JPH05330922A - 低熱伝導セラミックス及びその製造方法 - Google Patents
低熱伝導セラミックス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05330922A JPH05330922A JP4164146A JP16414692A JPH05330922A JP H05330922 A JPH05330922 A JP H05330922A JP 4164146 A JP4164146 A JP 4164146A JP 16414692 A JP16414692 A JP 16414692A JP H05330922 A JPH05330922 A JP H05330922A
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- JP
- Japan
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- amorphous
- low thermal
- ceramics
- powder
- thermal conductivity
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、低熱伝導率で且つ十分な強度を有
する低熱伝導セラミックス及びその製造方法を提供する
ことである。 【構成】 この低熱伝導セラミックスは、結晶質のＳｉ
3 Ｎ4 のマトリックス中に、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 相が分
散しており、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を体積２０％以上含有
しているものである。結晶質のＳｉ3 Ｎ4 中に非晶質の
Ｓｉ3 Ｎ4 が存在するため、結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のもの
に対してフォノン散乱が生じ、フォノンが伝わり難くな
って熱伝導率が低下する。
する低熱伝導セラミックス及びその製造方法を提供する
ことである。 【構成】 この低熱伝導セラミックスは、結晶質のＳｉ
3 Ｎ4 のマトリックス中に、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 相が分
散しており、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を体積２０％以上含有
しているものである。結晶質のＳｉ3 Ｎ4 中に非晶質の
Ｓｉ3 Ｎ4 が存在するため、結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のもの
に対してフォノン散乱が生じ、フォノンが伝わり難くな
って熱伝導率が低下する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、結晶質Ｓｉ3 Ｎ4 を
マトリックスとする低熱伝導率セラミックス及びその製
造方法に関する。
マトリックスとする低熱伝導率セラミックス及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミックスに関して、短時間で
高密度の焼結体を目的として、ＳｉとＳｉ3 Ｎ4 の混合
粉末を原料として反応焼結させるものは、例えば、特公
昭６０−５５５２号公報に開示されたものがある。該公
報に開示された窒化珪素成形体の製造方法は、Ｓｉ粉末
或いはＳｉ粉末と窒化ケイ素粉末とを混合してなる原料
粉末を予め所定形状に予備成形し、次いでこれを窒素ガ
ス中で反応焼結するものであり、予備成形体を高圧容器
中に装入し、４００ｋｇ／ｃｍ2 以上の圧力の窒素ガス
中にて、まずＳｉの融点以下の温度で、反応率２０％以
上反応させて一次窒化し、次いで前記圧力の窒素ガス中
にてＳｉの融点以上の温度で二次窒化させて、前記Ｓｉ
粉末を窒化させると共に焼結するものである。
高密度の焼結体を目的として、ＳｉとＳｉ3 Ｎ4 の混合
粉末を原料として反応焼結させるものは、例えば、特公
昭６０−５５５２号公報に開示されたものがある。該公
報に開示された窒化珪素成形体の製造方法は、Ｓｉ粉末
或いはＳｉ粉末と窒化ケイ素粉末とを混合してなる原料
粉末を予め所定形状に予備成形し、次いでこれを窒素ガ
ス中で反応焼結するものであり、予備成形体を高圧容器
中に装入し、４００ｋｇ／ｃｍ2 以上の圧力の窒素ガス
中にて、まずＳｉの融点以下の温度で、反応率２０％以
上反応させて一次窒化し、次いで前記圧力の窒素ガス中
にてＳｉの融点以上の温度で二次窒化させて、前記Ｓｉ
