JPH05339775A - スタンパ製造方法 - Google Patents
スタンパ製造方法Info
- Publication number
- JPH05339775A JPH05339775A JP14400692A JP14400692A JPH05339775A JP H05339775 A JPH05339775 A JP H05339775A JP 14400692 A JP14400692 A JP 14400692A JP 14400692 A JP14400692 A JP 14400692A JP H05339775 A JPH05339775 A JP H05339775A
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- JP
- Japan
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- stamper
- layer
- silane coupling
- coupling agent
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、光ディスク原盤より、原盤表面の
材質に依存せずドロップアウトの発生を抑制してスタン
パを製造する方法を提供することを目的とする。 【構成】 光ディスク原盤１より複製ディスク２を作製
する工程、前記複製ディスク上に導電性物質からなる導
電性層３および４を形成する工程、および前記複製ディ
スクを前記導電性層より除去する工程を、逐次行い前記
導電性層をスタンパ５とする。
材質に依存せずドロップアウトの発生を抑制してスタン
パを製造する方法を提供することを目的とする。 【構成】 光ディスク原盤１より複製ディスク２を作製
する工程、前記複製ディスク上に導電性物質からなる導
電性層３および４を形成する工程、および前記複製ディ
スクを前記導電性層より除去する工程を、逐次行い前記
導電性層をスタンパ５とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスク表面が金属か
らなる場合に、良好な剥離性を有する光ディスク原盤の
スタンパの製造方法に関する。
らなる場合に、良好な剥離性を有する光ディスク原盤の
スタンパの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスタンパの製造方法を図６を用い
て説明する。
て説明する。
【０００３】図６は、本従来例のスタンパの製造方法を
工程順に示したものである。図６において、（ａ），
（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、それぞれ、光ディスク原
盤、光ディスク原盤表面への第１層形成工程、第１層上
への第２層形成工程、光ディスク原盤からのスタンパ剥
離工程を示している。
工程順に示したものである。図６において、（ａ），
（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、それぞれ、光ディスク原
盤、光ディスク原盤表面への第１層形成工程、第１層上
への第２層形成工程、光ディスク原盤からのスタンパ剥
離工程を示している。
【０００４】まず、ディスク原盤表面に凹凸形状を形成
することにより、信号を記録された光ディスク原盤１
に、スパッタリング法等の方法を用いて、Ｎｉ層（第１
層）３を約５０〜６０ｎｍ程度形成させる（ｂ）。次に
前記Ｎｉ層３をカソード電極としてＮｉメッキを行う
（ｃ）。メッキ厚は約３００μｍとする。次に形成され
たＮｉ層（第１層３および第２層４）を光ディスク原盤
から剥離し（ｄ）、必要な場合はＮｉ層の裏面を鏡面研
磨することにより、スタンパ５を得る。
することにより、信号を記録された光ディスク原盤１
に、スパッタリング法等の方法を用いて、Ｎｉ層（第１
層）３を約５０〜６０ｎｍ程度形成させる（ｂ）。次に
前記Ｎｉ層３をカソード電極としてＮｉメッキを行う
（ｃ）。メッキ厚は約３００μｍとする。次に形成され
たＮｉ層（第１層３および第２層４）を光ディスク原盤
から剥離し（ｄ）、必要な場合はＮｉ層の裏面を鏡面研
磨することにより、スタンパ５を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来例の
ようなＮｉスタンパ製造方法では、光ディスク原盤表面
が金属を含む物質からなる場合、光ディスク原盤とその
上に形成したＮｉ層との剥離性が悪い。また、剥離でき
