JPH05335179A - 温度補償用誘電体磁器組成物 - Google Patents
温度補償用誘電体磁器組成物Info
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- JPH05335179A JPH05335179A JP4162256A JP16225692A JPH05335179A JP H05335179 A JPH05335179 A JP H05335179A JP 4162256 A JP4162256 A JP 4162256A JP 16225692 A JP16225692 A JP 16225692A JP H05335179 A JPH05335179 A JP H05335179A
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- Japan
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- dielectric
- temperature compensating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 中性または還元性の雰囲気中において、還元
することなく１２００℃以下の低温で焼結し、静電容量
の温度係数の絶対値が６０ｐｐｍ／℃以下、誘電損失ｔ
ａｎδが０．０２％以下、２０℃における比抵抗が１×
１０13Ωｃｍ以上の温度補償用誘電体磁器組成物を得
る。 【構成】 ａＣａＮｂ2 Ｏ6 −ｂＺｎＮｂ2 Ｏ6 −ｃＺ
ｎＯ−ｄＣａＴｉＯ3 で表される組成を主成分とする温
度補償用誘電体磁器組成物であって、ａ，ｂ，ｃ，ｄが
モル分率で、０．１０≦ａ≦０．６０、０．０５≦ｂ≦
０．６０、０．１５≦ｃ≦０．７５、０．０１≦ｄ≦
０．２０の範囲にあり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１の関係を満
足する温度補償用誘電体磁器組成物である。さらに、こ
の主成分１００重量部に対して、副成分としてＢ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｌｉ2 Ｏの中の少なくとも１種類の
金属酸化物を０．１〜２０重量部添加してもよい。
することなく１２００℃以下の低温で焼結し、静電容量
の温度係数の絶対値が６０ｐｐｍ／℃以下、誘電損失ｔ
ａｎδが０．０２％以下、２０℃における比抵抗が１×
１０13Ωｃｍ以上の温度補償用誘電体磁器組成物を得
る。 【構成】 ａＣａＮｂ2 Ｏ6 −ｂＺｎＮｂ2 Ｏ6 −ｃＺ
ｎＯ−ｄＣａＴｉＯ3 で表される組成を主成分とする温
度補償用誘電体磁器組成物であって、ａ，ｂ，ｃ，ｄが
モル分率で、０．１０≦ａ≦０．６０、０．０５≦ｂ≦
０．６０、０．１５≦ｃ≦０．７５、０．０１≦ｄ≦
０．２０の範囲にあり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１の関係を満
足する温度補償用誘電体磁器組成物である。さらに、こ
の主成分１００重量部に対して、副成分としてＢ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｌｉ2 Ｏの中の少なくとも１種類の
金属酸化物を０．１〜２０重量部添加してもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は温度補償用誘電体磁器
組成物に関し、特にたとえば、積層コンデンサの誘電体
磁器の材料として用いられる温度補償用誘電体磁器組成
物に関する。
組成物に関し、特にたとえば、積層コンデンサの誘電体
磁器の材料として用いられる温度補償用誘電体磁器組成
物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の温度補償用誘電体磁器組
成物としては、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の組成物
があった。
成物としては、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の組成物
があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭｇＴ
ｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の組成物を用いた磁器では、そ
の焼成温度が１３００℃以上と高く、さらに中性または
還元性の低酸素分圧下で焼成すると還元され、半導体化
するという性質を有していた。そのため、このような組
成物を積層コンデンサなどの材料として使用した場合、
内部電極の材料として、誘電体磁器材料の焼結する温度
で溶融せず、かつ誘電体磁器材料を半導体化しない高い
酸素分圧下でも酸化されない、たとえばＰｔやＰｄなど
の貴金属を使用しなければならなかった。そのため、製
造される積層コンデンサの低価格化の大きな妨げとなっ
ていた。
ｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の組成物を用いた磁器では、そ
の焼成温度が１３００℃以上と高く、さらに中性または
還元性の低酸素分圧下で焼成すると還元され、半導体化
するという性質を有していた。そのため、このような組
成物を積層コンデンサなどの材料として使用した場合、
内部電極の材料として、誘電体磁器材料の焼結する温度
で溶融せず、かつ誘電体磁器材料を半導体化しない高い
酸素分圧下でも酸化されない、たとえばＰｔやＰｄなど
の貴金属を使用しなければならなかった。そのため、製
造される積層コンデンサの低価格化の大きな妨げとなっ
ていた。
【０００４】そこで、上述の問題を解決するために、た
とえばＮｉやＣｕなどの安価な卑金属を内部電極の材料
として使用することが望まれていた。しかしながら、こ
のような卑金属を内部電極用材料として使用し、従来の
酸化性雰囲気の条件下で焼成すると、電極材料が酸化し
たり溶融したりしてしまう。そのため、このような卑金
属を内部電極用材料として使用するために、酸素分圧の
低い中性または還元性の雰囲気中において低温で焼成し
ても半導体化せず、コンデンサ用の誘電体材料として十
分な比抵抗と優れた誘電特性とを有する誘電体材料が必
要とされていた。
とえばＮｉやＣｕなどの安価な卑金属を内部電極の材料
として使用することが望まれていた。しかしながら、こ
のような卑金属を内部電極用材料として使用し、従来の
酸化性雰囲気の条件下で焼成すると、電極材料が酸化し
たり溶融したりしてしまう。そのため、このような卑金
属を内部電極用材料として使用するために、酸素分圧の
低い中性または還元性の雰囲気中において低温で焼成し
ても半導体化せず、コンデンサ用の誘電体材料として十
分な比抵抗と優れた誘電特性とを有する誘電体材料が必
要とされていた。
【０００５】この種の問題を解決するための誘電体磁器
組成物が、特開平１−１０２８０６号公報などに開示さ
れている。この誘電体磁器組成物は酸素分圧の低い中性
および還元性雰囲気中において焼成が可能であるので、
これを使用してＮｉ，Ｃｕなどの卑金属を内部電極とす
る温度補償用積層コンデンサを作製することができる。
しかし、特開平１−１０２８０６号公報に開示されてい
る誘電体磁器組成物では、焼成温度や誘電率の温度係数
に関しては上述の問題点を解決できるが、誘電率εが１
０程度と低く、また誘電損失ｔａｎδは１ＭＨｚで０．
０５％以上と大きい。
組成物が、特開平１−１０２８０６号公報などに開示さ
れている。この誘電体磁器組成物は酸素分圧の低い中性
および還元性雰囲気中において焼成が可能であるので、
これを使用してＮｉ，Ｃｕなどの卑金属を内部電極とす
る温度補償用積層コンデンサを作製することができる。
しかし、特開平１−１０２８０６号公報に開示されてい
る誘電体磁器組成物では、焼成温度や誘電率の温度係数
に関しては上述の問題点を解決できるが、誘電率εが１
０程度と低く、また誘電損失ｔａｎδは１ＭＨｚで０．
０５％以上と大きい。
【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、酸
素分圧の低い中性または還元性の雰囲気中において、１
２００℃以下で焼結し、かつ還元されることがなく、誘
電率εが２０以上、静電容量の温度係数の絶対値が６０
ｐｐｍ／℃以下、誘電損失ｔａｎδが０．０２％以下、
２０℃における比抵抗が１×１０13Ωｃｍ以上であり、
Ｃｕなどの安価な金属を内部電極用材料として使用でき
る、温度補償用誘電体磁器組成物を提供することであ
る。
素分圧の低い中性または還元性の雰囲気中において、１
２００℃以下で焼結し、かつ還元されることがなく、誘
電率εが２０以上、静電容量の温度係数の絶対値が６０
ｐｐｍ／℃以下、誘電損失ｔａｎδが０．０２％以下、
２０℃における比抵抗が１×１０13Ωｃｍ以上であり、
Ｃｕなどの安価な金属を内部電極用材料として使用でき
る、温度補償用誘電体磁器組成物を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、ａＣａＮｂ
2 Ｏ6 −ｂＺｎＮｂ2 Ｏ6 −ｃＺｎＯ−ｄＣａＴｉＯ3
で表される組成を主成分とする温度補償用誘電体磁器組
成物であって、ａ，ｂ，ｃ，ｄがそれぞれモル分率で、
０．１０≦ａ≦０．６０、０．０５≦ｂ≦０．６０、
０．１５≦ｃ≦０．７５、０．０１≦ｄ≦０．２０の範
囲にあり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１の関係を満足する、温度
補償用誘電体磁器組成物である。さらに、主成分１００
重量部に対して、副成分としてＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｌ
ｉ2 Ｏの中から選ばれる少なくとも１種類の金属酸化物
を０．１〜２０重量部添加してもよい。
2 Ｏ6 −ｂＺｎＮｂ2 Ｏ6 −ｃＺｎＯ−ｄＣａＴｉＯ3
で表される組成を主成分とする温度補償用誘電体磁器組
成物であって、ａ，ｂ，ｃ，ｄがそれぞれモル分率で、
０．１０≦ａ≦０．６０、０．０５≦ｂ≦０．６０、
０．１５≦ｃ≦０．７５、０．０１≦ｄ≦０．２０の範
囲にあり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１の関係を満足する、温度
補償用誘電体磁器組成物である。さらに、主成分１００
重量部に対して、副成分としてＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｌ
ｉ2 Ｏの中から選ばれる少なくとも１種類の金属酸化物
を０．１〜２０重量部添加してもよい。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、還元性雰囲気中にお
いて、１２００℃以下の低温で焼結し、静電容量の温度
係数の絶対値が６０ｐｐｍ／℃以下で、誘電損失ｔａｎ
δが０．０２％以下であり、２０℃における比抵抗が１
×１０13Ωｃｍ以上の特性を有する温度補償用誘電体磁
器組成物を得ることができる。したがって、この温度補
償用誘電体磁器組成物を積層コンデンサ用材料として用
いれば、Ｃｕなどの卑金属を内部電極用材料として使用
することが可能となる。そのため、積層コンデンサの大
容量化にともなう電極のコストの増大を解消することが
でき、低価格の積層コンデンサを提供することができ
る。また、誘電損失ｔａｎδが小さいために、マイクロ
波用のＬＣフィルタ，ＲＦモジュールなどの材料として
使用することができる。
いて、１２００℃以下の低温で焼結し、静電容量の温度
係数の絶対値が６０ｐｐｍ／℃以下で、誘電損失ｔａｎ
δが０．０２％以下であり、２０℃における比抵抗が１
×１０13Ωｃｍ以上の特性を有する温度補償用誘電体磁
器組成物を得ることができる。したがって、この温度補
償用誘電体磁器組成物を積層コンデンサ用材料として用
いれば、Ｃｕなどの卑金属を内部電極用材料として使用
することが可能となる。そのため、積層コンデンサの大
容量化にともなう電極のコストの増大を解消することが
でき、低価格の積層コンデンサを提供することができ
る。また、誘電損失ｔａｎδが小さいために、マイクロ
波用のＬＣフィルタ，ＲＦモジュールなどの材料として
使用することができる。
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【００１０】
【実施例】まず、ＣａＮｂ2 Ｏ6 ，ＺｎＮｂ2 Ｏ6 ，Ｃ
ａＴｉＯ3 の出発原料としてＣａＣＯ3 ，ＺｎＯ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 を準備した。これらの原料を各組成に
応じて秤量し、ボールミルで湿式混合後乾燥し、１００
０〜１２００℃で３時間仮焼し、主成分の原料を得た。
ａＴｉＯ3 の出発原料としてＣａＣＯ3 ，ＺｎＯ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 を準備した。これらの原料を各組成に
応じて秤量し、ボールミルで湿式混合後乾燥し、１００
０〜１２００℃で３時間仮焼し、主成分の原料を得た。
【００１１】また、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｌｉ2 Ｏの中
の少なくとも１種類の金属酸化物を含む材料を、表１に
示す配合比となるように秤量し、これらをボールミルで
湿式混合，粉砕したのち蒸発乾燥し、自然雰囲気中にお
いて１０００℃で溶融させた。さらに、ボールミルで１
μｍ以下に湿式粉砕したのち、蒸発乾燥して副成分を得
た。
の少なくとも１種類の金属酸化物を含む材料を、表１に
示す配合比となるように秤量し、これらをボールミルで
湿式混合，粉砕したのち蒸発乾燥し、自然雰囲気中にお
いて１０００℃で溶融させた。さらに、ボールミルで１
μｍ以下に湿式粉砕したのち、蒸発乾燥して副成分を得
た。
【００１２】
【表１】
【００１３】このようにして得られた原料を表２に示す
組成となるように秤量し、ボールミルで１６時間湿式混
合したのち、結合剤として酢酸ビニル系バインダを５重
量部加え、ボールミルで湿式混合して混合物を得た。
組成となるように秤量し、ボールミルで１６時間湿式混
合したのち、結合剤として酢酸ビニル系バインダを５重
量部加え、ボールミルで湿式混合して混合物を得た。
【００１４】
【表２】
【００１５】さらに、この混合物を蒸発乾燥したのち、
整粒して粉末原料を得た。得られた粉末原料を、２ｔｏ
ｎ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、直径２０ｍｍ，厚さ１．０
ｍｍの円板状に成形して成形物を得た。この成形物をジ
ルコニア粉末を敷粉としたアルミナ質の匣に入れ、自然
雰囲気中において５００℃で２時間酢酸ビニル系バイン
ダを燃焼させた。そののち、体積比率でＨ2 ：Ｎ2 ＝
３：１００の還元性雰囲気中において、成形物を９００
〜１３５０℃で２時間焼成して、素子を得た。得られた
素子の両面にＩｎ−Ｇａ合金を塗布して電極を形成し、
試料としてのコンデンサを作製した。
整粒して粉末原料を得た。得られた粉末原料を、２ｔｏ
ｎ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、直径２０ｍｍ，厚さ１．０
ｍｍの円板状に成形して成形物を得た。この成形物をジ
ルコニア粉末を敷粉としたアルミナ質の匣に入れ、自然
雰囲気中において５００℃で２時間酢酸ビニル系バイン
ダを燃焼させた。そののち、体積比率でＨ2 ：Ｎ2 ＝
３：１００の還元性雰囲気中において、成形物を９００
〜１３５０℃で２時間焼成して、素子を得た。得られた
素子の両面にＩｎ−Ｇａ合金を塗布して電極を形成し、
試料としてのコンデンサを作製した。
【００１６】得られた試料について、誘電率ε，誘電損
失ｔａｎδ，静電容量の温度係数α（ｐｐｍ／℃），２
０℃における比抵抗ρ20（Ωｃｍ）を測定した。なお、
誘電損失ｔａｎδについては、１ＭＨｚ，１Ｖｒｍｓ，
２０℃の条件で測定した。また、静電容量の温度係数Ｔ
Ｃ（ｐｐｍ／℃）は、２０℃における静電容量Ｃ20およ
び８５℃における静電容量Ｃ85から次式によって求め
た。
失ｔａｎδ，静電容量の温度係数α（ｐｐｍ／℃），２
０℃における比抵抗ρ20（Ωｃｍ）を測定した。なお、
誘電損失ｔａｎδについては、１ＭＨｚ，１Ｖｒｍｓ，
２０℃の条件で測定した。また、静電容量の温度係数Ｔ
Ｃ（ｐｐｍ／℃）は、２０℃における静電容量Ｃ20およ
び８５℃における静電容量Ｃ85から次式によって求め
た。
【００１７】
【数１】
【００１８】さらに、２０℃における比抵抗ρ20（Ωｃ
ｍ）は、２０℃において５００Ｖの直流電圧を印加した
ときに流れる電流値から求めた。そして、これらの結果
を表３に示した。なお、表２および表３において、＊印
を付したものはこの発明の範囲外のものであり、それ以
外はこの発明の範囲内のものである。
ｍ）は、２０℃において５００Ｖの直流電圧を印加した
ときに流れる電流値から求めた。そして、これらの結果
を表３に示した。なお、表２および表３において、＊印
を付したものはこの発明の範囲外のものであり、それ以
外はこの発明の範囲内のものである。
【００１９】
【表３】
【００２０】次に、この発明の温度補償用誘電体磁器組
成物の主成分および副成分の数値を限定した理由につい
て説明する。試料番号６のように、主成分ａＣａＮｂ2
Ｏ6 −ｂＺｎＮｂ2 Ｏ6 −ｃＺｎＯ−ｄＣａＴｉＯ3 の
ｃが０．７５より大きい場合、誘電損失ｔａｎδが０．
０２％より大きく、かつ静電容量の温度係数の絶対値が
６０ｐｐｍ／℃より大きくなり、しかも比抵抗が１×１
０13Ωｃｍを下回るので好ましくない。試料番号７のよ
うに、主成分のａが０．１０より小さい場合、比抵抗が
１×１０13を下回るので好ましくない。試料番号８のよ
うに、主成分のｃが０．１５より小さい場合、焼成温度
が１２００℃を上回り、静電容量の温度係数の絶対値が
６０ｐｐｍ／℃より大きくなるので好ましくない。試料
番号９のように、主成分のｂが０．０５より小さい場
合、焼成温度が１２００℃を上回り、静電容量の温度係
数の絶対値が６０ｐｐｍ／℃より大きくなり、かつ誘電
損失ｔａｎδが０．０２％より大きくなるので好ましく
ない。試料番号１１のように、主成分のｄが０．２０よ
り大きい場合、焼成温度が１２００℃を上回り、静電容
量の温度係数の絶対値が６０ｐｐｍ／℃より大きくなる
ので好ましくない。
成物の主成分および副成分の数値を限定した理由につい
て説明する。試料番号６のように、主成分ａＣａＮｂ2
Ｏ6 −ｂＺｎＮｂ2 Ｏ6 −ｃＺｎＯ−ｄＣａＴｉＯ3 の
ｃが０．７５より大きい場合、誘電損失ｔａｎδが０．
０２％より大きく、かつ静電容量の温度係数の絶対値が
６０ｐｐｍ／℃より大きくなり、しかも比抵抗が１×１
０13Ωｃｍを下回るので好ましくない。試料番号７のよ
うに、主成分のａが０．１０より小さい場合、比抵抗が
１×１０13を下回るので好ましくない。試料番号８のよ
うに、主成分のｃが０．１５より小さい場合、焼成温度
が１２００℃を上回り、静電容量の温度係数の絶対値が
６０ｐｐｍ／℃より大きくなるので好ましくない。試料
番号９のように、主成分のｂが０．０５より小さい場
合、焼成温度が１２００℃を上回り、静電容量の温度係
数の絶対値が６０ｐｐｍ／℃より大きくなり、かつ誘電
損失ｔａｎδが０．０２％より大きくなるので好ましく
ない。試料番号１１のように、主成分のｄが０．２０よ
り大きい場合、焼成温度が１２００℃を上回り、静電容
量の温度係数の絶対値が６０ｐｐｍ／℃より大きくなる
ので好ましくない。
【００２１】試料番号１４のように、表１に示すＡ系列
の副成分の添加量が２０重量部より多い場合、誘電率ε
が２０より小さく、かつ誘電損失ｔａｎδが０．０２％
より大きくなるので好ましくない。試料番号１７のよう
に、表１に示すＢ系列の副成分の添加量が２０重量部よ
り多い場合、誘電率εが２０より小さく、誘電損失ｔａ
ｎδが０．０２％より大きく、かつ静電容量の温度係数
の絶対値が６０ｐｐｍ／℃より大きくなり、さらに比抵
抗が１×１０13Ωｃｍを下回るので好ましくない。
の副成分の添加量が２０重量部より多い場合、誘電率ε
が２０より小さく、かつ誘電損失ｔａｎδが０．０２％
より大きくなるので好ましくない。試料番号１７のよう
に、表１に示すＢ系列の副成分の添加量が２０重量部よ
り多い場合、誘電率εが２０より小さく、誘電損失ｔａ
ｎδが０．０２％より大きく、かつ静電容量の温度係数
の絶対値が６０ｐｐｍ／℃より大きくなり、さらに比抵
抗が１×１０13Ωｃｍを下回るので好ましくない。
【００２２】それに対して、この発明によれば、還元性
雰囲気中において１２００℃以下の低温で焼結し、静電
容量の温度係数の絶対値が６０ｐｐｍ／℃以下で、静電
容量ｔａｎδが０．０２％以下であり、２０℃における
比抵抗が１×１０13Ωｃｍ以上の特性を有する温度補償
用誘電体磁器組成物を得ることができる。したがって、
この温度補償用誘電体磁器組成物を積層コンデンサ用材
料として用いれば、Ｃｕなどの卑金属を内部電極用材料
として使用することが可能となる。そのため、積層コン
デンサの大容量化にともなう電極のコストの増大を解消
することができ、低価格の積層コンデンサを提供するこ
とができる。また、静電容量ｔａｎδが小さいために、
マイクロ波用のＬＣフィルタやＲＦモジュールなどの材
料として使用することができる。
雰囲気中において１２００℃以下の低温で焼結し、静電
容量の温度係数の絶対値が６０ｐｐｍ／℃以下で、静電
容量ｔａｎδが０．０２％以下であり、２０℃における
比抵抗が１×１０13Ωｃｍ以上の特性を有する温度補償
用誘電体磁器組成物を得ることができる。したがって、
この温度補償用誘電体磁器組成物を積層コンデンサ用材
料として用いれば、Ｃｕなどの卑金属を内部電極用材料
として使用することが可能となる。そのため、積層コン
デンサの大容量化にともなう電極のコストの増大を解消
することができ、低価格の積層コンデンサを提供するこ
とができる。また、静電容量ｔａｎδが小さいために、
マイクロ波用のＬＣフィルタやＲＦモジュールなどの材
料として使用することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 ａＣａＮｂ2 Ｏ6 −ｂＺｎＮｂ2 Ｏ6 −
ｃＺｎＯ−ｄＣａＴｉＯ3 で表される組成を主成分とす
る温度補償用誘電体磁器組成物であって、 ａ，ｂ，ｃ，ｄがそれぞれモル分率で、 ０．１０≦ａ≦０．６０ ０．０５≦ｂ≦０．６０ ０．１５≦ｃ≦０．７５ ０．０１≦ｄ≦０．２０ の範囲にあり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１の関係を満足する、
温度補償用誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 前記主成分１００重量部に対して、副成
分としてＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｌｉ2 Ｏの中から選ばれ
る少なくとも１種類の金属酸化物を０．１〜２０重量部
添加した、請求項１の温度補償用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04162256A JP3089833B2 (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04162256A JP3089833B2 (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335179A true JPH05335179A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3089833B2 JP3089833B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=15750981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04162256A Expired - Lifetime JP3089833B2 (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3089833B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007246340A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Yokowo Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP2007284290A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Yokowo Co Ltd | 高周波用誘電体材料 |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP04162256A patent/JP3089833B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007246340A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Yokowo Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| WO2007119494A1 (en) * | 2006-03-16 | 2007-10-25 | Yokowo Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| JP2007284290A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Yokowo Co Ltd | 高周波用誘電体材料 |
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