JPH05334930A - 化合物超電導線用の複合ビレット、及び化合物超電導線の製造方法 - Google Patents

化合物超電導線用の複合ビレット、及び化合物超電導線の製造方法

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JPH05334930A
JPH05334930A JP4139265A JP13926592A JPH05334930A JP H05334930 A JPH05334930 A JP H05334930A JP 4139265 A JP4139265 A JP 4139265A JP 13926592 A JP13926592 A JP 13926592A JP H05334930 A JPH05334930 A JP H05334930A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】各超電導フィラメントのA3 B型超電導化合物
層の均一性が高く、優れた超電導特性を有する化合物超
電導線を効率よく製造する。 【構成】A3 B型超電導化合物を構成するAの内から選
択される金属又はその合金からなる複数本の芯材を、A
3 B型超電導化合物を構成するBの内から選択される金
属(以下、金属Bと称す)を含むCu合金母材中に埋設
した構造を有する化合物超電導線用の複合ビレットにお
いて、前記Cu合金母材の外周側の金属B濃度を同Cu
合金母材の中心部の金属B濃度よりも低くする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は化合物超電導線用の複合
ビレット、及び化合物超電導線の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】Nb3 Sn、V3 Gaのような化合物超
電導材料は、硬くて脆いため金属や合金材料のように直
接線材に加工することができない。このため、従来、化
合物超電導材料を線材化して化合物超電導線を製造する
場合、表面拡散法又は複合加工法(ブロンズ法)が採用
されている。このうちブロンズ法は、Nb/Cu−Sn
合金複合体等の金属複合体を固体間で拡散反応させるこ
とにより行なわれる。この方法によれば、極細多芯線の
ように複雑な断面構造を有する線材を製造することがで
きる。
【0003】例えばブロンズ法によりNb3 Sn化合物
超電導線を製造する場合、次のように行なうことができ
る。まず、図2(a)に示すように1本又は複数本の集
合体からなるNb棒1をCu−14.3重量%Sn−
0.2重量%Ti合金からなるブロンズ管2内に挿入し
て1次複合ビレットを形成した後、この1次ビレットに
押出し、引抜き、圧延等の縮径加工及び中間焼鈍を繰り
返し施すことにより、図2(b)に示す複合素線3を形
成する。つづいて、図2(c)に示すように複数本の前
記複合素線3を前記ブロンズ管2と同じ組成の合金から
なるブロンズ管4内に挿入するか、或いは図2(d)に
示すように複数本の前記複合素線3を無酸素銅管5内に
Nb管6を介在させて挿入した後、熱間静水圧プレス
(HIP)加工等を施すことにより、2次複合ビレット
を形成する。ひきつづき、前記2次複合ビレットに押出
し、引抜き、圧延等の縮径加工及び中間焼鈍を繰り返し
施すことにより、ブロンズマトリックス(CuSn系合
金母材)中に多数のNbフィラメントが分散配置された
複合線材を形成する。その後、この複合線材に拡散熱処
理を施してNb3 Snを生成させることによって、多芯
構造のNb3 Sn化合物超電導線を製造する。
【0004】このようにNb3 Sn化合物超電導線を製
造する方法では、前記Nb棒1を直径数μm程度のNb
フィラメントにすることが可能である。また、Nb3
nの超電導層は、ブロンズマトリックスとNbフィラメ
ントとの界面にSnの拡散により生成される。
【0005】しかしながら、前記の方法により得られた
Nb3 Sn化合物超電導線は、拡散熱処理時の線材表面
と内部との熱勾配により、また、線材外周部がブロンズ
管からなる場合には線材表面付近のSn供給量が多いこ
とにより、ブロンズマトリックスとNbフィラメントと
の界面に生成されるNb3 Sn超電導層の厚さが線材表
面付近と内部とで異なる。つまり、超電導特性を向上さ
せるために拡散熱処理時に充分な熱量を加えた場合、線
材表面付近のNbフィラメントは、全断面で拡散反応が
進行してNb3 Snを生成するため、フィラメント強度
が著しく低下してフィラメントの断線等を招く結果とな
り、逆に超電導特性の低下を引き起こすという問題点が
あった。一方、この線材表面付近のNbフィラメントが
全断面で拡散反応しないように拡散熱処理時の付加熱量
を抑制した場合、内部のNbフィラメントでの拡散反応
が不足し、充分な超電導特性が得られないという問題が
あった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の問題
点を解決するためになされたもので、優れた超電導特性
を有する化合物超電導線を効率よく製造することが可能
な化合物超電導線用の複合ビレット、及び上記複合ビレ
ットを用いる化合物超電導線の製造方法を提供しようと
するものである。
【0007】即ち、複数本の超電導フィラメントを有す
る多芯構造であって、各超電導フィラメントが均質化さ
れて超電導特性が改善された化合物超電導線を効率よく
製造することが可能な化合物超電導線用の複合ビレッ
ト、及び上記複合ビレットを用いる化合物超電導線の製
造方法を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、A3 B型超電
導化合物を構成するAの内から選択される金属(以下、
金属Aと称す)又はその合金からなる複数本の芯材を、
3 B型超電導化合物を構成するBの内から選択される
金属(以下、金属Bと称す)を含むCu合金母材中に埋
設した構造を有する化合物超電導線用の複合ビレットに
おいて、前記Cu合金母材の外周側の金属B濃度を同C
u合金母材の中心部の金属B濃度よりも低くしたことを
特徴とする化合物超電導線用の複合ビレットである。
【0009】また、本発明に係る別の発明は、上記複合
ビレットに縮径加工を施した後、拡散熱処理を施してA
3 B型超電導化合物を生成させる工程を具備することを
特徴とする化合物超電導線の製造方法である。
【0010】前記A3 B型超電導化合物を構成するAと
しては、Nb及びV等を挙げることができる。
【0011】前記A3 B型超電導化合物を構成するBと
しては、Sn、Ga、Ge及びAl等を挙げることがで
きる。
【0012】前記A3 B型超電導化合物としてNb3
nを生成させる場合には、前記Cu合金母材としてSn
を含むCuSn系合金が用いられる。この場合、前記C
uSn系合金のSn濃度は、Nb3 Sn生成のためのS
nの供給量を充分に確保すると共にCuSn系合金自体
の加工性を良好に維持する観点から、10.0〜18.
5重量%の範囲内であることが望ましい。
【0013】上述した複合ビレットは、例えば次のよう
にして形成できる。即ち、まず、金属A又はその合金か
らなる棒を金属Bを含むCu合金母材中に埋設した構造
を有する複数本の第1の複合素線を束ねると共に、この
束の周囲に前記第1の複合素線と同等の断面構造を有
し、かつCu合金母材の金属B濃度を前記第1の複合素
線のCu合金母材の金属B濃度よりも低くした複数本の
第2の複合素線を配置して束ねる。つづいて、これら複
合素線を金属Bを含むCu合金又は無酸素銅からなる管
内に充填した後、例えば熱間静水圧プレス(HIP)加
工等を施して一体化することによって、複合ビレットを
形成する。
【0014】なお、上述した複合ビレットのCu合金母
材には、得られる化合物超電導線の各超電導フィラメン
トをより均質化させる観点から、中心部から外周側に向
かって金属B濃度が次第に低下する勾配を持たせること
が望ましい。かかるCu合金母材を有する複合ビレット
は、次のようにして形成できる。即ち、まず、金属A又
はその合金からなる棒を金属Bを含むCu合金母材中に
埋設した構造を有し、かつCu合金母材の金属B濃度が
種々の値に調整された複数本の複合素線を形成する。つ
づいて、これら複合素線を外周側ほどCu合金母材の金
属B濃度の低いものとなるように配置して束ねる。その
後、これら複合素線を金属Bを含むCu合金又は無酸素
銅からなる管内に充填し、一体化することによって、複
合ビレットを形成する。
【0015】
【作用】本発明の複合ビレットによれば、金属A又はそ
の合金からなる複数本の芯材を金属Bを含むCu合金母
材中に埋設した構造を有する化合物超電導線用の複合ビ
レットにおいて、前記Cu合金母材の外周側の金属B濃
度を同Cu合金母材の中心部の金属B濃度よりも低くす
ることにより、優れた超電導特性を有する化合物超電導
線を効率よく製造することができる。
【0016】即ち、本発明の複合ビレットに縮径加工を
施した後、拡散熱処理を施してA3B型超電導化合物を
生成させることによって化合物超電導線を製造する工程
では、外周側Cu合金母材の金属B濃度を低くしている
ことから、線材表面付近でA3 B型超電導化合物が優先
的に生成することが抑制される。つまり、線材表面付近
及び線材内部でのA3 B型超電導化合物の生成が均一化
される。このため、超電導特性の向上を目的とした拡散
熱処理時にA3 B型超電導化合物を充分に生成させる熱
量を加えた場合においても、線材表面付近の超電導フィ
ラメント全断面でA3 B型超電導化合物が生成すること
を防止できるため、フィラメント強度の低下に起因する
超電導特性の低下を回避することができる。また、線材
表面付近で生成されるA3 B型超電導化合物の結晶粒の
肥大化を防止できるため、ピンニング力の低下に起因す
る超電導特性の低下も回避することができる。その結
果、所期の超電導特性の向上を容易に達成することが可
能となる。従って、各超電導フィラメントのA3 B型超
電導化合物層の均一性が高く、優れた超電導特性を有す
る化合物超電導線を効率よく製造することができる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
【0018】実施例1 まず、図1(a)に示すように芯材としての直径110
mmのNb棒11をCu−14.3重量%Sn−0.2
重量%Ti合金からなる管12内に挿入する。つづい
て、前記管12の両端開口部に該管12と同一組成のC
uSn系合金からなる蓋を付けた後、電子ビーム溶接す
ることにより、前記管12の両端開口部を密閉する。ひ
きつづき、これに温度60O℃、圧力15kgf/mm
2 の条件下でHIP加工処理を施した後、外周部を切削
加工することにより、直径200mmの複合単芯ビレッ
トを形成する。この複合単芯ビレットに温度650℃の
熱間押出し加工を施して直径40mmとし、更に冷間縮
径加工を施して直径2.87mmとした後、所定の寸法
に整直,切断することにより、図1(b)に示す第1の
複合素線13を形成した。
【0019】一方、図1(c)に示すように芯材として
の直径110mmのNb棒11をCu−11重量%Sn
−0.2重量%Ti合金からなる管14内に挿入する。
その後、前記第1の複合素線13と同様にして複合単芯
ビレットを形成し、更に熱間押出し加工、冷間縮径加工
等を施すことにより、前記第1の複合素線13と同等の
断面構造を有する第2の複合素線15を形成した(図1
(d)図示)。
【0020】次いで、図1(e)に示すように883本
の前記第1の複合素線13を断面略円状に束ねると共
に、この束の周囲に1416本の前記第2の複合素線1
5を均等に配置して前記束の断面略円状と同心の断面略
円状に束ねて計2299本の複合素線13,15の集合
体を形成した後、この集合体を外径210mmφ、内径
150mmφのCu−11重量%Sn−0.2重量%T
i合金からなる管16内に挿入する。つづいて、前記管
16の両端開口部に該管16と同一組成のCuSn系合
金からなる蓋を付けた後、電子ビーム溶接することによ
り、前記管16の両端開口部を密閉する。ひきつづき、
これに温度60O℃、圧力15kgf/mm2 の条件下
でHIP加工処理を施した後、外周部を切削加工するこ
とにより、直径200mmの複合多芯ビレットを形成し
た。こうして得られた複合多芯ビレットは、Nbからな
る2299本の芯材をCuSn系合金母材中に埋設した
構造を有し、前記CuSn系合金母材の外周側のSn濃
度が11重量%であり、同CuSn系合金母材の中心部
のSn濃度が14.3重量%である。
【0021】次いで、前記複合多芯ビレットに温度65
0℃の熱間押出し加工を施して直径40mmとする。つ
づいて、これに冷間減面加工と焼鈍処理とを交互に繰り
返し施すことにより、断面が高さ2.0mm、幅4.0
mmである矩形の複合線材を形成する。その後、この複
合線材に温度690℃で3日間の拡散熱処理を施してN
3 Snを生成させることにより、Nb3 Sn化合物超
電導線を製造した。
【0022】比較例1 まず、図1(b)に示す前記第1の複合素線13のみを
2299本束ねることにより素線集合体を形成した以
外、実施例1と同様にして複合多芯ビレットを形成し
た。こうして得られた複合多芯ビレットは、Nbからな
る2299本の芯材をCuSn系合金母材中に埋設した
構造を有し、前記CuSn系合金母材のSn濃度が一様
に14.3重量%である。
【0023】その後、得られた複合多芯ビレットを用い
て実施例1と同様にして熱間押出し加工、冷間減面加工
及び拡散熱処理等を施すことにより、Nb3 Sn化合物
超電導線を製造した。
【0024】比較例2 図1(d)に示す前記第2の複合素線15のみを229
9本束ねることにより素線集合体を形成した以外、実施
例1と同様にして複合多芯ビレットを形成した。こうし
て得られた複合多芯ビレットは、Nbからなる2299
本の芯材をCuSn系合金母材中に埋設した構造を有
し、前記CuSn系合金母材のSn濃度が一様に11重
量%である。
【0025】その後、得られた複合多芯ビレットを用い
て実施例1と同様にして熱間押出し加工、冷間減面加工
及び拡散熱処理等を施すことにより、Nb3 Sn化合物
超電導線を製造した。
【0026】こうして得られた実施例1及び比較例1,
2の化合物超電導線について、13Tの磁界下(温度
4.2K)、比抵抗ρ=10-11 Ωcmでの臨界電流密
度(Jc)を3回づつ測定し、その平均値を求めた。そ
の結果を下記表1に示す。
【0027】また、実施例1及び比較例1,2の化合物
超電導線における内部(線材断面の中心付近)及び表面
付近(線材断面の外周4〜5層)に位置する任意の超電
導フィラメントそれぞれ100本について、Nb3 Sn
層の占める割合(断面占有率)を測定し、その平均値を
求めた。その結果を下記表1に併記する。
【0028】
【表1】 表1から明らかなように実施例1の化合物超電導線は、
比較例1,2の化合物超電導線と比べて各超電導フィラ
メントのNb3 Sn層の均一性が高く、高い臨界電流密
度を有することがわかる。
【0029】なお、比較例1の化合物超電導線において
臨界電流密度が低下している原因は、表面付近に位置す
る超電導フィラメントが全断面でNb3 Snを生成して
いるため強度を著しく低下させて断線を生じているこ
と、及び同超電導フィラメントのNb3 Snの結晶粒が
肥大化してピンニング力が低下していることによるもの
である。
【0030】また、比較例2の化合物超電導線において
臨界電流密度が低下している原因は、内部に位置する超
電導フィラメントでのNb3 Snの生成が不足している
ことによるものである。
【0031】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によれば各超
電導フィラメントのA3 B型超電導化合物層の均一性が
高く、優れた超電導特性,特に高い臨界電流密度を有す
る化合物超電導線を効率よく製造することが可能な化合
物超電導線用の複合ビレット、及び上記複合ビレットを
用いる化合物超電導線の製造方法を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1のNb3 Sn化合物超電導線の製造工
程を示す説明図。
【図2】従来のNb3 Sn化合物超電導線の製造工程を
示す説明図。
【符号の説明】
11…Nb棒、12,14,16…CuSn系合金から
なる管、13…第1の複合素線、15…第2の複合素
線。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 A3 B型超電導化合物を構成するAの内
    から選択される金属(以下、金属Aと称す)又はその合
    金からなる複数本の芯材を、A3 B型超電導化合物を構
    成するBの内から選択される金属(以下、金属Bと称
    す)を含むCu合金母材中に埋設した構造を有する化合
    物超電導線用の複合ビレットにおいて、前記Cu合金母
    材の外周側の金属B濃度を同Cu合金母材の中心部の金
    属B濃度よりも低くしたことを特徴とする化合物超電導
    線用の複合ビレット。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の複合ビレットに縮径加工
    を施した後、拡散熱処理を施してA3 B型超電導化合物
    を生成させる工程を具備することを特徴とする化合物超
    電導線の製造方法。
  3. 【請求項3】 金属A又はその合金からなる棒を金属B
    を含むCu合金母材中に埋設した構造を有する複数本の
    第1の複合素線を束ねると共に、この束の周囲に前記第
    1の複合素線と同等の断面構造を有し、かつCu合金母
    材の金属B濃度を前記第1の複合素線のCu合金母材の
    金属B濃度よりも低くした複数本の第2の複合素線を配
    置して束ねる工程と、これら複合素線を金属Bを含むC
    u合金又は無酸素銅からなる管内に充填した後、一体化
    して複合ビレットを形成する工程と、前記複合ビレット
    に縮径加工を施した後、拡散熱処理を施してA3 B型超
    電導化合物を生成させる工程とを具備することを特徴と
    する化合物超電導線の製造方法。
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