た場合にも、ピット形状の変形等のドロップアウト発生
率が高く、高い転写精度が得られない。
ようなＮｉスタンパ製造方法では、光ディスク原盤表面
が金属を含む物質からなる場合、光ディスク原盤とその
上に形成したＮｉ層との剥離性が悪い。また、剥離でき
た場合にも、ピット形状の変形等のドロップアウト発生
率が高く、高い転写精度が得られない。
【０００６】本発明は上記従来技術の課題に鑑み、原盤
表面が金属を含む物質からなる光ディスク原盤より、ド
ロップアウトの発生を抑制し、転写精度の高いスタンパ
を製造する方法を提供することを目的とする。
表面が金属を含む物質からなる光ディスク原盤より、ド
ロップアウトの発生を抑制し、転写精度の高いスタンパ
を製造する方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、酸化処理を行うことより、光ディスク原盤
上に金属酸化膜を形成する工程、前記金属酸化膜上に金
属層を形成する工程、および金属酸化膜と金属層との境
界面、あるいは光ディスク原盤と金属酸化膜との境界面
にて、前記光ディスク原盤と前記金属層とを剥離する工
程を逐次行い、剥離された前記金属層をスタンパとす
る。
に本発明は、酸化処理を行うことより、光ディスク原盤
上に金属酸化膜を形成する工程、前記金属酸化膜上に金
属層を形成する工程、および金属酸化膜と金属層との境
界面、あるいは光ディスク原盤と金属酸化膜との境界面
にて、前記光ディスク原盤と前記金属層とを剥離する工
程を逐次行い、剥離された前記金属層をスタンパとす
る。
【０００８】好ましくは、酸化処理を酸素イオンビーム
を照射することによって行うことが望ましい。
を照射することによって行うことが望ましい。
【０００９】好ましくは、酸化処理を酸素プラズマに接
触させることによって行うことが望ましい。
触させることによって行うことが望ましい。
【００１０】好ましくは、酸化処理をクロム酸溶液に浸
漬させることによって行うことが望ましい。
漬させることによって行うことが望ましい。
【００１１】また、上記目的を達成するために本発明
は、光ディスク原盤表面上にシランカップリング剤の膜
を形成する工程、前記シランカップリング剤からなる膜
上に金属層を形成する工程、およびシランカップリング
剤からなる膜と金属層との境界面、あるいは光ディスク
原盤とシランカップリング剤からなる膜との境界面に
て、前記光ディスク原盤と前記金属層とを剥離する工程
からなり、剥離された前記金属層をスタンパとする。
は、光ディスク原盤表面上にシランカップリング剤の膜
を形成する工程、前記シランカップリング剤からなる膜
上に金属層を形成する工程、およびシランカップリング
剤からなる膜と金属層との境界面、あるいは光ディスク
原盤とシランカップリング剤からなる膜との境界面に
て、前記光ディスク原盤と前記金属層とを剥離する工程
からなり、剥離された前記金属層をスタンパとする。
【００１２】好ましくは、シランカップリング剤として
少なくともヘキサメチルジシラザンを含むことが望まし
い。
少なくともヘキサメチルジシラザンを含むことが望まし
い。
【００１３】好ましくは、シランカップリング剤の膜の
形成を、光ディスク原盤を基板とした、抵抗加熱型の真
空蒸着によって行うことが望ましい。
形成を、光ディスク原盤を基板とした、抵抗加熱型の真
空蒸着によって行うことが望ましい。
【００１４】好ましくは、シランカップリング剤からな
る膜の形成を、回転塗布法にて行うことが望ましい。
る膜の形成を、回転塗布法にて行うことが望ましい。
【００１５】好ましくは、シランカップリング剤からな
る膜の形成を、ＬＢ法にて行うことが望ましい。
る膜の形成を、ＬＢ法にて行うことが望ましい。
【００１６】好ましくは、シランカップリング剤からな
る膜の形成を、前記シランカップリング剤からなる溶液
中に光ディスク原盤を浸漬することで行うことが望まし
い。
る膜の形成を、前記シランカップリング剤からなる溶液
中に光ディスク原盤を浸漬することで行うことが望まし
い。
【００１７】
【作用】上記手段によれば、次のような作用が得られ
る。すなわち、原盤表面が金属からなる光ディスク原盤
表面上に金属酸化膜、あるいはシランカップリング剤か
らなる膜を形成することにより、原盤表面の金属とスタ
ンパ金属層が分離されるため、光ディスク原盤とスタン
パとなる金属層との剥離性が向上する。その結果、転写
精度が高くドロップアウトの少ないスタンパを製造する
ことが可能となる。
