値（特性６
２，特性６１参照）に設定されたものである。
【００１４】さらにまた、第４の本発明は、図１および
図３Ｃに示すように、光ディスク１から読み取られた読
み取り信号Ｓ1 の高周波成分を上げて読み取りエラーが
少なくなるようにされた光ディスク再生装置において、
光ディスク１の種類と記録密度とを判別する判別手段４
と、上記高周波成分を変化させるイコライザー１０とを
有し、判別手段４によって、光ディスク１が一定線速度
で動作される光ディスクであって、かつ記録密度が比較
的に高い光ディスク１Ｂであると判別された場合には、
イコライザー１０による高周波成分の補正量が比較的に
大きい値に設定（特性６１参照）され、光ディスク１が
一定線速度で動作される光ディスクであって、かつ記録
密度が比較的に低い光ディスク１Ａであると判別された
場合には、イコライザー１０による高周波成分の補正量
Ｃが比較的に小さい値に設定（特性６２参照）されるよ
うにしたものである。
図３Ｃに示すように、光ディスク１から読み取られた読
み取り信号Ｓ1 の高周波成分を上げて読み取りエラーが
少なくなるようにされた光ディスク再生装置において、
光ディスク１の種類と記録密度とを判別する判別手段４
と、上記高周波成分を変化させるイコライザー１０とを
有し、判別手段４によって、光ディスク１が一定線速度
で動作される光ディスクであって、かつ記録密度が比較
的に高い光ディスク１Ｂであると判別された場合には、
イコライザー１０による高周波成分の補正量が比較的に
大きい値に設定（特性６１参照）され、光ディスク１が
一定線速度で動作される光ディスクであって、かつ記録
密度が比較的に低い光ディスク１Ａであると判別された
場合には、イコライザー１０による高周波成分の補正量
Ｃが比較的に小さい値に設定（特性６２参照）されるよ
うにしたものである。
【００１５】
【作用】第１の本発明によれば、光ディスク１が、一定
角速度で動作される光ディスク１Ｃであった場合には、
イコライザー１０による高周波成分の補正量Ｃを光ディ
スク１Ｃの内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側に向かって小さく
なるように設定している。このため、ＭＴＦの変化が補
正量Ｃの変化により補われ、内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側
の全領域において、最適な補正を行うことができる。
角速度で動作される光ディスク１Ｃであった場合には、
イコライザー１０による高周波成分の補正量Ｃを光ディ
スク１Ｃの内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側に向かって小さく
なるように設定している。このため、ＭＴＦの変化が補
正量Ｃの変化により補われ、内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側
の全領域において、最適な補正を行うことができる。
【００１６】第２の本発明によれば、イコライザー１０
として電圧制御可変抵抗素子２９を使用しているので、
その制御電圧ＶS を内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側にわたっ
て変化させるだけで補正量Ｃを変化させることが可能と
なり、いわゆるコールド制御（直流制御）が容易になる
ので、回路構成が簡単になる。
として電圧制御可変抵抗素子２９を使用しているので、
その制御電圧ＶS を内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側にわたっ
て変化させるだけで補正量Ｃを変化させることが可能と
なり、いわゆるコールド制御（直流制御）が容易になる
ので、回路構成が簡単になる。
【００１７】第３の本発明によれば、光ディスク１の種
類を判別する判別手段４によって、光ディスク１が一定
角速度で動作される光ディスク１Ｃであると判別された
場合には、イコライザー１０による高周波成分の補正量
Ｃが光ディスク１Ｃの内周Ｒ 1 側から外周Ｒ2 側に向か
って小さくなるように設定され、一方、光ディスク１が
一定線速度で動作される光ディスク１Ａ，１Ｂであると
判別された場合には、イコライザー１０による高周波成
分の補正量Ｃが光ディスク１Ａ，１Ｂの内周Ｒ 1 側から
外周Ｒ2 側の間で一定値に設定される。このため、光デ
ィスク１の種類に応じて自動的に最適な補正量を選択す
ることができる。
類を判別する判別手段４によって、光ディスク１が一定
角速度で動作される光ディスク１Ｃであると判別された
場合には、イコライザー１０による高周波成分の補正量
Ｃが光ディスク１Ｃの内周Ｒ 1 側から外周Ｒ2 側に向か
って小さくなるように設定され、一方、光ディスク１が
一定線速度で動作される光ディスク１Ａ，１Ｂであると
判別された場合には、イコライザー１０による高周波成
分の補正量Ｃが光ディスク１Ａ，１Ｂの内周Ｒ 1 側から
外周Ｒ2 側の間で一定値に設定される。このため、光デ
ィスク１の種類に応じて自動的に最適な補正量を選択す
ることができる。
【００１８】第４の本発明によれば、光ディスク１の種
類と記録密度とを判別する判別手段４によって、光ディ
スク１が一定線速度で動作される光ディスクであって、
かつ記録密度が比較的に高い光ディスク１Ｂであると判
別された場合には、イコライザー１０による高周波成分
の補正量Ｃが比較的に大きい値に設定（特性６１参照）
され、光ディスクが一定線速度で動作される光ディスク
であって、かつ記録密度が比較的に低い光ディスク１Ａ
であると判別された場合には、イコライザー１０による
高周波成分の補正量Ｃが比較的に小さい値に設定（特性
６２参照）されるようにしている。このため、一定線速
度で動作される光ディスク１Ａ，１Ｂの記録密度に応じ
て補正量を自動的な最適な補正量に選択することができ
る。
類と記録密度とを判別する判別手段４によって、光ディ
スク１が一定線速度で動作される光ディスクであって、
かつ記録密度が比較的に高い光ディスク１Ｂであると判
別された場合には、イコライザー１０による高周波成分
の補正量Ｃが比較的に大きい値に設定（特性６１参照）
され、光ディスクが一定線速度で動作される光ディスク
であって、かつ記録密度が比較的に低い光ディスク１Ａ
であると判別された場合には、イコライザー１０による
高周波成分の補正量Ｃが比較的に小さい値に設定（特性
６２参照）されるようにしている。このため、一定線速
度で動作される光ディスク１Ａ，１Ｂの記録密度に応じ
て補正量を自動的な最適な補正量に選択することができ
る。
【００１９】
【実施例】以下、本発明光ディスク再生装置の一実施例
について図面を参照して説明する。
について図面を参照して説明する。
【００２０】図１は、本実施例による光ディスク再生装
置の構成を示している。なお、本発明は、光ディスク再
生専用装置に適用してもよく、光ディスク記録再生装置
に適用してもよい。
置の構成を示している。なお、本発明は、光ディスク再
生専用装置に適用してもよく、光ディスク記録再生装置
に適用してもよい。
【００２１】図１において、１は光ディスクであり、光
ディスク１は、回転軸２を通じてスピンドルモータ３に
よって回転される。スピンドルモータ３の回転は、制御
回路４によって制御される。
ディスク１は、回転軸２を通じてスピンドルモータ３に
よって回転される。スピンドルモータ３の回転は、制御
回路４によって制御される。
【００２２】光ディスク１としては、一定線速度（ＣＬ
Ｖ）で回転される単密度の光ディスク（以下、ＣＬＶ単
密度光ディスク１Ａという）、倍密度の光ディスク（以
下、ＣＬＶ倍密度光ディスク１Ｂという）または一定角
速度（ＣＡＶ）で回転される光ディスク（以下、ＣＡＶ
光ディスク１Ｃという）のいずれの光ディスクでもよ
い。
Ｖ）で回転される単密度の光ディスク（以下、ＣＬＶ単
密度光ディスク１Ａという）、倍密度の光ディスク（以
下、ＣＬＶ倍密度光ディスク１Ｂという）または一定角
速度（ＣＡＶ）で回転される光ディスク（以下、ＣＡＶ
光ディスク１Ｃという）のいずれの光ディスクでもよ
い。
【００２３】図２は、光ディスク１の記録面の構成を示
している。光ディスク１の最内周Ｒ 1 側にＩＤ領域１ａ
が形成され、そのＩＤ領域１ａの外周側から最外周Ｒ2
側までに記録領域１ｂが形成されている。
している。光ディスク１の最内周Ｒ 1 側にＩＤ領域１ａ
が形成され、そのＩＤ領域１ａの外周側から最外周Ｒ2
側までに記録領域１ｂが形成されている。
【００２４】ＩＤ領域１ａには、上記した光ディスク１
の種類（ＣＬＶ単密度光ディスク１Ａ、ＣＬＶ倍密度光
ディスク１ＢまたはＣＡＶ光ディスク１Ｃ）などのＩＤ
情報が予めエンボスで記録されている。したがって、電
源投入時、またはリセット時にＩＤ領域１ａを読み出す
ことにより、装着された光ディスク１の種類を制御回路
４により判別することができる。
の種類（ＣＬＶ単密度光ディスク１Ａ、ＣＬＶ倍密度光
ディスク１ＢまたはＣＡＶ光ディスク１Ｃ）などのＩＤ
情報が予めエンボスで記録されている。したがって、電
源投入時、またはリセット時にＩＤ領域１ａを読み出す
ことにより、装着された光ディスク１の種類を制御回路
４により判別することができる。
【００２５】光ディスク１の記録面に対向して光ピック
アップ５が配されている。この光ピックアップ５は、軸
７上を半径Ｒ方向にリニアモータ６によって移動され
る。リニアモータ６の駆動、すなわち、光ピックアップ
５の移動は、制御回路４によって行われる。
アップ５が配されている。この光ピックアップ５は、軸
７上を半径Ｒ方向にリニアモータ６によって移動され
る。リニアモータ６の駆動、すなわち、光ピックアップ
５の移動は、制御回路４によって行われる。
【００２６】光ピックアップ５によって読み取られた出
力信号であるＲＦ信号Ｓ1 は、イコライザー１０によっ
て、高周波成分が補正されたＲＦ信号Ｓ2 に変換され
る。ここで、イコライザー１０による補正量（等価量）
Ｃは、積分回路１１の出力信号である直流制御信号Ｓ3
（制御電圧ＶS ）に応じて決定される。また、積分回路
１１には、制御回路４からパルスインターバル変調信号
Ｓ4 が供給されている。このパルスインターバル変調信
号Ｓ4 の内容が上記した光ディスク１の種類によって異
なる内容とされている。
力信号であるＲＦ信号Ｓ1 は、イコライザー１０によっ
て、高周波成分が補正されたＲＦ信号Ｓ2 に変換され
る。ここで、イコライザー１０による補正量（等価量）
Ｃは、積分回路１１の出力信号である直流制御信号Ｓ3
（制御電圧ＶS ）に応じて決定される。また、積分回路
１１には、制御回路４からパルスインターバル変調信号
Ｓ4 が供給されている。このパルスインターバル変調信
号Ｓ4 の内容が上記した光ディスク１の種類によって異
なる内容とされている。
【００２７】したがって、イコライザー１０には、光デ
ィスク１の種類に応じて異なる補正量Ｃが設定される。
ィスク１の種類に応じて異なる補正量Ｃが設定される。
【００２８】図３Ｃは、補正量Ｃの内容を表している。
【００２９】特性６３は、光ディスク１がＣＡＶ光ディ
スク１Ｃである場合の補正量Ｃを示している。特性６３
から分かるように、補正量Ｃは、最内周Ｒ1 側（最内周
Ｒ1側の補正量Ｃ＝Ｃ１）から最外周Ｒ2 側（最外周Ｒ
2 側の補正量Ｃ＝Ｃ２）に向かって連続的に徐徐に小さ
くなるようにされている。
スク１Ｃである場合の補正量Ｃを示している。特性６３
から分かるように、補正量Ｃは、最内周Ｒ1 側（最内周
Ｒ1側の補正量Ｃ＝Ｃ１）から最外周Ｒ2 側（最外周Ｒ
2 側の補正量Ｃ＝Ｃ２）に向かって連続的に徐徐に小さ
くなるようにされている。
【００３０】ＣＡＶ光ディスク１Ｃでは、外周側の線速
度が内周側より速いため、外周側では、ＭＴＦが高くな
るので、それに対応して、最内周Ｒ1 から最外周Ｒ2 ま
で一定波形のＲＦ信号Ｓ2 を得るために、補正量Ｃ１を
最内周Ｒ1 側で大きくし、最外周Ｒ2 側で小さくしてい
る。
度が内周側より速いため、外周側では、ＭＴＦが高くな
るので、それに対応して、最内周Ｒ1 から最外周Ｒ2 ま
で一定波形のＲＦ信号Ｓ2 を得るために、補正量Ｃ１を
最内周Ｒ1 側で大きくし、最外周Ｒ2 側で小さくしてい
る。
【００３１】図４は、ＣＡＶ光ディスク１Ｃに対するイ
コライザー１０による補正量Ｃの周波数特性を概略的に
示している。すなわち、矢印Ｑ方向に示すように、最内
周Ｒ 1 側から最外周Ｒ2 側に向かって高周波領域におけ
る補正量Ｃが補正量Ｃ１から補正量Ｃ２へと徐徐に小さ
くなるようになっている。
コライザー１０による補正量Ｃの周波数特性を概略的に
示している。すなわち、矢印Ｑ方向に示すように、最内
周Ｒ 1 側から最外周Ｒ2 側に向かって高周波領域におけ
る補正量Ｃが補正量Ｃ１から補正量Ｃ２へと徐徐に小さ
くなるようになっている。
【００３２】光ディスク１がＣＡＶ光ディスク１Ｃでは
なくて、ＣＬＶ単密度光ディスク１ＡおよびＣＬＶ倍密
度光ディスク１Ｂの場合には、補正量Ｃは、それぞれ、
特性６２，６１に示すように、最内周Ｒ1 側から最外周
Ｒ2 側にわたって一定値に設定している。
なくて、ＣＬＶ単密度光ディスク１ＡおよびＣＬＶ倍密
度光ディスク１Ｂの場合には、補正量Ｃは、それぞれ、
特性６２，６１に示すように、最内周Ｒ1 側から最外周
Ｒ2 側にわたって一定値に設定している。
【００３３】一般に、ＣＬＶ光ディスクでは、線速度が
一定であるので、半径Ｒ上の全ての点でＭＴＦが一定に
なるからである。ただし、ＣＬＶ倍密度光ディスク１Ｂ
は、ＣＬＶ単密度光ディスク１Ａに比較してＭＴＦが小
さいので、補正量Ｃが比較的に高い値に設定（特性６１
参照）されている。なお、倍密度光ディスクとは、例え
ば、最短ピット長が0.5μｍの光ディスクをいい、単密
度光ディスクとは、例えば、最短ピット長が1μｍの光
ディスクをいう。
一定であるので、半径Ｒ上の全ての点でＭＴＦが一定に
なるからである。ただし、ＣＬＶ倍密度光ディスク１Ｂ
は、ＣＬＶ単密度光ディスク１Ａに比較してＭＴＦが小
さいので、補正量Ｃが比較的に高い値に設定（特性６１
参照）されている。なお、倍密度光ディスクとは、例え
ば、最短ピット長が0.5μｍの光ディスクをいい、単密
度光ディスクとは、例えば、最短ピット長が1μｍの光
ディスクをいう。
【００３４】図５は、イコライザー１０と積分回路１１
の詳細な構成を示している。イコライザー１０の入力端
子２１には、光ピックアップ５により再生されたＲＦ信
号Ｓ 1 が供給される。このＲＦ信号Ｓ1 は、結合コンデ
ンサ２２を通じてトランジスタ２３と抵抗器２４とから
構成されるエミッタフォロワに供給される。
の詳細な構成を示している。イコライザー１０の入力端
子２１には、光ピックアップ５により再生されたＲＦ信
号Ｓ 1 が供給される。このＲＦ信号Ｓ1 は、結合コンデ
ンサ２２を通じてトランジスタ２３と抵抗器２４とから
構成されるエミッタフォロワに供給される。
【００３５】エミッタフォロワの出力信号は、抵抗器２
５を通じてトランジスタ２８のベースに供給されるとと
もに、遅延時間ｔd ＝50ｎｓの遅延回路２６を通じてト
ランジスタ２７のベースに供給される。トランジスタ２
７とトランジスタ２８のエミッタ間には、電圧制御抵抗
可変素子２９が挿入されている。電圧制御可変抵抗素子
２９としては、例えば、ソニー製の型式「ＴＸ−429Ｍ
Ｋ」を使用することができる。
