JPH0532785A - ポリシラン類の製造方法 - Google Patents
ポリシラン類の製造方法Info
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- JPH0532785A JPH0532785A JP3259748A JP25974891A JPH0532785A JP H0532785 A JPH0532785 A JP H0532785A JP 3259748 A JP3259748 A JP 3259748A JP 25974891 A JP25974891 A JP 25974891A JP H0532785 A JPH0532785 A JP H0532785A
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- lanthanoid
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
Abstract
(57)【要約】
【目的】ヒドロシラン類を原料とし、高活性、高選択性
の優れたポリシラン合成触媒系としてランタノイド化合
物を用いるポリシラン類の製造方法を提供する。 【構成】ランタノイド錯体存在下、ヒドロシラン類を反
応させて、ポリシラン類を製造する。
の優れたポリシラン合成触媒系としてランタノイド化合
物を用いるポリシラン類の製造方法を提供する。 【構成】ランタノイド錯体存在下、ヒドロシラン類を反
応させて、ポリシラン類を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリシラン類の製造法に
関するものである。ポリシラン類は、シリコンカーバイ
ド原料、フォトレジスト材料、導電性材料、サーモクロ
ミック材料、非線形光学材料等として、その用途の拡大
が期待されている有用な化合物である。
関するものである。ポリシラン類は、シリコンカーバイ
ド原料、フォトレジスト材料、導電性材料、サーモクロ
ミック材料、非線形光学材料等として、その用途の拡大
が期待されている有用な化合物である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ポリシラン類は複数の塩素原子を
有するシリコン化合物を原料として、アルカリ金属存在
下、Wurtz 型の縮合反応を行わせることによって合成さ
れている。ところが、このようなポリシラン合成法は、
反応が激しく制御が困難である上に、発火の危険が高く
取扱が困難なアルカリ金属をシラン化合物モノマーの２
倍モル以上の多量に用いる必要がある。しかも生成する
ポリシランに微量の塩素が残存し、導電性を低下させる
等の問題点があった。
有するシリコン化合物を原料として、アルカリ金属存在
下、Wurtz 型の縮合反応を行わせることによって合成さ
れている。ところが、このようなポリシラン合成法は、
反応が激しく制御が困難である上に、発火の危険が高く
取扱が困難なアルカリ金属をシラン化合物モノマーの２
倍モル以上の多量に用いる必要がある。しかも生成する
ポリシランに微量の塩素が残存し、導電性を低下させる
等の問題点があった。
【０００３】これに対し、最近、ロジウム、イリジウ
ム、ルテニウム、パラジウム、白金、コバルト、ニッケ
ル、チタン、ジルコニウム、ハフニウム等の遷移金属錯
体の存在下、ヒドロシランを脱水素縮合させることによ
って、ポリシラン類を合成する方法が提案されている
（例えば特開平１−１９８６３１；Chemistry Letters
誌1989年,83 頁;ACS Symposium Series ３６０巻、 ８９
頁，１９８８年 アメリカ化学会発行）。しかし、未
だ、触媒活性が低い、副生物が多い等種々の問題点があ
り、工業的に満足すべき製造法とはいえない。一方、近
年、遷移金属錯体触媒に代えてランタノイド金属の錯体
を触媒反応に利用しようとする試みが活発になりつつあ
るが、触媒活性が報告されているのは、水素化、エチレ
ン重合などごく少数の反応に限られている。
ム、ルテニウム、パラジウム、白金、コバルト、ニッケ
ル、チタン、ジルコニウム、ハフニウム等の遷移金属錯
体の存在下、ヒドロシランを脱水素縮合させることによ
って、ポリシラン類を合成する方法が提案されている
（例えば特開平１−１９８６３１；Chemistry Letters
誌1989年,83 頁;ACS Symposium Series ３６０巻、 ８９
頁，１９８８年 アメリカ化学会発行）。しかし、未
だ、触媒活性が低い、副生物が多い等種々の問題点があ
り、工業的に満足すべき製造法とはいえない。一方、近
年、遷移金属錯体触媒に代えてランタノイド金属の錯体
を触媒反応に利用しようとする試みが活発になりつつあ
るが、触媒活性が報告されているのは、水素化、エチレ
ン重合などごく少数の反応に限られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、このような事情に鑑みヒドロシラン類を原料とす
る高活性、高選択性の優れたポリシラン合成触媒系を開
発することにある。さらに本発明の目的は、ランタノイ
ド化合物を用いるポリシラン類の製造方法を提供するこ
とにある。
的は、このような事情に鑑みヒドロシラン類を原料とす
る高活性、高選択性の優れたポリシラン合成触媒系を開
発することにある。さらに本発明の目的は、ランタノイ
ド化合物を用いるポリシラン類の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題はラン
タノイド錯体を触媒としてヒドロシラン類を脱水素縮合
することを特徴とするポリシラン類の製造方法により達
成された。
タノイド錯体を触媒としてヒドロシラン類を脱水素縮合
することを特徴とするポリシラン類の製造方法により達
成された。
【０００６】本発明で触媒として用いられるランタノイ
ド錯体の中心金属としてはランタノイド元素（ランタ
ン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウ
ム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビ
ウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリ
ウム、イッテルビウム、ルテチウム）のうちから選ばれ
る任意のものを用いることができ、好ましくはランタ
ン、ネオジム、サマリウム、イッテルビウム、ルテチウ
ムである。
ド錯体の中心金属としてはランタノイド元素（ランタ
ン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウ
ム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビ
ウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリ
ウム、イッテルビウム、ルテチウム）のうちから選ばれ
る任意のものを用いることができ、好ましくはランタ
ン、ネオジム、サマリウム、イッテルビウム、ルテチウ
ムである。
【０００７】本発明で触媒として用いられるランタノイ
ド錯体の配位子としては、ハロゲン、水素、アルキル、
アラルキル、アリール、アルキルシリル、アリールシリ
ル、オレフィン、ジエン、トリエン、テトラエン、シク
ロジエン、シクロトリエン、シクロテトラエン、アリ
ル、アルコキシ、アリールオキシ、アルキルチオ、アリ
ールチオ、シクロペンタジエニル、アルキルアミン、ア
リールアミン、ピリジル、アルキルホスフィン、アリー
ルホスフィン、アルキルアリールホスフィン、アルキル
イソシアニド、アリールイソシアニド、エーテル等を用
いることができる。これらの配位子は、さらに置換基を
有しているものも包含する。特に好ましい配位子として
は水素、アルキル（好ましくは炭素原子数１〜１０のア
ルキル基、例えばメチル、トリメチルシリルメチル、ビ
ス（トリメチルシリル）メチル、エチル、ｉ−プロピ
ル、ｔ−ブチル、ネオペンチル、ヘキシル）ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル、テトラヒドロフラン等を挙げ
ることができる。本発明においてランタノイド錯体は好
ましくは有機ランタノイド錯体である。
ド錯体の配位子としては、ハロゲン、水素、アルキル、
アラルキル、アリール、アルキルシリル、アリールシリ
ル、オレフィン、ジエン、トリエン、テトラエン、シク
ロジエン、シクロトリエン、シクロテトラエン、アリ
ル、アルコキシ、アリールオキシ、アルキルチオ、アリ
ールチオ、シクロペンタジエニル、アルキルアミン、ア
リールアミン、ピリジル、アルキルホスフィン、アリー
ルホスフィン、アルキルアリールホスフィン、アルキル
イソシアニド、アリールイソシアニド、エーテル等を用
いることができる。これらの配位子は、さらに置換基を
有しているものも包含する。特に好ましい配位子として
は水素、アルキル（好ましくは炭素原子数１〜１０のア
ルキル基、例えばメチル、トリメチルシリルメチル、ビ
ス（トリメチルシリル）メチル、エチル、ｉ−プロピ
ル、ｔ−ブチル、ネオペンチル、ヘキシル）ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル、テトラヒドロフラン等を挙げ
ることができる。本発明においてランタノイド錯体は好
ましくは有機ランタノイド錯体である。
【０００８】本発明で触媒として用いられる金属錯体の
構造としては下記一般式（Ｉ）または(II)で表されるも
のが特に好ましいが、これらに限定されるものではな
い。 Ｃｐ* 2ＬｎＲ （Ｉ） Ｃｐ* 2Ｌｎ' (II)
構造としては下記一般式（Ｉ）または(II)で表されるも
のが特に好ましいが、これらに限定されるものではな
い。 Ｃｐ* 2ＬｎＲ （Ｉ） Ｃｐ* 2Ｌｎ' (II)
【０００９】（なお式中、Ｃｐ* はシクロペンタジエニ
ル基またはその置換体、Ｌｎは任意のランタノイド金
属、Ｌｎ' はサマリウム、ユーロピウム、イッテルビウ
ムのうちのいずれか、Ｒは水素、１価の有機基または１
価のシリル基を表わす。）
ル基またはその置換体、Ｌｎは任意のランタノイド金
属、Ｌｎ' はサマリウム、ユーロピウム、イッテルビウ
ムのうちのいずれか、Ｒは水素、１価の有機基または１
価のシリル基を表わす。）
【００１０】上記一般式（Ｉ）においてＲで表わされる
１価の有機基のうち、好ましい基としてはメチル、トリ
メチルシリルメチル、ビス（トリメチルシリル）メチ
ル、ネオペンチル、フェニル、ベンジルなどが挙げられ
る。
１価の有機基のうち、好ましい基としてはメチル、トリ
メチルシリルメチル、ビス（トリメチルシリル）メチ
ル、ネオペンチル、フェニル、ベンジルなどが挙げられ
る。
【００１１】本発明で用いられるヒドロシラン類は、下
記一般式 (III)，(IV)または（Ｖ） Ｒ1 Ｒ2 ＳｉＨ2 (III) ＨＲ1 Ｒ2 Ｓｉ−（Ａ）n −ＳｉＲ3 Ｒ4 Ｈ (IV) Ｈ2 Ｒ1 Ｓｉ−Ｂ−ＳｉＲ2 Ｈ2 （Ｖ） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、水素、ハロゲンま
たは炭化水素基であり、互いに同じであっても異なって
いてもよい。Ａは置換または未置換のシリレン基、ｎは
０または正の整数である。Ｂは２価の有機基である。）
で表わされる。
記一般式 (III)，(IV)または（Ｖ） Ｒ1 Ｒ2 ＳｉＨ2 (III) ＨＲ1 Ｒ2 Ｓｉ−（Ａ）n −ＳｉＲ3 Ｒ4 Ｈ (IV) Ｈ2 Ｒ1 Ｓｉ−Ｂ−ＳｉＲ2 Ｈ2 （Ｖ） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、水素、ハロゲンま
たは炭化水素基であり、互いに同じであっても異なって
いてもよい。Ａは置換または未置換のシリレン基、ｎは
０または正の整数である。Ｂは２価の有機基である。）
で表わされる。
【００１２】一般式 (III)，(IV)または（Ｖ）について
より詳しく説明すると、式中、Ｒ1、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4
で表されるハロゲンの具体例としてはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、
炭化水素基としては炭素数１〜１０のアルキル基、例え
ばメチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、
ｔ−ブチル、ヘキシル、炭素数６〜１５のアリール基、
例えばフェニル、１−ナフチル、Ｐ−トリル、その他ベ
ンジルなどが表わされる。また、式中、Ａで表わされる
置換シリレン基としては、ＳｉＭｅ2、ＳｉＨＭｅ、Ｓ
ｉＨＰｈが挙げられ、式中、Ｂで表わされる２価の有機
基としてはｐ−フェニレン、ｍ−フェニレン、ｏ−フェ
ニレン、メチレン、エチレン、トリメチレンなどが挙げ
られる。
より詳しく説明すると、式中、Ｒ1、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4
で表されるハロゲンの具体例としてはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、
炭化水素基としては炭素数１〜１０のアルキル基、例え
ばメチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、
ｔ−ブチル、ヘキシル、炭素数６〜１５のアリール基、
例えばフェニル、１−ナフチル、Ｐ−トリル、その他ベ
ンジルなどが表わされる。また、式中、Ａで表わされる
置換シリレン基としては、ＳｉＭｅ2、ＳｉＨＭｅ、Ｓ
ｉＨＰｈが挙げられ、式中、Ｂで表わされる２価の有機
基としてはｐ−フェニレン、ｍ−フェニレン、ｏ−フェ
ニレン、メチレン、エチレン、トリメチレンなどが挙げ
られる。
【００１３】このようなヒドロシラン類として、具体的
にはテトラヒドロシラン、メチルシラン、エチルシラ
ン、ｎ−ヘキシルシラン、フェニルシラン、ジメチルシ
ラン、ジエチルシラン、ジフェニルシラン、ヘキサヒド
ロジシラン、１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジ
メチルジシラン、１，４−ビス（シリル）ベンゼン等を
挙げることができ、好ましくはテトラヒドロシラン、メ
チルシラン、ｎ−ヘキシルシラン、フェニルシラン、ヘ
キサヒドロジシラン、１，４−ビス（シリル）ベンゼン
である。上記のようなランタノイド錯体を触媒とするポ
リシラン合成反応は以下のような反応条件下に行うこと
が望ましい。
にはテトラヒドロシラン、メチルシラン、エチルシラ
ン、ｎ−ヘキシルシラン、フェニルシラン、ジメチルシ
ラン、ジエチルシラン、ジフェニルシラン、ヘキサヒド
ロジシラン、１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジ
メチルジシラン、１，４−ビス（シリル）ベンゼン等を
挙げることができ、好ましくはテトラヒドロシラン、メ
チルシラン、ｎ−ヘキシルシラン、フェニルシラン、ヘ
キサヒドロジシラン、１，４−ビス（シリル）ベンゼン
である。上記のようなランタノイド錯体を触媒とするポ
リシラン合成反応は以下のような反応条件下に行うこと
が望ましい。
【００１４】反応温度は通常−５０℃から３００℃、好
ましくは２０℃から２００℃、より好ましくは２０℃か
ら１６０℃である。
ましくは２０℃から２００℃、より好ましくは２０℃か
ら１６０℃である。
【００１５】反応圧力は例えば、液体のヒドロシランで
は常圧、気体のヒドロシランでは１気圧〜１００気圧の
範囲であり、反応時間は１時間〜数十日、通常数時間〜
数日の範囲で適宜に設定される。
は常圧、気体のヒドロシランでは１気圧〜１００気圧の
範囲であり、反応時間は１時間〜数十日、通常数時間〜
数日の範囲で適宜に設定される。
【００１６】反応に際しては、溶媒は必ずしも必要では
ないが、トルエン、ベンゼン等の芳香族化合物、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類、ペンタン、ヘキサン、デカン等の脂肪族炭化水
素等を溶媒として用いることができる。
ないが、トルエン、ベンゼン等の芳香族化合物、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類、ペンタン、ヘキサン、デカン等の脂肪族炭化水
素等を溶媒として用いることができる。
【００１７】触媒としての前記金属錯体は、ヒドロシラ
ン１モルに対して０．０００１から０．５モル、好まし
くは０．００１から０．０５モル程度の量用いられる。
ン１モルに対して０．０００１から０．５モル、好まし
くは０．００１から０．０５モル程度の量用いられる。
【００１８】生成物の分離は、反応液から低沸点化合物
を減圧下に除去した後、再沈やゲル濾過などによって容
易に実施される。
を減圧下に除去した後、再沈やゲル濾過などによって容
易に実施される。
【００１９】本発明方法で得られるポリシラン類は下記
一般式（Ａ）および／または（Ｂ）で表わされる構造を
基本骨格として含む。
一般式（Ａ）および／または（Ｂ）で表わされる構造を
基本骨格として含む。
【００２０】
【化１】
【００２１】（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は水素、ハロゲン、ま
たは炭化水素基であり、互いに同じであっても異なって
いてもよい。ｎは２以上の整数であり、上限は特に制限
はないが好ましく２≦ｎ≦１００，０００である。）
たは炭化水素基であり、互いに同じであっても異なって
いてもよい。ｎは２以上の整数であり、上限は特に制限
はないが好ましく２≦ｎ≦１００，０００である。）
【００２２】ポリシランは高分子量である程好ましい。
高分子のものの生成には、より高温で、より長時間反応
することが有効である。
高分子のものの生成には、より高温で、より長時間反応
することが有効である。
【００２３】またポリシランが上記直鎖型（Ａ）と環状
型（Ｂ）の混合物で得られるときも特に両者を分離する
ことなく種々の用途に使用することができる。
型（Ｂ）の混合物で得られるときも特に両者を分離する
ことなく種々の用途に使用することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明のポリシラン合成反応では、アル
カリ金属を用いることなく、ランタノイド錯体を触媒と
して室温付近の温和な条件下、ヒドロシランから高収率
でポリシラン類を得ることができ、その工業的意義は多
大である。
カリ金属を用いることなく、ランタノイド錯体を触媒と
して室温付近の温和な条件下、ヒドロシランから高収率
でポリシラン類を得ることができ、その工業的意義は多
大である。
【００２５】
【実施例】次に本発明を実施例によってさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００２６】実施例１
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ビス（ト
リメチルシリル）メチル）ネオジム（０．０２６mmol）
のフェニルシラン（１．０ml、８．０４mmol）溶液を窒
素雰囲気下、８０℃で２日攪拌した。未反応のフェニル
シラン及び低沸点生成物を減圧下に除去し（３０℃、５
mmHg）、非常に粘性の高いポリシランである油状物（８
２０mg）を得た。得られたポリシランの物性値を以下に
示す。 ＩＲ（neat) ２１０４ｃｍ-1（νsi-H） ９１６ｃｍ-1（δsi-H）
リメチルシリル）メチル）ネオジム（０．０２６mmol）
のフェニルシラン（１．０ml、８．０４mmol）溶液を窒
素雰囲気下、８０℃で２日攪拌した。未反応のフェニル
シラン及び低沸点生成物を減圧下に除去し（３０℃、５
mmHg）、非常に粘性の高いポリシランである油状物（８
２０mg）を得た。得られたポリシランの物性値を以下に
示す。 ＩＲ（neat) ２１０４ｃｍ-1（νsi-H） ９１６ｃｍ-1（δsi-H）
【００２７】δsi-Hとνsi-HのAbsorbance比０．５１ 1
Ｈ−ＮＭＲ（CDCl3 ）δ 6.5-8.0（br,m,Ph ），3.8-5.
3 (br,m,SiH ）．ＰｈとＳｉＨの積分比約５。FAB-MS
（マトリックス、メタニトロベンジルアルコ−ル）。親
イオンは見えず、質量数１０００以上の領域から強度の
漸減する多数のフラグメントピークが認められた。代表
的ピークを以下に示す。m/e(relative intensity) 478
(Ph4Si6H,8) , 449（Ph4Si5H,18) ，421 (Ph4Si4H,1
5)， 373 (Ph3Si5H2,20)，343 (Ph3Si4,27) ，315(Ph3S
i3,20) ，287 (Ph3Si2,20) ，266 (Ph2Si4,18)，259
(Ph3Si,100) 。平均分子量（ＧＰＣ）６００
Ｈ−ＮＭＲ（CDCl3 ）δ 6.5-8.0（br,m,Ph ），3.8-5.
3 (br,m,SiH ）．ＰｈとＳｉＨの積分比約５。FAB-MS
（マトリックス、メタニトロベンジルアルコ−ル）。親
イオンは見えず、質量数１０００以上の領域から強度の
漸減する多数のフラグメントピークが認められた。代表
的ピークを以下に示す。m/e(relative intensity) 478
(Ph4Si6H,8) , 449（Ph4Si5H,18) ，421 (Ph4Si4H,1
5)， 373 (Ph3Si5H2,20)，343 (Ph3Si4,27) ，315(Ph3S
i3,20) ，287 (Ph3Si2,20) ，266 (Ph2Si4,18)，259
(Ph3Si,100) 。平均分子量（ＧＰＣ）６００
【００２８】実施例２
ヒドロビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ネオ
ジム（０．０１mmol）とフェニルシラン（１．０mmol）
を窒素雰囲気下、室温で混合すると水素の気泡が激しく
発生した。そのまま１日攪拌を続けた後、未反応のフェ
ニルシラン及び低沸点生成物を減圧下に除去することに
より（３０℃、５mmHg）、実施例１と同様の物性を示す
ポリマーを得た。
ジム（０．０１mmol）とフェニルシラン（１．０mmol）
を窒素雰囲気下、室温で混合すると水素の気泡が激しく
発生した。そのまま１日攪拌を続けた後、未反応のフェ
ニルシラン及び低沸点生成物を減圧下に除去することに
より（３０℃、５mmHg）、実施例１と同様の物性を示す
ポリマーを得た。
【００２９】実施例３〜７
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ビス（ト
リメチルシリル）メチル）ネオジム（０．０１mmol）と
フェニルシラン（１．０ml, ８．０４mmol）を窒素雰囲
気下、表１の条件でかき混ぜながら反応させ、表１のポ
リシランを定量的に得た。
リメチルシリル）メチル）ネオジム（０．０１mmol）と
フェニルシラン（１．０ml, ８．０４mmol）を窒素雰囲
気下、表１の条件でかき混ぜながら反応させ、表１のポ
リシランを定量的に得た。
【００３０】
表１
実施例 条件 生成物 Ｍｗ Ｍｗ／Ｍｎ
３ 室温、１５日 ｏｉｌ ５２０ １．２６
４ ８０℃、２日 ｇｕｍ ７８０ １．３７
５ １００℃、２日 ｇｕｍ ９９０ １．５４
６ １３０℃、２日 ｓｏｌｉｄ １６００ １．９１
７ 130 ℃ 2日その後160 ℃ 7日 ｓｏｌｉｄ ４８３０ ３．０９
実施例８〜９
実施例３においてフェニルシランに代えてヘキシルシラ
ン（１ml、 ６．１８mmol) を用いて表２の条件で反応さ
せ、ポリシランを定量的に得た。ＦＤ−ＭＳは、２〜５
量体は鎖状、６量体以上は環状であることを示した。
ン（１ml、 ６．１８mmol) を用いて表２の条件で反応さ
せ、ポリシランを定量的に得た。ＦＤ−ＭＳは、２〜５
量体は鎖状、６量体以上は環状であることを示した。
【００３１】
表２
実施例 条件 生成物 Ｍｗ Ｍｗ／Ｍｎ
８ ８０℃、２日 ｏｉｌ ５３０ −
９ １６０℃、１３日 ｏｉｌ ９５０ １．２５
【００００】実施例１０
ステンレス製オートクレーブ（３７mlガラスインサート
付）に窒素雰囲気下、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（ビス（トリメチルシリル）メチル）ネオジ
ム（３．１５mg、０．０５mmol）、ベンゼン（２ml）を
入れ、テトラヒドロシラン２．０g （６３mmol）を３１
気圧圧入し、１００℃の油浴で３．５日間反応させた。
溶媒及び低沸点物を減圧下に除去し（室温、０．１mmH
g）、ポリシランの黄色粉末を１９４mg得た。 ＩＲ(nujol) ２１０４cm-1、８９７cm-1、８５５cm-1、
６７１cm-1
付）に窒素雰囲気下、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（ビス（トリメチルシリル）メチル）ネオジ
ム（３．１５mg、０．０５mmol）、ベンゼン（２ml）を
入れ、テトラヒドロシラン２．０g （６３mmol）を３１
気圧圧入し、１００℃の油浴で３．５日間反応させた。
溶媒及び低沸点物を減圧下に除去し（室温、０．１mmH
g）、ポリシランの黄色粉末を１９４mg得た。 ＩＲ(nujol) ２１０４cm-1、８９７cm-1、８５５cm-1、
６７１cm-1
【００３２】実施例１１
ステンレス製オートクレーブ（３７mlガラスインサート
付）に窒素雰囲気下、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（ビス（トリメチルシリル）メチル）ネオジ
ム（０．０５mmol）、ベンゼン（２ml）を入れ、ヘキサ
ヒドロジシランを１．２g 圧入した。１００℃で２日と
１６時間反応させた。溶媒及び低沸点物を減圧下に除去
し（室温、０．０１mmHg）、ポリシラン、黄色粉末を６
９３mg得た。 ＩＲ(nujol）、２１０８cm-1、８９７cm-1、８５７c
m-1、６６５cm-1
付）に窒素雰囲気下、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（ビス（トリメチルシリル）メチル）ネオジ
ム（０．０５mmol）、ベンゼン（２ml）を入れ、ヘキサ
ヒドロジシランを１．２g 圧入した。１００℃で２日と
１６時間反応させた。溶媒及び低沸点物を減圧下に除去
し（室温、０．０１mmHg）、ポリシラン、黄色粉末を６
９３mg得た。 ＩＲ(nujol）、２１０８cm-1、８９７cm-1、８５７c
m-1、６６５cm-1
【００３３】実施例１２
ステンレス製オートクレーブ（３７mlガラスインサート
付）に窒素雰囲気下、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（ビス（トリメチルシリル）メチル）ネオジ
ム（０．０５mmol）、ベンゼン（２ml）を入れ、メチル
シラン（１．０g ）圧入した。１００℃で２日反応させ
た。溶媒及び低沸点物を減圧下に除去し（室温、０．１
mmHg）、ポリシランンの黄色粉末を６０４mg得た。 ＩＲ（nujol ）２０８０cm-1、１２４５cm-1、９３０cm
-1、
付）に窒素雰囲気下、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（ビス（トリメチルシリル）メチル）ネオジ
ム（０．０５mmol）、ベンゼン（２ml）を入れ、メチル
シラン（１．０g ）圧入した。１００℃で２日反応させ
た。溶媒及び低沸点物を減圧下に除去し（室温、０．１
mmHg）、ポリシランンの黄色粉末を６０４mg得た。 ＩＲ（nujol ）２０８０cm-1、１２４５cm-1、９３０cm
-1、
【００３４】実施例１３
ステンレス製オートクレーブ（３７mlガラスインサート
付）に窒素雰囲気下、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（ビス（トリメチルシリル）メチル）ネオジ
ム（０．０５mmol）、ベンゼン（２ml）を入れ、メチル
シラン（１．１g ）圧入した。５０℃で２日間反応させ
た。溶媒及び低沸点物を減圧下に除去し（室温、０．１
mmHg）、粘稠な油状物としてポリシラン２６７mg得た。 ＩＲ（neat）２１１６cm-1、１２４９cm-1、９３２c
m-1、 Ｍｗ ５１２ Ｍｗ／Ｍｎ １．１６
付）に窒素雰囲気下、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（ビス（トリメチルシリル）メチル）ネオジ
ム（０．０５mmol）、ベンゼン（２ml）を入れ、メチル
シラン（１．１g ）圧入した。５０℃で２日間反応させ
た。溶媒及び低沸点物を減圧下に除去し（室温、０．１
mmHg）、粘稠な油状物としてポリシラン２６７mg得た。 ＩＲ（neat）２１１６cm-1、１２４９cm-1、９３２c
m-1、 Ｍｗ ５１２ Ｍｗ／Ｍｎ １．１６
【００３５】実施例１４
ステンレス製オートクレーブ（３７mlガラスインサート
付）に窒素雰囲気下、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（ビス（トリメチルシリル）メチル）ネオジ
ム（０．０５mmol）、ベンゼン（２ml）を入れ、メチル
シラン（０．９g ）圧入した。室温で３．５日間反応さ
せた。溶媒及び低沸点物を減圧下に除去し（室温、０．
１mmHg）、ポリシランの粘稠な油状物を２８１mg得た。 ＩＲ（neat）２１１４cm-1、１２４９cm-1、９３２c
m-1、 Ｍｗ ５４１ Ｍｗ／Ｍｎ １．２８
付）に窒素雰囲気下、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（ビス（トリメチルシリル）メチル）ネオジ
ム（０．０５mmol）、ベンゼン（２ml）を入れ、メチル
シラン（０．９g ）圧入した。室温で３．５日間反応さ
せた。溶媒及び低沸点物を減圧下に除去し（室温、０．
１mmHg）、ポリシランの粘稠な油状物を２８１mg得た。 ＩＲ（neat）２１１４cm-1、１２４９cm-1、９３２c
m-1、 Ｍｗ ５４１ Ｍｗ／Ｍｎ １．２８
【００３６】実施例１５
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ビス（ト
リメチルシリル）メチル）ネオジム（０．０１mmol）と
１，４−ビス（シリル）ベンゼン（３．３２mmol）を窒
素雰囲気下で１００℃２日間反応させた。不溶性のポリ
シランが定量的に得られた。 ＩＲ（nujol ）２１２０cm-1、９１５cm-1、
リメチルシリル）メチル）ネオジム（０．０１mmol）と
１，４−ビス（シリル）ベンゼン（３．３２mmol）を窒
素雰囲気下で１００℃２日間反応させた。不溶性のポリ
シランが定量的に得られた。 ＩＲ（nujol ）２１２０cm-1、９１５cm-1、
Claims (2)
- 【請求項１】 ランタノイド錯体存在下、ヒドロシラン
類を反応させることを特徴とするポリシラン類の製造方
法。 - 【請求項２】 ランタノイド錯体が下記一般式（Ｉ）ま
たは(II)で表わされる錯体または、これらの会合体であ
る請求項１記載の方法。 Ｃｐ* 2ＬｎＲ （Ｉ） Ｃｐ* 2Ｌｎ' (II) （式中、Ｃｐ* はシクロペンタジエニル基またはその置
換体を、Ｌｎは任意のランタノイド金属を、Ｌｎ' はサ
マリウム、ユーロピウム、イッテルビウムのうちのいず
れか一つを、Ｒは水素、１価の有機基または１価のシリ
ル基を、表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259748A JPH0717753B2 (ja) | 1990-09-14 | 1991-09-11 | ポリシラン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24512290 | 1990-09-14 | ||
| JP2-245122 | 1990-09-14 | ||
| JP3259748A JPH0717753B2 (ja) | 1990-09-14 | 1991-09-11 | ポリシラン類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0532785A true JPH0532785A (ja) | 1993-02-09 |
| JPH0717753B2 JPH0717753B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=26537053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3259748A Expired - Lifetime JPH0717753B2 (ja) | 1990-09-14 | 1991-09-11 | ポリシラン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717753B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0630933A3 (en) * | 1993-06-15 | 1995-08-30 | Nippon Oil Co Ltd | Process for the preparation of a semiconductor material. |
| US5700400A (en) * | 1993-06-15 | 1997-12-23 | Nippon Oil Co., Ltd. | Method for producing a semiconducting material |
| US6027705A (en) * | 1998-01-08 | 2000-02-22 | Showa Denko K.K. | Method for producing a higher silane |
| US6567504B1 (en) | 1994-06-20 | 2003-05-20 | Sigma Communications, Inc. | Automated calling system with database updating |
| US6858196B2 (en) | 2001-07-19 | 2005-02-22 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for chemical synthesis |
| JP2009102224A (ja) * | 2003-06-13 | 2009-05-14 | Jsr Corp | シリコン膜形成のための方法と組成物 |
| US7943721B2 (en) | 2005-10-05 | 2011-05-17 | Kovio, Inc. | Linear and cross-linked high molecular weight polysilanes, polygermanes, and copolymers thereof, compositions containing the same, and methods of making and using such compounds and compositions |
| JP2014529560A (ja) * | 2011-07-29 | 2014-11-13 | コヴィオ インコーポレイテッド | Ｎ−ヘテロ環状カルベン類、ｎ−ヘテロ環状カルベン配位子を有する金属錯体類、及びランタノイド化合物を用いてシラン及びシクロシランをポリマー化する方法、及び、これにより形成されるインク組成物、並びに半導体フィルムを形成する方法 |
| KR20170035953A (ko) | 2014-08-20 | 2017-03-31 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 올리고실란의 제조 방법 |
| KR20190004322A (ko) | 2016-06-10 | 2019-01-11 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 올리고실란의 제조 방법 |
| KR20190041512A (ko) | 2016-09-23 | 2019-04-22 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 올리고실란의 제조 방법 |
| KR20190052711A (ko) | 2016-10-27 | 2019-05-16 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 올리고실란의 제조 방법 및 올리고실란의 제조 장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010005106A1 (ja) | 2008-07-11 | 2012-01-05 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 重合体の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP3259748A patent/JPH0717753B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0630933A3 (en) * | 1993-06-15 | 1995-08-30 | Nippon Oil Co Ltd | Process for the preparation of a semiconductor material. |
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| US6567504B1 (en) | 1994-06-20 | 2003-05-20 | Sigma Communications, Inc. | Automated calling system with database updating |
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| JP2014529560A (ja) * | 2011-07-29 | 2014-11-13 | コヴィオ インコーポレイテッド | Ｎ−ヘテロ環状カルベン類、ｎ−ヘテロ環状カルベン配位子を有する金属錯体類、及びランタノイド化合物を用いてシラン及びシクロシランをポリマー化する方法、及び、これにより形成されるインク組成物、並びに半導体フィルムを形成する方法 |
| KR20170035953A (ko) | 2014-08-20 | 2017-03-31 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 올리고실란의 제조 방법 |
| KR20190004322A (ko) | 2016-06-10 | 2019-01-11 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 올리고실란의 제조 방법 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0717753B2 (ja) | 1995-03-01 |
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