る。すなわち、原盤表面が金属からなる光ディスク原盤
表面上に金属酸化膜、あるいはシランカップリング剤か
らなる膜を形成することにより、原盤表面の金属とスタ
ンパ金属層が分離されるため、光ディスク原盤とスタン
パとなる金属層との剥離性が向上する。その結果、転写
精度が高くドロップアウトの少ないスタンパを製造する
ことが可能となる。
【００１８】
【実施例】以下具体的な実施例をもって本発明を詳述す
る。
る。
【００１９】本発明のスタンパ製造方法によって、原盤
表面がＣｕ（銅）からなる、直径２００mmの光ディスク
原盤のＮｉスタンパを製造する場合について述べる。
表面がＣｕ（銅）からなる、直径２００mmの光ディスク
原盤のＮｉスタンパを製造する場合について述べる。
【００２０】（実施例１）図１は、本実施例１のスタン
パの製造方法を工程順に示したものである。図１におい
て、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）は、それ
ぞれ、光ディスク原盤、光ディスク原盤表面上への金属
酸化膜形成工程、金属酸化膜上への第１層形成工程、第
１層上への第２層形成工程、光ディスク原盤からのスタ
ンパ剥離工程を示している。
パの製造方法を工程順に示したものである。図１におい
て、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）は、それ
ぞれ、光ディスク原盤、光ディスク原盤表面上への金属
酸化膜形成工程、金属酸化膜上への第１層形成工程、第
１層上への第２層形成工程、光ディスク原盤からのスタ
ンパ剥離工程を示している。
【００２１】まず光ディスク原盤１表面上に金属酸化膜
２を形成する。金属酸化膜２を形成するための装置の構
成を図２に示す。
２を形成する。金属酸化膜２を形成するための装置の構
成を図２に示す。
【００２２】真空槽６内に光ディスク原盤１を設置し、
真空排気した後酸素を導入し、高周波発生器８にて酸素
プラズマを発生させ、酸素プラズマに光ディスク原盤１
を接触させる。これにより、プラズマ内の活性種が原盤
表面の金属と反応し、原盤表面上に金属酸化膜２が形成
される（ｂ）。
真空排気した後酸素を導入し、高周波発生器８にて酸素
プラズマを発生させ、酸素プラズマに光ディスク原盤１
を接触させる。これにより、プラズマ内の活性種が原盤
表面の金属と反応し、原盤表面上に金属酸化膜２が形成
される（ｂ）。
【００２３】次にスパッタリング法により、光ディスク
原盤１に形成された金属酸化膜２上に、Ｎｉ層３を５０
０〜６００ｎｍ程度形成する（ｃ）。
原盤１に形成された金属酸化膜２上に、Ｎｉ層３を５０
０〜６００ｎｍ程度形成する（ｃ）。
【００２４】金属酸化膜上に形成されたＮｉ層３をカソ
ード電極として、電解メッキ法によりＮｉ層４を、３０
０μｍ程度の厚みで形成する。本実施例においては、電
解メッキ用のメッキ浴としては、スルファミン酸ニッケ
ル浴（スルファミン酸ニッケル、塩化ニッケル、および
ほう酸を溶解した溶液）を用いる。この場合Ｎｉ層の形
成速度は約１００μｍ／時である。
ード電極として、電解メッキ法によりＮｉ層４を、３０
０μｍ程度の厚みで形成する。本実施例においては、電
解メッキ用のメッキ浴としては、スルファミン酸ニッケ
ル浴（スルファミン酸ニッケル、塩化ニッケル、および
ほう酸を溶解した溶液）を用いる。この場合Ｎｉ層の形
成速度は約１００μｍ／時である。
【００２５】第２層まで形成された光ディスク原盤をメ
ッキ浴より取り出し、光ディスク原盤１とＮｉ層（３＋
４）とを剥離、洗浄することによりスタンパ５を得るこ
とができる。
ッキ浴より取り出し、光ディスク原盤１とＮｉ層（３＋
４）とを剥離、洗浄することによりスタンパ５を得るこ
とができる。
【００２６】なお本実施例においては、金属酸化膜の形
成を、酸素プラズマと接触させることによって行った
が、以下に示すような方法によっても同様に金属酸化膜
を形成することが可能である。
成を、酸素プラズマと接触させることによって行った
が、以下に示すような方法によっても同様に金属酸化膜
を形成することが可能である。
【００２７】図３は、イオン源装置を用いて金属酸化膜
を形成する方法を模式的に示したものである。真空槽６
内に光ディスク原盤１を設置し、真空排気した後酸素を
導入し、イオン源１０内で酸素プラズマを発生させ、加
速して光ディスク原盤１表面上にイオンビームを照射す
ることにより、金属酸化膜２を形成することが可能であ
る。これに類似した方法として、プラズマ発生室にて発
