JPH05327351A - 高周波発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波発生装置において、出力電圧の波高値
の変動を防止し、常に一定の波高値となる安定した出力
電圧を発生する。 【構成】 高周波発生装置２１は発振回路２と、出力補
正回路２２とからなる。そして、この出力補正回路２２
は差動回路２３およびバッファ回路部２５，整流回路部
２６および積分回路部２７からなるフィードバック回路
２４とから構成する。これにより、バッファ回路部２５
から出力される出力電圧ＶB の変動から整流回路部２６
および積分回路部２７によりフィードバック電圧ＶF を
設定し、差動回路２３に入力する。そして、差動回路２
３の増幅率を設定し、出力電圧ＶBの波高値Ｖ0Bの変動
を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばセンサの検出処
理回路等に用いて好適な高周波発生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、高周波発生装置には種々のもの
が存在するが、基本的な発振回路としてダイオードクリ
ップ型のウィーンブリッジ発振回路は広く知られてい
る。

【０００３】ここで、従来技術として、このウィーンブ
リッジ発振回路を例に挙げ、図６に基づいて説明する。

【０００４】図中、１は高周波発生装置を示し、該発生
装置１はダイオードクリップ型のウィーンブリッジ発振
回路として構成された発振回路２と、該発振回路２に接
続された出力補正回路としての温度補正回路３とから構
成されている。

【０００５】また、前記発振回路２はオペアンプ４と、
該オペアンプ４の非反転端子およびアースと出力端子と
の間に接続された発振周波数設定回路部５と、前記オペ
アンプ４の反転端子およびアースと出力端子との間に接
続された負帰還調整回路部６とから構成されている。

【０００６】ここで、発振周波数設定回路部５はオペア
ンプ４の非反転端子と出力端子との間に位置して直列に
接続された抵抗値Ｒ1 を有する発振基準抵抗７および静
電容量Ｃ1 を有する発振基準コンデンサ８と、該発振基
準コンデンサ８とオペアンプ４の非反転端子の接続点９
とアースとの間に位置して並列に接続された抵抗値Ｒ2
を有する発振基準抵抗１０および静電容量Ｃ2 を有する
発振基準コンデンサ１１とからなる。

【０００７】かくして、発振周波数ｆは、次の数式１の
ようになる。

【０００８】

【数１】

【０００９】また、負帰還調整回路部６は前記オペアン
プ４の反転入力端子とアースとの間に接続され、抵抗値
Ｒ3 を有する第１の負帰還抵抗１２と、前記オペアンプ
４の反転端子と出力端子との間に接続され、抵抗値Ｒ4
を有する第２の負帰還抵抗１３と、該第２の負帰還抵抗
１３と並列に接続され、抵抗値Ｒ5 を有する第３の負帰
還抵抗１４と直列に接続された抵抗値ＲD を有するダイ
オードリミッタ１５とから構成され、該ダイオードリミ
ッタ１５は接続方向の異なるダイオード１５Ａ，１５Ｂ
とからなる。

【００１０】そして、この発振回路２は次の数式２の発
振条件を満足したときに数式１の発振周波数ｆで発振す
る。

【００１１】

【数２】

【００１２】さらに、オペアンプ４の出力端子から出力
される発振電圧Ｖの波高値Ｖ0 は接続点９の電圧を発振
基準電圧Ｖi とすると、

【００１３】

【数３】 となる。

【００１４】さらに、温度補正回路３は、結合コンデン
サ１６および入力抵抗１７を介して前記オペアンプ４の
出力端子に反転端子を接続したオペアンプ１８と、該オ
ペアンプ１８の出力端子と反転端子との間に接続された
調整抵抗１９および温度補正素子としてのサーミスタ２
０とから構成され、前記オペアンプ１８の非反転端子は
アースに接続されている。

【００１５】そして、当該温度補正回路３のサーミスタ
２０により、温度変化を検出し、発振回路２から出力さ
れる発振電圧Ｖの波高値Ｖ0 の変動を防止するようにな
っている。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術による高周波発生装置１では、前記数式３に示す
ように、発振電圧Ｖの波高値Ｖ0 は負帰還調整回路部６
の各抵抗１２，１３，１４およびダイオード１５Ａ，１
５Ｂからなるダイオードリミッタ１５のそれぞれの抵抗
値により設定されるが、特にダイオードリミッタ１５は
温度特性が顕著であるために、温度変化により抵抗値Ｒ
D が大きく変化し、増幅率Ａ1 が大きく変化することに
なり、波高値Ｖ0 が温度変化に対して変動することにな
る。