粉末を窒化させると共に焼結するものである。
【０００３】また、特開平２−７４５０７号公報には、
窒化珪素の製造方法が開示されている。該窒化珪素の製
造方法は、特定の有機ケイ素ポリマーを出発原料として
比較的温和な条件で窒化ケイ素を得る方法であり、ポリ
カルボシラスチレンの架橋物及び／又はポリシラスチレ
ンの架橋物を約１２００℃以上の高温で窒素気流中で窒
素と反応させたものである。
窒化珪素の製造方法が開示されている。該窒化珪素の製
造方法は、特定の有機ケイ素ポリマーを出発原料として
比較的温和な条件で窒化ケイ素を得る方法であり、ポリ
カルボシラスチレンの架橋物及び／又はポリシラスチレ
ンの架橋物を約１２００℃以上の高温で窒素気流中で窒
素と反応させたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ックスに関して、低熱伝導化を目的とした場合には、結
晶質のＳｉ3 Ｎ4 を配合すると、特性的に不十分なセラ
ミックスができるという問題がある。
ックスに関して、低熱伝導化を目的とした場合には、結
晶質のＳｉ3 Ｎ4 を配合すると、特性的に不十分なセラ
ミックスができるという問題がある。
【０００５】そこで、この発明の目的は、上記の課題を
解決することであり、低熱伝導率のセラミックスを得る
ため、Ｓｉ粉末と非晶質のＳｉ3 Ｎ4 とを原料として、
該原料を成形して成形体を作製し、該成形体を反応焼結
することによって非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を結晶質のＳｉ3
Ｎ4 のマトリックスに分散させ、熱伝導率を低下させた
低熱伝導セラミックス及びその製造方法を提供すること
である。
解決することであり、低熱伝導率のセラミックスを得る
ため、Ｓｉ粉末と非晶質のＳｉ3 Ｎ4 とを原料として、
該原料を成形して成形体を作製し、該成形体を反応焼結
することによって非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を結晶質のＳｉ3
Ｎ4 のマトリックスに分散させ、熱伝導率を低下させた
低熱伝導セラミックス及びその製造方法を提供すること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を達成するために、次のように構成されている。即ち、
この発明は、結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のマトリックス中に、
非晶質のＳｉ3 Ｎ4 相が分散していることを特徴とする
低熱伝導セラミックスに関する。
を達成するために、次のように構成されている。即ち、
この発明は、結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のマトリックス中に、
非晶質のＳｉ3 Ｎ4 相が分散していることを特徴とする
低熱伝導セラミックスに関する。
【０００７】また、この低熱伝導セラミックスにおい
て、前記非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を体積２０％以上含有して
いるものである。
て、前記非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を体積２０％以上含有して
いるものである。
【０００８】或いは、この発明は、Ｓｉ粉末に非晶質の
Ｓｉ3 Ｎ4 粉末を配合して蒸留水を媒体として混合した
後に乾燥して混合物を作製するステップと、該混合物を
粉砕して成形用原料を作製するステップと、該成形用原
料で成形体を作製して該成形体を加熱してバインダーを
除去した後に窒素雰囲気中で焼成して焼結体を作製する
ステップと、を有することを特徴とする低熱伝導セラミ
ックスの製造方法に関する。
Ｓｉ3 Ｎ4 粉末を配合して蒸留水を媒体として混合した
後に乾燥して混合物を作製するステップと、該混合物を
粉砕して成形用原料を作製するステップと、該成形用原
料で成形体を作製して該成形体を加熱してバインダーを
除去した後に窒素雰囲気中で焼成して焼結体を作製する
ステップと、を有することを特徴とする低熱伝導セラミ
ックスの製造方法に関する。
【０００９】
【作用】この発明による低熱伝導セラミックス及びその
製造方法は、上記のように構成されており、次のように
作用する。即ち、この低熱伝導セラミックスは、結晶質
のＳｉ3 Ｎ4 のマトリックスに非晶質のＳｉ3 Ｎ4 相が
分散しているので、非晶質Ｓｉ3 Ｎ4 が存在するため、
結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のものに対してフォノン散乱が生
じ、フォノンが伝わり難くなって熱伝導率が低下する。
前記マトリックスに対して前記非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を体
積率で２０％以上、特に、２０〜５０％含有することに
よって、熱伝導率を低減でき、且つエンジン部品等に使
用できる十分な強度を確保できる。
製造方法は、上記のように構成されており、次のように
作用する。即ち、この低熱伝導セラミックスは、結晶質
のＳｉ3 Ｎ4 のマトリックスに非晶質のＳｉ3 Ｎ4 相が
分散しているので、非晶質Ｓｉ3 Ｎ4 が存在するため、
結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のものに対してフォノン散乱が生
じ、フォノンが伝わり難くなって熱伝導率が低下する。
前記マトリックスに対して前記非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を体
積率で２０％以上、特に、２０〜５０％含有することに
よって、熱伝導率を低減でき、且つエンジン部品等に使
用できる十分な強度を確保できる。
【００１０】この低熱伝導セラミックスの製造方法は、
Ｓｉ粉末に非晶質のＳｉ3 Ｎ4 粉末を配合して混合し、
該混合物を粉砕して成形用原料を作製し、該成形用原料
で成形体を作製し、該成形体を窒素雰囲気中で焼成して
焼結体を作製するので、結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のマトリッ
クス中に良好に非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を分散させることが
でき、熱伝導率を均等に低下させる。
Ｓｉ粉末に非晶質のＳｉ3 Ｎ4 粉末を配合して混合し、
該混合物を粉砕して成形用原料を作製し、該成形用原料
で成形体を作製し、該成形体を窒素雰囲気中で焼成して
焼結体を作製するので、結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のマトリッ
クス中に良好に非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を分散させることが
でき、熱伝導率を均等に低下させる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明による低熱伝導セラミックス
及びその製造方法の実施例を、図面を参照して説明す
る。図１はこの発明による低熱伝導セラミックスの非晶
質即ちアモルファスＳｉ3 Ｎ4 の体積率（％）に対する
熱伝導率（ｗ／ｍ・ｋ）を示すグラフである。図２はこ
の発明による低熱伝導セラミックスの非晶質即ちアモル
ファスＳｉ3 Ｎ4 の体積率（％）に対する３点曲げ強度
（Ｍｐａ）を示すグラフである。
及びその製造方法の実施例を、図面を参照して説明す
る。図１はこの発明による低熱伝導セラミックスの非晶
質即ちアモルファスＳｉ3 Ｎ4 の体積率（％）に対する
熱伝導率（ｗ／ｍ・ｋ）を示すグラフである。図２はこ
の発明による低熱伝導セラミックスの非晶質即ちアモル
ファスＳｉ3 Ｎ4 の体積率（％）に対する３点曲げ強度
（Ｍｐａ）を示すグラフである。
【００１２】この発明による低熱伝導セラミックスは、
結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のマトリックス中に、非晶質のＳｉ
3 Ｎ4 相が分散していることを特徴とするものである。
この低熱伝導セラミックスは、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 が分
散しているため、該非晶質のＳｉ3 Ｎ4 によってフォノ
ン散乱が生じ、フォノンが結晶質のＳｉ3 Ｎ4 に対して
伝わり難くなり、その熱伝導率が低下する。この場合
に、図１から分かるように、この低熱伝導セラミックス
については、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を体積率で２０体積％
以上含有していることによって、その熱伝導率を約４ｗ
／ｍ・ｋ以下にすることができる。
結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のマトリックス中に、非晶質のＳｉ
3 Ｎ4 相が分散していることを特徴とするものである。
この低熱伝導セラミックスは、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 が分
散しているため、該非晶質のＳｉ3 Ｎ4 によってフォノ
ン散乱が生じ、フォノンが結晶質のＳｉ3 Ｎ4 に対して
伝わり難くなり、その熱伝導率が低下する。この場合
に、図１から分かるように、この低熱伝導セラミックス
については、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を体積率で２０体積％
以上含有していることによって、その熱伝導率を約４ｗ
／ｍ・ｋ以下にすることができる。
【００１３】この低熱伝導セラミックスについて、非晶
質のＳｉ3 Ｎ4 を２０％以上含有することによって、そ
の熱伝導率を約４ｗ／ｍ・ｋ以下にすることができる
が、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 の体積率を大きくし過ぎると、
強度が低下する。従って、この低熱伝導セラミックスを
エンジン部品等に使用して強度も確保したい場合には、
熱伝導率を低下させると共に、部品として望ましい強度
を確保するため、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 の体積率を約２０
〜５０％程度にすることが好ましい。
質のＳｉ3 Ｎ4 を２０％以上含有することによって、そ
の熱伝導率を約４ｗ／ｍ・ｋ以下にすることができる
が、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 の体積率を大きくし過ぎると、
強度が低下する。従って、この低熱伝導セラミックスを
エンジン部品等に使用して強度も確保したい場合には、
熱伝導率を低下させると共に、部品として望ましい強度
を確保するため、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 の体積率を約２０
〜５０％程度にすることが好ましい。
【００１４】この低熱伝導セラミックスを製造するに
は、次のようなステップによって製造することができ
る。この発明による低熱伝導セラミックスの製造方法
は、Ｓｉ粉末に非晶質のＳｉ3 Ｎ4 粉末を配合して蒸留
水を媒体として混合した後に乾燥して混合物を作製する
ステップと、該混合物を粉砕して成形用原料を作製する
ステップと、該成形用原料で成形体を作製して該成形体
を加熱してバインダーを除去した後に窒素雰囲気中で焼
成して焼結体を作製するステップとを有するものであ
り、反応焼結によって結晶質のＳｉ3 Ｎ4 が作製され
る。
は、次のようなステップによって製造することができ
る。この発明による低熱伝導セラミックスの製造方法
は、Ｓｉ粉末に非晶質のＳｉ3 Ｎ4 粉末を配合して蒸留
水を媒体として混合した後に乾燥して混合物を作製する
ステップと、該混合物を粉砕して成形用原料を作製する
ステップと、該成形用原料で成形体を作製して該成形体
を加熱してバインダーを除去した後に窒素雰囲気中で焼
成して焼結体を作製するステップとを有するものであ
り、反応焼結によって結晶質のＳｉ3 Ｎ4 が作製され
る。
【００１５】この低熱伝導セラミックスの製造方法にお
いて、まず、平均粒径０．３μｍのＳｉ粉末に２μｍの
非晶質のＳｉ3 Ｎ4 粉末を所定の組成となるように秤量
し、配合して混合粉末を作った。次いで、この混合粉末
に媒体として蒸留水を加え、ボールミルで約３６時間混
合した後、ボールミルから取り出して乾燥して混合物を
作製した。この混合物を粉砕し、分級して成形用原料を
作った。種々の割合で作製した種々の成形用原料をプレ
ス法により径１０ｍｍのペレット状に成形すると共に、
４０×３×４ｍｍの角棒状に成形した。ペレット状の成
形体は熱伝導率の測定用に成形したものであり、また、
角棒状の成形体は３点曲げ強度の測定用に成形したもの
である。これらの成形体を加熱して成形体からバインダ
ーを除去し、９．５ａｔｍの窒素雰囲気中で最高１４０
０℃まで加熱して焼成することによって焼結体を得た。
この焼成時に、Ｓｉ粉末がＳｉ3 Ｎ4 に転化して反応焼
結されてマトリックスを構成し、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 粉
末がマトリックス中に分散相で存在するようになる。
いて、まず、平均粒径０．３μｍのＳｉ粉末に２μｍの
非晶質のＳｉ3 Ｎ4 粉末を所定の組成となるように秤量
し、配合して混合粉末を作った。次いで、この混合粉末
に媒体として蒸留水を加え、ボールミルで約３６時間混
合した後、ボールミルから取り出して乾燥して混合物を
作製した。この混合物を粉砕し、分級して成形用原料を
作った。種々の割合で作製した種々の成形用原料をプレ
ス法により径１０ｍｍのペレット状に成形すると共に、
４０×３×４ｍｍの角棒状に成形した。ペレット状の成
形体は熱伝導率の測定用に成形したものであり、また、
角棒状の成形体は３点曲げ強度の測定用に成形したもの
である。これらの成形体を加熱して成形体からバインダ
ーを除去し、９．５ａｔｍの窒素雰囲気中で最高１４０
０℃まで加熱して焼成することによって焼結体を得た。
この焼成時に、Ｓｉ粉末がＳｉ3 Ｎ4 に転化して反応焼
結されてマトリックスを構成し、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 粉
末がマトリックス中に分散相で存在するようになる。
【００１６】この低熱伝導セラミックスの製造方法で作
製した種々の焼結体について、熱伝導率（ｗ／ｍ・ｋ）
をレーザーフラッシュ法で測定し、その熱伝導率は４個
（ｎ＝４）の平均値を測定値とした。また、強度（ＭＰ
ａ）を３点曲げ強度で測定し、３点曲げ強度は５０個
（ｎ＝５０）の平均値を測定値とした。
製した種々の焼結体について、熱伝導率（ｗ／ｍ・ｋ）
をレーザーフラッシュ法で測定し、その熱伝導率は４個
（ｎ＝４）の平均値を測定値とした。また、強度（ＭＰ
ａ）を３点曲げ強度で測定し、３点曲げ強度は５０個
（ｎ＝５０）の平均値を測定値とした。
【００１７】この低熱伝導セラミックスの熱伝導率及び
強度の測定結果は、図１と図２に示すとおりであった。
即ち、この低熱伝導セラミックスにおいて、熱伝導率に
ついては、非晶質Ｓｉ3 Ｎ4 の含有量が１０％で平均５
ｗ／ｍ・ｋであり、２０％で平均４ｗ／ｍ・ｋであり、
３０％で平均３．５ｗ／ｍ・ｋであり、４０％で平均
３．２５ｗ／ｍ・ｋであり、５０％で平均３ｗ／ｍ・ｋ
であった。また、強度については、非晶質Ｓｉ3 Ｎ4 の
含有量が１０％で平均３４０ＭＰａであり、２０％で平
均２９０ＭＰａであり、３０％で平均３１５ＭＰａであ
り、４０％で平均２９０ＭＰａであり、５０％で平均２
３０ＭＰａであった。
強度の測定結果は、図１と図２に示すとおりであった。
即ち、この低熱伝導セラミックスにおいて、熱伝導率に
ついては、非晶質Ｓｉ3 Ｎ4 の含有量が１０％で平均５
ｗ／ｍ・ｋであり、２０％で平均４ｗ／ｍ・ｋであり、
３０％で平均３．５ｗ／ｍ・ｋであり、４０％で平均
３．２５ｗ／ｍ・ｋであり、５０％で平均３ｗ／ｍ・ｋ
であった。また、強度については、非晶質Ｓｉ3 Ｎ4 の
含有量が１０％で平均３４０ＭＰａであり、２０％で平
均２９０ＭＰａであり、３０％で平均３１５ＭＰａであ
り、４０％で平均２９０ＭＰａであり、５０％で平均２
３０ＭＰａであった。
【００１８】図１から分かるように、非晶質のＳｉ3 Ｎ
4 の体積率を約２０〜５０％の範囲で、熱伝導率が４ｗ
／ｍ・ｋ以下になっており、この値は一般的なセラミッ
クスの低熱伝導材のレベルに相当するものである。ま
た、図２から分かるように、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 の体積
率を約２０〜５０％の範囲で、強度は２００ＭＰａ以上
あり、十分な強度を確保していることが分かる。
4 の体積率を約２０〜５０％の範囲で、熱伝導率が４ｗ
／ｍ・ｋ以下になっており、この値は一般的なセラミッ
クスの低熱伝導材のレベルに相当するものである。ま
た、図２から分かるように、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 の体積
率を約２０〜５０％の範囲で、強度は２００ＭＰａ以上
あり、十分な強度を確保していることが分かる。
【００１９】
【発明の効果】この発明による低熱伝導セラミックス及
びその製造方法は、上記のように構成されており、次の
ような効果を有する。即ち、この低熱伝導セラミックス
は、結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のマトリックス中に、非晶質の
Ｓｉ3 Ｎ4 相が分散しているので、フォノン散乱が生じ
て低熱伝導率になり、しかも強度もエンジン部品等で使
用できる十分な強度を確保することができる。
びその製造方法は、上記のように構成されており、次の
ような効果を有する。即ち、この低熱伝導セラミックス
は、結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のマトリックス中に、非晶質の
Ｓｉ3 Ｎ4 相が分散しているので、フォノン散乱が生じ
て低熱伝導率になり、しかも強度もエンジン部品等で使
用できる十分な強度を確保することができる。
【００２０】また、この低熱伝導セラミックスの製造方
法は、Ｓｉ粉末に非晶質Ｓｉ3 Ｎ4粉末を混合し、その
混合物を粉砕して成形用原料を作製し、該成形用原料で
作製した成形体を窒素雰囲気中で焼成して反応焼結させ
て焼結体を作製したので、結晶質Ｓｉ3 Ｎ4 のマトリッ
クス中に非晶質Ｓｉ3 Ｎ4 が良好に分散するようにな
り、熱伝導率を均等に低下させることができる。
法は、Ｓｉ粉末に非晶質Ｓｉ3 Ｎ4粉末を混合し、その
混合物を粉砕して成形用原料を作製し、該成形用原料で
作製した成形体を窒素雰囲気中で焼成して反応焼結させ
て焼結体を作製したので、結晶質Ｓｉ3 Ｎ4 のマトリッ
クス中に非晶質Ｓｉ3 Ｎ4 が良好に分散するようにな
り、熱伝導率を均等に低下させることができる。
【図１】この発明による低熱膨張セラミックスの非晶質
のＳｉ3 Ｎ4 の含有量に対応する熱伝導率の関係を示す
グラフである。
のＳｉ3 Ｎ4 の含有量に対応する熱伝導率の関係を示す
グラフである。
【図２】この発明による低熱膨張セラミックスの非晶質
のＳｉ3 Ｎ4 の含有量に対応する強度の関係を示すグラ
フである。
のＳｉ3 Ｎ4 の含有量に対応する強度の関係を示すグラ
フである。
Claims (3)
- 【請求項１】 結晶質のＳｉ3 Ｎ4 のマトリックス中
に、非晶質のＳｉ3 Ｎ4 相が分散していることを特徴と
する低熱伝導セラミックス。 - 【請求項２】 前記非晶質のＳｉ3 Ｎ4 を体積率で２０
％以上含有することを特徴とする請求項１に記載の低熱
伝導セラミックス。 - 【請求項３】 Ｓｉ粉末に非晶質のＳｉ3 Ｎ4 粉末を配
合して蒸留水を媒体として混合した後に乾燥して混合物
を作製するステップと、該混合物を粉砕して成形用原料
を作製するステップと、該成形用原料で成形体を作製し
て該成形体を加熱してバインダーを除去した後に窒素雰
囲気中で焼成して焼結体を作製するステップと、を有す
ることを特徴とする低熱伝導セラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4164146A JPH05330922A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 低熱伝導セラミックス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4164146A JPH05330922A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 低熱伝導セラミックス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05330922A true JPH05330922A (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=15787626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4164146A Pending JPH05330922A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 低熱伝導セラミックス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05330922A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113149656A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-23 | 西北工业大学 | 一种富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷及制备方法 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4164146A patent/JPH05330922A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113149656A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-23 | 西北工业大学 | 一种富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷及制备方法 |
| CN113149656B (zh) * | 2021-04-22 | 2022-11-11 | 西北工业大学 | 一种富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷及制备方法 |
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