JPH0534099Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は高周波回路用コンデンサに関し、特
に、円筒型磁器の内周及び外周面に金属膜からな
る電極を形成して成る高周波回路用円筒チツプ型
磁器コンデンサの端子構造の改良に関する。

［従来の技術］ 円筒形磁器コンデンサは、第４図にも示すよう
に、誘電体セラミツクからなるセラミツク円筒体
１の内周及び外周面とに対向する電極２と３を
各々形成し、これら電極２と３の間の静電容量を
利用したコンデンサである。そして、上記の従来
技術になる円筒型磁器コンデンサ４では、一般
に、上記円筒型磁器の内周に形成した電極２をそ
の外周面にまで引き出し、これを端子２′として
使用していた。

［考案が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記の従来技術になる円筒型磁
器コンデンサの端子構造では、上記電極２を外周
面にまで引き出して形成した端子電極部２′とそ
れと向かい合う上記円筒型磁器の内周に形成した
電極２との間に、いわゆるストリツプライン共振
現象が生じる。このため、いわゆる高周波領域に
おけるESR（等価直列抵抗）特性を著しく劣化さ
せてしまうという問題点を有していた。

このストリツプライン共振現象は、上記外周面
に引き出して形成した端子電極部２′の寸法Ａの
長さが長い程、低周波領域で発生してしまうこと
が判明した。

そこで、本考案は、上記の従来技術における問
題点に鑑み、すなわちストリツプライン共振現象
が生じにくく、また、例え生じたとしても高周波
回路用としては実用的には影響のない程度の円筒
型磁器コンデンサを提供することにある。

［問題を解決するための手段］ すなわち、上記本考案の目的は、セラミツク円
筒体１１の内周面及び外周面にそれぞれ金属層か
らなる対向する電極１２，１３を形成して成る円
筒チツプ型磁器コンデンサにおいて、上記電極を
セラミツク円筒体の両端面にまで延長すると共
に、上記セラミツク円筒体１１の少なくとも両端
開口部を絶縁材１５で閉じ、セラミツク円筒体１
１の両端に露出した電極１２，１３の一部に接す
るよう、セラミツク円筒体１１と上記絶縁材１５
の表面上に端子電極１６，１７を形成したことを
特徴とする高周波回路用円筒チツプ型磁器コンデ
ンサによつて達成される。

［作用］ すなわち、第４図において、端子電極部２′の
寸法Ａ（mm）と共振周波数との関係は、εをセ
ラミツク円筒体の誘電率とすると、 ＝３×10¹¹／４√×Ａ と表わされ、上記の寸法Ａが小さくなる程、共振
周波数は高周波側にずれてゆき、その共振周波数
より小さい周波数域では上記ESR値が小さく安
定する。

上記本考案による高周波回路用円筒チツプ型磁
器コンデンサによれば、上記セラミツク円筒体１
１の内周面に形成した電極１２は、上記セラミツ
ク円筒体１１の少なくとも両端開口部を閉じるよ
うに施された絶縁塗装１５の表面から露出するよ
う、セラミツク円筒体１１の端面まで延長されて
いる。そして、この内周側の電極１２と接するよ
う形成された端子電極１６は、セラミツク円筒体
１１の端面とその中央の絶縁材１５にのみ形成さ
れ、セラミツク円筒体１１の外周側に形成されて
いないため、この端子電極１６が内周側の電極１
２と向かい合うことがない。これによつて、スト
リツプライン共振現象が発生する周波数帯域を高
周波数側にシフトさせて、実用周波数帯域でのス
トリツプライン共振現象を抑えることができる。

なお、端子電極１６は、薄いセラミツク円筒体
１１の端面の僅かな面だけでなく、その両端開口
部を塞ぐように施された絶縁材１５の上にも形成
されるため、第１図で示すように半田付けするの
に支障のない充分な面積が確保できる。

［実施例］ 以下、本考案の実施例について、添付の図面を
参照しながら説明する。

第１図において、上記考案の実施例である高周
波回路用円筒チツプ型磁器コンデンサ１０は、セ
ラミツク円筒体１１の内周面に内部電極１２を、
その外周面に外部電極１３を各々形成し、これら
の内部電極１２と外部電極１３が上記セラミツク
円筒体１１を挟んで対向する構造と成つている。
また、上記内部電極１２は、上記セラミツク円筒
体１１の図中左側の端面上にまで延長されている
が、上記セラミツク円筒体１１の外周面にまでは
延長されていない。

そして、上記円筒状誘電体セラミツク１１の内
周側の空間には、絶縁材１５が充填されており、
端子電極１６，１７が上記円筒状誘電体セラミツ
ク１１の両端面からこの絶縁材１５の表面にわた
つて形成されている。すなわち、上記絶縁性塗装
材１５が充填された円筒状誘電体セラミツク１１
の両端面は、図にも示すように、平坦にされ、図
示の実施例では、この両端面上に金属ペーストを
塗布して３層から成る端子電極１６及び１７を形
成している。さらに、上記円筒状誘電体セラミツ
ク１１の外周面に形成された外部電極１３の表面
上に絶縁性の外装被膜１８を施し、もつて高周波
回路用円筒チツプ型磁器コンデンサが完成する。
なお、上記絶縁材１５は、セラミツク円筒体１１
の開口部を塞ぐよう設ければよく、必ずしも図示
のように、その内周側の空間部に完全に充填する
必要はない。

そして、この円筒チツプ型磁器コンデンサは、
例えば第１図で示すように、高周波回路用基板２
０の上に搭載し、その両端面に形成された上記端
子電極１６及び１７を、配電パターン２１，２
１′に半田１９，１９′で固定し、かつ接続する。

