JPH08181546A - レベルシフト回路 - Google Patents

レベルシフト回路

Info

Publication number
JPH08181546A
JPH08181546A JP6325303A JP32530394A JPH08181546A JP H08181546 A JPH08181546 A JP H08181546A JP 6325303 A JP6325303 A JP 6325303A JP 32530394 A JP32530394 A JP 32530394A JP H08181546 A JPH08181546 A JP H08181546A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
operational amplifier
output
voltage
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6325303A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Yada
俊朗 矢田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP6325303A priority Critical patent/JPH08181546A/ja
Priority to US08/490,615 priority patent/US5576638A/en
Priority to DE19526028A priority patent/DE19526028C2/de
Publication of JPH08181546A publication Critical patent/JPH08181546A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45484Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45488Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit by using feedback means
    • H03F3/45493Measuring at the loading circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45511Controlling the loading circuit of the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/003Changing the DC level
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45402Indexing scheme relating to differential amplifiers the CMCL comprising a buffered addition circuit, i.e. the signals are buffered before addition, e.g. by a follower
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45418Indexing scheme relating to differential amplifiers the CMCL comprising a resistor addition circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45424Indexing scheme relating to differential amplifiers the CMCL comprising a comparator circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45671Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more diodes as level shifter
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45702Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising two resistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45722Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more source followers, as post buffer or driver stages, in cascade in the LC

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 入力信号のDCレベルの変動に応じて出力信
号のレベル変動を制御することにより、出力信号のDC
レベルを一定に保つレベルシフト回路を提供する。 【構成】 入力信号を第1のバッファ、第1の抵抗及び
第1の定電流源からなる第1の回路に加え、入力信号か
ら抽出されたDC成分を第2のバッファ、第2の抵抗及
び第2の定電流源からなる第2の回路に加え、そのDC
成分から第2の抵抗による電圧降下分を引いた電圧と基
準電圧をオペアンプに印加し、その出力で第1の定電流
源及び第2の定電流源を制御することによって、入力信
号のDC成分の変動が補正された一定のシフトレベルを
有する出力電圧を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、入力信号のDC成分の
変動に応じて出力信号のレベルシフト量を修正し常に一
定のDC出力レベルを供給するレベルシフト回路に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路は、その種類によって必
要な入力信号のDCレベルは様々である。もし入力信号
のDCレベルが回路に必要な入力DCレベルからずれる
と、出力信号の波形がひずむことになる。したがって、
入力DCレベルは一定に保持されるべきである。DCレ
ベルが変動する要因として、半導体集積回路に使用して
いるトランジスタ、抵抗等の素子等の特性(トランジス
タの場合はhfoやvbe)は、温度変化や製造時のばらつ
きによって変動する。したがって、これらの素子を用い
て回路を構成すると、温度変化及び製造条件によって回
路の特性は変動する。入力信号のDCレベルも、これら
の回路を通ることにより変動することになる。
【0003】したがって、半導体集積回路において、あ
る回路に信号を入力する際に、入力信号のDCレベルを
回路の入力DCレベルに合わせる必要がある。このよう
に、一つの回路と他の回路をつなぐ際には必ずといって
よいほどレベルシフト回路が用いられる。レベルシフト
回路に入力した信号は、その振幅は変わらずに、DC電
圧だけが変化する。レベルシフト回路には容量結合又は
抵抗の電圧降下を利用したものがある。容量結合回路を
用いたレベルシフト回路においては、取り扱う信号の周
波数が低い場合には容量結合に使用するコンデンサの容
量値あるいは抵抗値を大きくする必要があるため、半導
体集積回路には不向きである。このため、一般的にはダ
イオードを利用したものが多い。
【0004】入力信号をある一定の電圧だけレベルシフ
トして出力するレベルシフト回路として、従来、図9、
図10及び図11(特開平1−236812号公報の第
1図)に示すような回路が用いられている。
【0005】図9は、トランジスタQ21、抵抗R21、定
電流源I21からなるレベルシフト回路である。図9にお
いて、入力端子21から入力した信号は、NPNトラン
ジスタQ21のベース・エミッタ間電圧(VBE)と、抵抗
21の電圧降下(R21×I21)の和のレベルだけシフト
されて出力端子22から出力される。
【0006】図10は、トランジスタQ22、抵抗R22
定電流源I22、集積回路ICの外部と接続する外部端子
23とからなるレベルシフト回路である。図10におい
ては、定電流源I22の電流値を、外部端子23を介して
ICの外部から抵抗R24の電圧降下量を制御することに
よって、所望のレベルシフト量を得るレベルシフト回路
である。
【0007】図11は信号源91と差動増幅器を構成す
るトランジスタQ91およびQ92と、抵抗R91およびR92
と、定電流源92と、コレクタが定電圧源97に接続さ
れベースがそれぞれトランジスタQ92およびQ91のコレ
クタに接続されたトランジスタQ93およびQ94と、トラ
ンジスタQ93のエミッタに直列接続されたダイオードD
91、D92およびD93と、トランジスタQ94のエミッタに
直列接続されたダイオードD94、D95およびD96と、ダ
イオードD93のカソードに接続された出力端子98と、
一端が接地され他端がダイオードD93のカソードに接続
された定電流源95と、ダイオードD96のカソードに接
続された出力端子99と、一端が接地され他端がダイオ
ードD96のカソードに接続された定電流源96と、一端
がそれぞれダイオードD93およびD96のカソードに接続
され共通接続端が誤差増幅器94の非反転入力端子に接
続されて、レベルシフト回路の同相出力電圧を得るため
の抵抗R95およびR96と、一端が定電圧源97に接続さ
れ他端が誤差増幅器94の反転入力端子に接続された基
準電圧源93と、出力がトランジスタQ95のベースに接
続された誤差増幅器94と、エミッタが接地されたトラ
ンジスタQ95と、一端がそれぞれトランジスタQ91およ
びQ92のコレクタに接続され、共通接端がトランジスタ
95のコレクタに接続された抵抗R93およびR94とから
構成されている。
【0008】次に第11図の動作について説明する。抵
抗R95とR96とを同じ抵抗値にすると、R95とR96の共
通接続点の電圧はレベルシフト回路の同相出力電圧に等
しくなる。誤差増幅器94は同相出力電圧を反転入力端
子電圧に等しくなるように制御する。抵抗R91およびR
92の抵抗値をR、定電流源92の電流値をI、トランジ
スタQ95のコレクタ電流をi、基準電圧源93の電圧を
1、トランジスタQ9 3およびQ94のベース・エミッタ
間電圧とダイオードD91、D92、D93、D94、D95およ
びD96の順方向電圧とがすべて等しくVBEであると仮定
する。定電圧源97の電圧をVCCとおき、トランジスタ
91、Q92、Q93およびQ94のベース電流を無視する
と、出力端子98および99の同相出力電圧VOUTは、 VOUT=VCC−(I+i)R/2−4VBE =VCC−V1 となり、基準電圧源93を温度補償することにより、温
度特性の良好なレベルシフト回路を実現できる。
【0009】以下に図11の入出力信号の関係について
説明する。信号源91からは、図12(a)の信号Aと
信号BのようにDC成分(図中の直線で示された部分)
が等しい反転した2つの信号が出力される。仮に、信号
AがQ91のベースに、信号BがQ92のベースに入力され
たとすると、出力端子98、99からはそれぞれ信号
A、Bと同様な信号が出力される。すなわち、入出力の
位相遅れを無視できるとすると、出力端子98、99か
らは、それぞれ信号A、Bと同位相で、所定の利得だけ
振幅が増幅された信号が出力される。出力端子98、9
9のDC電圧は等しく、抵抗R95とR96の値も等しいた
め、誤差増幅器94の非反転入力端子には、出力端子9
8、99の信号を平均した信号が入力される。出力端子
98、99の信号は互いに反転しているため、両出力信
号の平均のDC成分が抽出される。
【0010】ここで、もし温度が変化したとすると、ダ
イオードD91〜D96の順方向電圧が変化するため、出力
端子98、99のDC電圧が変化し、誤差増幅器94の
非反転入力電圧も変化する。その結果、誤差増幅器94
は、出力電圧を変化させQ95のコレクタ電流iを変化さ
せ、抵抗R93、R94を介して負荷抵抗R91、R92に流れ
る電流を変化させ、最終的に端子98、99のDC電圧
の平均値が(VCC−V 1)に等しくなるように動作す
る。ここでV1は誤差増幅器94の反転端子に入力され
る基準電圧である。このようにして、出力端子98、9
9のDC電圧(同相出力電圧)は一定に保たれる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】図9の場合、レベルシ
フト量は一定であるので、端子21に入力する入力信号
のDC成分が変動した場合、入力信号のレベル変動に応
じて端子22のレベルがシフトし、一定のDC出力レベ
ルを得ることはできない弊害があった。
【0012】また、図10の場合、ICの外部から定電
流源I21の電流値を制御する外部端子23が必要にな
り、外部端子及びIC内に外部端子までの特別の配線を
必要とし、IC設計上好ましくない。さらに、入力端子
21に入力する信号のDC成分が常に変動する場合に
は、入力端子21の電圧変動を検出するためのさらに別
の端子及びIC内の配線が必要となりさらにIC設計上
好ましくない弊害があった。
【0013】一方、図11の場合において、入力信号の
DCレベルが変動した場合について考える。信号源91
から出力される2つの信号のDC電圧が同じ方向に同じ
値だけ変動した場合には、差動増幅器の性質から、出力
端子98、99には、DC電圧の変動は現れないため、
問題はない。一方、2つの入力信号のDC電圧が図12
(b)のように反対の方向にずれる場合も考えられる。
図12(b)においては2つの信号は、ある時間を境
に、入力信号AのDCレベルが信号A’のように上昇
し、入力信号BのDCレベルが信号B’のように反対に
同じ値だけ下がった様子を表している。信号A’の信号
を単純に反転すると信号B’が得られるので、信号源9
1の出力はこの様な信号になると考えられる。この場
合、出力端子98、99の信号もそれぞれ信号A’、
B’と同様に同じ方向に変化し、2つの出力端子のDC
電圧が異なってくる。しかし、2つの出力端子の信号は
互いに反転しているという関係は変わらないため、両信
号を平均した電圧は変動しないことになる。したがっ
て、入力のレベルの変動があっても同相出力電圧は一定
のままであり、出力端子のDC電圧の変動を検出できな
いため、出力端子のDC電圧を一定に保つことができな
いという弊害があった。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題点
を解決するためになされたもので、入力信号のDCレベ
ルの変動に応じて出力信号のシフト量を制御することに
より、出力信号のDCレベルを一定に保つレベルシフト
回路に関するものである。
【0015】本発明の第1のレベルシフト回路は、前記
の問題点を解決するために、入力信号を第1のバッフ
ァ、第1の抵抗及び第1の定電流源からなる第1の回路
に加え、入力信号から抽出されたDC成分を第2のバ
ッファ、第2の抵抗及び第2の定電流源からなる第2の
回路に加え、前記DC成分から第2の抵抗による電圧降
下分を引いた電圧と基準電圧をオペアンプに印加し、そ
の出力で第1の定電流源及び第2の定電流源を制御する
ことによって、入力信号のDC成分の変動が修正された
一定のシフトレベルを有する出力電圧を得るように構成
される。
【0016】本発明の第1のレベルシフト回路は、入力
端子は第1のバッファの一端に接続され、この第1のバ
ッファの他端は第1の抵抗の一端に接続され、この第1
の抵抗の他端は第1の定電流源の一端に接続され、この
第1の定電流源の他端はアースに接続され、出力端子は
この第1の抵抗の他端と第1の定電流源の一端に接続さ
れ、入力端子に直流成分抽出回路の一端が接続され、こ
の直流成分抽出回路の他端は第2のバッファの一端に接
続され、この第2のバッファの他端は第2の抵抗の一端
に接続され、この第2の抵抗の他端は第2の定電流源の
一端に接続され、この第2の定電流源の他端はアースに
接続され、この第2の抵抗の他端はオペアンプの反転端
子に接続され、このオペアンプの非反転端子は基準電圧
が印加される基準端子に接続され、このオペアンプの出
力は第1および第2の定電流源の電流値を制御する制御
端子に接続され、入力信号のDC成分の変動が修正され
た一定のシフトレベルを有する出力電圧を得るように構
成される。
【0017】本発明の第2のレベルシフト回路は、入力
端子は第1のバッファの一端に接続され、この第1のバ
ッファの他端は第1の抵抗の一端に接続され、この第1
の抵抗の他端は第1の定電流源の一端に接続され、この
第1の定電流源の他端は電源に接続され、出力端子はこ
の第1の抵抗の他端に接続され、入力端子に直流成分抽
出回路の一端が接続され、この直流成分抽出回路の他端
は第2のバッファの一端に接続され、この第2のバッフ
ァの他端は第2の抵抗の一端に接続され、この第2の抵
抗の他端は第2の定電流源の一端に接続され、この第2
の定電流源の他端は電源に接続され、この第2の抵抗の
他端はオペアンプの反転端子に接続され、このオペアン
プの非反転端子は基準電圧が印加される基準端子に接続
され、このオペアンプの出力は第1および第2の定電流
源の電流値を制御する制御端子に接続され、入力信号の
DC成分の変動が修正された一定のシフトレベルを有す
る出力電圧を得るように構成される。
【0018】本発明の第1のレベルシフト回路におい
て、第1および第2のバッファは、その入力がトランジ
スタのベースに接続され、その出力がトランジスタのエ
ミッタに接続され、電源がトランジスタのコレクタに接
続され、第1および第2の定電流源はミラー回路で構成
される。
【0019】本発明の第2のレベルシフト回路におい
て、第1および第2のバッファは、その入力がトランジ
スタのベースに接続され、その出力がトランジスタのエ
ミッタに接続され、アースがトランジスタのコレクタに
接続され、第1および第2の定電流源はミラー回路で構
成される。
【0020】本発明の第1及び第2のレベルシフト回路
において、第1および第2のバッファは、その入力レベ
ルと出力レベルの差がトランジスタのベースとエミッタ
間の電圧VBEよりも小さく、第1および第2の定電流源
はミラー回路で構成される。
【0021】本発明の第1及び第2のレベルシフト回路
において、第1または第2のバッファ回路は、電源がト
ランジスタのコレクタに接続され、そのトランジスタの
エミッタが定電流源の一端に接続され、この定電流源の
他端はアースに接続され、このバッファ回路の出力端子
はトランジスタのエミッタに接続され、この接続点はオ
ペアンプの反転端子に接続され、このバッファ回路の入
力端子はオペアンプの非反転端子に接続され、このオペ
アンプの出力端子はトランジスタのベースに接続される
ように構成される。
【0022】本発明の第1のレベルシフト回路におい
て、前記オペアンプは、第1、第2のNPNトランジス
タと第3、第4のPNPトランジスタから構成され、第
1のNPNトランジスタのベースはオペアンプの非反転
端子を構成し、第2のNPNトランジスタのベースはオ
ペアンプの反転端子を構成し、第2のNPNトランジス
タのコレクタはオペアンプの出力端子を構成し、第3及
び第4のPNPトランジスタのエミッタは電源に接続さ
れ、第3及び第4のPNPトランジスタのコレクタは第
1及び第2のNPNトランジスタのコレクタにそれぞれ
接続され、第3及び第4のPNPトランジスタのベース
は共通に接続され、第3と第4のPNPトランジスタの
ベースの共通接続点は第3のPNPトランジスタのコレ
クタに接続されるように構成される。
【0023】本発明の第2のレベルシフト回路におい
て、前記オペアンプは、第1、第2のPNPトランジス
タと第3、第4のNPNトランジスタから構成され、第
1のPNPトランジスタのベースはオペアンプの非反転
端子を構成し、第2のPNPトランジスタのベースはオ
ペアンプの反転端子を構成し、第2のPNPトランジス
タのコレクタはオペアンプの出力端子を構成し、第3及
び第4のNPNトランジスタのエミッタはアースに接続
され、第3及び第4のNPNトランジスタのコレクタは
第1及び第2のPNPトランジスタのコレクタにそれぞ
れ接続され、第3及び第4のNPNトランジスタのベー
スは共通に接続され、第3と第4のNPNトランジスタ
のベースの共通接続点は第3のNPNトランジスタのコ
レクタと接続されるように構成される。
【0024】本発明の第1及び第2のレベルシフト回路
において、直流成分抽出回路はローパスフィルタ、ピー
クホールド回路またはサンプルホールド回路から構成さ
れる。
【0025】
【作用】本発明のレベルシフト回路においては、入力端
子の入力電圧のDC成分を直流成分抽出回路によって抽
出し、その抽出された電圧によって得られた電圧と基準
電圧とをオペアンプによって比較し、そのオペアンプの
出力によって一端がアースされた電流源を制御し入力信
号のDC成分のシフト量を修正して一定のDC出力電圧
が得られるように制御する。
【0026】本発明のレベルシフト回路は、オペアンプ
の出力によって一端が電源に接続された電流源を制御す
ることによって、入力電圧のDCレベルよりもシフトレ
ベルが高いDC出力電圧を得るように制御する。
【0027】本発明のレベルシフト回路の第1および第
2のバッファは、そのバッファの入出力レベル差をトラ
ンジスタのベースとエミッタ間の電圧VBEよりも小さく
することによって、レベルシフト回路の入出力のシフト
レベル差をVBEよりも小さくなるように制御する。
【0028】本発明のレベルシフト回路において、直流
成分はローパスフィルタ、ピークホールド回路またはサ
ンプルホールド回路によって抽出する。
【0029】
【実施例】
実施例1 図1は本発明の一実施例を示す図である。図1におい
て、1は入力端子、2は出力端子、3は入力信号のDC
成分を抽出する直流成分抽出回路、4はオペアンプの反
転端子、5は直流成分抽出回路3の出力端子、6はオペ
アンプに基準電圧を印加する基準端子、8,9はバッフ
ァ、10はオペアンプである。また、R1,R2は同じ値
の抵抗、11,12(I1,I2)はオペアンプ10の出
力によって同時に電流値を制御できる定電流源であり、
1とI2の電流値は同じである。入力信号のDC成分を
抽出する回路としては、ローパスフィルタ、ピークホー
ルド、サンプルホールド等が挙げられる。
【0030】次に動作について説明する。抽出端子5に
は直流成分抽出回路3によって抽出された入力信号のD
C電圧VAが印加され、基準端子6には基準電圧VBが印
加される。基準電圧VBは、所望のレベルシフト量(VA
−VB)が得られるように選ぶ。ここで、DCレベルVA
は入力電圧から抽出されたDC成分であり、入力電圧よ
りも出力電圧が低くなるようにレベルシフト電圧を選択
する場合は(VA>VB)となるように選択される。
【0031】抵抗R2には、定電流I2によって電圧降下
(R2×I2)が生じ、オペアンプ10の反転端子4には
電圧(VA−R2×I2)が印加される。定電流源I2の値
は、オペアンプ10の出力によって制御されるが、その
制御特性はオペアンプ10の出力電圧が上がると定電流
源I2の電流値が減るように設定される。
【0032】このように設定すると、例えば、オペアン
プ10の反転端子4の電圧と基準端子6の電圧が平衡し
ている状態から、何らかの原因で抽出端子の電圧VA
下降した場合は、オペアンプ10の反転端子4の電圧
(VA−R2×I2)が基準端子6に印加される基準電圧
Bよりも低くなる。そのために、オペアンプ10の出
力電圧が上昇し、定電流源I2の電流値は減少し、抵抗
2の電圧降下量も減少するため、オペアンプ10の反
転入力の電圧は上昇する。逆に、オペアンプ10の反転
端子4の電圧と基準端子6の電圧が平衡している状態か
ら、何らかの原因で抽出端子の電圧VAが上昇した場合
は、オペアンプ10の反転端子4の電圧(VA−R2×I
2)が基準端子6に印加される基準電圧VBよりも高くな
る。そのために、オペアンプ10の出力電圧が下降し、
定電流源I2の電流値は増加し、抵抗R2の電圧降下量も
増加するため、オペアンプ10の反転入力の電圧は下降
する。
【0033】以上述べたように、オペアンプ10の非反
転入力と反転入力の電圧が異なっていても、最終的には
2つの入力の電位差がなくなるように負帰還がかかる。
したがって、オペアンプ10の非反転入力と反転入力の
電圧は常に等しくなるように保たれ、(VB=VA−R2
×I2)が成り立つ。すなわち、(VA−VB=R2×
2)であり、抵抗R2での電圧降下(R2×I2)は抽出
端子5、基準端子6の電圧の差(VA−VB)に等しいと
言い換えることができる。
【0034】一方、抵抗R1、電流I1の値は、それぞれ
抵抗R2、電流I2の値と等しくなるように設定されるた
め、抵抗R1での電圧降下(R1×I1)は、抵抗R2での
電圧降下(R2×I2)と等しくなる。したがって、出力
端子2の出力電圧Voutは、入力信号Vinから抽出端子
5と基準端子6間の電位差(VA−VB)を引いた電圧、
すなわち、Vout=Vin−(VA−VB)となる。したが
って、この回路は、入力端子1から出力端子2へのレベ
ルシフト量が(VA−VB)で与えられるレベルシフト回
路になっている。したがって、この回路は、入力信号の
DC成分が変動した場合でも、その変動成分を修正し
て、出力信号のDCレベルを一定に保つように構成され
る。すなわち、入力信号のDC成分が変動した場合、抽
出端子5に印加される電圧も同時に変化し、出力信号の
レベルシフト量が入力信号のDC成分の変動と同じ値だ
け変化するため、出力信号のDC成分は入力信号の変動
成分を補正し常に一定の値になる。なお、この回路は、
直流成分抽出回路を使用しないで、抽出端子5に固定の
電圧を印加することによって、図9で示した従来例と同
様の動作を行うことができることは勿論である。
【0035】実施例2 図2は、図1の実施例1の回路を実際の半導体集積回路
として構成する場合のさらに具体的なレベルシフト回路
図である。図2において、図1の番号と同一の番号の部
分は同一部分または同一要素を表す。また、11,12
は定電流源であり、図1におけるI1,I2に相当する。
13は定電流源11,12の制御を行うインタフェース
部分である。この定電流源11,12は、実施例1と同
様に、オペアンプ10の出力電圧が上昇すると、定電流
値I1,I2を減少させるように動作する。Q9,Q10
エミッタホロワとして働くトランジスタである。トラン
ジスタQ7,Q8はトランジスタQ6との間でミラー回路
を構成する。このミラー回路においては、トランジスタ
7とトランジスタQ8は同じ特性になるように設計され
る。
【0036】次に図2の回路の動作を簡単に説明する。
この回路において、端子1に入力信号Vinを入力し、抽
出端子5にはその入力信号から抽出したDC成分を与え
る。基準端子6には基準のDC電圧を与える。端子1か
ら入力した信号はQ10のベースエミッタ間電圧(VBE
と、抵抗R1による電圧降下分だけDC電圧が下がり、
端子2から出力電圧Voutとして出力される。抽出端子
5に入力した電圧は、Q9のベースエミッタ間電圧(V
BE)と抵抗R2(=R1)による電圧降下分だけ下がり、
オペアンプ10の反転端子4(Q2のベース)に入力さ
れる。オペアンプ10は、Q1のベースが非反転入力、
2のベースが反転入力であり、Q5のベースが出力であ
る。
【0037】ここで仮に端子1の入力信号のDC電圧が
上がったとする。抽出端子5の電圧も上がり、オペアン
プ10の反転端子4の電圧も上昇する。したがって、オ
ペアンプの出力電圧が下がるため、Q5のベース電圧も
下がり、Q5のエミッタ電圧も下がる。その結果、Q5
流れる電流が増え、Q5とQ6のコレクタ電流が増える。
6、Q7は、カレントミラー回路になっており、Q6
コレクタ電流が増えるとQ7のコレクタ電流も増える。
したがって、R2による電圧降下量が増え、オペアンプ
10の反転入力電圧は下がる。これは負帰還になってお
り、最終的にはオペアンプ10の非反転・反転入力すな
わちQ1、Q2のベース電圧が等しくなったところで落ち
つく。一方、Q6とQ8もカレントミラー回路を構成して
おり、Q7とQ8の特性が等しくなるように構成すること
により、Q7とQ8のコレクタ電流は等しくなる(Q7
8のコレクタ電流はQ6のコレクタ電流と必ずしも等し
くなくても良い)。Q9とQ10の特性が等しく、またR1
=R2であれば、端子1から端子2への電圧降下量は、
抽出端子5とQ2のベースへの電圧降下量すなわち抽出
端子5と基準端子6の電位差(VA−VB)に等しくなっ
ている。
【0038】したがって、入力信号のDC電圧が上がっ
た時には電圧降下量が増え、入力信号のDC電圧が下が
った時には電圧降下量が減り、入力信号のDC電圧の変
動を打ち消すように動作するため、端子2の出力信号の
DC電圧は一定に保たれる。
【0039】図2においてはQ9、Q10の様なエミッタ
ホロワ型のトランジスタを用いると、入力インピーダン
スが高く出力インピーダンスが低いというバッファの機
能が簡単に得られる。しかしながら、一般に、トランジ
スタのベース・エミッタ間電圧は約0.7Vであり、し
たがって、常に出力電圧は入力電圧より0.7V低くな
り、それより小さいレベルシフト量、例えば、0.3V
等の値を得ることはできない。したがって、レベルシフ
ト量を0.7Vより小さくしたい場合には図2の回路は
不都合であり、この様な場合には入力出力の電位差がな
いバッファを用いる必要があり、図3はその一例であ
る。
【0040】実施例3 図3のレベルシフト回路は、入出力のレベルシフト量を
0.7Vより小さくしたい場合に使用される回路であ
る。図3において、8,9は図1に示されるバッファと
して入出力電圧差がトランジスタのベース・エミッタ間
電圧である約0.7V以下になるような回路を用いた例
であり、その他の部分は図2と全く同一である。
【0041】図4は、図3のバッファ8,9として、入
出力電圧差がトランジスタのベース・エミッタ間電圧の
約0.7V以下になるような回路の具体例を示す図であ
る。図4のバッファにおいては、オペアンプ24の出力
をNPNトランジスタQ23のベースに接続し、そのトラ
ンジスタのエミッタを定電流源25及びオペアンプ24
の反転端子に接続し、オペアンプの非反転端子を入力端
子としている。この回路はオペアンプの2つの入力の電
位差がゼロになるように動作するので、入力16と出力
17の電位差もゼロである。また、NPNトランジスタ
のエミッタが出力に接続されているので出力インピーダ
ンスは低い。
【0042】上述のように、図4は、バッファ8,9を
マクロに機能的に描いた図である。一方、図5は、バッ
ファ8,9を集積回路のレベルで具体的に描いた図であ
る。これらの図において、入力端子16又は18は、図
3における信号入力端子1又は直流成分抽出回路3の出
力端子(抽出端子)5にそれぞれ接続される。出力端子
17又は19は、図3における抵抗R1又はR2にそれぞ
れ接続される。入力端子16と出力端子17の電位差は
非常に小さいため、所望のレベルシフト量が0.7Vよ
り小さく設定する必要がある場合に対応できる。
【0043】実施例4 前記実施例では、入力信号に対して出力信号の電位が低
くなるようなレベルシフト回路の具体例を示したが、逆
に入力信号のDCレベルに対して出力信号のDCレベル
を高くしたい場合には、図6、図7及び図8のようなレ
ベルシフト回路が考えられる。図6、図7及び図8にお
いて、図1〜図3と同一番号の部分は同一部分または要
素を表す。
【0044】図6は図1と同様な回路であるが、図1と
図6は電流源がアースに接続されているか、電源に接続
されているかの点で異なる。すなわち、図1において
は、アース側に電流源が接続され、図6においては電源
側に電流源が接続される。図6においては、このような
構成にすることによって、入力信号よりもDCレベルの
高い出力電圧を得ることができる。
【0045】図7は、図6の回路を実際の半導体集積回
路として構成する場合のさらに具体的なレベルシフト回
路図である。図7において、図6の番号と同一の番号の
部分は同一部分または要素を表す。
【0046】図6、図7の回路の動作について、簡単に
以下に説明する。基本的な動作は図2の場合と同様であ
るので図2と異なる部分についてのみ説明する。低いD
C電圧を有する入力電圧は入力端子1に加えられる。出
力端子は電源電圧に近い位置から引き出されているの
で、入力電圧と交流振幅は同じで、DCレベルのみをほ
ぼ電源電圧に近い値までシフトすることができる。
【0047】図8のレベルシフト回路は、入出力のレベ
ルシフト量を0.7Vより小さくしたい場合に使用され
る回路である。図8において、8,9は図6に示される
バッファとして入出力電圧差がトランジスタのベース・
エミッタ間電圧の約0.7V以下になるような回路を用
いた例であり、その他の部分は図7と全く同一である。
【0048】バッファ8,9の具体的な回路は図5で説
明した回路と同様であり、図3の回路が出力電圧が入力
電圧よりも低い回路で用いられ、図8の回路が出力電圧
が入力電圧よりも高い回路で用いられる点が異なる。
【0049】上述のように、図5のバッファ8,9の入
力端子16又は18は、図8における信号入力端子1又
は直流成分抽出回路3の抽出端子5にそれぞれ接続され
る。出力端子17又は19は、図3における抵抗R1
はR2にそれぞれ接続される。入力端子16と出力端子
17の電位差は非常に小さいため、所望のレベルシフト
量が0.7Vより小さく設定する必要がある場合に対応
できる。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
入力信号のDC成分が変動した場合でも、無調整で出力
信号のDC成分が変動しないレベルシフト回路が得られ
る。
【0051】また、本発明によれば、入力端子の入力電
圧のDC成分を直流成分抽出回路によって抽出し、その
抽出された電圧によって得られた電圧と基準電圧とをオ
ペアンプによって比較し、そのオペアンプの出力によっ
て一端がアースされた電流源を制御し入力信号のDC成
分のシフト量を修正して一定のDC出力電圧が得られる
ように制御できる。
【0052】また、本発明によれば、オペアンプの出力
によって一端が電源に接続された電流源を制御すること
によって、入力電圧のDCレベルよりもシフトレベルが
高いDC出力電圧を得ることができる。
【0053】また、本発明によれば、バッファの入出力
レベル差をトランジスタのベースとエミッタ間の電圧V
BEよりも小さくすることによって、レベルシフト回路の
入出力のシフトレベル差をVBEよりも小さくなるように
制御できる。
【0054】また、本発明によれば、直流成分抽出回路
にローパスフィルタ、ピークホールド回路またはサンプ
ルホールド回路を使用することができ、直流成分の抽出
が容易に行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例を示す図である。
【図2】 図1のバッファをNPNトランジスタで構成
した具体的な回路を示す図である。
【図3】 図1のバッファを電圧降下のない回路とした
場合の具体的な回路を示す図である。
【図4】 図3中のバッファの具体的回路例を示す図で
ある。
【図5】 図4のバッファのさらに具体的な回路例を示
す図である。
【図6】 本発明の他の実施例を示す図であり、入力信
号に対して出力信号のDCレベルを高くしたい場合に用
いる回路を示す図である。
【図7】 図6のバッファをPNPトランジスタで構成
した具体的な回路を示す図である。
【図8】 図6のバッファを電圧降下のない回路とした
場合の具体的な回路を示す図である。
【図9】 従来のレベルシフト回路の一例を示す図であ
る。
【図10】 従来のレベルシフト回路の他の例を示す図
である。
【図11】 従来のレベルシフト回路のさらに他の例を
示す図である。
【図12】 レベルシフト回路の入力電圧のレベル変動
を示す図である。
【符号の説明】
1 入力端子 2 出力端子 3 直流成分抽出回路、 4 オペアンプの反転端子 5 直流成分抽出回路の抽出端子 6 基準端子 8,9 バッファ 10 オペアンプ、 11,12 定電流源 13 インタフェース部分 16,18 入力端子 17,19 出力端子 Q1・・・Q15、Q22,Q23 トランジスタ R1,R2 抵抗

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力信号を第1のバッファ、第1の抵抗
    及び第1の定電流源からなる第1の回路に加え、入力信
    号から抽出されたDC成分を第2のバッファ、第2の抵
    抗及び第2の定電流源からなる第2の回路に加え、前記
    DC成分から第2の抵抗による電圧降下分を引いた電圧
    と基準電圧をオペアンプに印加し、その出力で第1の定
    電流源及び第2の定電流源を制御することによって、入
    力信号のDC成分の変動が修正された一定のシフトレベ
    ルを有する出力電圧を得ることを特徴とするレベルシフ
    ト回路。
  2. 【請求項2】 入力端子は第1のバッファの一端に接続
    され、この第1のバッファの他端は第1の抵抗の一端に
    接続され、この第1の抵抗の他端は第1の定電流源の一
    端に接続され、この第1の定電流源の他端はアースに接
    続され、出力端子はこの第1の抵抗の他端と第1の定電
    流源の一端に接続され、入力端子に直流成分抽出回路の
    一端が接続され、この直流成分抽出回路の他端は第2の
    バッファの一端に接続され、この第2のバッファの他端
    は第2の抵抗の一端に接続され、この第2の抵抗の他端
    は第2の定電流源の一端に接続され、この第2の定電流
    源の他端はアースに接続され、この第2の抵抗の他端は
    オペアンプの反転端子に接続され、このオペアンプの非
    反転端子は基準電圧が印加される基準端子に接続され、
    このオペアンプの出力は第1および第2の定電流源の電
    流値を制御する制御端子に接続され、入力信号のDC成
    分の変動が修正された一定のシフトレベルを有する出力
    電圧を得ることを特徴とするレベルシフト回路。
  3. 【請求項3】 入力端子は第1のバッファの一端に接続
    され、この第1のバッファの他端は第1の抵抗の一端に
    接続され、この第1の抵抗の他端は第1の定電流源の一
    端に接続され、この第1の定電流源の他端は電源に接続
    され、出力端子はこの第1の抵抗の他端に接続され、入
    力端子に直流成分抽出回路の一端が接続され、この直流
    成分抽出回路の他端は第2のバッファの一端に接続さ
    れ、この第2のバッファの他端は第2の抵抗の一端に接
    続され、この第2の抵抗の他端は第2の定電流源の一端
    に接続され、この第2の定電流源の他端は電源に接続さ
    れ、この第2の抵抗の他端はオペアンプの反転端子に接
    続され、このオペアンプの非反転端子は基準電圧が印加
    される基準端子に接続され、このオペアンプの出力は第
    1および第2の定電流源の電流値を制御する制御端子に
    接続され、入力信号のDC成分の変動が修正された一定
    のシフトレベルを有する出力電圧を得ることを特徴とす
    るレベルシフト回路。
  4. 【請求項4】 請求項1または2記載のレベルシフト回
    路において、 第1および第2のバッファは、その入力がトランジスタ
    のベースに接続され、その出力がトランジスタのエミッ
    タに接続され、電源がトランジスタのコレクタに接続さ
    れ、 第1および第2の定電流源はミラー回路で構成されるこ
    とを特徴とするレベルシフト回路。
  5. 【請求項5】 請求項3記載のレベルシフト回路におい
    て、 第1および第2のバッファは、その入力がトランジスタ
    のベースに接続され、その出力がトランジスタのエミッ
    タに接続され、アースがトランジスタのコレクタに接続
    され、 第1および第2の定電流源はミラー回路で構成されるこ
    とを特徴とするレベルシフト回路。
  6. 【請求項6】 請求項1、2または3記載のレベルシフ
    ト回路において、 第1および第2のバッファは、その入力レベルと出力レ
    ベルの差がトランジスタのベースとエミッタ間の電圧V
    BEよりも小さく、 第1および第2の定電流源はミラー回路で構成されるこ
    とを特徴とするレベルシフト回路。
  7. 【請求項7】 請求項6記載のレベルシフト回路におい
    て、 第1または第2のバッファ回路は、電源がトランジスタ
    のコレクタに接続され、そのトランジスタのエミッタが
    定電流源の一端に接続され、この定電流源の他端はアー
    スに接続され、このバッファ回路の出力端子はトランジ
    スタのエミッタに接続され、この接続点はオペアンプの
    反転端子に接続され、このバッファ回路の入力端子はオ
    ペアンプの非反転端子に接続され、このオペアンプの出
    力端子はトランジスタのベースに接続されることを特徴
    とするレベルシフト回路。
  8. 【請求項8】 請求項1又は2記載のレベルシフト回路
    において、 前記オペアンプは、第1、第2のNPNトランジスタと
    第3、第4のPNPトランジスタから構成され、第1の
    NPNトランジスタのベースはオペアンプの非反転端子
    を構成し、第2のNPNトランジスタのベースはオペア
    ンプの反転端子を構成し、第2のNPNトランジスタの
    コレクタはオペアンプの出力端子を構成し、第3及び第
    4のPNPトランジスタのエミッタは電源に接続され、
    第3及び第4のPNPトランジスタのコレクタは第1及
    び第2のNPNトランジスタのコレクタにそれぞれ接続
    され、第3及び第4のPNPトランジスタのベースは共
    通に接続され、第3と第4のPNPトランジスタのベー
    スの共通接続点は第3のPNPトランジスタのコレクタ
    に接続されることを特徴とするレベルシフト回路。
  9. 【請求項9】 請求項3記載のレベルシフト回路におい
    て、 前記オペアンプは、第1、第2のPNPトランジスタと
    第3、第4のNPNトランジスタから構成され、第1の
    PNPトランジスタのベースはオペアンプの非反転端子
    を構成し、第2のPNPトランジスタのベースはオペア
    ンプの反転端子を構成し、第2のPNPトランジスタの
    コレクタはオペアンプの出力端子を構成し、第3及び第
    4のNPNトランジスタのエミッタはアースに接続さ
    れ、第3及び第4のNPNトランジスタのコレクタは第
    1及び第2のPNPトランジスタのコレクタにそれぞれ
    接続され、第3及び第4のNPNトランジスタのベース
    は共通に接続され、第3と第4のNPNトランジスタの
    ベースの共通接続点は第3のNPNトランジスタのコレ
    クタと接続されることを特徴とするレベルシフト回路。
  10. 【請求項10】 請求項1,2,3,6,7又は8記載
    のレベルシフト回路において、 直流成分抽出回路はローパスフィルタ、ピークホールド
    回路またはサンプルホールド回路から構成されることを
    特徴とするレベルシフト回路。
JP6325303A 1994-12-27 1994-12-27 レベルシフト回路 Pending JPH08181546A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6325303A JPH08181546A (ja) 1994-12-27 1994-12-27 レベルシフト回路
US08/490,615 US5576638A (en) 1994-12-27 1995-06-15 Level shift circuit with DC component extraction and controlled current mirrors
DE19526028A DE19526028C2 (de) 1994-12-27 1995-07-17 Potentialschieberschaltung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6325303A JPH08181546A (ja) 1994-12-27 1994-12-27 レベルシフト回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08181546A true JPH08181546A (ja) 1996-07-12

Family

ID=18175316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6325303A Pending JPH08181546A (ja) 1994-12-27 1994-12-27 レベルシフト回路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5576638A (ja)
JP (1) JPH08181546A (ja)
DE (1) DE19526028C2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006080583A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Nec Micro Systems Ltd 入力回路
JP2014072646A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Lapis Semiconductor Co Ltd 電圧出力装置及び電圧出力装置のオフセットキャンセル方法
JP2015159462A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 日本電信電話株式会社 ボルテージフォロア回路
JP2020195103A (ja) * 2019-05-30 2020-12-03 株式会社日立製作所 増幅回路

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE510612C2 (sv) * 1996-11-08 1999-06-07 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande och anordning för att Likströmsmässigt anpassa en första krets till minst en andra krets
BR0006099A (pt) * 1999-05-06 2001-04-03 Koninkl Philips Electronics Nv Arranjo de circuito, e, dispositivo para ler e/ou escrever informação em uma portadora de informação óptica
US6404223B1 (en) 2001-01-22 2002-06-11 Mayo Foundation For Medical Education And Research Self-terminating current mirror transceiver logic
JP2006073955A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Fujitsu Ltd 半導体装置、設計装置、レイアウト設計方法、プログラム及び記録媒体
TWI458261B (zh) * 2011-12-27 2014-10-21 Acbel Polytech Inc Digital controller with level conversion function and its level conversion circuit
KR101355339B1 (ko) * 2012-10-30 2014-02-05 엘에스산전 주식회사 양방향 디시-디시 컨버터 제어 장치 및 그 제어 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4492882A (en) * 1980-06-27 1985-01-08 Westinghouse Electric Corp. Integrated circuit for chip op/amp interface
US4405901A (en) * 1981-02-23 1983-09-20 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Signal processing circuit
US4703199A (en) * 1985-04-03 1987-10-27 Intersil, Inc. Non-restricted level shifter
JPH01226213A (ja) * 1988-03-04 1989-09-08 Mitsubishi Electric Corp ドライバ回路
JPH01236812A (ja) * 1988-03-17 1989-09-21 Nec Corp レベルシフト回路
NL8901170A (nl) * 1989-05-10 1990-12-03 Philips Nv Geintegreerde schakeling met een signaalniveauconverter.
US5097144A (en) * 1990-04-30 1992-03-17 International Business Machines Corporation Driver circuit for testing bi-directional transceiver semiconductor products

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006080583A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Nec Micro Systems Ltd 入力回路
JP2014072646A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Lapis Semiconductor Co Ltd 電圧出力装置及び電圧出力装置のオフセットキャンセル方法
JP2015159462A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 日本電信電話株式会社 ボルテージフォロア回路
JP2020195103A (ja) * 2019-05-30 2020-12-03 株式会社日立製作所 増幅回路

Also Published As

Publication number Publication date
DE19526028C2 (de) 1997-03-20
US5576638A (en) 1996-11-19
DE19526028A1 (de) 1996-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6429700B1 (en) Driver circuit with output common mode voltage control
US5192884A (en) Active filter having reduced capacitor area but maintaining filter characteristics
JPH08181546A (ja) レベルシフト回路
JP2853763B2 (ja) 増幅回路
JP2774881B2 (ja) ガンマ補正回路
JPS6155288B2 (ja)
US4425551A (en) Differential amplifier stage having bias compensating means
US5623229A (en) Compensation circuit for input stage of high speed operational amplifier
US4745370A (en) Adjustable phase shift circuit
US20030107429A1 (en) Current source circuit
US11418159B2 (en) Differential signal offset adjustment circuit and differential system
US20210104980A1 (en) Linear amplifier
US6191635B1 (en) Level shifting circuit having a fixed output common mode level
EP0129936B1 (en) Current source circuit arrangement
US6307418B1 (en) Rectifier circuit
JPH0669140B2 (ja) レベルシフト回路
US5412345A (en) Amplifier arrangement having a relatively stable reference potential
US6781442B2 (en) Self-bias adjustment circuit
KR100209473B1 (ko) 광대역 증폭 회로
JP3430415B2 (ja) 差動増幅器
JP3114927B2 (ja) 電流供給回路とこれを用いたフィルター回路
JP3105716B2 (ja) カレントミラー回路
JPH03154508A (ja) 増幅器回路
JPS626361B2 (ja)
JPH06260925A (ja) レベルシフト回路