生させた酸素プラズマからダウンフローしてくるイオン
およびラジカル等の活性種によって原盤表面の金属を酸
化し金属酸化膜を形成するのも有効である。本方法の場
合、酸素プラズマと、光ディスク原盤表面が接触してい
ないため、光ディスク原盤上のピットの変形等によるド
ロップアウトを抑制することが可能である。
を形成する方法を模式的に示したものである。真空槽６
内に光ディスク原盤１を設置し、真空排気した後酸素を
導入し、イオン源１０内で酸素プラズマを発生させ、加
速して光ディスク原盤１表面上にイオンビームを照射す
ることにより、金属酸化膜２を形成することが可能であ
る。これに類似した方法として、プラズマ発生室にて発
生させた酸素プラズマからダウンフローしてくるイオン
およびラジカル等の活性種によって原盤表面の金属を酸
化し金属酸化膜を形成するのも有効である。本方法の場
合、酸素プラズマと、光ディスク原盤表面が接触してい
ないため、光ディスク原盤上のピットの変形等によるド
ロップアウトを抑制することが可能である。
【００２８】また金属酸化膜を形成する方法として酸化
剤を用いても同様な膜が形成される。
剤を用いても同様な膜が形成される。
【００２９】クロム酸水溶液（クロム酸濃度５ｇ／ｌ）
に約３０秒間光ディスク原盤を浸漬させる。クロム酸は
強い酸化剤であり、本処理により原盤表面上に金属酸化
膜を形成することができる。なお、本例においては、光
ディスク原盤を浸漬させる水溶液としてクロム酸を用い
たが、重クロム酸カリウム等、酸化作用を持つ物質の水
溶液であれば同様の効果が得られる。
に約３０秒間光ディスク原盤を浸漬させる。クロム酸は
強い酸化剤であり、本処理により原盤表面上に金属酸化
膜を形成することができる。なお、本例においては、光
ディスク原盤を浸漬させる水溶液としてクロム酸を用い
たが、重クロム酸カリウム等、酸化作用を持つ物質の水
溶液であれば同様の効果が得られる。
【００３０】その他光ディスク原盤表面の金属を酸化さ
せる方法であれば、原理的に同様であるため、原盤表面
上に金属酸化膜を形成することができる。
せる方法であれば、原理的に同様であるため、原盤表面
上に金属酸化膜を形成することができる。
【００３１】以上のように、本実施例によれば、光ディ
スク原盤とＮｉ層との間に金属酸化膜が存在するために
両者の付着力が強固でなく、光ディスク原盤とＮｉ層と
の剥離性が向上し、原盤表面が銅からなる場合において
も、転写精度が高くドロップアウトの少ないスタンパを
製造することが可能となる。
スク原盤とＮｉ層との間に金属酸化膜が存在するために
両者の付着力が強固でなく、光ディスク原盤とＮｉ層と
の剥離性が向上し、原盤表面が銅からなる場合において
も、転写精度が高くドロップアウトの少ないスタンパを
製造することが可能となる。
【００３２】また、本実施例の場合において、第１層あ
るいは第２層の形成をＮｉによって行ったが、導電性の
物質であれば、同様な処理を行うことができスタンパを
作製することができる。特に、第１層と第２層の両者あ
るいは一方にＴｉを使用すれば、スタンパとした際の強
度が向上するため、非常に有効である。
るいは第２層の形成をＮｉによって行ったが、導電性の
物質であれば、同様な処理を行うことができスタンパを
作製することができる。特に、第１層と第２層の両者あ
るいは一方にＴｉを使用すれば、スタンパとした際の強
度が向上するため、非常に有効である。
【００３３】また、第１層の形成方法としては、スパッ
タリング法以外に、真空蒸着法等のＣＶＤ法、あるいは
無電解メッキ法によって形成しても本質的な変化はな
い。また無電解メッキ法を用いる場合、第１層を３００
μｍ程度形成すれば、第１層自体をスタンパとして使用
することができる。
タリング法以外に、真空蒸着法等のＣＶＤ法、あるいは
無電解メッキ法によって形成しても本質的な変化はな
い。また無電解メッキ法を用いる場合、第１層を３００
μｍ程度形成すれば、第１層自体をスタンパとして使用
することができる。
【００３４】（実施例２）図４は、本実施例２のスタン
パの製造方法を工程順に示したものである。図４におい
て、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）は、それ
ぞれ、光ディスク原盤、光ディスク原盤表面上への有機
膜形成工程、シランカップリング剤の膜上への第１層形
成工程、第１層上への第２層形成工程、レプリカからの
スタンパ剥離工程を示している。
パの製造方法を工程順に示したものである。図４におい