【００１７】この波高値Ｖ0 の変動を防止するために、
上記従来技術では、発振回路２の出力側に温度補正回路
３を接続し、該温度補正回路３を構成する温度補正素子
としてのサーミスタ２０によりダイオード１５Ａ，１５
Ｂの温度特性を打ち消すようにしている。

【００１８】しかし、ダイオード１５Ａ，１５Ｂの温度
特性を完全に打ち消すサーミスタ２０を選択することは
非常に困難であり、確実な温度補正を行なうことができ
ず、温度変化に対する波高値Ｖ0 の変動を確実に防止す
ることができないという問題がある。

【００１９】このため、この高周波発生装置１をセンサ
の検出処理回路等に用いた場合には、温度変化による検
出誤差が生じ、高精度の検出を行なうことができなくな
るという問題がある。

【００２０】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明は発振回路から出力される高周波
電圧の波高値の変動に拘らず、常に一定の波高値となる
高周波の出力電圧が出力できる出力補正回路を有する高
周波発生装置を提供することを目的としている。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために本発明が採用する構成の特徴は、出力補正回路
は、基準電圧により増幅率を決定する複数個のトランジ
スタからなる差動回路と、該差動回路の出力側と入力側
との間に接続されたフィードバック回路とにより構成し
たことにある。

【００２２】また、前記フィードバック回路は、前記差
動回路の出力側に接続され、高周波の出力電圧を出力す
るバッファ回路部と、該バッファ回路部の出力側に接続
され、前記出力電圧を整流する整流回路部と、該整流回
路部からの信号を積分して基準電圧を発生する積分回路
部とから構成し、該積分回路部からの基準電圧を前記差
動回路に入力することが望ましい。

【００２３】

【作用】上記構成により、バッファ回路部から出力され
る高周波の出力電圧の波高値が一定の波高値と異なる場
合には、この差によりフィードバック回路から差動回路
に出力される基準電圧を変動させ、該差動回路の増幅率
を変えてバッファ回路部から出力される高周波の出力電
圧の波高値を、一定の波高値に収束させ、一定の波高値
を有する高周波の出力電圧を発生させることができる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図１ないし図５に基
づき説明する。なお、実施例では前述した従来技術と同
一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略する
ものとする。

【００２５】図中、２１は本実施例による高周波発生装
置を示し、該発生装置２１は従来技術と同様のダイオー
ドクリップ型のウィーンブリッジ発振回路として構成さ
れ、波高値Ｖ0 の発振電圧Ｖを発生する発振回路２と、
該発振回路２に接続された本実施例による出力補正回路
２２とから構成されている。

【００２６】ここで、出力補正回路２２は後述する差動
回路２３と、該差動回路２３に接続されたフィードバッ
ク回路２４とからなり、該フィードバック回路２４は波
高値ＶB の高周波の出力電圧ＶB を出力するバッファ回
路部２５，該バッファ回路部２５の出力側に接続された
整流回路部２６および積分回路部２７から構成してい
る。また、前記出力補正回路２１内には積分回路部２７
に一定電圧ＶE を出力する電圧設定回路部２８を有して
いる。

【００２７】ここで、差動回路２３の回路構成を図２に
基づいて説明する。

【００２８】まず、該差動回路２３では、Ａ点から前記
発振回路２の発振電圧Ｖ（波高値Ｖ0 ，周波数ｆ）がコ
ンデンサ２９および抵抗３０を介して入力され、差動回
路２３には４本の基準ライン、即ち印加電圧ＶCCライン
３１，ベース電圧ＶK ライン３２，フィードバック電圧
ＶF ライン３３およびアース電圧ライン３４が設定され
ている。そして、前記各ライン３１，３２，３３，３４
の間にそれぞれトランジスタ等の電子部品を接続するこ
とにより差動回路２３が構成されている。