次に、上記の円筒チツプ型磁器コンデンサの製
造方法について説明する。第２図ａに示すよう
に、一般に使用されている温度補償用セラミツク
ス材料あるいはSrTiO₃系半導体セラミツクス材
料を円筒状に形成し、これを焼成して誘電体製の
セラミツク円筒体１１を作る。その寸法は、例え
ば3.2φ×1.5mmとした。

亜鉛等を基材とした導電ペーストを、このセラ
ミツク円筒体１１の内周及び外周面にピンやロー
ラ等によつて塗布する。その後、この金属ペース
トを580〜640℃の温度で焼き付け、上記内部電極
１２と外部電極１３を形成する。

ここで、セラミツク円筒体１１の内周面に塗布
されて上記内部電極１２を構成する亜鉛ペースト
は、上でも述べたように、上記セラミツク円筒体
１１の図中左側の端面上にまで塗布されるが、そ
の外周面には塗布されていない。

続いて、第２図ｂに示すように、上記亜鉛ペー
ストによる内部電極１２と外部電極１３の表面上
に銅電極１２′，１３′を、例えば置換メツキ法等
の手段によつて形成する。その後、エポキシ系樹
脂を用いた絶縁材１５を上記円筒状誘電体セラミ
ツク１１の外周面上に塗布すると共に、その内周
側の空間に充填し、150〜160℃の温度で30分間、
乾燥＋焼付けを行い、さらに、第２図ｃに示すよ
うに、上記円筒状誘電体セラミツク１１の両端の
全面に亘つて、それぞれ上記内部電極１２，１
２′と外部電極１３，１３′に電気的に接続される
ようにニツケルペースト電極層１６１，１７１、
ニツケルメツキ層１６２，１７２、そして半田メ
ツキ層１６３，１７３を順次施し、端子電極１
６，１７を各々形成する。これによつて、高周波
回路用円筒チツプ型磁器コンデンサを完成する。

上記の様にして完成した高周波回路用円筒チツ
プ型磁器コンデンサ１０の電気的特性を実際に測
定し結果が、第３図ａ及びｂのグラフに示されて
いる。すなわち、第３図ａは、一般に使用されて
いる温度補償用セラミツクス材料を円筒状に形成
した後、これを焼成して得た円筒状誘電体セラミ
ツク１１を用いて形成した、容量100pFの上記円
筒チツプ型磁器コンデンサについて、インピーダ
ンスアナライザ及びネツトワークアナライザを用
い、各周波数に対してインピーダンス等を測定
し、この周波数（10MHz〜26.5GHz）に対する
ESR（等価直列抵抗）特性を示したものである。

この特性曲線からも明らかなように、本考案に
なる高周波回路用円筒チツプ型磁器コンデンサで
は、図中で実線で示されるように、少なくとも
1GHz以上の高周波帯でのみ共振周波数を有し、
上記従来の高周波回路用円筒チツプ型磁器コンデ
ンサ等に比較し、その共振周波数特性がより高周
波領域にシフトしており、実用的に使用される周
波数領域ではそのESR値が十分に小さくかつ安
定している。

また、第３図ｂには、SrTiO₃半導体系セラミ
ツクス材料を円筒状に形成した後、これを一次焼
成及び二次焼成して得た円筒状誘電体セラミツク
１１を用いて形成した、容量2200pFの円筒チツ
プ型磁器コンデンサ１０の周波数−ESR（等価直
列抵抗）特性が示されている。この特性グラフか
らも明らかなように、この本考案になる高周波回
路用円筒チツプ型磁器コンデンサでも、100MHz
以上の高周波帯でのみ共振周波数を有し、上記と
同様に、その共振周波数特性がより高周波領域に
シフトしており、実用的に使用される周波数領域
ではそのESR値が十分に小さくかつ安定してい
る。

［考案の効果］ 以上の説明からも明らかなように、上記考案に
よれば、実用周波数帯域でのストリツプライン共
振現象を抑えて、実用的に影響のないものとする
ことがでる。そして、半田付けも容易であるた
め、実用的特性に優れた高周波回路用円筒チツプ
型磁器コンデンサを提供することが出来るという
効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例である高周波回路用円
筒チツプ型磁器コンデンサの構造を示す断面図、
第２図ａ，ｂ及びｃは上記第１図の円筒チツプ型
磁器コンデンサの製造工程を示す工程図、第３図
ａ及びｂは本考案に成る高周波回路用円筒チツプ
型磁器コンデンサの電気的特性を示すグラフであ
り、そして、第４図は従来技術を説明するための
従来技術に成る円筒チツプ型磁器コンデンサの断
面図である。 １１……セラミツク円筒体、１２……内部電
極、１３……外部電極、１５……絶縁性塗装材、
１６，１７……端子電極。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. セラミツク円筒体１１の内周面及び外周面にそ
   れぞれ金属層からなる対向する電極１２，１３を
   形成して成る円筒チツプ型磁器コンデンサにおい
   て、上記電極をセラミツク円筒体の両端面にまで
   延長すると共に、上記セラミツク円筒体１１の少
   なくとも両端開口部を絶縁材１５で閉じ、セラミ
   ツク円筒体１１の両端に露出した電極１２，１３
   の一部に接するよう、セラミツク円筒体１１と上
   記絶縁材１５の表面上に端子電極１６，１７を形
   成したことを特徴とする高周波回路用円筒チツプ
   型磁器コンデンサ。