て、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）は、それ
ぞれ、光ディスク原盤、光ディスク原盤表面上への有機
膜形成工程、シランカップリング剤の膜上への第１層形
成工程、第１層上への第２層形成工程、レプリカからの
スタンパ剥離工程を示している。
【００３５】まず光ディスク原盤１表面上にシランカッ
プリング剤層１１を形成する。シランカップリング剤層
１１を形成するための装置の構成を図５に示す。
プリング剤層１１を形成する。シランカップリング剤層
１１を形成するための装置の構成を図５に示す。
【００３６】真空槽６内に光ディスク原盤１を設置し、
真空排気後、あらかじめ真空槽内に設置されたヘキサメ
チルジシラザン１２を抵抗加熱することにより蒸発させ
る。加熱温度はヘキサメチルジシラザンが分解しない温
度（７０℃前後）で行う。
真空排気後、あらかじめ真空槽内に設置されたヘキサメ
チルジシラザン１２を抵抗加熱することにより蒸発させ
る。加熱温度はヘキサメチルジシラザンが分解しない温
度（７０℃前後）で行う。
【００３７】シランカップリング剤層１１を形成した後
の処理は、実施例１と同様の処理を行う。
の処理は、実施例１と同様の処理を行う。
【００３８】スパッタリング法により、シランカップリ
ング層１１上に、Ｎｉ層３を５０〜６０ｎｍ程度形成し
た後、電解メッキ法によりＮｉ層４を、３００μｍ程度
の厚みで形成する。第２層まで形成されたメッキ浴より
取り出し、Ｎｉ層を洗浄することにより、スタンパ５を
得ることができる。
ング層１１上に、Ｎｉ層３を５０〜６０ｎｍ程度形成し
た後、電解メッキ法によりＮｉ層４を、３００μｍ程度
の厚みで形成する。第２層まで形成されたメッキ浴より
取り出し、Ｎｉ層を洗浄することにより、スタンパ５を
得ることができる。
【００３９】また、本実施例においては有機膜の形成を
抵抗加熱型真空蒸着装置にて行ったが、回転塗布による
方法、ＬＢ法、あるいは単にヘキサメチレンジシラザン
の溶液中への浸漬によって形成しても同様の効果が得ら
れる。
抵抗加熱型真空蒸着装置にて行ったが、回転塗布による
方法、ＬＢ法、あるいは単にヘキサメチレンジシラザン
の溶液中への浸漬によって形成しても同様の効果が得ら
れる。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明のスタンパ製造方
法によれば、光ディスク原盤表面が金属を含む物質から
なる場合に、転写精度の高いスタンパを製造することが
可能となる。
法によれば、光ディスク原盤表面が金属を含む物質から
なる場合に、転写精度の高いスタンパを製造することが
可能となる。
【図１】本発明のスタンパ製造方法を用いた一例を示す
工程図
工程図
【図２】金属酸化膜を形成するためのプラズマ発生装置
の模式図
の模式図
【図３】金属酸化膜を形成するためのイオン源装置の模
式図
式図
【図４】本発明の実施例２を示したスタンパ製造工程図
【図５】有機膜を形成するための抵抗加熱型蒸着装置の
模式図
模式図
【図６】従来のスタンパ製造方法の工程図
１ 光ディスク原盤 ２ 金属酸化膜 ３，４ Ｎｉ層 ５ スタンパ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高本 健治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 宮本 寿樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】酸化処理を行うことにより、前記光ディス
ク原盤表面上に金属酸化膜を形成する工程、前記金属酸
化膜上に金属層を形成する工程、および金属酸化膜と金
属層との境界面、あるいは光ディスク原盤と金属酸化膜
との境界面にて、前記光ディスク原盤と前記金属層とを
剥離する工程からなり、剥離された前記金属層をスタン
パとすることを特徴とするスタンパ製造方法。 - 【請求項２】酸化処理を酸素イオンビームを照射するこ
とによって行う請求項１記載のスタンパ製造方法。 - 【請求項３】酸化処理を酸素プラズマに接触させること
によって行う請求項１記載のスタンパ製造方法。 - 【請求項４】酸化処理をクロム酸溶液に浸漬させること
によって行う請求項１記載のスタンパ製造方法。 - 【請求項５】前記光ディスク原盤表面上にシランカップ
リング剤からなる膜を形成する工程、前記シランカップ
リング剤からなる膜上に金属層を形成する工程、および
シランカップリング剤からなる膜と金属層との境界面、