５を通じてトランジスタ２８のベースに供給されるとと
もに、遅延時間ｔd ＝50ｎｓの遅延回路２６を通じてト
ランジスタ２７のベースに供給される。トランジスタ２
７とトランジスタ２８のエミッタ間には、電圧制御抵抗
可変素子２９が挿入されている。電圧制御可変抵抗素子
２９としては、例えば、ソニー製の型式「ＴＸ−429Ｍ
Ｋ」を使用することができる。
【００３６】図３Ａは、電圧制御可変抵抗素子２９の特
性６５を示している。特性６５から分かるように、この
電圧制御可変抵抗素子２９は、ゲートＧＤ，ＧＳに印加
される制御電圧ＶS が−2Ｖから−6Ｖまで変化したとき
に、ドレインＤとソースＳ間の抵抗値Ｘが約200オーム
からメグオーム程度まで変化する特性を有している。な
お、図３Ａ中、縦軸は、対数目盛である。
性６５を示している。特性６５から分かるように、この
電圧制御可変抵抗素子２９は、ゲートＧＤ，ＧＳに印加
される制御電圧ＶS が−2Ｖから−6Ｖまで変化したとき
に、ドレインＤとソースＳ間の抵抗値Ｘが約200オーム
からメグオーム程度まで変化する特性を有している。な
お、図３Ａ中、縦軸は、対数目盛である。
【００３７】このような特性を有する電圧制御可変抵抗
素子２９には、並列的にコンデンサ３４とコンデンサ３
５とが接続されている。抵抗器３１と抵抗器３２は、ト
ランジスタ２７，２８にバイアス電流を供給する抵抗器
である。抵抗器３６〜３８は、積分回路１１の負荷抵抗
の一部を形成している。
素子２９には、並列的にコンデンサ３４とコンデンサ３
５とが接続されている。抵抗器３１と抵抗器３２は、ト
ランジスタ２７，２８にバイアス電流を供給する抵抗器
である。抵抗器３６〜３８は、積分回路１１の負荷抵抗
の一部を形成している。
【００３８】積分回路１１は、演算増幅器４１を有し、
その非反転入力端子には、入力端子５０側から抵抗器４
３とコンデンサ４４とによる積分回路および抵抗器４５
とコンデンサ４６とによる積分回路が直列に接続されて
いる。入力端子５０には、制御回路４からパルスインタ
ーバル変調信号Ｓ4 が供給されている。
その非反転入力端子には、入力端子５０側から抵抗器４
３とコンデンサ４４とによる積分回路および抵抗器４５
とコンデンサ４６とによる積分回路が直列に接続されて
いる。入力端子５０には、制御回路４からパルスインタ
ーバル変調信号Ｓ4 が供給されている。
【００３９】トランジスタ２７のコレクタと電源電圧＋
ＶCC間には負荷抵抗器５２が接続され、その負荷抵抗器
５２には、トランジスタ５３と抵抗器５４とから構成さ
れるエミッタフォロワが接続されている。エミッタフォ
ロワの出力端子５５には、高周波成分補正後のＲＦ信号
Ｓ2 が現れる。
ＶCC間には負荷抵抗器５２が接続され、その負荷抵抗器
５２には、トランジスタ５３と抵抗器５４とから構成さ
れるエミッタフォロワが接続されている。エミッタフォ
ロワの出力端子５５には、高周波成分補正後のＲＦ信号
Ｓ2 が現れる。
【００４０】図６は、電圧制御可変抵抗素子２９を含む
部分の等価回路を示している。電圧制御可変抵抗素子２
９は、図３Ａに示すように、制御電圧ＶS に応じて抵抗
値Ｘが変化する。この場合、制御電圧ＶS が−2Ｖ側で
は、抵抗値Ｘが比較的に小さいので、トランジスタ２７
のコレクタに現れる出力信号の高周波成分の補正量Ｃが
大きくなる。また、制御電圧ＶS が−6Ｖ側では、抵抗
値Ｘが比較的に大きいので、トランジスタ２７のコレク
タに現れる出力信号の高周波成分の補正量Ｃが小さくな
る。
部分の等価回路を示している。電圧制御可変抵抗素子２
９は、図３Ａに示すように、制御電圧ＶS に応じて抵抗
値Ｘが変化する。この場合、制御電圧ＶS が−2Ｖ側で
は、抵抗値Ｘが比較的に小さいので、トランジスタ２７
のコレクタに現れる出力信号の高周波成分の補正量Ｃが
大きくなる。また、制御電圧ＶS が−6Ｖ側では、抵抗
値Ｘが比較的に大きいので、トランジスタ２７のコレク
タに現れる出力信号の高周波成分の補正量Ｃが小さくな
る。
【００４１】図３Ｂは、光ディスク１の種類に応じた最
内周Ｒ1 側から最外周Ｒ2 側までの制御電圧ＶS の特性
を示している。
内周Ｒ1 側から最外周Ｒ2 側までの制御電圧ＶS の特性
を示している。
【００４２】光ディスク１がＣＡＶ光ディスク１Ｃであ
る場合には、制御電圧ＶS を最内周Ｒ1 側で−2Ｖ、最
外周Ｒ2 側で−6Ｖになるような特性６８にしている。
そうすると抵抗値Ｘが約200オームからメグオーム程度
まで変化するので、補正量Ｃは、図３に示した特性６３
のように変化する。
る場合には、制御電圧ＶS を最内周Ｒ1 側で−2Ｖ、最
外周Ｒ2 側で−6Ｖになるような特性６８にしている。
そうすると抵抗値Ｘが約200オームからメグオーム程度
まで変化するので、補正量Ｃは、図３に示した特性６３
のように変化する。
【００４３】また、光ディスク１が単密度光ディスク１
Ａである場合には、制御電圧ＶS をＶS ＝−6Ｖ一定値
に保ち、また、倍密度光ディスク１Ｂである場合には、
制御電圧ＶS がＶS ＝−2Ｖの一定値になる特性６６に
している。また、単密度光ディスク１Ａである場合に
は、制御電圧ＶS がＶS ＝−6Ｖの一定値になる特性６
７にしている。制御電圧ＶS ＝−6Ｖでは抵抗値Ｘがメ
グオーム程度であり、制御電圧ＶS がＶS ＝−2Ｖでは
約200オームであるので、それぞれの補正量Ｃは特性６
１および特性６２に示したようになる。
Ａである場合には、制御電圧ＶS をＶS ＝−6Ｖ一定値
に保ち、また、倍密度光ディスク１Ｂである場合には、
制御電圧ＶS がＶS ＝−2Ｖの一定値になる特性６６に
している。また、単密度光ディスク１Ａである場合に
は、制御電圧ＶS がＶS ＝−6Ｖの一定値になる特性６
７にしている。制御電圧ＶS ＝−6Ｖでは抵抗値Ｘがメ
グオーム程度であり、制御電圧ＶS がＶS ＝−2Ｖでは
約200オームであるので、それぞれの補正量Ｃは特性６
１および特性６２に示したようになる。
【００４４】図７は、イコライザー１０の入出力波形の
形状を示している。トランジスタ２７のベースには、遅
延時間ｔd のＲＦ信号Ｓ1 が供給され、一方、トランジ
スタ２８のベースには、無遅延のＲＦ信号Ｓ1 （図７Ａ
参照）と遅延時間２ｔd のＲＦ信号Ｓ1 とが供給される
ことになるので、トランジスタ２７のコレクタ、したが
って、トランジスタ５３のエミッタに現れる高周波補正
後のＲＦ信号Ｓ2 は、図７Ｂに概念的に示すような波形
になる。図７Ｂに示す波形において、補正量Ｃは、アン
ダーシュートやオーバーシュートの量ΔＹに比例する。
なお、実際には、ＲＦ信号Ｓ1 は、その立ち上がり部や
立ち下がり部においてなまっているので、イコライザー
１０により補正されたときに、立ち上がり部や立ち下が
り部のなまりが補正された方形波になる。
形状を示している。トランジスタ２７のベースには、遅
延時間ｔd のＲＦ信号Ｓ1 が供給され、一方、トランジ
スタ２８のベースには、無遅延のＲＦ信号Ｓ1 （図７Ａ
参照）と遅延時間２ｔd のＲＦ信号Ｓ1 とが供給される
ことになるので、トランジスタ２７のコレクタ、したが
って、トランジスタ５３のエミッタに現れる高周波補正
後のＲＦ信号Ｓ2 は、図７Ｂに概念的に示すような波形
になる。図７Ｂに示す波形において、補正量Ｃは、アン
ダーシュートやオーバーシュートの量ΔＹに比例する。
なお、実際には、ＲＦ信号Ｓ1 は、その立ち上がり部や
立ち下がり部においてなまっているので、イコライザー
１０により補正されたときに、立ち上がり部や立ち下が
り部のなまりが補正された方形波になる。
【００４５】制御電圧ＶS 、すなわち、直流制御信号Ｓ
3 は、パルスインターバル変調信号Ｓ4 の積分信号とし
て得られるが、このパルスインターバル変調信号Ｓ
4 は、光ディスク１がＣＡＶ光ディスク１Ｃである場合
には、半径Ｒに応じて、言い換えれば、スピンドルモー
タ３の回転数に応じてデューティが変化する信号であ
る。また、光ディスク１が、ＣＬＶ単密度光ディスク１
ＡまたはＣＬＶ倍密度光ディスク１Ｃである場合には、
それぞれ、最外周Ｒ2 におけるデューティを有する一定
値のパルスインターバル変調信号Ｓ4 または最内周Ｒ1
におけるデューティを有する一定値のパルスインターバ
ル変調信号Ｓ4 が供給されることになる。
3 は、パルスインターバル変調信号Ｓ4 の積分信号とし
て得られるが、このパルスインターバル変調信号Ｓ
4 は、光ディスク１がＣＡＶ光ディスク１Ｃである場合
には、半径Ｒに応じて、言い換えれば、スピンドルモー
タ３の回転数に応じてデューティが変化する信号であ
る。また、光ディスク１が、ＣＬＶ単密度光ディスク１
ＡまたはＣＬＶ倍密度光ディスク１Ｃである場合には、
それぞれ、最外周Ｒ2 におけるデューティを有する一定
値のパルスインターバル変調信号Ｓ4 または最内周Ｒ1
におけるデューティを有する一定値のパルスインターバ
ル変調信号Ｓ4 が供給されることになる。
【００４６】補正後のＲＦ信号Ｓ2 は、スライサとして
動作する波形整形回路１２で２値化されて２値信号Ｓ5
に変換されて制御回路４に供給される。制御回路４は、
この２値信号Ｓ5 からシンクを抽出しＰＬＬでロックし
てデータクロックを形成する。このデータクロックに基
づいて２値信号Ｓ5 に含まれるデータが読み取られる。
動作する波形整形回路１２で２値化されて２値信号Ｓ5
に変換されて制御回路４に供給される。制御回路４は、
この２値信号Ｓ5 からシンクを抽出しＰＬＬでロックし
てデータクロックを形成する。このデータクロックに基
づいて２値信号Ｓ5 に含まれるデータが読み取られる。
【００４７】このように上記した実施例によれば、光デ
ィスク１がＣＡＶ光ディスク１Ｃであった場合には、図
３Ｃに示すように、光ディスク１の最内周Ｒ1 側から最
外周Ｒ2 側に向かってイコライザー１０による高周波成
分の補正量Ｃが特性６３に示すように連続的に小さくな
るようにしている。このため、ＭＴＦの変化が補正量Ｃ
の変化により補われ、内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側の全領
域において最適な補正を行うことができる。したがっ
て、従来の技術の項で示したような特定のデータパター
ンにおいて読み取りエラーが大きくなるというような不
都合が発生しない。すなわち、いわゆる互換マージンが
広く取れるようになる。
ィスク１がＣＡＶ光ディスク１Ｃであった場合には、図
３Ｃに示すように、光ディスク１の最内周Ｒ1 側から最
外周Ｒ2 側に向かってイコライザー１０による高周波成
分の補正量Ｃが特性６３に示すように連続的に小さくな
るようにしている。このため、ＭＴＦの変化が補正量Ｃ
の変化により補われ、内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側の全領
域において最適な補正を行うことができる。したがっ
て、従来の技術の項で示したような特定のデータパター
ンにおいて読み取りエラーが大きくなるというような不
都合が発生しない。すなわち、いわゆる互換マージンが
広く取れるようになる。
【００４８】また、イコライザー１０として電圧制御可
変抵抗素子２９を使用しているので、その制御電圧ＶS
を内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側にわたって変化させるだけ
で補正量Ｃを変化させることが可能となり、いわゆるコ
ールド制御（直流制御）が容易になるので、回路構成が
簡単になる。
変抵抗素子２９を使用しているので、その制御電圧ＶS
を内周Ｒ1 側から外周Ｒ2 側にわたって変化させるだけ
で補正量Ｃを変化させることが可能となり、いわゆるコ
ールド制御（直流制御）が容易になるので、回路構成が
簡単になる。
【００４９】さらに、光ディスク１の種類を判別する制
御回路４によって、光ディスク１がＣＡＶ光ディスク１
Ｃであると判別された場合には、イコライザー１０によ
る高周波成分の補正量Ｃが光ディスク１の最内周Ｒ1 側
から最外周Ｒ2 側に向かって連続的に小さくなるように
設定され、一方、光ディスク１が単密度ＣＬＶ光ディス
ク１Ａ、または倍密度光ディスク１Ｃであると判別され
た場合には、イコライザー１０による高周波成分の補正
量Ｃが一定値（それぞれ、特性６２、特性６１）に設定
される。このため、光ディスク１の種類に応じて自動的
に最適な補正量Ｃを選択することができる。その際、補
正量切換スイッチを個別に設ける必要がなくなるので、
操作ミスが皆無になる。
御回路４によって、光ディスク１がＣＡＶ光ディスク１
Ｃであると判別された場合には、イコライザー１０によ
る高周波成分の補正量Ｃが光ディスク１の最内周Ｒ1 側
から最外周Ｒ2 側に向かって連続的に小さくなるように
設定され、一方、光ディスク１が単密度ＣＬＶ光ディス
ク１Ａ、または倍密度光ディスク１Ｃであると判別され
た場合には、イコライザー１０による高周波成分の補正
量Ｃが一定値（それぞれ、特性６２、特性６１）に設定
される。このため、光ディスク１の種類に応じて自動的
に最適な補正量Ｃを選択することができる。その際、補
正量切換スイッチを個別に設ける必要がなくなるので、
操作ミスが皆無になる。
【００５０】なお、本発明は上記の実施例に限らず本発
明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り得ること
はもちろんである。
明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り得ること
はもちろんである。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、第１の本発明によ
れば、イコライザーによる高周波成分の補正量を、光デ
ィスクが一定角速度で動作される光ディスクであった場
合には、光ディスクの内周側から外周側に向かって小さ
くなるように設定している。このため、ＭＴＦの変化が
補正量の変化により補われ、内周側から外周側の全領域
において、最適な補正を行うことができるという効果が
得られる。
れば、イコライザーによる高周波成分の補正量を、光デ
ィスクが一定角速度で動作される光ディスクであった場
合には、光ディスクの内周側から外周側に向かって小さ
くなるように設定している。このため、ＭＴＦの変化が
補正量の変化により補われ、内周側から外周側の全領域
において、最適な補正を行うことができるという効果が
得られる。
【００５２】第２の本発明によれば、イコライザーとし
て電圧制御可変抵抗素子を使用しているので、その電圧
を内周側から外周側にわたって変化させるだけで補正量
を変化させることが可能となり、いわゆるコールド制御
（直流制御）が容易になるので、回路構成が簡単になる
という効果が得られる。
て電圧制御可変抵抗素子を使用しているので、その電圧
を内周側から外周側にわたって変化させるだけで補正量
を変化させることが可能となり、いわゆるコールド制御
（直流制御）が容易になるので、回路構成が簡単になる
という効果が得られる。
【００５３】第３の本発明によれば、光ディスクの種類
を判別する判別手段によって、光ディスクが一定角速度
で動作される光ディスクであると判別された場合には、
上記イコライザーによる高周波成分の補正量が上記光デ
ィスクの内周側から外周側に向かって小さくなるように
設定され、一方、上記光ディスクが一定線速度で動作さ
れる光ディスクであると判別された場合には、上記イコ