【００２９】まず、印加電圧ＶCCライン３１，ベース電
圧ＶK ライン３２およびアース電圧ライン３４とのそれ
ぞれの間にはベース電圧ＶK 設定用の抵抗３５，３６が
直列に接続され、また抵抗３５とベース電圧ＶK ライン
３２との間には、緩衝用のトランジスタ３７のベース側
が接続され、コレクタ側は印加電圧ＶCCライン３１に接
続され、エミッタ側は後述する電流分流回路４０に接続
されている。

【００３０】３８はカレントミラー回路を示し、該カレ
ントミラー回路３８は１個の駆動トランジスタ３８Ａ
と、４個の受動トランジスタ３８Ｂ〜３８Ｅとからな
り、各トランジスタ３８Ａ〜３８Ｅのエミッタ側が前記
印加電圧ＶCCライン３１に接続され、各トランジスタ３
８Ａ〜３８Ｅのベース側は接続点３８Ｆにおいてそれぞ
れ接続されると共に、トランジスタ３８Ａのコレクタ側
に接続されている。

【００３１】そして、前記カレントミラー回路３８のト
ランジスタ３８Ａのエミッタ側は抵抗３９を介してアー
ス電圧ライン３４に接続され、トランジスタ３８Ｂ，３
８Ｃのエミッタ側はコンデンサ２９および抵抗３０を介
して発振回路２の出力側に接続されると共に、後述する
一対のトランジスタ４０Ａ，４０Ｂにより構成された電
流分流回路４０に接続される。一方、トランジスタ３８
Ｄ，３８Ｅのコレクタ側はそれぞれ電流加算回路４１の
トランジスタ４１Ａ，４１Ｂのコレクタ側に接続されて
いる。

【００３２】４０は一対のトランジスタ４０Ａ，４０Ｂ
により構成された電流分流回路を示し、該電流分流回路
４０の各トランジスタ４０Ａ，４０Ｂのベース側は、前
記緩衝用のトランジスタ３７のエミッタ側に接続され、
一方のトランジスタ４０Ａのエミッタ側は後述する第２
のカレントミラー回路４３の一方のトランジスタ４３Ａ
のコレクタ側および各トランジスタ４３Ａ，４３Ｂのベ
ース側に接続され、さらに他方のトランジスタ４０Ｂの
エミッタ側は後述する第１のカレントミラー回路４２の
他方のトランジスタ４２Ｂのコレクタ側および出力補正
回路４７のトランジスタ４８，４９のエミッタ側に接続
されている。

【００３３】４１は一対のトランジスタ４１Ａ，４１Ｂ
により構成された電流加算回路を示し、該電流加算回路
４１の各トランジスタ４１Ａ，４１Ｂのベース側は、前
記緩衝用のトランジスタ３７のエミッタ側に接続され、
各トランジスタ４１Ａ，４１Ｂのエミッタ側は第１のカ
レントミラー回路４２を構成する各トランジスタ４２
Ａ，４２Ｂのベース側および一方のトランジスタ４２Ａ
のコレクタ側に接続され、さらに各トランジスタ４１
Ａ，４１Ｂのコレクタ側は前記カレントミラー回路３８
の各トランジスタ３８Ｄ，３８Ｅのコレクタ側にそれぞ
れ接続されている。

【００３４】４２，４３，４４は第１，第２，第３のカ
レントミラー回路をそれぞれ示し、該各カレントミラー
回路４２，４３，４４はそれぞれ一対のトランジスタ４
２Ａと４２Ｂ，４３Ａと４３Ｂ，４４Ａと４４Ｂにより
構成され、各トランジスタ４２Ａ〜４４Ｂのエミッタ側
はアース電圧ライン３４に接続されている。

【００３５】４５，４６は印加電圧ＶCCライン３１とベ
ース電圧ＶK ライン３２との間に接続された第４，第５
のカレントミラー回路を示し、該カレントミラー回路４
５，４６は一対のトランジスタ４５Ａと４５Ｂ，４６Ａ
と４６Ｂにより構成され、各トランジスタ４５Ａ〜４６
Ｂのエミッタ側は印加電圧ＶCCライン３１にそれぞれ接
続されている。

