JPH05334929A - Ｎｂ３Ｓｎ超電導線の製造方法 - Google Patents
Ｎｂ３Ｓｎ超電導線の製造方法Info
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- JPH05334929A JPH05334929A JP4138603A JP13860392A JPH05334929A JP H05334929 A JPH05334929 A JP H05334929A JP 4138603 A JP4138603 A JP 4138603A JP 13860392 A JP13860392 A JP 13860392A JP H05334929 A JPH05334929 A JP H05334929A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ニオブ・チューブ法により多芯構造の超電導
線の製造する。 【構成】 Ｃｕマトリックス１の中央部にＳｎ線２を配
置し、その外側に多数の複合フィラメント３を配置する
とともに、Ｃｕマトリックスの外側にＴａ管４およびＣ
ｕ管５を配置して複合体を形成する。複合フィラメント
３は、Ｓｎフィラメント３ａを中心として、その外側に
Ｃｕ管３ｂおよびＮｂ管３ｃが順次配置された構造を有
しており、Ｃｕマトリックス１とＳｎ線２が完全に拡散
した時のＳｎ濃度は３０ｗｔ％以上、また、Ｓｎフィラ
メント３ａとＣｕ管３ｂが完全に拡散した時のＳｎ濃度
は２０ｗｔ％以下である。複合体に熱処理を施すことに
より、Ｎｂ管３ｃは内外からＳｎと反応してＮｂ3 Ｓｎ
を生成する。
線の製造する。 【構成】 Ｃｕマトリックス１の中央部にＳｎ線２を配
置し、その外側に多数の複合フィラメント３を配置する
とともに、Ｃｕマトリックスの外側にＴａ管４およびＣ
ｕ管５を配置して複合体を形成する。複合フィラメント
３は、Ｓｎフィラメント３ａを中心として、その外側に
Ｃｕ管３ｂおよびＮｂ管３ｃが順次配置された構造を有
しており、Ｃｕマトリックス１とＳｎ線２が完全に拡散
した時のＳｎ濃度は３０ｗｔ％以上、また、Ｓｎフィラ
メント３ａとＣｕ管３ｂが完全に拡散した時のＳｎ濃度
は２０ｗｔ％以下である。複合体に熱処理を施すことに
より、Ｎｂ管３ｃは内外からＳｎと反応してＮｂ3 Ｓｎ
を生成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超電導線の製造方法に係
り、特にニオブ・チューブ法により極細多芯構造のＮｂ
3 Ｓｎ超電導線の製造方法の改良に関する。
り、特にニオブ・チューブ法により極細多芯構造のＮｂ
3 Ｓｎ超電導線の製造方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】多芯構造のＮｂ3 Ｓｎ超電導線の製造方
法として、複合加工法の一種であるニオブ・チューブ法
によるものが知られている（特公昭５５−１６５４７号
公報）。 この方法は、Ｓｎ系金属を芯とし、Ｃｕ系金
属層およびＮｂ系金属層を順次同心的に配置させ、かつ
この外周面にＣｕを接触させた複合体を断面減少加工
後、加熱処理を施すもので、この方法による超電導線は
高磁界中でのＪｃ（臨界電流密度）が大きく、かつＣｕ
−Ｓｎ合金を用いるいわゆるブロンズ法の欠点である多
数回の中間焼鈍を不要とする利点を有しており、非常に
優れた高磁界マグネット用の導体として知られている。
法として、複合加工法の一種であるニオブ・チューブ法
によるものが知られている（特公昭５５−１６５４７号
公報）。 この方法は、Ｓｎ系金属を芯とし、Ｃｕ系金
属層およびＮｂ系金属層を順次同心的に配置させ、かつ
この外周面にＣｕを接触させた複合体を断面減少加工
後、加熱処理を施すもので、この方法による超電導線は
高磁界中でのＪｃ（臨界電流密度）が大きく、かつＣｕ
−Ｓｎ合金を用いるいわゆるブロンズ法の欠点である多
数回の中間焼鈍を不要とする利点を有しており、非常に
優れた高磁界マグネット用の導体として知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のニ
オブ・チューブ法においては、加工度が１０4 を越える
ような高加工を施すとＮｂフィラメントの破断や断線を
生じ易いため細線化が困難で、外径φ３０〜５０μｍ程
度がＮｂフィラメントの加工限度であるため、ヒシテリ
シスロスを低減するためにフィラメント径を小さくする
必要のある交流用やパルス用に適さないという難点があ
ったフィラメント径を容易に小さくし得る加工法として
内部拡散法が知られているが、拡散源であるＳｎから離
れているＮｂに対してはＳｎの供給が不十分となるた
め、ニオブ・チューブ法に比較してＪｃが低いという問
題がある。
オブ・チューブ法においては、加工度が１０4 を越える
ような高加工を施すとＮｂフィラメントの破断や断線を
生じ易いため細線化が困難で、外径φ３０〜５０μｍ程
度がＮｂフィラメントの加工限度であるため、ヒシテリ
シスロスを低減するためにフィラメント径を小さくする
必要のある交流用やパルス用に適さないという難点があ
ったフィラメント径を容易に小さくし得る加工法として
内部拡散法が知られているが、拡散源であるＳｎから離
れているＮｂに対してはＳｎの供給が不十分となるた
め、ニオブ・チューブ法に比較してＪｃが低いという問
題がある。
【０００４】現在、核融合炉用の超電導線の開発が進め
られているが、この核融合炉のポロイダルコイル用超電
導線にはパルス電流を通電することから、有効フィラメ
ント径がφ１０μｍ以下で、かつ１２Ｔで８００Ａ／ｍ
ｍ2 のＪｃ値を有する性能が要求されている。
られているが、この核融合炉のポロイダルコイル用超電
導線にはパルス電流を通電することから、有効フィラメ
ント径がφ１０μｍ以下で、かつ１２Ｔで８００Ａ／ｍ
ｍ2 のＪｃ値を有する性能が要求されている。
【０００５】ニオブ・チューブ法においては、上記のＪ
ｃ値はＮｂ系金属管内部の拡散後のＳｎ濃度（Ｎｂ系金
属管内部のＳｎ系金属およびＣｕ系金属が完全に拡散し
た場合の濃度を示す。）を５０〜７０ｗｔ％とすること
によりクリヤすることが可能であるが、φ１０μｍ以下
の有効フィラメント径は達成することが困難である。
ｃ値はＮｂ系金属管内部の拡散後のＳｎ濃度（Ｎｂ系金
属管内部のＳｎ系金属およびＣｕ系金属が完全に拡散し
た場合の濃度を示す。）を５０〜７０ｗｔ％とすること
によりクリヤすることが可能であるが、φ１０μｍ以下
の有効フィラメント径は達成することが困難である。
【０００６】即ち，ニオブ・チューブ法においては、Ｎ
ｂ系金属管内部のＳｎ濃度を高くすればＪｃ値を向上さ
せることができるが、フィラメントの細線化が困難とな
り、逆にＮｂ系金属管内部のＳｎ濃度を低下させると、
細線化が容易になるものの、Ｊｃ値が低下するという問
題を生ずる。
ｂ系金属管内部のＳｎ濃度を高くすればＪｃ値を向上さ
せることができるが、フィラメントの細線化が困難とな
り、逆にＮｂ系金属管内部のＳｎ濃度を低下させると、
細線化が容易になるものの、Ｊｃ値が低下するという問
題を生ずる。
【０００７】本発明は以上の問題を解決するためになさ
れたもので、ニオブ・チューブ法により細線化が容易
で、かつＪｃ値を向上させることができる製造方法を提
供することをその目的とする。
れたもので、ニオブ・チューブ法により細線化が容易
で、かつＪｃ値を向上させることができる製造方法を提
供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のＮｂ3 Ｓｎ超電導線の製造方法は、Ｓｎ系
金属の外側にＣｕ系金属管およびＮｂ系金属管を順次配
置し、これらの多数本をＣｕマトリックス中に配置した
複合体に減面加工を施した後、Ｎｂ3 Ｓｎ生成の熱処理
を施すことにより多芯構造の超電導線を製造する方法に
おいて、前記Ｃｕマトリックスの中央部に拡散後のマト
リックス中のＳｎ濃度が３０ｗｔ％以上となるようにＳ
ｎ系金属線を配置するとともに、前記Ｎｂ系金属管内部
のＳｎ系金属を拡散後のＳｎ濃度が２０ｗｔ％以下とな
るように配置したものである。
に、本発明のＮｂ3 Ｓｎ超電導線の製造方法は、Ｓｎ系
金属の外側にＣｕ系金属管およびＮｂ系金属管を順次配
置し、これらの多数本をＣｕマトリックス中に配置した
複合体に減面加工を施した後、Ｎｂ3 Ｓｎ生成の熱処理
を施すことにより多芯構造の超電導線を製造する方法に
おいて、前記Ｃｕマトリックスの中央部に拡散後のマト
リックス中のＳｎ濃度が３０ｗｔ％以上となるようにＳ
ｎ系金属線を配置するとともに、前記Ｎｂ系金属管内部
のＳｎ系金属を拡散後のＳｎ濃度が２０ｗｔ％以下とな
るように配置したものである。
【０００９】上記発明において、拡散後のマトリックス
中のＳｎ濃度とは、Ｃｕマトリックスとこのマトリック
スの中央部に配置されたＳｎが完全に拡散した場合の濃
度を示す。また、Ｎｂ系金属管内部のＳｎ濃度も、同様
にＮｂ系金属管内部のＣｕ系金属とＳｎが完全に拡散し
た場合の濃度を示す。
中のＳｎ濃度とは、Ｃｕマトリックスとこのマトリック
スの中央部に配置されたＳｎが完全に拡散した場合の濃
度を示す。また、Ｎｂ系金属管内部のＳｎ濃度も、同様
にＮｂ系金属管内部のＣｕ系金属とＳｎが完全に拡散し
た場合の濃度を示す。
【００１０】上記発明において、Ｓｎ系金属、Ｃｕ系金
属、Ｎｂ系金属とは、Ｓｎ、ＣｕおよびＮｂの他、加工
性等を改善するためにこれ等の金属に微量の元素を添加
したものも含まれる。
属、Ｎｂ系金属とは、Ｓｎ、ＣｕおよびＮｂの他、加工
性等を改善するためにこれ等の金属に微量の元素を添加
したものも含まれる。
【００１１】本発明における複合体は、例えば、以下に
述べる方法により形成される。
述べる方法により形成される。
【００１２】（イ）Ｎｂ管の内部に、拡散後のＳｎ濃度
が２０ｗｔ％以下となるようにＣｕクラッドＳｎ線を挿
入し、これらをＣｕ管内に収容した後、減面加工を施し
断面六角形のシングル線を製造する。
が２０ｗｔ％以下となるようにＣｕクラッドＳｎ線を挿
入し、これらをＣｕ管内に収容した後、減面加工を施し
断面六角形のシングル線を製造する。
【００１３】（ロ）Ｃｕ管内にＳｎロッドを挿入して減
面加工を施し、シングル線と同一の断面形状を有するＣ
ｕ被覆Ｓｎ線を製造する。
面加工を施し、シングル線と同一の断面形状を有するＣ
ｕ被覆Ｓｎ線を製造する。
【００１４】（ハ）Ｃｕ被覆Ｓｎ線の多数本を中心とし
て、その外側にシングル線の多数本をその側面を当接し
て集合し、これらをＣｕ管内に収容した後、管内壁との
間隙にＣｕスペーサを挿入して複合体を製造する。この
時、Ｃｕ被覆Ｓｎ線の本数は、拡散後のマトリックス中
のＳｎ濃度が３０ｗｔ％以上となるように選択される。
（ニ）複合体に減面加工を施した後、ＣｕとＳｎの拡
散およびＮｂ3 Ｓｎ生成の熱処理を施して多芯構造の超
電導線を製造する。
て、その外側にシングル線の多数本をその側面を当接し
て集合し、これらをＣｕ管内に収容した後、管内壁との
間隙にＣｕスペーサを挿入して複合体を製造する。この
時、Ｃｕ被覆Ｓｎ線の本数は、拡散後のマトリックス中
のＳｎ濃度が３０ｗｔ％以上となるように選択される。
（ニ）複合体に減面加工を施した後、ＣｕとＳｎの拡
散およびＮｂ3 Ｓｎ生成の熱処理を施して多芯構造の超
電導線を製造する。
【００１５】尚、上記（イ）のシングル線の多数本をＣ
ｕ管内に収容して減面加工を施す工程を繰り返すことに
より、フィラメント数を増加させることができる。ま
た、最外層のＣｕ管の内側にＴａ等の拡散遮蔽層を配置
することが好ましい。
ｕ管内に収容して減面加工を施す工程を繰り返すことに
より、フィラメント数を増加させることができる。ま
た、最外層のＣｕ管の内側にＴａ等の拡散遮蔽層を配置
することが好ましい。
【００１６】
【作用】上記構成により、本発明のＮｂ3 Ｓｎ超電導線
の製造方法によれば、ニオブ・チューブ法によりフィラ
メントを細線化することのできるが、これは本発明者等
による以下の知見に基く。即ち、Ｎｂ系金属管内部のＳ
ｎ濃度が２０ｗｔ％を越えるとＪｃ値は向上するもの
の、フィラメントの細線化が困難となリ、一方、Ｎｂ系
金属管内部のＳｎ濃度が２０ｗｔ％以下では、フィラメ
ントの細線化は可能になるが、Ｊｃ値は低下する。本発
明によれば、Ｎｂ系金属管内部のＳｎ濃度を２０ｗｔ％
以下に低減することにより，フィラメント径をφ１０μ
ｍ以下まで加工することができ、またＮｂ3 Ｓｎ層生成
に不足するＳｎ分をＣｕマトリックスの中央部に配置す
ることにより、加工後のＮｂ管を内外から反応させてＮ
ｂ3 Ｓｎ層を形成することができるため、Ｊｃ値を向上
させることが可能になる。この場合、Ｃｕマトリックス
中のＳｎ濃度が３０ｗｔ％未満であると反応が不十分と
なって残存Ｎｂ量が多くなり、Ｊｃ値を向上させること
が困難となる。
の製造方法によれば、ニオブ・チューブ法によりフィラ
メントを細線化することのできるが、これは本発明者等
による以下の知見に基く。即ち、Ｎｂ系金属管内部のＳ
ｎ濃度が２０ｗｔ％を越えるとＪｃ値は向上するもの
の、フィラメントの細線化が困難となリ、一方、Ｎｂ系
金属管内部のＳｎ濃度が２０ｗｔ％以下では、フィラメ
ントの細線化は可能になるが、Ｊｃ値は低下する。本発
明によれば、Ｎｂ系金属管内部のＳｎ濃度を２０ｗｔ％
以下に低減することにより，フィラメント径をφ１０μ
ｍ以下まで加工することができ、またＮｂ3 Ｓｎ層生成
に不足するＳｎ分をＣｕマトリックスの中央部に配置す
ることにより、加工後のＮｂ管を内外から反応させてＮ
ｂ3 Ｓｎ層を形成することができるため、Ｊｃ値を向上
させることが可能になる。この場合、Ｃｕマトリックス
中のＳｎ濃度が３０ｗｔ％未満であると反応が不十分と
なって残存Ｎｂ量が多くなり、Ｊｃ値を向上させること
が困難となる。
【００１７】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。
【００１８】図１は減面加工後の複合体の断面を示した
もので、Ｃｕマトリックス１の中央部にＳｎ線２が配置
され、その外側に多数の複合フィラメント３が配置され
ている。また、Ｃｕマトリックス１の外側には拡散障壁
であるＴａ管４が配置され、その外側に安定化材である
Ｃｕ管５が配置されている。複合フィラメント３は、Ｓ
ｎフィラメント３ａを中心として、その外側にＣｕ管３
ｂおよびＮｂ管３ｃが順次配置された構造を有してい
る。上記のＳｎ線２およびＮｂ管３ｃ内部のＳｎフィラ
メント３ａは、Ｃｕマトリックス１とＳｎ線２が完全に
拡散した時に３０ｗｔ％以上のＳｎ濃度となるような断
面積で、また、Ｓｎフィラメント３ａとＣｕ管３ｂが完
全に拡散した時に２０ｗｔ％以下のＳｎ濃度となるよう
な断面積で配置されている。
もので、Ｃｕマトリックス１の中央部にＳｎ線２が配置
され、その外側に多数の複合フィラメント３が配置され
ている。また、Ｃｕマトリックス１の外側には拡散障壁
であるＴａ管４が配置され、その外側に安定化材である
Ｃｕ管５が配置されている。複合フィラメント３は、Ｓ
ｎフィラメント３ａを中心として、その外側にＣｕ管３
ｂおよびＮｂ管３ｃが順次配置された構造を有してい
る。上記のＳｎ線２およびＮｂ管３ｃ内部のＳｎフィラ
メント３ａは、Ｃｕマトリックス１とＳｎ線２が完全に
拡散した時に３０ｗｔ％以上のＳｎ濃度となるような断
面積で、また、Ｓｎフィラメント３ａとＣｕ管３ｂが完
全に拡散した時に２０ｗｔ％以下のＳｎ濃度となるよう
な断面積で配置されている。
【００１９】図１に示す複合体に熱処理を施すことによ
り、Ｎｂ管３ａはＳｎフィラメント３ａとＳｎ線２の拡
散により、内外から反応してＮｂ2 Ｓｎを生成する。
り、Ｎｂ管３ａはＳｎフィラメント３ａとＳｎ線２の拡
散により、内外から反応してＮｂ2 Ｓｎを生成する。
【００２０】具体例 外径φ１７ｍｍ、内径φ８ｍｍのＣｕ管内に外径φ７．
９ｍｍのＳｎロッドを収容して冷間加工を施し、外径φ
３．８ｍｍの複合線Ａを製造した。この複合線Ａの拡散
後のＳｎ濃度はＣｕ−１８ｗｔ％Ｓｎとなる。
９ｍｍのＳｎロッドを収容して冷間加工を施し、外径φ
３．８ｍｍの複合線Ａを製造した。この複合線Ａの拡散
後のＳｎ濃度はＣｕ−１８ｗｔ％Ｓｎとなる。
【００２１】上記の複合線Ａを外径φ８ｍｍ、内径φ４
ｍｍのＮｂ管内に収容し、さらにこのＮｂ管の外側に外
径φ９．１ｍｍ、内径φ８ｍｍのＣｕ管を配置した後、
これに冷間加工を施し、対辺間距離２．１３ｍｍの断面
六角形の複合線Ｂを製造した。 一方、外径φ１０．３
ｍｍ、内径φ８．１ｍｍのＣｕ管内に外径φ７．９ｍｍ
のＳｎロッドを収容して冷間加工を施し、対辺間距離
２．１３ｍｍの断面六角形の複合線Ｃを製造した。この
複合線Ｃの拡散後のＳｎ濃度はＣｕ−５０ｗｔ％Ｓｎと
なる。
ｍｍのＮｂ管内に収容し、さらにこのＮｂ管の外側に外
径φ９．１ｍｍ、内径φ８ｍｍのＣｕ管を配置した後、
これに冷間加工を施し、対辺間距離２．１３ｍｍの断面
六角形の複合線Ｂを製造した。 一方、外径φ１０．３
ｍｍ、内径φ８．１ｍｍのＣｕ管内に外径φ７．９ｍｍ
のＳｎロッドを収容して冷間加工を施し、対辺間距離
２．１３ｍｍの断面六角形の複合線Ｃを製造した。この
複合線Ｃの拡散後のＳｎ濃度はＣｕ−５０ｗｔ％Ｓｎと
なる。
【００２２】以上のように、複合線ＢおよびＣを製造し
た後、複合線Ｃの１８７本をその側面を当接して集合
し、その外側に複合線Ｂの７３８本を同様にして集合し
た後、これらを外径φ７３ｍｍ、内径φ７１ｍｍのＴａ
管内に収容し、このＴａ管の外側に外径φ８５ｍｍ、内
径φ７４ｍｍのＣｕ管を配置して複合体を製造した。
た後、複合線Ｃの１８７本をその側面を当接して集合
し、その外側に複合線Ｂの７３８本を同様にして集合し
た後、これらを外径φ７３ｍｍ、内径φ７１ｍｍのＴａ
管内に収容し、このＴａ管の外側に外径φ８５ｍｍ、内
径φ７４ｍｍのＣｕ管を配置して複合体を製造した。
【００２３】この複合体のＴａ管内部では、ＣｕとＳｎ
が完全に反応した場合のＳｎ濃度は、Ｎｂ管内部で１８
ｗｔ％、Ｎｂ管の外側のマトリックス部で４０ｗｔ％と
なる。 このように製造した複合体に静水圧押出加工お
よび伸線加工を施して、外径φ０．３１ｍｍの複合線Ｄ
を製造した。この時のフィラメント径はφ７．８μｍ
で、またフィラメントの破断も認められず、加工性も良
好であった。
が完全に反応した場合のＳｎ濃度は、Ｎｂ管内部で１８
ｗｔ％、Ｎｂ管の外側のマトリックス部で４０ｗｔ％と
なる。 このように製造した複合体に静水圧押出加工お
よび伸線加工を施して、外径φ０．３１ｍｍの複合線Ｄ
を製造した。この時のフィラメント径はφ７．８μｍ
で、またフィラメントの破断も認められず、加工性も良
好であった。
【００２４】この複合線Ｄに７２５℃×５０時間の熱処
理を施して多芯構造のＮｂ3 Ｓｎ超電導線を製造し、そ
の特性を測定した結果、Ｊｃは１２Ｔで８１０Ａ／ｍｍ
2 の値を示した。
理を施して多芯構造のＮｂ3 Ｓｎ超電導線を製造し、そ
の特性を測定した結果、Ｊｃは１２Ｔで８１０Ａ／ｍｍ
2 の値を示した。
【００２５】比較例 具体例と同様の方法により複合線Ｂを製造し、この９２
５本をその側面を当接して集合した後、これらを外径φ
７３ｍｍ、内径φ７１ｍｍのＴａ管内に収容し、このＴ
ａ管の外側に外径φ８５ｍｍ、内径φ７４ｍｍのＣｕ管
を配置して複合体を製造した。
５本をその側面を当接して集合した後、これらを外径φ
７３ｍｍ、内径φ７１ｍｍのＴａ管内に収容し、このＴ
ａ管の外側に外径φ８５ｍｍ、内径φ７４ｍｍのＣｕ管
を配置して複合体を製造した。
【００２６】このように製造した複合体に静水圧押出加
工および伸線加工を施して、外径φ０．３１ｍｍの複合
線Ｄ´を製造した。この時のフィラメント径はφ７．８
μｍで、またフィラメントの破断も認められず、加工性
も良好であった。
工および伸線加工を施して、外径φ０．３１ｍｍの複合
線Ｄ´を製造した。この時のフィラメント径はφ７．８
μｍで、またフィラメントの破断も認められず、加工性
も良好であった。
【００２７】この複合線Ｄ´に７２５℃×５０時間の熱
処理を施して多芯構造のＮｂ3 Ｓｎ超電導線を製造し、
その特性を測定した結果、Ｊｃは１２Ｔで５９０Ａ／ｍ
ｍ2の値を示した。
処理を施して多芯構造のＮｂ3 Ｓｎ超電導線を製造し、
その特性を測定した結果、Ｊｃは１２Ｔで５９０Ａ／ｍ
ｍ2の値を示した。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように本発明のＮｂ3 Ｓｎ超
電導線の製造方法によれば、加工性が良好でフィラメン
ト径をφ１０μｍ以下以下に成形することができる上、
Ｎｂ系金属管の内外からＳｎが拡散してＮｂ3 Ｓｎ層が
生成されるため、臨界電流密度の高い超電導線を製造す
ることができる。
電導線の製造方法によれば、加工性が良好でフィラメン
ト径をφ１０μｍ以下以下に成形することができる上、
Ｎｂ系金属管の内外からＳｎが拡散してＮｂ3 Ｓｎ層が
生成されるため、臨界電流密度の高い超電導線を製造す
ることができる。
【図１】本発明における減面加工後の複合体の断面図。
１…Ｃｕマトリックス、 ２…Ｓｎ線、 ３…複合フィ
ラメント、３ａ…Ｓｎフィラメント、 ３ｂ…Ｃｕ管、
３ｃ…Ｎｂ管、４…Ｔａ管、５…Ｃｕ管。
ラメント、３ａ…Ｓｎフィラメント、 ３ｂ…Ｃｕ管、
３ｃ…Ｎｂ管、４…Ｔａ管、５…Ｃｕ管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 熊野 智幸 神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１ 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 野口 一朗 神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１ 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 袴田 真志 神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１ 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 志賀 紀幸 神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１ 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 山崎 高之 神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１ 号 昭和電線電纜株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｓｎ系金属の外側にＣｕ系金属管および
Ｎｂ系金属管を順次配置し、これらの多数本をＣｕマト
リックス中に配置した複合体に減面加工を施した後、Ｎ
ｂ3 Ｓｎ生成の熱処理を施すことにより多芯構造の超電
導線を製造する方法において、前記Ｃｕマトリックスの
中央部に拡散後のマトリックス中のＳｎ濃度が３０ｗｔ
％以上となるようにＳｎ系金属線を配置するとともに、
前記Ｎｂ系金属管内部のＳｎ系金属を拡散後のＳｎ濃度
が２０ｗｔ％以下となるように配置することを特徴とす
るＮｂ3 Ｓｎ超電導線の製造方法。 - 【請求項２】 Ｓｎ系金属線は、Ｃｕマトリックスの中
央部に、離間して多数本配置することを特徴とする請求
項１記載のＮｂ3 Ｓｎ超電導線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4138603A JPH05334929A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | Ｎｂ３Ｓｎ超電導線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4138603A JPH05334929A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | Ｎｂ３Ｓｎ超電導線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05334929A true JPH05334929A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15225954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4138603A Withdrawn JPH05334929A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | Ｎｂ３Ｓｎ超電導線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05334929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108399974A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-08-14 | 布鲁克欧斯特有限公司 | 通过新型热处理提高Nb3Sn超导股线中的股线临界电流密度 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4138603A patent/JPH05334929A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108399974A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-08-14 | 布鲁克欧斯特有限公司 | 通过新型热处理提高Nb3Sn超导股线中的股线临界电流密度 |
| CN108399974B (zh) * | 2017-01-25 | 2023-02-24 | 布鲁克欧斯特有限公司 | 通过新型热处理提高Nb3Sn超导股线中的股线临界电流密度 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |