JPH05331635A - Ａｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材およびその製造方法 - Google Patents
Ａｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材およびその製造方法Info
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- JPH05331635A JPH05331635A JP13889792A JP13889792A JPH05331635A JP H05331635 A JPH05331635 A JP H05331635A JP 13889792 A JP13889792 A JP 13889792A JP 13889792 A JP13889792 A JP 13889792A JP H05331635 A JPH05331635 A JP H05331635A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリングによる薄膜の成膜に用いられ
るＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材について、密度が高
くて組成・組織が均一で、しかも酸素含有量が従来のも
のよりも格段に低く、スパッタリングによって成膜され
る薄膜中の酸素量を低く抑えて、その膜特性を向上させ
ることができるものとする。 【構成】 ガスアトマイズ法によって製造されたＳｉ含
有量が５０原子％未満である高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末
に、Ｓｉ粉末を添加混合して、Ａｌ含有量が１０〜５０
原子％とした混合粉末を熱間加圧して固化成形し、Ａｌ
含有量が１０〜５０原子％、酸素含有量が３０００ppm
以下、残部がＳｉおよび不可避不純物からなるＡｌ含有
Ｓｉ基合金ターゲット材を得る。
るＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材について、密度が高
くて組成・組織が均一で、しかも酸素含有量が従来のも
のよりも格段に低く、スパッタリングによって成膜され
る薄膜中の酸素量を低く抑えて、その膜特性を向上させ
ることができるものとする。 【構成】 ガスアトマイズ法によって製造されたＳｉ含
有量が５０原子％未満である高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末
に、Ｓｉ粉末を添加混合して、Ａｌ含有量が１０〜５０
原子％とした混合粉末を熱間加圧して固化成形し、Ａｌ
含有量が１０〜５０原子％、酸素含有量が３０００ppm
以下、残部がＳｉおよび不可避不純物からなるＡｌ含有
Ｓｉ基合金ターゲット材を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリングによっ
て光磁気デイスク表面に誘電体膜を成膜するのに用いら
れるＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材およびその製造方
法に関するものである。
て光磁気デイスク表面に誘電体膜を成膜するのに用いら
れるＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材およびその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気デイスクでは通常、反射膜−誘電
体膜−記録膜−誘電体膜からなる４層の薄膜が成膜さ
れ、２つの誘電体膜で、記録膜を挟むことで光磁気特性
を改善すると共に、記録膜の保護を兼ねる構成とされて
いるが、その記録膜は、希土類合金が用いられるため特
に酸化性が強く、その酸化による経年劣化により光磁気
デイスクのエラーレートが増加することが問題となって
いる。このため、記録膜を挟む形で成膜される誘電体膜
中の酸素量は可能な限り低いことが望ましい。
体膜−記録膜−誘電体膜からなる４層の薄膜が成膜さ
れ、２つの誘電体膜で、記録膜を挟むことで光磁気特性
を改善すると共に、記録膜の保護を兼ねる構成とされて
いるが、その記録膜は、希土類合金が用いられるため特
に酸化性が強く、その酸化による経年劣化により光磁気
デイスクのエラーレートが増加することが問題となって
いる。このため、記録膜を挟む形で成膜される誘電体膜
中の酸素量は可能な限り低いことが望ましい。
【０００３】一方、光磁気デイスクの誘電体膜としては
一般にＳi3Ｎ4 が用いられていたが、近年では、より優
れた光磁気的な特性が得られることよりＳi3Ｎ4 にＡｌ
を添加してなる (Ｓi,Ａl)3 Ｎ4 が、光磁気デイスクの
誘電体膜として広く用いられるようになってきた。ま
た、この（Ｓi,Ａl)3 Ｎ4 膜を成膜するためのスパッタ
リングには、Ｓｉ粉末とＡｌ粉末との混合粉末を、粉末
冶金法によって固化成形してなるＡｌ含有Ｓｉ基合金タ
ーゲット材が用いられる。
一般にＳi3Ｎ4 が用いられていたが、近年では、より優
れた光磁気的な特性が得られることよりＳi3Ｎ4 にＡｌ
を添加してなる (Ｓi,Ａl)3 Ｎ4 が、光磁気デイスクの
誘電体膜として広く用いられるようになってきた。ま
た、この（Ｓi,Ａl)3 Ｎ4 膜を成膜するためのスパッタ
リングには、Ｓｉ粉末とＡｌ粉末との混合粉末を、粉末
冶金法によって固化成形してなるＡｌ含有Ｓｉ基合金タ
ーゲット材が用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｉ粉
末にＡｌ粉末を加えた混合粉末を固化成形してなる従来
のＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材は、酸素含有量の高
いもの（通常、５０００〜８０００ppm 程度の値）であ
り、スパッタリングによって成膜される誘電体膜中の酸
素量を低く抑えることが困難であった。
末にＡｌ粉末を加えた混合粉末を固化成形してなる従来
のＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材は、酸素含有量の高
いもの（通常、５０００〜８０００ppm 程度の値）であ
り、スパッタリングによって成膜される誘電体膜中の酸
素量を低く抑えることが困難であった。
【０００５】また、これら混合粉末の固化成形では、Ｓ
ｉ粉末同士が接触する部分が多いに加えて、Ａｌの融点
が低いことから、固化成形するための温度条件をＡｌの
融点以下で行わねばならないため、Ｓｉ粉末同士の接触
部分で空洞が形成され易く、これが密度低下の原因とな
る。更にまた、粉末の分散性からくる組成および組織の
不均一性も問題で、これらはいずれも膜特性を劣化させ
る原因となるため、これらの改善も望まれていた。
ｉ粉末同士が接触する部分が多いに加えて、Ａｌの融点
が低いことから、固化成形するための温度条件をＡｌの
融点以下で行わねばならないため、Ｓｉ粉末同士の接触
部分で空洞が形成され易く、これが密度低下の原因とな
る。更にまた、粉末の分散性からくる組成および組織の
不均一性も問題で、これらはいずれも膜特性を劣化させ
る原因となるため、これらの改善も望まれていた。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決すべく
なされたもので、高密度でかつ均一な組成および組織を
有してなお、酸素含有量が低く、スパッタリングによっ
て成膜される誘電体膜中の酸素量を低く抑えて、その膜
特性を向上させることのできるＡｌ含有Ｓｉ基合金ター
ゲット材およびその製造方法の提供を目的とする。
なされたもので、高密度でかつ均一な組成および組織を
有してなお、酸素含有量が低く、スパッタリングによっ
て成膜される誘電体膜中の酸素量を低く抑えて、その膜
特性を向上させることのできるＡｌ含有Ｓｉ基合金ター
ゲット材およびその製造方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成とされている。すなわち、本
発明に係るＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材は、Ａｌ含
有量が１０〜５０原子％、酸素含有量が３０００0ppm以
下、残部がＳｉおよび不可避不純物からなることを特徴
とするものである。
めに、本発明は以下の構成とされている。すなわち、本
発明に係るＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材は、Ａｌ含
有量が１０〜５０原子％、酸素含有量が３０００0ppm以
下、残部がＳｉおよび不可避不純物からなることを特徴
とするものである。
【０００８】また、本発明に係るＡｌ含有Ｓｉ基合金タ
ーゲット材の製造方法は、ガスアトマイズ法により製造
されたＳｉ含有量が５０原子％未満である高Ｓｉ含有Ａ
ｌ合金粉末に、Ｓｉ粉末を添加混合して、Ａｌ含有量が
１０〜５０原子％とした混合粉末を熱間加圧して固化成
形することを特徴とするものである。
ーゲット材の製造方法は、ガスアトマイズ法により製造
されたＳｉ含有量が５０原子％未満である高Ｓｉ含有Ａ
ｌ合金粉末に、Ｓｉ粉末を添加混合して、Ａｌ含有量が
１０〜５０原子％とした混合粉末を熱間加圧して固化成
形することを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明者等は、粉末冶金法によって高密度で均
一な組成および組織を有してなお、酸素含有量の低いＡ
ｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材を得る方法として、酸素
量の制御が容易なガスアトマイズ法により製造されたＡ
ｌ含有Ｓｉ基合金粉末を原料粉末として用いることを考
えた。
一な組成および組織を有してなお、酸素含有量の低いＡ
ｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材を得る方法として、酸素
量の制御が容易なガスアトマイズ法により製造されたＡ
ｌ含有Ｓｉ基合金粉末を原料粉末として用いることを考
えた。
【００１０】しかしながら、Ｓｉ量の高いＡｌ含有Ｓｉ
基合金粉末をガスアトマイズ法により製造せんとした場
合、アトマイズ装置の溶湯吹き出し部に相当するノズル
の閉塞が生じ易いために、ノズル径を大きくしなければ
ならず、結果として得られる合金粉末の粒子が大きくな
って、固化成形性に極端に劣るものとなる。更にまた、
Ｓｉ量が高いほど、その溶解温度を上昇させねばなら
ず、このため初晶のＳｉの成長が起こり易くなり、粉末
サイズによりＳｉ粒子の分散状態が変化するため、原料
粉末として使用可能なレベルの微細な粒子で、かつ均一
な組成・組織を有するＡｌ含有Ｓｉ基合金粉末を得るこ
とが非常に困難であることが判明した。
基合金粉末をガスアトマイズ法により製造せんとした場
合、アトマイズ装置の溶湯吹き出し部に相当するノズル
の閉塞が生じ易いために、ノズル径を大きくしなければ
ならず、結果として得られる合金粉末の粒子が大きくな
って、固化成形性に極端に劣るものとなる。更にまた、
Ｓｉ量が高いほど、その溶解温度を上昇させねばなら
ず、このため初晶のＳｉの成長が起こり易くなり、粉末
サイズによりＳｉ粒子の分散状態が変化するため、原料
粉末として使用可能なレベルの微細な粒子で、かつ均一
な組成・組織を有するＡｌ含有Ｓｉ基合金粉末を得るこ
とが非常に困難であることが判明した。
【００１１】そこで、本発明者等は発想を逆転させ、こ
れをＡｌ合金、すなわち高Ｓｉ含有Ａｌ合金としてとら
えるとき、目的達成の可能性があることに想達した。そ
して、微細でかつ均一な組成・組織の高Ｓｉ含有Ａｌ合
金粉末が得られる条件を把握するため、Ｓｉ量とＡｌ量
との関係について鋭意研究および検討を重ね、その結果
から次の知見を得た。
れをＡｌ合金、すなわち高Ｓｉ含有Ａｌ合金としてとら
えるとき、目的達成の可能性があることに想達した。そ
して、微細でかつ均一な組成・組織の高Ｓｉ含有Ａｌ合
金粉末が得られる条件を把握するため、Ｓｉ量とＡｌ量
との関係について鋭意研究および検討を重ね、その結果
から次の知見を得た。
【００１２】まず、良好な固化成形性を充分に維持でき
る微細粉末（−１００メッシュの細粒）を得るためのＳ
ｉ量の上限はせいぜい５０原子％迄（好ましくは４５原
子％以下）であり、５０原子％以上では〔表１〕に示す
ように、−１００メッシュの粉末の収率が著しく悪化す
る。また、Ｓｉ粒子の粗大化も著しくなりノズル閉塞の
確率を高めると共に、得られる合金粉末の組成を不均一
なものとする。一方、Ｓｉ量が５０原子％以下の条件で
は、Ｓｉ粒子は粗大化することなくＡｌのマトリックス
に粒状でしかも微細に分散して、得られる合金粉末は組
成・組織が均一で微細な粒子のものとなる。なお、〔表
１〕に示すノズル閉塞の確率は、それぞれ３チャージの
結果をもとに求めたものである。
る微細粉末（−１００メッシュの細粒）を得るためのＳ
ｉ量の上限はせいぜい５０原子％迄（好ましくは４５原
子％以下）であり、５０原子％以上では〔表１〕に示す
ように、−１００メッシュの粉末の収率が著しく悪化す
る。また、Ｓｉ粒子の粗大化も著しくなりノズル閉塞の
確率を高めると共に、得られる合金粉末の組成を不均一
なものとする。一方、Ｓｉ量が５０原子％以下の条件で
は、Ｓｉ粒子は粗大化することなくＡｌのマトリックス
に粒状でしかも微細に分散して、得られる合金粉末は組
成・組織が均一で微細な粒子のものとなる。なお、〔表
１〕に示すノズル閉塞の確率は、それぞれ３チャージの
結果をもとに求めたものである。
【００１３】
【表１】
【００１４】更に、Ｓｉ量が５０原子％以上のＡｌ含有
Ｓｉ基合金材の製造に対しては、この高Ｓｉ含有Ａｌ合
金粉末に、常法によるＳｉ粉末を加えて組成分を調整し
た上で固化成形すれば良く、この場合、Ｓｉ粉末とＡｌ
粉末の混合粉末を用いる従来法と比較して、同一固化成
形条件でも密度が高くなる。これは、Ａｌのマトリック
スにＳｉ粒子を微細に分散させた高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉
末の使用により、圧接もしくは焼結し易いＡｌ同士が接
触する機会が増したことに起因するものと推測される。
そしてまた、得られるＡｌ含有Ｓｉ基合金材は、組成・
組織の均一性についても良好で、しかも酸素含有量も３
０００ppm 以下と、従来法で得られるものより大幅に低
く抑えることができる。
Ｓｉ基合金材の製造に対しては、この高Ｓｉ含有Ａｌ合
金粉末に、常法によるＳｉ粉末を加えて組成分を調整し
た上で固化成形すれば良く、この場合、Ｓｉ粉末とＡｌ
粉末の混合粉末を用いる従来法と比較して、同一固化成
形条件でも密度が高くなる。これは、Ａｌのマトリック
スにＳｉ粒子を微細に分散させた高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉
末の使用により、圧接もしくは焼結し易いＡｌ同士が接
触する機会が増したことに起因するものと推測される。
そしてまた、得られるＡｌ含有Ｓｉ基合金材は、組成・
組織の均一性についても良好で、しかも酸素含有量も３
０００ppm 以下と、従来法で得られるものより大幅に低
く抑えることができる。
【００１５】すなわち、粉末冶金法によって、高密度で
かつ均一な組成および組織を有してなお、酸素含有量が
低いＡｌ含有Ｓｉ基合金材を得るには、ガスアトマイズ
法による合金粉末の使用を考えざるを得ないのである
が、従来法でこれが採用されていなかったのは、上述し
たようにＡｌ含有Ｓｉ基合金粉末の製造が困難であるこ
とから、安易にＳｉ粉末とＡｌ粉末の混合粉末を用いる
手法に依存していたものと思われる。本発明は、この点
を解決すべく新たな観点のもとでなされた上記の研究お
よび検討結果から把握した条件に基づいて完成したもの
である。
かつ均一な組成および組織を有してなお、酸素含有量が
低いＡｌ含有Ｓｉ基合金材を得るには、ガスアトマイズ
法による合金粉末の使用を考えざるを得ないのである
が、従来法でこれが採用されていなかったのは、上述し
たようにＡｌ含有Ｓｉ基合金粉末の製造が困難であるこ
とから、安易にＳｉ粉末とＡｌ粉末の混合粉末を用いる
手法に依存していたものと思われる。本発明は、この点
を解決すべく新たな観点のもとでなされた上記の研究お
よび検討結果から把握した条件に基づいて完成したもの
である。
【００１６】ここで、本発明のＡｌ含有Ｓｉ基合金ター
ゲット材は、従来技術によるものでは５０００〜８００
０ppm 程度とされていた酸素含有量が、３０００ppm 以
下と格段に低い値であるので、スパッタリングによって
成膜される誘電体膜中の酸素量を低く抑えて、その膜特
性を向上させることができる。
ゲット材は、従来技術によるものでは５０００〜８００
０ppm 程度とされていた酸素含有量が、３０００ppm 以
下と格段に低い値であるので、スパッタリングによって
成膜される誘電体膜中の酸素量を低く抑えて、その膜特
性を向上させることができる。
【００１７】なお、本発明において、Ａｌ含有量を１０
〜５０原子％とした理由は、１０原子％未満のＡｌ含有
量では、スパッタリングによって（Ｓi,Ａl)3 Ｎ4 膜を
成膜することができなくなるからであり、一方、Ａｌ含
有量が５０原子％を超えると、窒化Ａｌが生成されて光
の透過率や屈折率が変化し、光磁気デイスクの誘電体膜
として求められる光学的特性を失するからである。
〜５０原子％とした理由は、１０原子％未満のＡｌ含有
量では、スパッタリングによって（Ｓi,Ａl)3 Ｎ4 膜を
成膜することができなくなるからであり、一方、Ａｌ含
有量が５０原子％を超えると、窒化Ａｌが生成されて光
の透過率や屈折率が変化し、光磁気デイスクの誘電体膜
として求められる光学的特性を失するからである。
【００１８】また、本発明の製造方法では、酸素量の制
御が容易なガスアトマイズ法により製造された高Ｓｉ含
有Ａｌ合金粉末に、Ｓｉ粉末を添加混合して、Ａｌ含有
量が１０〜５０原子％とした混合粉末を熱間加圧して固
化成形するので、用いる混合粉末中の酸素量を低く抑え
て、その酸素含有量が３０００ppm 以下と低く、かつＡ
ｌ含有量が１０〜５０原子％、残部がＳｉおよび不可避
不純物からなるＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材を得る
ことができる。また、高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末は、Ｓｉ
含有量を５０原子％未満とするので、前述したように、
ガスアトマイズ法による溶解および粉粒化に際して、Ｓ
ｉ粒子の粗大化を防ぐ一方で、そのＳｉ粒子をＡｌのマ
トリックスに粒状でしかも微細に分散させて、組成・組
織が均一で微細な粒子とすることができ、その混合粉末
を固化成形してなるＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材
を、高密度で組成・組織が均一なものとすることができ
る。
御が容易なガスアトマイズ法により製造された高Ｓｉ含
有Ａｌ合金粉末に、Ｓｉ粉末を添加混合して、Ａｌ含有
量が１０〜５０原子％とした混合粉末を熱間加圧して固
化成形するので、用いる混合粉末中の酸素量を低く抑え
て、その酸素含有量が３０００ppm 以下と低く、かつＡ
ｌ含有量が１０〜５０原子％、残部がＳｉおよび不可避
不純物からなるＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材を得る
ことができる。また、高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末は、Ｓｉ
含有量を５０原子％未満とするので、前述したように、
ガスアトマイズ法による溶解および粉粒化に際して、Ｓ
ｉ粒子の粗大化を防ぐ一方で、そのＳｉ粒子をＡｌのマ
トリックスに粒状でしかも微細に分散させて、組成・組
織が均一で微細な粒子とすることができ、その混合粉末
を固化成形してなるＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材
を、高密度で組成・組織が均一なものとすることができ
る。
【００１９】
【実施例】以下に、本発明に係るＡｌ含有Ｓｉ基合金タ
ーゲット材の製造方法の実施例を説明する。
ーゲット材の製造方法の実施例を説明する。
【００２０】まず、ガスアトマイズ法によって、Ｓｉ含
有量を４５原子％とした高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末を製造
すると共に、−１００メッシュの同Ａｌ合金粉末を収集
し、この高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末に、常法による−１０
０メッシュのＳｉ粉末を加えて混合し、Ａｌ含有量が３
０原子％である混合粉末とした。
有量を４５原子％とした高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末を製造
すると共に、−１００メッシュの同Ａｌ合金粉末を収集
し、この高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末に、常法による−１０
０メッシュのＳｉ粉末を加えて混合し、Ａｌ含有量が３
０原子％である混合粉末とした。
【００２１】次いで、この混合粉末を、軟鋼製のカプセ
ルに充填して脱気処理した後、これを加圧圧力を1000kg
/cm2、加熱温度を 550℃/1Hrとする条件下でＨＩＰ（熱
間静水圧加圧）処理し、目的とする３０原子％Ａｌ含有
Ｓｉ基合金ターゲット材として固化成形した。
ルに充填して脱気処理した後、これを加圧圧力を1000kg
/cm2、加熱温度を 550℃/1Hrとする条件下でＨＩＰ（熱
間静水圧加圧）処理し、目的とする３０原子％Ａｌ含有
Ｓｉ基合金ターゲット材として固化成形した。
【００２２】一方、従来法による比較例として、常法に
よる−１００メッシュのＳｉ粉末と、常法による−１０
０メッシュのＡｌ粉末とを混合してＡｌ含有量が３０原
子％の混合粉末とし、この混合粉末を同様に軟鋼製のカ
プセルに充填して脱気処理した後、これを上記と同条件
でＨＩＰ処理し、同種の３０原子％Ａｌ含有Ｓｉ基合金
ターゲット材として固化成形した。
よる−１００メッシュのＳｉ粉末と、常法による−１０
０メッシュのＡｌ粉末とを混合してＡｌ含有量が３０原
子％の混合粉末とし、この混合粉末を同様に軟鋼製のカ
プセルに充填して脱気処理した後、これを上記と同条件
でＨＩＰ処理し、同種の３０原子％Ａｌ含有Ｓｉ基合金
ターゲット材として固化成形した。
【００２３】そして、得られた加圧成形体から採取した
試料の組成および密度を、比較例のものとの対比して調
査した。なお、試料は、加圧成形体の上部および下部か
ら脱カプセルを兼ねて円盤状のサンプル材をスライスし
て切り出すと共に、これら TopおよびBottomサンプル材
それぞれの外周部２箇所（No.1およびNo.2試料）と中央
部１箇所（No.3試料）の各３箇所、計６箇所から採取し
た。なお、酸素含有量については、各サンプル材の中央
部から採取した試料（No.3試料）のみについて分析し
た。その調査結果を〔表２〕に示す。
試料の組成および密度を、比較例のものとの対比して調
査した。なお、試料は、加圧成形体の上部および下部か
ら脱カプセルを兼ねて円盤状のサンプル材をスライスし
て切り出すと共に、これら TopおよびBottomサンプル材
それぞれの外周部２箇所（No.1およびNo.2試料）と中央
部１箇所（No.3試料）の各３箇所、計６箇所から採取し
た。なお、酸素含有量については、各サンプル材の中央
部から採取した試料（No.3試料）のみについて分析し
た。その調査結果を〔表２〕に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】〔表２〕に示すように、各試料の採取位置
の差による組成のバラツキは、比較例のものではおよそ
１重量％の範囲にあったのに対し、本実施のものではお
よそ0.3重量％の範囲にあり、比較例の約１／３と非常
に小さくなっており、また、酸素含有量も３０００ppm
以下の低い値で、比較例より格段に低下している。さら
にまた、密度も本実施のものの方が優れ、理論密度に近
い値の示しており、これにより、本発明方法の優れた効
果を確認することができた。
の差による組成のバラツキは、比較例のものではおよそ
１重量％の範囲にあったのに対し、本実施のものではお
よそ0.3重量％の範囲にあり、比較例の約１／３と非常
に小さくなっており、また、酸素含有量も３０００ppm
以下の低い値で、比較例より格段に低下している。さら
にまた、密度も本実施のものの方が優れ、理論密度に近
い値の示しており、これにより、本発明方法の優れた効
果を確認することができた。
【００２６】翻って、ガスアトマイズ法によって製造し
た上記の４５原子％Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末の粉末粒度の
固化成形後の密度に及ぼす影響を、上記実施例に先立っ
て調査した。この調査では、粉末粒度が−１００メッシ
ュの同Ａｌ合金粉末と、粉末粒度が−６０＋２００メッ
シュの同Ａｌ合金粉末を、それぞれ単独で上記実施例と
同条件で固化成形してその密度を調べた。その結果、−
１００メッシュのＡｌ合金粉末を固化成形したものは、
その密度が 2.405(g/cm2) であったのに対して、−６０
＋２００メッシュのＡｌ合金粉末を固化成形したもの
は、その密度が 2.289(g/cm2) と遙かに低い密度値を示
し、固化成形性の点からも細かい粉末を使用する方が良
いことが確認され、この事実より上記実施例では、−１
００メッシュの粉末を用いたのである。
た上記の４５原子％Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末の粉末粒度の
固化成形後の密度に及ぼす影響を、上記実施例に先立っ
て調査した。この調査では、粉末粒度が−１００メッシ
ュの同Ａｌ合金粉末と、粉末粒度が−６０＋２００メッ
シュの同Ａｌ合金粉末を、それぞれ単独で上記実施例と
同条件で固化成形してその密度を調べた。その結果、−
１００メッシュのＡｌ合金粉末を固化成形したものは、
その密度が 2.405(g/cm2) であったのに対して、−６０
＋２００メッシュのＡｌ合金粉末を固化成形したもの
は、その密度が 2.289(g/cm2) と遙かに低い密度値を示
し、固化成形性の点からも細かい粉末を使用する方が良
いことが確認され、この事実より上記実施例では、−１
００メッシュの粉末を用いたのである。
【００２７】なお、本実施例においては、高Ｓｉ含有Ａ
ｌ合金粉末とＳｉ粉末との混合粉末を、ＨＩＰ処理によ
って固化成形したが、これは一例であって、その過程に
おける酸素量の増加を防いで熱間加圧できるものであれ
ば、例えば、ホットプレスによって固化成形されても良
い。
ｌ合金粉末とＳｉ粉末との混合粉末を、ＨＩＰ処理によ
って固化成形したが、これは一例であって、その過程に
おける酸素量の増加を防いで熱間加圧できるものであれ
ば、例えば、ホットプレスによって固化成形されても良
い。
【００２８】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明に係るＡｌ
含有Ｓｉ基合金ターゲット材によれば、その酸素含有率
が低いので、スパッタリングによって成膜される誘電体
膜中の酸素量を低く抑えて、その膜特性を向上させるこ
とができる。また、本発明に係るＡｌ含有Ｓｉ基合金タ
ーゲット材の製造方法によれば、密度が高くて組成・組
織が均一で、しかも酸素含有量が従来法によるものより
格段に低いＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材を得ること
ができる。
含有Ｓｉ基合金ターゲット材によれば、その酸素含有率
が低いので、スパッタリングによって成膜される誘電体
膜中の酸素量を低く抑えて、その膜特性を向上させるこ
とができる。また、本発明に係るＡｌ含有Ｓｉ基合金タ
ーゲット材の製造方法によれば、密度が高くて組成・組
織が均一で、しかも酸素含有量が従来法によるものより
格段に低いＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材を得ること
ができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ａｌ含有量が１０〜５０原子％、酸素含
有量が３０００ppm以下、残部がＳｉおよび不可避不純
物からなることを特徴とするＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲ
ット材。 - 【請求項２】 ガスアトマイズ法により製造されたＳｉ
含有量が５０原子％未満である高Ｓｉ含有Ａｌ合金粉末
に、Ｓｉ粉末を添加混合して、Ａｌ含有量が１０〜５０
原子％とした混合粉末を熱間加圧して固化成形すること
を特徴とするＡｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13889792A JPH05331635A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | Ａｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13889792A JPH05331635A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | Ａｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05331635A true JPH05331635A (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=15232681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13889792A Pending JPH05331635A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | Ａｌ含有Ｓｉ基合金ターゲット材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05331635A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000038862A1 (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-06 | Ultraclad Corporation | Method of producing a silicom/aluminum sputtering target |
| US6312535B1 (en) * | 1995-07-19 | 2001-11-06 | Osprey Metals Limited | Silicon alloys for electronic packaging |
| EP1284303A1 (de) * | 2001-08-18 | 2003-02-19 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Sputtertarget aus einer Siliziumlegierung und Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets |
| WO2019187243A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP13889792A patent/JPH05331635A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6312535B1 (en) * | 1995-07-19 | 2001-11-06 | Osprey Metals Limited | Silicon alloys for electronic packaging |
| WO2000038862A1 (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-06 | Ultraclad Corporation | Method of producing a silicom/aluminum sputtering target |
| US6214177B1 (en) * | 1998-12-28 | 2001-04-10 | Ultraclad Corporation | Method of producing a silicon/aluminum sputtering target |
| EP1284303A1 (de) * | 2001-08-18 | 2003-02-19 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Sputtertarget aus einer Siliziumlegierung und Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets |
| WO2019187243A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の製造方法 |
| JPWO2019187243A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2021-01-07 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991102 |