【００３６】そして、第４のカレントミラー回路４５の
一方のトランジスタ４５Ａのコレクタ側および各トラン
ジスタ４５Ａ，４５Ｂのベース側は、後述する変動検出
回路４７のトランジスタ４８のコレクタ側に接続され、
他方のトランジスタ４５Ｂのコレクタ側は第３のカレン
トミラー回路４４の一方のトランジスタ４４Ａのコレク
タ側および各トランジスタ４４Ａ，４４Ｂのベース側に
接続されている。

【００３７】一方、第５のカレントミラー回路４６の一
方のトランジスタ４６Ａのコレクタ側および各トランジ
スタ４６Ａ，４６Ｂのベース側は出力電圧補正回路４７
のトランジスタ５１のコレクタ側に接続され、他方のト
ランジスタ４６Ｂのコレクタ側は第３のカレントミラー
回路４４の他方のトランジスタ４４Ｂのコレクタ側に接
続されている。

【００３８】４７は出力補正回路を示し、該出力補正回
路４７は４個のトランジスタ４８，４９，５０，５１よ
り構成されている。

【００３９】ここで、前記トランジスタ４８のエミッタ
側はトランジスタ４９のエミッタ側、電流分流回路４０
の他方のトランジスタ４０Ｂのエミッタ側および第１の
カレントミラー回路４２の他方のトランジスタ４２Ｂの
コレクタ側にそれぞれ接続され、コレクタ側は前記第４
のカレントミラー回路４５の一方のトランジスタ４５Ａ
のコレクタ側および各トランジスタ４５Ａ，４５Ｂのベ
ース側に接続され、ベース側はフィードバックＶF ライ
ン３３に接続されている。

【００４０】また、前記トランジスタ４９のエミッタ側
は前記トランジスタ４８のエミッタ側，電流分流回路４
０の他方のトランジスタ４０Ｂのエミッタ側および第１
のカレントミラー回路４２の他方のトランジスタ４２Ｂ
のコレクタ側に接続され、コレクタ側は印加電圧ＶCCラ
イン３１に接続され、ベース側はトランジスタ５０のベ
ース側およびベース電圧ＶK ライン３２に接続されてい
る。

【００４１】さらに、前記トランジスタ５０のエミッタ
側はトランジスタ５１のエミッタ側および第２のカレン
トミラー回路４３の他方のトランジスタ４３Ｂのコレク
タ側に接続され、コレクタ側は印加電圧ＶCCライン３１
に接続され、ベース側は前記トランジスタ４９のベース
側およびベース電圧ＶK ライン３２に接続される。

【００４２】さらにまた、前記トランジスタ５１のエミ
ッタ側はトランジスタ５０のエミッタ側および第２のカ
レントミラー回路４３の他方のトランジスタ４３Ｂのコ
レクタ側に接続され、コレクタ側は第５のカレントミラ
ー回路４６の一方のトランジスタ４６Ａのコレクタ側お
よび各トランジスタ４６Ａ，４６Ｂのベース側に接続さ
れ、べース側はフィードバック電圧ＶF ライン３３に接
続されている。

【００４３】５２は差電流検出抵抗を示し、該差電流検
出抵抗５２の一端は第５のカレントミラー回路４６の他
方のトランジスタ４６Ｂのコレクタ側，第３のカレント
ミラー回路４４の他方のトランジスタ４４Ｂのコレクタ
側との間の接続点５３に接続され、その他端はベース電
圧ＶK ライン３２に接続されている。そして、該差電流
検出抵抗５２は前記出力補正回路４７のトランジスタ４
８のコレクタ側電流Ｉ1 と出力補正回路４７のトランジ
スタ５１のコレクタ側電流Ｉ2 との差電流Ｉ0（Ｉ0 ＝
Ｉ1 −Ｉ2 ）をベース電圧ＶK を基準として電圧ＶB に
変換し、バッファ回路部２５に入力する。

【００４４】また、差電流検出抵抗５２により変換され
た電圧ＶB は、Ａ点から入力された発振電圧Ｖを差動回
路２３で増幅（または減衰）されたものと見ることがで
き、その増幅率はバッファ回路部２５，整流回路部２６
および積分回路部２７を介してフィードバック電圧ＶF
ライン３３から入力されるフィードバック電圧ＶF によ
り決定される。

【００４５】そして、このように構成される差動回路２
３は基準電圧となるフィードバック電圧ＶF により増幅
率が決定され、Ａ点から入力された発振電圧Ｖ（波高値
Ｖ0，周波数ｆ）を、接続点５３からの出力ライン５４
を介してバッファ回路部２５に出力電圧ＶB （波高値Ｖ
0B，周波数ｆ）として出力する。

【００４６】次に、図３に基づいてバッファ回路部２
５，整流回路部２６，積分回路部２７および電圧設定回
路部２８の回路構成について説明する。

【００４７】図中、５５はバッファ回路部２５を構成す
るオペアンプを示し、該オペアンプ５５の非反転端子は
出力ライン５４を介して作動増幅回路部２３の接続点５
３に接続され、反転端子は出力端子に接続されている。
また、出力端子は外部のセンサの検出処理回路に接続さ
れ、図４に示すような出力電圧ＶB （波高値Ｖ0B，周波
数ｆ）を出力する。さらに、この出力電圧ＶB はオペア
ンプ５６の反転端子にも出力される（Ｂ点）。

【００４８】５６は整流回路部２６を構成するオペアン
プを示し、該オペアンプ５６の反転端子は入力抵抗５
７、結合コンデンサ５８を介して前記オペアンプ５５の
出力端子に接続され、非反転端子はベース電圧ＶK ライ
ン３２に接続され、出力端子にはダイオード５９Ａ，５
９Ｂおよび帰還抵抗６０が接続されている。そして、整
流回路部２６は反転半波整流回路を構成し、ベース電圧
ＶK を基準とした図４のようなＢ点から入力された電圧
ＶB の反転半波整流電圧ＶC が出力される。

【００４９】６１は積分回路部２７を構成するオペアン
プを示し、該オペアンプ６１の反転端子は直列に接続さ
れた入力抵抗６２，６３を介して前記整流回路部２６の
オペアンプ５６の出力端子に接続され、前記入力抵抗６
２，６３の接続点６４とアースとの間には積分コンデン
サ６５が接続されると共に、該オペアンプ６１の出力端
子と接続点６４との間には帰還抵抗６６が接続され、か
つ入力抵抗６３の出力側とオペアンプ６１の出力端子と
の間には帰還コンデンサ６７が接続されている。また、
前記オペアンプ６１の非反転端子は後述するオペアンプ
６８の出力端子に接続され、電圧設定回路部２８で設定
された一定電圧ＶE が入力される。そして、積分回路部
２７は反転平滑回路を構成し、該積分回路部２７は後述
する一定電圧ＶE を基準にした反転平滑処理を行い、オ
ペアンプ６１の出力端子（Ｄ点）からは図４に示すよう
な直流電圧となるフィードバック電圧ＶF をフィードバ
ック電圧ＶF ライン３３に出力する。

【００５０】６８は電圧設定回路部２８を構成するオペ
アンプを示し、該オペアンプ６８の非反転端子は、前記
ベース電圧ＶK ライン３２とアースとの間に直列接続さ
れた各設定抵抗６９Ａ，６９Ｂ，６９Ｃのうち中間の設
定抵抗６９Ｂに接続され、反転端子は、出力端子とアー
スとの間に直列接続された基準抵抗７０Ａ，７０Ｂの接
続点７１に接続され、出力端子は前記基準抵抗７０Ｂお
よび前記オペアンプ６１の非反転端子に接続されてい
る。そして、電圧設定回路部２８は各設定抵抗６９Ａ，
６９Ｂ，６９Ｃにより一定電圧ＶE を積分回路部２７の
基準電圧として出力する。

【００５１】次に、図４および図５に基づいて、本実施
例による高周波発生装置２１の出力補正回路２２の動作
について説明する。

【００５２】まず、図４は通常時の各点における波形を
示し、１段目は発振回路２から差動回路２３に出力され
る発振電圧Ｖの波形、２段目はバッファ回路部２５から
整流回路部２６および外部に出力される出力電圧ＶB の
波形、３段目は整流回路部２６から積分回路部２７に出
力される反転半波整流電圧ＶC の波形、４段目は積分回
路部２７から差動回路２３に出力されるフィードバック
電圧ＶF の波形をそれぞれ示している。なお、２段目の
出力電圧ＶB の波形は外部のセンサの検出処理回路に同
じ波形を出力する。

【００５３】そして、フィードバック電圧ＶF は、前記
差動回路２３のフィードバック電圧ＶF ライン３３に接
続されているため、フィードバック電圧ＶF の変動が出
力補正回路４７の各トランジスタ４８〜５１のベース−
エミッタ電圧を変化させ、差動回路２３の各素子に流れ
る電流を変動させ、該差動回路２３の最終段に位置する
差電流検出抵抗５２を流れる電流Ｉ0 を変化させ、電圧
ＶB を変化させる。従って、フィードバック電圧ＶF は
該差動回路２３の増幅率を設定する。

【００５４】即ち、フィードバック電圧ＶF が高いとき
には増幅率を小さくし、フィードバック電圧ＶF が低い
ときには増幅率を大きくする。これにより、外部に出力
される出力電圧ＶB の波高値Ｖ0Bを調整するようになっ
ている。

【００５５】次に、図５に基づいて、図６に示す発振回
路２中のダイオードリミッタ１５が温められることによ
り抵抗値が変化して、発振電圧が通常の波高値Ｖ0 より
も高い波高値Ｖ0′になった場合の出力補正回路２２の
補正について述べる。

【００５６】ここで、発振回路２中のダイオードリミッ
タ１５が温められて抵抗値が変化すると、前記数３に示
す増幅率Ａ1 が変化し、該発振回路２からの発振電圧が
通常の波高値Ｖ0 よりも高い波高値Ｖ0′となる発振電
圧Ｖ′となる。

【００５７】この場合の各点における波形を図５に示
し、１段目は発振回路２から差動回路２３に出力される
発振電圧Ｖ′の波形、２段目はバッファ回路部２５から
整流回路部２６および外部に出力される出力電圧ＶB′
の波形、３段目は整流回路部２６から積分回路部２７に
出力される反転半波整流電圧ＶC′の波形、４段目は積
分回路部２７から差動回路２３に出力されるフィードバ
ック電圧ＶF′の波形、５段目はフィードバック電圧Ｖ
F′により補正されたバッファ回路部２５からの出力さ
れる出力電圧ＶB′の波形をそれぞれ示している。

【００５８】このように、発振回路２からの発振電圧Ｖ
が高い波高値Ｖ0′の発振電圧Ｖ′となって差動回路２
３に出力されると、該差動回路２３では発振電圧Ｖ′を
増幅させて出力電圧ＶB′とするため、この出力電圧Ｖ
B′の波高値Ｖ0B′は波高値ＶB よりも高くなり、積分
回路部２７から差動回路２３にフィードバックされるフ
ィードバック電圧ＶF も高いフィードバック電圧ＶF′
となる。

【００５９】そして、このフィードバック電圧ＶF′は
差動回路２３のフィードバック電圧ＶF ライン３３に入
力され、該フィードバック電圧ＶF ライン３３とベース
電圧ＶK ライン３２との電位差を変化させ、出力電圧補
正回路４７の各トランジスタ４８〜５１のベース−エミ
ッタ電圧を調整して、差動回路２３の増幅率を小さくす
る。これにより、出力電圧ＶB′の波高値Ｖ0B′を波高
値ＶB に減衰させ、５段目に示す出力電圧ＶB を出力す
る。従って、バッファ回路部２５からは常に波高値Ｖ0B
となる出力電圧ＶB をセンサ側に出力することができ
る。

【００６０】一方、発振回路２からの発振電圧Ｖの波高
値Ｖ0 が小さくなった場合には、この減少をフィードバ
ック電圧ＶF を低くして、差動回路２３の増幅率を大き
くすることで出力電圧ＶB の波高値Ｖ0Bを調整すること
ができ、常に一定の波高値Ｖ0Bとなる出力電圧ＶB をセ
ンサの検出処理回路にバッファ回路部２５から出力する
ことができる。

【００６１】かくして、本実施例による高周波発生装置
２１は発振回路２と、該発振回路２からの発生電圧Ｖの
波高値Ｖ0 を補正すべく接続され、差動回路２３，バッ
ファ回路部２５，整流回路部２６および積分回路部２７
からなる出力補正回路２２とから構成し、該出力補正回
路２２はバッファ回路部２５からの出力電圧ＶB をセン
サ側に出力すると共に、この出力電圧ＶB に対して整流
回路部２６および積分回路部２７のフィードバック回路
を介してフィードバック電圧ＶF を設定し、このフィー
ドバック電圧ＶF を前記差動回路２３に戻して、該差動
回路２３の増幅率を設定するようにしたから、発振回路
２からの発生電圧Ｖの波高値Ｖ0 が変動した場合でも、
このフィードバック電圧ＶF により常に一定の波高値Ｖ
0Bとなる出力電圧ＶB を得ることができる。

【００６２】従って、本実施例による高周波発生装置２
１は外部温度等の影響により発振回路２からの発生電圧
Ｖの波高値Ｖ0 が変動した場合でも、フィードバック電
圧ＶF により差動回路２３の増幅率を調整することによ
り、バッファ回路部２５からは常に一定の波高値Ｖ0Bと
なる出力電圧ＶB を出力できる。そして、トルクセンサ
等の検出処理回路に用いたときには、発振器からの波高
値の変動による誤検出を確実に防止し、高精度の検出を
行うことができる。

【００６３】さらに、本実施例の高周波発生装置２１は
歪みゲージおよび差動トランス等のセンサの検出処理回
路に用いることによっても、高精度な検出ができる。

【００６４】なお、前記実施例では、フィードバック回
路の整流回路部２６および積分回路部２７をそれぞれ反
転させる回路を用いたが、本発明はこれに限らず、全波
整流回路および積分回路により構成してもよい。

【００６５】

【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によれば、高
周波発生装置を発振回路の出力側に接続する出力補正回
路を、基準電圧により増幅率を決定する複数個のトラン
ジスタからなる差動回路と、該差動回路の出力側と入力
側との間に接続されたフィードバック回路とから構成す
ることにより、発振回路から出力される発振電圧の波高
値が外部の影響により変動したときでも、フィードバッ
ク回路により差動回路に入力される基準電圧を調整する
ことにより、差動回路の増幅率を設定することができ、
高周波発生装置からは一定の波高値を有する出力電圧を
出力することができる。

【００６６】そして、この高周波発生装置をセンサ処理
回路等に用いた場合には、外部の温度変化等によっても
波高値が変動しない出力電圧を印加することができ、正
確な検出を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による高周波発生装置の構成を
示すブロック図である。

【図２】本実施例による出力補正回路の差動回路の具体
例を示す回路図である。

【図３】本実施例による出力補正回路のバッファ回路
部、整流回路部、積分回路部および電圧設定回路部の具
体例を示す回路図である。

【図４】本実施例による高周波発生装置の発振回路およ
び出力補正回路の各回路部からの電圧波形を示す波形図
である。

【図５】本実施例による発振回路の発生電圧の波高値が
高くなったときの、発振回路および出力補正回路の各回
路部からの電圧波形を示す説明図である。

【図６】従来技術による高周波発生器の回路構成を示す
回路図である。

【符号の説明】 ２ 発振回路 ２１ 高周波発生装置 ２２ 出力補正回路 ２３ 差動回路 ２４ フィードバック回路 ２５ バッファ回路部 ２６ 整流回路部 ２７ 積分回路部 ２８ 電圧設定回路部 Ｖ 発生電圧 ＶB 出力電圧 ＶC 反転全波整流電圧 ＶCC 印加電圧 ＶE 一定電圧 ＶF フィードバック電圧（基準電圧） Ｖ0 ，Ｖ0B 波高値

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波電圧を発生する高周波発振回路
   と、該発振回路に接続された出力補正回路とからなる高
   周波発生装置において、前記出力補正回路は、基準電圧
   により増幅率を決定する複数個のトランジスタからなる
   差動回路と、該差動回路の出力側と入力側との間に接続
   されたフィードバック回路とにより構成したことを特徴
   とする高周波発生装置。
2. 【請求項２】 前記フィードバック回路は、前記差動回
   路の出力側に接続され、高周波の出力電圧を出力するバ
   ッファ回路部と、該バッファ回路部の出力側に接続さ
   れ、前記出力電圧を整流する整流回路部と、該整流回路
   部からの信号を積分して基準電圧を発生する積分回路部
   とから構成し、該積分回路部からの基準電圧を前記差動
   回路に入力してなる請求項１記載の高周波発生装置。