ライザーによる高周波成分の補正量が上記光ディスクの
内周側から外周側の間で一定値に設定される。このた
め、光ディスクの種類に応じて自動的に最適な補正量を
選択することができるという効果が得られる。
を判別する判別手段によって、光ディスクが一定角速度
で動作される光ディスクであると判別された場合には、
上記イコライザーによる高周波成分の補正量が上記光デ
ィスクの内周側から外周側に向かって小さくなるように
設定され、一方、上記光ディスクが一定線速度で動作さ
れる光ディスクであると判別された場合には、上記イコ
ライザーによる高周波成分の補正量が上記光ディスクの
内周側から外周側の間で一定値に設定される。このた
め、光ディスクの種類に応じて自動的に最適な補正量を
選択することができるという効果が得られる。
【００５４】第４の本発明によれば、光ディスクの種類
と記録密度とを判別する判別手段によって、上記光ディ
スクが一定線速度で動作される光ディスクであって、か
つ記録密度が比較的に高い光ディスクであると判別され
た場合には、イコライザーによる高周波成分の補正量が
比較的に大きい値に設定され、光ディスクが一定線速度
で動作される光ディスクであって、かつ記録密度が比較
的に低い光ディスクであると判別された場合には、上記
イコライザーによる高周波成分の補正量を比較的に小さ
い値に設定されるようにしている。このため、一定線速
度で動作される光ディスクの記録密度に応じて補正量を
自動的な最適な補正量に選択することができるという効
果が得られる。
と記録密度とを判別する判別手段によって、上記光ディ
スクが一定線速度で動作される光ディスクであって、か
つ記録密度が比較的に高い光ディスクであると判別され
た場合には、イコライザーによる高周波成分の補正量が
比較的に大きい値に設定され、光ディスクが一定線速度
で動作される光ディスクであって、かつ記録密度が比較
的に低い光ディスクであると判別された場合には、上記
イコライザーによる高周波成分の補正量を比較的に小さ
い値に設定されるようにしている。このため、一定線速
度で動作される光ディスクの記録密度に応じて補正量を
自動的な最適な補正量に選択することができるという効
果が得られる。
【００５５】第１〜第４の本発明によれば、光ディスク
に対する補正量がその内周側から外周側の全領域にわた
って最適になるので、いわゆる互換マージンが広くなる
という効果も得られる。そのうえ、補正量を切り換える
ための機械的なスイッチを必要としないので、操作の繁
雑さがなくなるとともに、誤操作が皆無になるという効
果も得られる。
に対する補正量がその内周側から外周側の全領域にわた
って最適になるので、いわゆる互換マージンが広くなる
という効果も得られる。そのうえ、補正量を切り換える
ための機械的なスイッチを必要としないので、操作の繁
雑さがなくなるとともに、誤操作が皆無になるという効
果も得られる。
【図１】本発明による光ディスク再生装置の一実施例の
構成を示す線図である。
構成を示す線図である。
【図２】光ディスクの構成を示す線図である。
【図３】Ａは、図５に示すイコライザーを構成する電圧
制御可変抵抗素子の制御電圧対抵抗値特性を示す特性図
である。Ｂは、光ディスクの半径位置と制御電圧との関
係を光ディスクの種類に応じて示す特性図である。Ｃ
は、光ディスクの半径位置と補正量との関係を光ディス
クの種類に応じて示す特性図である。
制御可変抵抗素子の制御電圧対抵抗値特性を示す特性図
である。Ｂは、光ディスクの半径位置と制御電圧との関
係を光ディスクの種類に応じて示す特性図である。Ｃ
は、光ディスクの半径位置と補正量との関係を光ディス
クの種類に応じて示す特性図である。
【図４】ＣＡＶ光ディスクに対する補正量の周波数特性
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図５】図１例に示す光ディスク再生装置のうちイコラ
イザーと積分回路の詳細な構成を示す回路図である。
イザーと積分回路の詳細な構成を示す回路図である。
【図６】図５に示すイコライザーのうち電圧制御可変抵
抗素子を含む部分の等価回路を示す回路図である。
抗素子を含む部分の等価回路を示す回路図である。
【図７】図５に示すイコライザーの入出力波形の例を示
す波形図である。
す波形図である。
１ 光ディスク １Ａ ＣＬＶ単密度光ディスク １Ｂ ＣＬＶ倍密度光ディスク １Ｃ ＣＡＶ光ディスク １０ イコライザー １１ 積分回路 ２９ 電圧制御可変抵抗素子
Claims (4)
- 【請求項１】 光ディスクから読み取られた読み取り信
号の高周波成分を上げて読み取りエラーが少なくなるよ
うにされた光ディスク再生装置において、 上記高周波成分を変化させるイコライザーを有し、 上記光ディスクが一定角速度で動作される光ディスクで
あった場合には、上記イコライザーによる高周波成分の
補正量が上記光ディスクの内周側から外周側に向かって
小さくなるように設定されたことを特徴とする光ディス
ク再生装置。 - 【請求項２】 上記イコライザーが電圧制御可変抵抗素
子を有することを特徴とする請求項１記載の光ディスク
再生装置。 - 【請求項３】 光ディスクから読み取られた読み取り信
号の高周波成分を上げて読み取りエラーが少なくなるよ
うにされた光ディスク再生装置において、 上記光ディスクの種類を判別する判別手段と、 上記高周波成分を変化させるイコライザーとを有し、 上記判別手段によって、上記光ディスクが一定角速度で
動作される光ディスクであった場合には、上記イコライ
ザーによる高周波成分の補正量が上記光ディスクの内周
側から外周側に向かって小さくなるように設定され、上
記光ディスクが一定線速度で動作される光ディスクであ
った場合には、上記イコライザーによる高周波成分の補
正量が上記光ディスクの内周側から外周側の間で一定値
に設定されたことを特徴とする光ディスク再生装置。 - 【請求項４】 光ディスクから読み取られた読み取り信
号の高周波成分を上げて読み取りエラーが少なくなるよ
うにされた光ディスク再生装置において、 上記光ディスクの種類と記録密度とを判別する判別手段
と、 上記高周波成分を変化させるイコライザーとを有し、 上記判別手段によって、上記光ディスクが一定線速度で
動作される光ディスクであって、かつ記録密度が比較的
に高い光ディスクであると判別された場合には、上記イ
コライザーによる高周波成分の補正量が比較的に大きい
値に設定され、上記光ディスクが一定線速度で動作され
る光ディスクであって、かつ記録密度が比較的に低い光
ディスクであると判別された場合には、上記イコライザ
ーによる高周波成分の補正量が比較的に小さい値に設定
されるようにしたことを特徴とする光ディスク再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04150902A JP3089509B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 光ディスク再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04150902A JP3089509B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 光ディスク再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342588A true JPH05342588A (ja) | 1993-12-24 |
| JP3089509B2 JP3089509B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=15506887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04150902A Expired - Fee Related JP3089509B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 光ディスク再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3089509B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5703852A (en) * | 1995-04-06 | 1997-12-30 | Sony Corporation | Optical disk reproducing apparatus having a cosine equalizer with boosted frequency characteristics |
| WO2006059273A1 (en) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Arima Devices Corporation | Self-adaptive filter circuit |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP04150902A patent/JP3089509B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5703852A (en) * | 1995-04-06 | 1997-12-30 | Sony Corporation | Optical disk reproducing apparatus having a cosine equalizer with boosted frequency characteristics |
| WO2006059273A1 (en) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Arima Devices Corporation | Self-adaptive filter circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3089509B2 (ja) | 2000-09-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |