JPH05327129A

JPH05327129A - 半導体レーザ装置及びこれを用いた光ピックアップ装置

Info

Publication number: JPH05327129A
Application number: JP4130934A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Ikegame; 哲夫池亀
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1992-05-22
Filing date: 1992-05-22
Publication date: 1993-12-10
Anticipated expiration: 2018-01-07
Also published as: JP3361335B2

Abstract

(57)【要約】【目的】製造コストが低く、半導体基板に形成する光
ビーム反射面の形状の自由度が高く、装置の薄型化を図
れる半導体レーザ装置とする。【構成】金属製の基台（ブロック１）上に半導体レー
ザチップ（レーザダイオード２）を固定し、基台に半導
体レーザチップからの光ビームを所要方向に反射させる
反射面（３）を形成することにより、反射面（３）の形
状の自由度を高くし、また反射面（３）を介して半導体
レーザ装置から出射するようにして装置の出射方向の寸
法を薄くし、また構成の簡素化を図ることにより製造コ
ストを低くするようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ピックアップ装置等
に用いる半導体レーザ装置及びこれを用いた光ピックア
ップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、光ピックアップ装置では、記録
媒体に光ビームを照射し、記録された情報の読み取りを
行う。この光ピックアップ装置は、光ビームの発生源と
して例えば半導体レーザ装置を用い、ここから発生した
光ビームを記録媒体に形成された記録トラック上にビー
ムスポットとして照射させ、記録媒体からの反射光を光
検出手段に導き各種の信号を得るようにしている。この
半導体レーザ装置は、以下に示すように種々提案されて
いる。

【０００３】特開平２−１２５６８７号公報の中には、
図９に示すような半導体レーザが開示されている（従来
例１）。これによると、環状のステム５０にレーザチッ
プ支持片５１が一体に形成され、ここにレーザダイオー
ド素子５２がボンディングされている。さらにステム５
０には円板状の金属製ベース５３が嵌合されており、こ
のベース５３には３本のリード５４が設けられている。
また、レーザダイオード素子５２、フォトダイオードの
電極と、リード５４とはコネクトワイヤ５５で接続され
ている。さらに、ステム５０の上面には前記レーザダイ
オード素子５２等を覆う金属製キャップ５６が設けられ
ている。なお、金属製キャップ５６の上面には光透過孔
５７が形成されており、ガラス等の透明板５８で閉塞さ
れている。

【０００４】上記従来例１は、製造する場合にベース５
３にリード５４のうちの２本を絶縁ガラス５９を介して
貫通状に固定しなければならない。さらに、ベース５３
をレーザダイオード素子５２が或いは、レーザダイオー
ド素子５２およびサブマウント６０がボンディイングさ
れたステム５０に固着しなければならない。さらに、キ
ャップ５６を金属で成形加工後、透明板５８で光透過孔
５７を閉塞しなければならず、キャップ５６もステム５
０に電気溶接しなければならない。したがって、半導体
レーザ装置の製造工程が多くなるとともに、コストダウ
ンを図ることが極めて困難になるという不具合いがあ
る。

【０００５】この不具合いを解決するための手段とし
て、上記従来例１には図１０に示すような内容が開示さ
れている（従来例２）。これによると、金属製の基板６
１の一端部が幅広に形成されており、この幅広部分６２
上にシリコン製のサブマウント６３がボンディングされ
ている。さらに、サブマウント６３上にはモニタ用フォ
トダイオード６４が形成され、レーザダイオード素子６
５がボンディングされている。なお、レーザダイオード
素子６５の光出射端面６６は前記幅広部分６２の先端面
６７、前記サブマウント６３の先端面６８と略面一とな
るようにされている。

【０００６】また、基板６１の狭小部分の両側にはリー
ド６９、７０が平行に配設されており、リード６９とレ
ーザダイオード素子６５の電極とはコネクトワイヤ７１
で接続されている。さらに、リード７０とフォトダイオ
ード６４の電極とはコネクトワイヤ７２で接続されてい
る。さらに、レーザダイオード素子６５、サブマウント
６３等は光透過性樹脂７３で封止されている。

【０００７】しかし図１０に示してある従来例２は半導
体レーザ装置の出射光軸方向の寸法Ｈが大きくなってし
まうという問題、さらに半導体レーザ装置からの出射光
軸が、レーザダイオード素子６５の取り付け面と直交す
るようになっているので、半導体レーザ装置からの出射
光の戻り光を受光する受光素子と一体化しにくく、製造
効率が悪いという不具合いがある。

【０００８】この不具合いを解決するための手段とし
て、上記従来例には図１１に示すような内容が開示され
ている（従来例３）。これによると、金属板の表面に絶
縁膜を介して配線した金属基板７４の上にビームスプリ
ッタ７５および戻り光検出用の分割フォトダイオード７
６を設け、レーザダイオード素子７７からの光ビームを
ビームスプリッタ７５により上方に反射させるようにし
ている。このように構成することにより、低価格でコン
パクトな光ピックアップとすることができる。

【０００９】また、図１０に示すような従来例の不具合
を解決するための手段として、図１２に示すような内容
が特開昭６４−４６２４３号公報に開示されている（従
来例４）。これによると、半導体基板７８の上面に光検
出部７９、８０を形成し、これら光検出部より低く形成
された段差部分に半導体レーザ素子８１およびモニタ用
光検出部８２が設けられている。さらに、半導体レーザ
素子８１の出射方向である半導体基板７８には傾斜面８
３が形成されている。また、前記傾斜面８３には全反射
グレーティング部８４が設けられており、半導体基板７
８の上方に配設されているカバー部材８５の上面にはホ
ログラムにより形成されるビームスプリッタ８６が設け
られている。

【００１０】また、図１３に示すような内容が実開昭６
２−３６２８号公報に開示されている（従来例５）。こ
れによると、レーザ光源８７からの光線を反射させる反
射板８８がビームスプリッタ８９、コリメートレンズ９
０等が収納され光路を形成する筐体９１と一体に形成さ
れている。なお、レーザ光源の具体的内容については開
示されていない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記図１
１〜図１３に示した従来例（３〜５）においても、以下
のような不具合がある。先ず図１１に示すものは、レー
ザダイオード素子７７からの出射光ビームを上方に反射
させる手段としてビームスプリッタ７５を用いている。
ところが、このビームスプリッタ７５は磨いたガラスの
接合面に所要の素材をコーティングした物を用いるの
で、半導体レーザ装置のコストアップを招いてしまうと
いう不具合いがある。また図１１に示すものは、レーザ
ダイオード素子７７、分割フォトダイオード７６を設け
た金属基板７４に、ビームスプリッタ７５を付加するよ
うに設ける構成であるので、レーザダイオード素子７
７、分割フォトダイオード７６とビームスプリッタ７５
との位置精度を確保しにくく、半導体レーザ装置を適正
に製造することが困難であるという不具合がある。

【００１２】次に図１２に示すものは、半導体レーザ素
子８１の出射方向である半導体基板７８に傾斜面８３を
シリコン等の半導体基板をエッチング加工等により形成
しているので、傾斜面８３の半導体レーザ素子８１や分
割フォトダイオードに対する位置精度を確保することに
問題はない。しかしながら、半導体基板に傾斜面を形成
する場合、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度の加工を要する
ので、加工が容易でないという不具合がある。さらに傾
斜面は、半導体基板の材質の結晶面に限定されるので、
形成角度に自由度がないとともに、平面状の傾斜面しか
形成できないという不具合がある。

【００１３】次に図１３に示すものは、光ピックアップ
の筐体９１の一部に反射板８８を形成している構成のみ
が開示されており、レーザ光源８７自体の薄型化等につ
いては何ら配慮されていない。さらに、レーザ光源８７
と反射板８８との距離が離れているので、反射面を大き
くとらなければならないとともに、反射面を形成する際
の精度が出しにくいという不具合がある。

【００１４】本発明は、上記の不具合を解決すべく提案
されるもので、製造コストが低く、半導体基板に形成す
る光ビーム反射用傾斜面の形状の自由度が高く、装置の
薄型化を図れる半導体レーザ装置及びこれを用いた光ピ
ックアップ装置を提供することを目的としたものであ
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、金属製の基台上に半導体レーザチップを
固定し、前記基台に前記半導体レーザチップからの光ビ
ームを所要方向に反射させる反射面を形成した半導体レ
ーザ装置及びこれを用いた光ピックアップ装置としたも
のである。

【００１６】

【作用】このように半導体レーザチップを固定する金属
製の基台を加工することにより反射面を形成するように
しているので、反射面の形状の自由度が高い。また、半
導体レーザチップからの光ビームを前記の基台に形成し
た反射面を介して半導体レーザ装置から出射するように
しているので、半導体レーザ装置の出射方向の寸法を薄
くできる。また、以上のようにして構成する半導体レー
ザは、簡素な構成であるので製造コストを低下できる。
又、この半導体レーザ装置を用いた光ピックアップ装置
を小型、薄型にできる。

【００１７】

【実施例】以下、図面にしたがい本発明の実施例を説明
していく。図１、図２は、本発明の第１実施例を示した
もので、斜視図と要部断面図である。ブロック１は、板
状の金をプレス成形し後述するレーザダイオード２等を
設けるものである。このブロック１のレーザダイオード
２からの光ビーム出射方向には、角度が４５°のビーム
反射面３を形成するとともに、ブロック１上面にはレー
ザダイオード２、後述するフォトダイオード４のそれぞ
れの取り付け部５、６を形成する。

【００１８】また、レーザダイオード２の取り付け部５
には、レーザダイオード２の成長層側の電極７をＩｎロ
ー材等を介してマウントしている。この場合、レーザダ
イオード２はＸ方向を取り付け部５の面８に、Ｙ方向を
取り付け部５の面９に当て付けることにより前記ビーム
反射面３に対する位置精度を確保する。さらに、取り付
け部６にはコーナーに位置決めしながらフォトダイオー
ド４の裏面１０の電極をＩｎロー材等を介してマウント
している。

【００１９】また、ブロック１は第１のリードフレーム
１１上にマウントされているが、第１のリードフレーム
１１は凹溝を介して連続する部分を有し、その近傍には
第２のリードフレーム１２、第３のリードフレーム１３
が配設されており、レーザダイオード２の電極と第２の
リードフレーム１２、およびフォトダイオード４の電極
と第３のリードフレーム１３はそれぞれコネクトワイヤ
１４、１５によりボンディングされている。

【００２０】上記のブロック１、リードフレーム１１、
１２、１３等は、それぞれのリードフレームの一部が突
出状態にエポキシ樹脂等の透明なプラスチックから成る
パッケージ１６でカバーされている。第１のリードフレ
ーム１１のＹ方向端部近傍には、基準孔１７、１８が形
成されており、基準孔のＸ方向の位置は、パッケージ１
６から出射する光軸と一致するようにされている。ま
た、基準孔１８に対してパッケージ１６から出射する光
軸とＹ方向の寸法精度を確保している。

【００２１】次に、以上のように構成されている本実施
例の動作を説明する。レーザダイオード２からＸ（−）
方向に出射した光ビームは、ブロック１の反射面３で光
路をＺ（＋）方向に曲げられ、ブロック１のＸ方向平面
に対して垂直に出射される。一方、レーザダイオード２
からＸ（＋）方向に出射された光ビームは、フォトダイ
オード４の受光面１９に入射し、フォトダイオード４は
レーザダイオード２の後方出射モニタとして作用する。
レーザダイオード２から出射された光ビームは、パッケ
ージ１６から出射し、所要の光学素子を通過して記録媒
体の記録面にビームスポットとして照射されるのであ
る。

【００２２】このように動作する本実施例は、レーザダ
イオード２からの光ビームを反射面３で一度反射させた
後に半導体レーザ装置から出射させているので、半導体
レーザ装置の出射方向の寸法を小さくできる。さらにレ
ーザダイオード２を設けてあるブロック１を金で形成し
ているので、レーザダイオード２の放熱特性が良い。さ
らにレーザダイオード２、フォトダイオード４の取り付
け部が形成されているので、位置合わせが容易でそれら
の取り付け精度が良い。さらに半導体レーザ装置には取
り付け時に、出射光軸に対して位置関係を出すための基
準孔が形成されているので、半導体レーザ装置の取り付
け精度が良い。

【００２３】図３は、本発明の第２実施例に係る装置の
要部断面図である。第１実施例と対応する箇所には同一
符号を付した（以下の実施例についても同様）。本実施
例ではレーザダイオード２からの光ビームが入射し、反
射される反射面３が略凹面形状（略円筒面）に形成され
ている。また、パッケージ上面１６ａの光ビーム通過部
分には、回折格子１６ｂが樹脂で一体成形されている。
なお、パッケージ１６の光ビーム通過部分には、回折格
子１６ｂに限らずホログラム素子やレンズ等を設けるこ
ともできる。他の構成については、第１実施例と同様で
あるので説明を省略する。

【００２４】次に本実施例の動作を説明すると、レーザ
ダイオード２からＸ（−）方向に出射した光ビームは、
反射面３によりＺ（＋）方向に反射される。この反射光
は反射面３が凹面であるため、第１実施例に比較してＸ
方向に多少収束ぎみにビーム成形される。さらに反射光
は、回折格子１６ｂに入射し、０次光と±１次回折光に
回折され半導体レーザ装置から出射していく。半導体レ
ーザ装置からの出射光は、図示していない対物レンズを
透過し記録媒体である光ディスク上に３つの光スポット
を照射する。したがって、トラッキングエラー検出はい
わゆる３ビーム法により行われる。

【００２５】本実施例では、反射面３がビーム成形機能
を有しているので、他のプリズム等の光学素子を不要と
し、半導体レーザ装置を用いた光ピックアップ等の構成
をより簡素化できる。さらに、反射面３はレーザダイオ
ード２をマウントする部材に形成しているので、レーザ
ダイオード２に対する位置精度を確保しやすい等の他の
効果については第１実施例と同様である。

【００２６】図４は、本発明の第３実施例を示す要部断
面図である。本実施例は、第１実施例の変形例ともいう
べきものであり、反射面３に回折格子２０をプレスによ
り同時に一体成形している。なお、回折格子２０に限ら
ずホログラム素子やレンズ等を設けることもできる。他
の構成については、第１実施例と同様であるので説明を
省略する。このように構成されているので、レーザダイ
オード２から出射された光ビームは、反射面３でＺ
（＋）方向に反射させるとともに、光ビームを０次光と
±１次回折光に回折させることができる。

【００２７】図５は、本発明の第４実施例を示す要部断
面図である。本実施例では、第１のリードフレーム１１
を形成する場合、ほぼ中央位置をプレス成形により凹部
２１およびこの凹部２１に連続する反射面３、２２を形
成する。反射面３は４５°の傾斜角を有し、反射面２２
は３０°の傾斜角を有するように形成してあるととも
に、これら反射面３、２２の表面に反射率を高くするた
めの金メッキを施してある。また、凹部２１にはレーザ
ダイオード２をマウントし、反射面２２の上部には下面
を受光面１９とするようにしたフォトダイオード４をマ
ウントする。このように前記各実施例のごとくブロック
を設けていないが、他の構成については、第１実施例と
ほぼ同様であるので説明を省略する。

【００２８】次に本実施例の動作の説明をすると、レー
ザダイオード２からＸ（−）方向に出射された光ビーム
は、４５°の傾斜角を有する反射面３で反射されてＺ
（＋）方向に出射される。一方、レーザダイオード２の
Ｘ（＋）方向に出射された光ビームは３０°の傾斜角を
有する反射面２２で反射されてフォトダイオード４の受
光面１９に入射し、フォトダイオード４はレーザダイオ
ード２の後方出射モニタとして作用する。レーザダイオ
ード２から出射された光ビームは、パッケージ１６から
出射し、所要の光学素子を通過して記録媒体の記録面に
ビームスポットとして照射されるのである。

【００２９】本実施例はこのように構成されており、リ
ードフレーム１１を直接プレス成形して反射面３、２２
を形成しているので、ブロックを要することなく少ない
部品点数で構成することができ、またリードフレーム１
１に対する光軸の精度も確保しやすい。他の効果につい
ては、第１実施例と同様である。なお、本実施例ではリ
ードフレームに金メッキを施し反射面としたが金メッキ
は無くともよい。又リードフレームを例えば金をクラッ
ドにしたリードフレームをプレス成形したものでもよ
い。

【００３０】図６、図７は、本発明の第５実施例を示し
たもので、要部断面図と光路の説明図である。本実施例
では板状の金をプレス成形してブロック１を形成するに
あたり、レーザダイオード２を固定する凹部５と、その
前後に反射面３、２３を形成している。これら反射面
３、２３の傾斜角度θは４５°よりも小さい角度に設定
している。他の構成については、第１実施例と同様であ
るので説明を省略する。

【００３１】次に本実施例の動作を説明すると、レーザ
ダイオード２のＸ（−）方向に出射された光ビームは反
射面３に入射し、Ｘ（＋）方向に出射した光ビームは反
射面２３に入射する。なお、Ａ、Ｂはレーザダイオード
２のＸ（−）、Ｘ（＋）方向の発光点を示したものであ
る。反射面３、２３で反射された光ビームは、図７に示
すように光ピックアップに組み込んだ半導体レーザ装置
から対物レンズ２４を透過し、記録媒体２５に照射され
るようになっている。

【００３２】本実施例の場合、半導体レーザ装置から出
射される光ビームは、２つの反射面３、２３で反射され
ることにより、それぞれが対物レンズ２４に入射し集光
されるので、記録媒体２５上には２つのビームスポット
が結像される。この２つのビームスポットは、記録媒体
２５の離れ合う２本の記録トラック上に１つづつ位置さ
せ、２本の記録トラックを同時に記録、再生を行う。

【００３３】ここで、反射面を図７に示すように仮に３
ａ、２３ａ（破線）のごとく４５°に形成した場合、発
光点Ａから出射した光ビームの像はＡ１ａの位置であ
り、反射面３ａで反射され、対物レンズ２４を透過して
記録媒体２５に結像されるビームスポットの位置はＡ２
ａである。次に、発光点Ｂから出射した光ビームの像は
Ｂ１ａの位置であり、反射面３ａで反射され、対物レン
ズ２４を透過して記録媒体２５に結像されるビームスポ
ットの位置はＢ２ａである。

【００３４】一方、本実施例の場合は、反射面３、２３
の傾斜角度θは４５°より角度φだけ小さく形成されて
いるので、発光点Ａから出射した光ビームの像はＡ１の
位置にあり、この位置は前記Ａ１ａに比較して発光点Ａ
から反射面３までの距離ｌとするとｌsin(２φ）だけ光
軸２６に近い。発光点Ｂから出射した光ビームについて
も同様である。したがって、反射面３で反射され、対物
レンズ２４を透過して記録媒体２５に結像されるビーム
スポットの位置はＡ２となり、光軸２６に近くなる。反
射面２３で反射され記録媒体２５に結像されるビームス
ポットはＢ２となり、同様に光軸２６に近くなる。以上
のごとく、反射面の傾斜角θが前記４５°の場合に比較
して２つのビームスポットＡ２、Ｂ２の間隔を小さくす
ることができる。

【００３５】上記のごとく、光スポットＡ２、Ｂ２の間
隔を小さくできるので、対物レンズの軸外性能の範囲を
小さくでき、対物レンズ２４の小型化を図れる。さら
に、ビームスポットが円状の記録トラックに対して接線
方向にずれた場合の、ビームスポットの記録トラックに
対する半径方向のずれを小さくできるので、正確な記
録、再生が可能となる。なお、本実施例の場合は１つの
光源であるレーザダイオード２の前後の出射光を用い
て、２つのビームスポットを形成し、それらの間隔を小
さくできるので構成の複雑化を招くことがない。

【００３６】本実施例においては、反射面３、２３の傾
斜角度を自由に設定することによって、記録媒体２５上
のビームスポットの位置を任意に変更することができ
る。また、反射面の角度θを４５°より大にすることで
光スポット間隔を広げることもできる。また、反射面
３、２３をＸ軸回りに傾けることによりビームスポット
をＹ方向に移動させることもできる。

【００３７】図８は、本発明の第６実施例を示したもの
で光ピックアップ装置に適用した例である。板状の金を
成形した基台１上にはレーザダイオード２がマウントさ
れ、光ビームはＸ方向（紙面に垂直方向）に出射される
ようになっている。図８においては、光ビームが基台１
に形成された図示されていない反射面によりＺ（＋）方
向に反射されている状態を示している。なおこの図示さ
れていない反射面は、図４に示された反射面３と同様に
回折格子が形成されており、反射光をＸ方向に３つの光
ビームに分けるようになっている。

【００３８】また、基台１には反射された光ビームは非
点収差を有し、焦点位置が長くなるようにされた突起状
の反射面２７が形成され、さらに、基台１上に４角を位
置決めされたフォトダイオード２８がマウントされてい
る。また、レーザダイオード２、フォトダイオード２８
等をカバーするように配設されているパッケージ１６の
上面１６ａには、ホログラム１６ｂが形成されている。
以下、本実施例の動作を説明する。

【００３９】前記図示されていない反射面でＺ（＋）方
向に反射された反射光は、パッケージ１６を透過し、対
物レンズ２４に入射し集光された光ビームは記録媒体２
５上にビームスポットを結ぶ。記録媒体で反射された光
ビームは、再び対物レンズ２４を経てパッケージ１６の
上面に形成されているホログラム１６ｂに入射する。こ
のホログラム１６ｂにより回折された１次回折光は、基
台１上に形成されている反射面２７に入射する。反射面
２７でパッケ−ジ上面１６ａ方向に反射された光ビーム
は、パッケージ上面１６ａで反射されフォトダイオード
２８に入射する。このフォトダイオード２８の出力によ
りトラッキングエラー信号は３ビーム法により、フォー
カスエラー信号は非点収差法により得られる。

【００４０】なお、本実施例の場合、突起状の反射面２
７に代えて反射型のホログラム等を形成するようにして
もよい。さらに、ブロック１の材質は板状の金に代えて
アルミニューム、銀等の他の材質を用いてもよい。

【００４１】

【発明の効果】以上のごとく本発明によれば、レーザダ
イオードから出射する光ビームを反射する面をレーザダ
イオードを固定する金属の基台を成形することにより構
成しているので、成形加工が容易で半導体レーザ装置の
製造コストを安くできる。また、前記反射面は傾斜角
度、形状の成形自由度が高い。また、金属の基台上にレ
ーザダイオードをマウントしているので、効率よく放熱
できる。また、反射面と同時にレーザダイオードやフォ
トダイオードの位置決め部を同時成形することにより、
レーザダイオードと反射面とフォトダイオードとの相互
の位置精度を確保することができる。また、反射面をレ
ーザダイオードの発光点の近くに配設することも簡単に
でき、その結果、反射面の面積を小さくできるとともに
反射面の精度を確保できる。また、リードフレーム上に
直接反射面を成形することにより、構成の一層の簡素化
を実現でき製造コストを安くできる。また、レーザダイ
オードを固定する金属の基台の上に反射面を形成してい
るので、半導体レーザ装置の光源の薄型化を図れる。つ
まり、レーザダイオードからの出射光を反射させて、半
導体レーザ装置から出射させているので、半導体レーザ
装置の出射方向の寸法を薄くできるのである。したがっ
て、これを用いた光ピックアップ装置の小型化、薄型化
を図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る装置の斜視図である。

【図２】第１実施例の要部断面図である。

【図３】第２実施例に係る装置の要部断面図である。

【図４】第３実施例に係る装置の要部断面図である。

【図５】第４実施例に係る装置の要部断面図である。

【図６】第５実施例に係る装置の要部断面図である。

【図７】第５実施例に係る装置の光路を示す説明図であ
る。

【図８】第６実施例に係る装置の要部断面図である。

【図９】従来例に係る装置の一部切欠き斜視図である。

【図１０】従来例に係る装置の斜視図である。

【図１１】従来例に係る装置の斜視図である。

【図１２】従来例に係る装置の断面図である。

【図１３】従来例に係る装置の断面図である。

【符号の説明】

１ブロック２レーザダイオード３反射面４フォトダイオード５レーザダイオード取り付け部６フォトダイオード取り付け部７電極１０フォトダイオード裏面１１リードフレーム１６パッケージ

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年１月２８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３３】ここで、反射面を図７に示すように仮に３
ａ、２３ａ（破線）のごとく４５°に形成した場合、発
光点Ａの反射面３ａによる像はＡ１ａの位置であり、反
射面３ａで反射され、対物レンズ２４を透過して記録媒
体２５に結像されるビームスポットの位置はＡ２ａであ
る。次に、発光点Ｂの反射面２３ａによる像はＢ１ａの
位置であり、反射面３ａで反射され、対物レンズ２４を
透過して記録媒体２５に結像されるビームスポットの位
置はＢ２ａである。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３４】一方、本実施例の場合は、反射面３、２３
の傾斜角度θは４５°より角度φだけ小さく形成されて
いるので、発光点Ａの反射面３による像はＡ１の位置に
あり、この位置は前記Ａ１ａに比較して発光点Ａから反
射面３までの距離ｌとするとｌsin(２φ）だけ光軸２６
に近い。発光点Ｂの反射面２３による像Ｂ１についても
同様である。したがって、反射面３で反射され、対物レ
ンズ２４を透過して記録媒体２５に結像されるビームス
ポットの位置はＡ２となり、光軸２６に近くなる。反射
面２３で反射され記録媒体２５に結像されるビームスポ
ットはＢ２となり、同様に光軸２６に近くなる。以上の
ごとく、反射面の傾斜角θが前記４５°の場合に比較し
て２つのビームスポットＡ２、Ｂ２の間隔を小さくする
ことができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属製の基台上に半導体レーザチップを
固定し、前記基台に前記半導体レーザチップからの光ビ
ームを所要方向に反射させる反射面を形成したことを特
徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】前記基台に前記半導体レーザチップ及び
／又はフォトダイオードの位置決め部を形成したことを
特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】前記基台は、リードフレームであること
を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】金属製の基台上に半導体レーザチップを
固定し、前記基台に前記半導体レーザチップからの光ビ
ームを反射させる反射面と、前記半導体レーザチップか
らの光ビームを記録媒体上に集光する光学素子と、前記
記録媒体からの光を受光する受光素子を形成したことを
特徴とする光ピックアップ装置。