あるいは光ディスク原盤とシランカップリング剤からな
る膜との境界面にて、前記光ディスク原盤と前記金属層
とを剥離する工程からなり、剥離された前記金属層をス
タンパとすることを特徴とするスタンパ製造方法。 - 【請求項６】シランカップリング剤として少なくともヘ
キサメチルジシラザンを含む請求項５記載のスタンパ製
造方法。 - 【請求項７】シランカップリング剤の膜の形成を、光デ
ィスク原盤を基板とした、抵抗加熱型の真空蒸着によっ
て行う請求項５記載のスタンパ製造方法。 - 【請求項８】シランカップリング剤の膜の形成を、回転
塗布法にて行う請求項５記載のスタンパ製造方法。 - 【請求項９】シランカップリング剤の膜の形成を、ＬＢ
法にて行う請求項５記載のスタンパ製造方法。 - 【請求項１０】シランカップリング剤の膜の形成を、前
記シランカップリング剤の溶液中に光ディスク原盤を浸
漬することで行う請求項５記載のスタンパ製造方法。 - 【請求項１１】金属層を形成する工程において、まず第
１層として金属層を形成した後、第１層上にメッキ処理
によって金属層（第２層）を形成する請求項１あるいは
５記載のスタンパ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14400692A JPH05339775A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | スタンパ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14400692A JPH05339775A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | スタンパ製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339775A true JPH05339775A (ja) | 1993-12-21 |
Family
ID=15352124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14400692A Pending JPH05339775A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | スタンパ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05339775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006070857A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Nippon Soda Co., Ltd. | 剥離層を有する成形用金型又は電鋳用母型 |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP14400692A patent/JPH05339775A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006070857A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Nippon Soda Co., Ltd. | 剥離層を有する成形用金型又は電鋳用母型 |
| JPWO2006070857A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2008-06-12 | 日本曹達株式会社 | 剥離層を有する成形用金型又は電鋳用母型及びそれらの製造方法 |
| JP4602994B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-12-22 | 日本曹達株式会社 | 剥離層を有する成形用金型又は電鋳用母型及びそれらの製造方法 |
| US8361375B2 (en) | 2004-12-28 | 2013-01-29 | Nippon Soda Co., Ltd. | Forming mold or electroforming mother die having release layer and method for manufacturing the same |
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