JPH05327084A - 半導体レーザアレー駆動回路 - Google Patents
半導体レーザアレー駆動回路Info
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- JPH05327084A JPH05327084A JP15136192A JP15136192A JPH05327084A JP H05327084 A JPH05327084 A JP H05327084A JP 15136192 A JP15136192 A JP 15136192A JP 15136192 A JP15136192 A JP 15136192A JP H05327084 A JPH05327084 A JP H05327084A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の半導体レーザ間の熱干渉による光出力
の変動を補正する。 【構成】 例えば、半導体レーザ素子LD2 とLD3 とを駆
動する場合、駆動用トランジスタのベースＢ2 ，Ｂ3 に
はそれぞれ駆動電流が流れるとともに、入力端子Ｐ2 ，
Ｐ3 からの駆動電圧に比例する電流、即ち、互いの熱干
渉による光出力低下分に相当する電流が、入力端子Ｐ2
〜抵抗Ｒ2 〜コンデンサＣ2 〜抵抗Ｒ23を介してトラン
ジスタのベースＢ3 に、また入力端子Ｐ3 〜抵抗Ｒ3 〜
コンデンサＣ3 〜抵抗Ｒ32を介してトランジスタのベー
スＢ2 に通電開始の所定時間後に追加され、熱干渉によ
る光出力低下分を補正する。
の変動を補正する。 【構成】 例えば、半導体レーザ素子LD2 とLD3 とを駆
動する場合、駆動用トランジスタのベースＢ2 ，Ｂ3 に
はそれぞれ駆動電流が流れるとともに、入力端子Ｐ2 ，
Ｐ3 からの駆動電圧に比例する電流、即ち、互いの熱干
渉による光出力低下分に相当する電流が、入力端子Ｐ2
〜抵抗Ｒ2 〜コンデンサＣ2 〜抵抗Ｒ23を介してトラン
ジスタのベースＢ3 に、また入力端子Ｐ3 〜抵抗Ｒ3 〜
コンデンサＣ3 〜抵抗Ｒ32を介してトランジスタのベー
スＢ2 に通電開始の所定時間後に追加され、熱干渉によ
る光出力低下分を補正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハにアレー状に集
積された複数の半導体レーザを駆動する回路に関する。
積された複数の半導体レーザを駆動する回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、各半導体レーザ素子の光出力を
個別に制御する従来の半導体レーザアレー駆動回路の回
路図である。駆動電圧の入力端子Ｐ1 〜Ｐ4 は抵抗ＲB1
〜ＲB4を介して、半導体レーザ素子LD1 〜LD4 それぞれ
の駆動用トランジスタのベースＢ1 〜Ｂ4 に接続され、
トランジスタのコレクタは抵抗を介して半導体レーザ素
子LD1 〜LD4 のカソードと各別に接続され、エミッタは
抵抗を介して接地されている。また半導体レーザ素子LD
1 〜LD4 のアノードは接地されている。
個別に制御する従来の半導体レーザアレー駆動回路の回
路図である。駆動電圧の入力端子Ｐ1 〜Ｐ4 は抵抗ＲB1
〜ＲB4を介して、半導体レーザ素子LD1 〜LD4 それぞれ
の駆動用トランジスタのベースＢ1 〜Ｂ4 に接続され、
トランジスタのコレクタは抵抗を介して半導体レーザ素
子LD1 〜LD4 のカソードと各別に接続され、エミッタは
抵抗を介して接地されている。また半導体レーザ素子LD
1 〜LD4 のアノードは接地されている。
【０００３】入力端子Ｐ1 , Ｐ2 , …に基準電圧Ｖ1 ，
Ｖ2 ，…を入力し、トランジスタのベース電流ＩB1，Ｉ
B2, …を制御することにより、この電流に比例した駆動
電流Ｉ1 ，Ｉ2 ，…が半導体レーザ素子LD1 , LD2 ，…
に印加される。
Ｖ2 ，…を入力し、トランジスタのベース電流ＩB1，Ｉ
B2, …を制御することにより、この電流に比例した駆動
電流Ｉ1 ，Ｉ2 ，…が半導体レーザ素子LD1 , LD2 ，…
に印加される。
【０００４】図８は、従来の他の半導体レーザアレー駆
動回路の回路図であって（特願平３─１１５６０４
号）、この駆動回路は１つの半導体レーザ素子の光出力
を検出してこの半導体レーザ素子を一定光出力となるよ
うに駆動し、その動作電流に応じた電圧で他の半導体レ
ーザ素子を定電流駆動するものである。
動回路の回路図であって（特願平３─１１５６０４
号）、この駆動回路は１つの半導体レーザ素子の光出力
を検出してこの半導体レーザ素子を一定光出力となるよ
うに駆動し、その動作電流に応じた電圧で他の半導体レ
ーザ素子を定電流駆動するものである。
【０００５】この従来回路は、１つの半導体レーザ素子
LD1 の出力をフォトダイオードPDで検出して半導体レー
ザ素子LD1 を一定光出力となるように駆動する APC回路
３と、 APC回路３から半導体レーザ素子LD1 の動作電流
に比例した電圧信号を検出する電圧検出回路５と、検出
した電圧信号により他の半導体レーザ素子LD2 〜LDnを
定電流駆動する ACC回路４とからなる。また、半導体レ
ーザ素子LD2 〜LDn の駆動用オペアンプはそれぞれ半導
体からなるスイッチSW2 〜SWn に接続され、その開閉に
よって半導体レーザ素子LD2 〜LDn はパルス駆動され
る。
LD1 の出力をフォトダイオードPDで検出して半導体レー
ザ素子LD1 を一定光出力となるように駆動する APC回路
３と、 APC回路３から半導体レーザ素子LD1 の動作電流
に比例した電圧信号を検出する電圧検出回路５と、検出
した電圧信号により他の半導体レーザ素子LD2 〜LDnを
定電流駆動する ACC回路４とからなる。また、半導体レ
ーザ素子LD2 〜LDn の駆動用オペアンプはそれぞれ半導
体からなるスイッチSW2 〜SWn に接続され、その開閉に
よって半導体レーザ素子LD2 〜LDn はパルス駆動され
る。
【０００６】この従来回路の動作原理を以下に説明す
る。半導体レーザ素子LD1 を駆動するトランジスタのエ
ミッタに抵抗Ｒ1 が接続されており、エミッタの電位Ｖ
1 は、半導体レーザ素子LD1 の駆動電流Ｉ1 に比例し
て、 Ｖ1 ＝Ｉ1 ・Ｒ1 となり、この端子電圧Ｖ1 を ACC回路４の基準電圧とし
て使用する。半導体レーザ素子LD2 〜LDn の駆動用トラ
ンジスタには、エミッタにそれぞれ一端が接地された抵
抗Ｒ2 〜抵抗Ｒn が接続されている。半導体レーザ素子
LD2〜LDn の駆動電流をそれぞれＩ2 ，Ｉ3 ，…Ｉn と
すると、半導体レーザ素子LD2 の駆動トランジスタのエ
ミッタの電位Ｖ2 は 、半導体レーザ素子LD2 の駆動電
流Ｉ2 に比例して、 Ｖ2 ＝Ｉ2 ・Ｒ2 となる。
る。半導体レーザ素子LD1 を駆動するトランジスタのエ
ミッタに抵抗Ｒ1 が接続されており、エミッタの電位Ｖ
1 は、半導体レーザ素子LD1 の駆動電流Ｉ1 に比例し
て、 Ｖ1 ＝Ｉ1 ・Ｒ1 となり、この端子電圧Ｖ1 を ACC回路４の基準電圧とし
て使用する。半導体レーザ素子LD2 〜LDn の駆動用トラ
ンジスタには、エミッタにそれぞれ一端が接地された抵
抗Ｒ2 〜抵抗Ｒn が接続されている。半導体レーザ素子
LD2〜LDn の駆動電流をそれぞれＩ2 ，Ｉ3 ，…Ｉn と
すると、半導体レーザ素子LD2 の駆動トランジスタのエ
ミッタの電位Ｖ2 は 、半導体レーザ素子LD2 の駆動電
流Ｉ2 に比例して、 Ｖ2 ＝Ｉ2 ・Ｒ2 となる。
【０００７】ACC回路４のオペアンプOP2 はＶ1 ＝Ｖ2
となるように動作するので、 Ｉ2 ・Ｒ2 ＝Ｉ1 ・Ｒ1 すなわち、 Ｉ2 ＝Ｉ1 ・Ｒ1 ／Ｒ2 となる。従って、Ｒ1 ＝Ｒ2 と設定しておけば、Ｉ2 ＝
Ｉ1 となり、半導体レーザ素子LD2 の光出力は半導体レ
ーザ素子LD1 の光出力と等しくなる。
となるように動作するので、 Ｉ2 ・Ｒ2 ＝Ｉ1 ・Ｒ1 すなわち、 Ｉ2 ＝Ｉ1 ・Ｒ1 ／Ｒ2 となる。従って、Ｒ1 ＝Ｒ2 と設定しておけば、Ｉ2 ＝
Ｉ1 となり、半導体レーザ素子LD2 の光出力は半導体レ
ーザ素子LD1 の光出力と等しくなる。
【０００８】図９は上述した APC回路３における半導体
レーザ素子LD1 〜LDn とフォトダイオードPDとの２種類
の配設状態を示す模式的平面図である。図９(a) は、半
導体レーザ素子LD1 から後方へ出射される出射光を受光
するように、半導体レーザ素子LD1 の後方にフォトダイ
オードPDが配設されており、半導体レーザ素子LD1 から
導波路Ｇを介して後方へ出射する出射光LBがフォトダイ
オードPDに入射するものである。また、図９(b) は、半
導体レーザ素子LD1 が出射する出射光LBのミラーＭによ
る反射光を受光する位置にフォトダイオードPDが配設さ
れている。
レーザ素子LD1 〜LDn とフォトダイオードPDとの２種類
の配設状態を示す模式的平面図である。図９(a) は、半
導体レーザ素子LD1 から後方へ出射される出射光を受光
するように、半導体レーザ素子LD1 の後方にフォトダイ
オードPDが配設されており、半導体レーザ素子LD1 から
導波路Ｇを介して後方へ出射する出射光LBがフォトダイ
オードPDに入射するものである。また、図９(b) は、半
導体レーザ素子LD1 が出射する出射光LBのミラーＭによ
る反射光を受光する位置にフォトダイオードPDが配設さ
れている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体レー
ザ素子の光出力は熱の影響により変動する。従って、半
導体ウェハに多数の半導体レーザ素子がアレー状に集積
された半導体レーザアレーでは、複数の半導体レーザ素
子を同時通電した場合、パルス駆動等による発熱で隣接
する半導体レーザ素子間に熱干渉が生じて光出力が変動
するという問題がある。
ザ素子の光出力は熱の影響により変動する。従って、半
導体ウェハに多数の半導体レーザ素子がアレー状に集積
された半導体レーザアレーでは、複数の半導体レーザ素
子を同時通電した場合、パルス駆動等による発熱で隣接
する半導体レーザ素子間に熱干渉が生じて光出力が変動
するという問題がある。
【００１０】図10は、図７に示す構成の従来回路におい
て、半導体レーザ素子LD1 をパルス電源１に接続してパ
ルス駆動（光出力30mW）し、隣接する半導体レーザ素子
LD2を ACC電源２に接続して定電流駆動（光出力30mW）
した場合の熱干渉による光出力変動の発生を示す図であ
る。図10(b) から明らかなように、半導体レーザ素子LD
1 がON状態のとき、半導体レーザ素子LD1 に発生する熱
により、半導体レーザ素子LD2 の光出力が２〜４％低下
し、半導体レーザ素子LD1 がOFF 状態になって熱の発生
がなくなると光出力が回復する。この変動量２〜４％は
光ディスク等への使用に好ましくない値である。
て、半導体レーザ素子LD1 をパルス電源１に接続してパ
ルス駆動（光出力30mW）し、隣接する半導体レーザ素子
LD2を ACC電源２に接続して定電流駆動（光出力30mW）
した場合の熱干渉による光出力変動の発生を示す図であ
る。図10(b) から明らかなように、半導体レーザ素子LD
1 がON状態のとき、半導体レーザ素子LD1 に発生する熱
により、半導体レーザ素子LD2 の光出力が２〜４％低下
し、半導体レーザ素子LD1 がOFF 状態になって熱の発生
がなくなると光出力が回復する。この変動量２〜４％は
光ディスク等への使用に好ましくない値である。
【００１１】図11は、ビーム間隔50μｍの８ビームレー
ザでの熱干渉による光出力変動の発生を示す図であっ
て、半導体レーザ素子LD2 をACC 駆動し（光出力20m
W）、隣接する半導体レーザ素子LD3 をパルス駆動（光
出力20mW）したときの光出力変動特性を示す。図から明
らかなように、半導体レーザ素子LD3 がON状態になって
発生する熱により半導体レーザ素子LD2 の出力が約４％
低下している。
ザでの熱干渉による光出力変動の発生を示す図であっ
て、半導体レーザ素子LD2 をACC 駆動し（光出力20m
W）、隣接する半導体レーザ素子LD3 をパルス駆動（光
出力20mW）したときの光出力変動特性を示す。図から明
らかなように、半導体レーザ素子LD3 がON状態になって
発生する熱により半導体レーザ素子LD2 の出力が約４％
低下している。
【００１２】図８に示す構成の従来回路により半導体レ
ーザ素子LD2 を一定出力駆動、隣接する半導体レーザ素
子LD3 をパルス駆動した場合も半導体レーザ素子LD2 の
光出力は図11と同様の変動を示す。
ーザ素子LD2 を一定出力駆動、隣接する半導体レーザ素
子LD3 をパルス駆動した場合も半導体レーザ素子LD2 の
光出力は図11と同様の変動を示す。
【００１３】また、図12は、図８に示す構成の従来回路
により半導体レーザ素子LD8 を APC駆動、光出力を検出
する半導体レーザ素子LD1 に隣接して集積された半導体
レーザ素子LD2 をパルス駆動したときの光出力変動特性
を示す図である。半導体レーザ素子LD2 がON状態のと
き、その発熱により隣接する半導体レーザ素子LD1 の A
PC駆動電流が増加し、同時に APC駆動される半導体レー
ザ素子LD8の駆動電流も増加する。半導体レーザ素子LD
2 ・LD8 間の熱干渉は少ないので、半導体レーザ素子LD
8 は駆動電流の増加相当分だけ光出力が増加する。この
ように、半導体レーザ素子LD1 に隣接して集積される半
導体レーザ素子LD2 の熱干渉によって一定光出力すべき
半導体レーザ素子LD1 の光出力が変動し、他の APC駆動
されるべき半導体レーザ素子の光出力が変動するという
問題がある。
により半導体レーザ素子LD8 を APC駆動、光出力を検出
する半導体レーザ素子LD1 に隣接して集積された半導体
レーザ素子LD2 をパルス駆動したときの光出力変動特性
を示す図である。半導体レーザ素子LD2 がON状態のと
き、その発熱により隣接する半導体レーザ素子LD1 の A
PC駆動電流が増加し、同時に APC駆動される半導体レー
ザ素子LD8の駆動電流も増加する。半導体レーザ素子LD
2 ・LD8 間の熱干渉は少ないので、半導体レーザ素子LD
8 は駆動電流の増加相当分だけ光出力が増加する。この
ように、半導体レーザ素子LD1 に隣接して集積される半
導体レーザ素子LD2 の熱干渉によって一定光出力すべき
半導体レーザ素子LD1 の光出力が変動し、他の APC駆動
されるべき半導体レーザ素子の光出力が変動するという
問題がある。
【００１４】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであって、半導体レーザ素子間の熱干渉
による光出力変動に相当する温度補償電流を動作電流に
追加することにより、光出力の変動分を相殺する半導体
レーザアレー駆動回路の提供を目的とする。
になされたものであって、半導体レーザ素子間の熱干渉
による光出力変動に相当する温度補償電流を動作電流に
追加することにより、光出力の変動分を相殺する半導体
レーザアレー駆動回路の提供を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
レーザアレー駆動回路は、アレー状に集積された複数の
半導体レーザ素子各別に設けられた駆動用トランジスタ
に選択的に電圧を印加し、印加電圧に応じた動作電流で
前記複数の半導体レーザ素子を選択的に駆動する半導体
レーザアレー駆動回路において、半導体レーザ素子の駆
動用トランジスタの印加電圧の入力端と、該半導体レー
ザ素子に隣接して集積された半導体レーザ素子の駆動用
トランジスタのベースとが、抵抗及びその一端が接地さ
れたコンデンサを介して接続されてなることを特徴とす
る。
レーザアレー駆動回路は、アレー状に集積された複数の
半導体レーザ素子各別に設けられた駆動用トランジスタ
に選択的に電圧を印加し、印加電圧に応じた動作電流で
前記複数の半導体レーザ素子を選択的に駆動する半導体
レーザアレー駆動回路において、半導体レーザ素子の駆
動用トランジスタの印加電圧の入力端と、該半導体レー
ザ素子に隣接して集積された半導体レーザ素子の駆動用
トランジスタのベースとが、抵抗及びその一端が接地さ
れたコンデンサを介して接続されてなることを特徴とす
る。
【００１６】第２の発明に係る半導体レーザアレー駆動
回路は、アレー状に集積された複数の半導体レーザ素子
のうち１つの半導体レーザ素子の光出力を検出し、検出
した光出力に応じて該半導体レーザ素子の駆動用トラン
ジスタへの印加電圧を制御して該半導体レーザ素子の光
出力を一定となし、該半導体レーザ素子の動作電流に比
例する電圧を、他の複数の半導体レーザ素子各別に設け
られたオペアンプを介して各半導体レーザ素子の駆動用
トランジスタに印加して該複数の半導体レーザ素子を定
電流駆動する半導体レーザアレー駆動回路において、定
電流駆動される複数の半導体レーザ素子それぞれのオペ
アンプの出力端と、隣接して集積された半導体レーザ素
子のオペアンプの一方の入力端とが、抵抗及びその一端
が接地されたコンデンサを介して接続されてなることを
特徴とする。
回路は、アレー状に集積された複数の半導体レーザ素子
のうち１つの半導体レーザ素子の光出力を検出し、検出
した光出力に応じて該半導体レーザ素子の駆動用トラン
ジスタへの印加電圧を制御して該半導体レーザ素子の光
出力を一定となし、該半導体レーザ素子の動作電流に比
例する電圧を、他の複数の半導体レーザ素子各別に設け
られたオペアンプを介して各半導体レーザ素子の駆動用
トランジスタに印加して該複数の半導体レーザ素子を定
電流駆動する半導体レーザアレー駆動回路において、定
電流駆動される複数の半導体レーザ素子それぞれのオペ
アンプの出力端と、隣接して集積された半導体レーザ素
子のオペアンプの一方の入力端とが、抵抗及びその一端
が接地されたコンデンサを介して接続されてなることを
特徴とする。
【００１７】第３の発明に係る半導体レーザアレー駆動
回路は、その光出力を検出する半導体レーザ素子に、前
記駆動用トランジスタと並列接続される第２のトランジ
スタ及び抵抗を備え、第２のトランジスタのベースと、
該半導体レーザ素子に隣接して集積された半導体レーザ
素子のオペアンプの出力端とが抵抗及びその一端が接地
されたコンデンサを介して接続されてなることを特徴と
する。
回路は、その光出力を検出する半導体レーザ素子に、前
記駆動用トランジスタと並列接続される第２のトランジ
スタ及び抵抗を備え、第２のトランジスタのベースと、
該半導体レーザ素子に隣接して集積された半導体レーザ
素子のオペアンプの出力端とが抵抗及びその一端が接地
されたコンデンサを介して接続されてなることを特徴と
する。
【００１８】
【作用】第１の発明に係る半導体レーザアレー駆動回路
は、複数の半導体レーザ素子を同時通電する場合、駆動
される半導体レーザ素子に隣接する半導体レーザ素子の
駆動用トランジスタのベースに、駆動電流に比例し、半
導体レーザ素子間の熱干渉による光出力低下分に相当す
る電流を通電開始から所定時間後に追加し、隣接する半
導体レーザ素子の光出力変動を補正する。
は、複数の半導体レーザ素子を同時通電する場合、駆動
される半導体レーザ素子に隣接する半導体レーザ素子の
駆動用トランジスタのベースに、駆動電流に比例し、半
導体レーザ素子間の熱干渉による光出力低下分に相当す
る電流を通電開始から所定時間後に追加し、隣接する半
導体レーザ素子の光出力変動を補正する。
【００１９】第２の発明に係る半導体レーザアレー駆動
回路は、１つの半導体レーザ素子の光出力を検出して一
定光出力となるように駆動し、この駆動電流に基づいて
他の半導体レーザ素子を定電流駆動する際、定電流駆動
する複数の半導体レーザ素子それぞれのオペアンプを介
して駆動用トランジスタに、定電流に比例し、半導体レ
ーザ素子間の熱干渉による光出力低下分に相当する電流
を通電開始から所定時間後に追加し、隣接する半導体レ
ーザ素子の光出力変動を補正する。
回路は、１つの半導体レーザ素子の光出力を検出して一
定光出力となるように駆動し、この駆動電流に基づいて
他の半導体レーザ素子を定電流駆動する際、定電流駆動
する複数の半導体レーザ素子それぞれのオペアンプを介
して駆動用トランジスタに、定電流に比例し、半導体レ
ーザ素子間の熱干渉による光出力低下分に相当する電流
を通電開始から所定時間後に追加し、隣接する半導体レ
ーザ素子の光出力変動を補正する。
【００２０】第３の発明に係る半導体レーザアレー駆動
回路は、さらに、光出力を検出する半導体レーザ素子へ
第１のトランジスタを介して供給される駆動電流に、そ
の駆動用トランジスタと並列接続された第２のトランジ
スタを介して、隣接する半導体レーザ素子の発熱による
光出力低下分に相当する電流を追加供給して光出力変動
を補正する。
回路は、さらに、光出力を検出する半導体レーザ素子へ
第１のトランジスタを介して供給される駆動電流に、そ
の駆動用トランジスタと並列接続された第２のトランジ
スタを介して、隣接する半導体レーザ素子の発熱による
光出力低下分に相当する電流を追加供給して光出力変動
を補正する。
【００２１】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図に基づい
て説明する。図１は本発明に係る半導体レーザアレー駆
動回路（以下、本発明回路という）の第１の実施例の回
路図である。駆動電圧の入力端子Ｐ1 〜Ｐ4 は抵抗ＲB1
〜ＲB4を介して、半導体レーザ素子LD1 〜LD4 各別の駆
動用のトランジスタのベースＢ1 〜Ｂ4 に接続される。
て説明する。図１は本発明に係る半導体レーザアレー駆
動回路（以下、本発明回路という）の第１の実施例の回
路図である。駆動電圧の入力端子Ｐ1 〜Ｐ4 は抵抗ＲB1
〜ＲB4を介して、半導体レーザ素子LD1 〜LD4 各別の駆
動用のトランジスタのベースＢ1 〜Ｂ4 に接続される。
【００２２】さらに、入力端子Ｐ1 は半導体レーザ素子
LD2 のトランジスタのベースＢ2 に抵抗Ｒ1 及びＲ12を
介して接続され、抵抗Ｒ1 及びＲ12の接続点は、その一
端が接地されたコンデンサＣ1 に接続される。また、入
力端子Ｐ2 は半導体レーザ素子LD1 のトランジスタのベ
ースＢ1 に抵抗Ｒ2 及びＲ21を介して接続されるととも
に、半導体レーザ素子LD3 のトランジスタのベースＢ3
に抵抗Ｒ2 及びＲ23を介して接続され、抵抗Ｒ２と抵抗
Ｒ21及びＲ23との接続点は、その一端が接地されたコン
デンサＣ2 に接続される。
LD2 のトランジスタのベースＢ2 に抵抗Ｒ1 及びＲ12を
介して接続され、抵抗Ｒ1 及びＲ12の接続点は、その一
端が接地されたコンデンサＣ1 に接続される。また、入
力端子Ｐ2 は半導体レーザ素子LD1 のトランジスタのベ
ースＢ1 に抵抗Ｒ2 及びＲ21を介して接続されるととも
に、半導体レーザ素子LD3 のトランジスタのベースＢ3
に抵抗Ｒ2 及びＲ23を介して接続され、抵抗Ｒ２と抵抗
Ｒ21及びＲ23との接続点は、その一端が接地されたコン
デンサＣ2 に接続される。
【００２３】入力端子Ｐ2 と同様に、入力端子Ｐ3 は半
導体レーザ素子LD2 のトランジスタのベースＢ2 に抵抗
Ｒ3 及びＲ32を介して接続されるとともに、半導体レー
ザ素子LD4 のトランジスタのベースＢ4 に抵抗Ｒ3 及び
Ｒ34を介して接続され、抵抗Ｒ3 と抵抗Ｒ32及びＲ34と
の接続点は、その一端が接地されたコンデンサＣ3 に接
続される。入力端子Ｐ4 は半導体レーザ素子LD3 のトラ
ンジスタのベースＢ3 に抵抗Ｒ4及びＲ43を介して接続
され、抵抗Ｒ4 及びＲ43の接続点は、その一端が接地さ
れたコンデンサＣ4 に接続される。
導体レーザ素子LD2 のトランジスタのベースＢ2 に抵抗
Ｒ3 及びＲ32を介して接続されるとともに、半導体レー
ザ素子LD4 のトランジスタのベースＢ4 に抵抗Ｒ3 及び
Ｒ34を介して接続され、抵抗Ｒ3 と抵抗Ｒ32及びＲ34と
の接続点は、その一端が接地されたコンデンサＣ3 に接
続される。入力端子Ｐ4 は半導体レーザ素子LD3 のトラ
ンジスタのベースＢ3 に抵抗Ｒ4及びＲ43を介して接続
され、抵抗Ｒ4 及びＲ43の接続点は、その一端が接地さ
れたコンデンサＣ4 に接続される。
【００２４】トランジスタのコレクタは抵抗を介して半
導体レーザ素子LD1 〜LD4 のカソードと各別に接続さ
れ、半導体レーザ素子LD1 〜LD4 のアノードは接地され
ており、トランジスタのエミッタは抵抗を介して接地さ
れる。
導体レーザ素子LD1 〜LD4 のカソードと各別に接続さ
れ、半導体レーザ素子LD1 〜LD4 のアノードは接地され
ており、トランジスタのエミッタは抵抗を介して接地さ
れる。
【００２５】次に動作について、ｎ番目に集積された半
導体レーザ素子LDn の駆動を基に説明する。入力端子Ｐ
n に駆動電圧Ｖn を印加すると、Ｖn に比例した電流IB
n がトランジスタのベースに流れ、さらにこれに比例し
た電流Ｉn が半導体レーザ素子LDnに印加される。半導
体レーザ素子LDn の温度は電流Ｉn に応じた温度だけ上
昇し、この熱によって隣接する半導体レーザ素子LD
m （ｍ＝ｎ±１）の光出力が低下する。
導体レーザ素子LDn の駆動を基に説明する。入力端子Ｐ
n に駆動電圧Ｖn を印加すると、Ｖn に比例した電流IB
n がトランジスタのベースに流れ、さらにこれに比例し
た電流Ｉn が半導体レーザ素子LDnに印加される。半導
体レーザ素子LDn の温度は電流Ｉn に応じた温度だけ上
昇し、この熱によって隣接する半導体レーザ素子LD
m （ｍ＝ｎ±１）の光出力が低下する。
【００２６】図３は半導体レーザ素子LDの温度特性を示
す図である。10℃〜50℃の室温付近での光出力変動は温
度にかかわらず駆動電流に比例している。半導体レーザ
素子LDm の駆動用トランジスタのベースＢm には、入力
端子Ｐmからの駆動電圧に比例した電流IBm に加えて、
半導体レーザ素子LDn の駆動電圧Ｖn に比例した温度補
償用の電流IBnmが抵抗Ｒm 及びＲnmを介して追加されて
駆動電流が増加する。駆動電圧Ｖn に対する電流IBnmの
比は抵抗Ｒn ，抵抗Ｒnmの抵抗値により決定される。こ
の結果、半導体レーザ素子LDm の光出力が一定に保たれ
る。なお、コンデンサＣn は、除々に上昇する素子温度
による光出力変動の応答遅れ（１〜２mS）に電流IBnmの
追加タイミングを一致させる働きをする。
す図である。10℃〜50℃の室温付近での光出力変動は温
度にかかわらず駆動電流に比例している。半導体レーザ
素子LDm の駆動用トランジスタのベースＢm には、入力
端子Ｐmからの駆動電圧に比例した電流IBm に加えて、
半導体レーザ素子LDn の駆動電圧Ｖn に比例した温度補
償用の電流IBnmが抵抗Ｒm 及びＲnmを介して追加されて
駆動電流が増加する。駆動電圧Ｖn に対する電流IBnmの
比は抵抗Ｒn ，抵抗Ｒnmの抵抗値により決定される。こ
の結果、半導体レーザ素子LDm の光出力が一定に保たれ
る。なお、コンデンサＣn は、除々に上昇する素子温度
による光出力変動の応答遅れ（１〜２mS）に電流IBnmの
追加タイミングを一致させる働きをする。
【００２７】図２は本発明回路の第２の実施例の回路図
である。本実施例は、駆動用のトランジスタがコレクタ
接地（エミッタフォロワ接続）され、エミッタが抵抗を
介して半導体レーザ素子LD1 〜LD4 のアノードにそれぞ
れ接続される。さらにトランジスタのベースＢ1 〜Ｂ4
には、熱干渉による温度補償用の電圧が印加するための
抵抗ＲG1〜ＲG4がそれぞれ接続されている。ベース電圧
とエミッタ電圧とがほぼ等しいので、半導体レーザ素子
LD1 〜LD4にはシリーズ抵抗を介してベース電圧に比例
した電流がそれぞれ流れる。
である。本実施例は、駆動用のトランジスタがコレクタ
接地（エミッタフォロワ接続）され、エミッタが抵抗を
介して半導体レーザ素子LD1 〜LD4 のアノードにそれぞ
れ接続される。さらにトランジスタのベースＢ1 〜Ｂ4
には、熱干渉による温度補償用の電圧が印加するための
抵抗ＲG1〜ＲG4がそれぞれ接続されている。ベース電圧
とエミッタ電圧とがほぼ等しいので、半導体レーザ素子
LD1 〜LD4にはシリーズ抵抗を介してベース電圧に比例
した電流がそれぞれ流れる。
【００２８】図４は本発明回路の第３の実施例の回路図
である。接地端子ＴGND と電源端子ＴVD（−12Ｖ）との
間には、コンデンサが接続されており、さらに接地端子
ＴGND にカソードを接続したフォトダイオードPDと可変
抵抗と抵抗との直列回路が接続されている。可変抵抗VR
1 の抵抗可変端子は、可変抵抗VR1 及び抵抗Ｒ1 の接続
部に接続されている。フォトダイオードPDのアノードは
バッファＢの正入力端子（＋）と接続され、バッファＢ
の出力端はバッファＢの負入力端子（−）と接続され、
また抵抗を介してコンパレータCPの負入力端子（−）に
接続されている。
である。接地端子ＴGND と電源端子ＴVD（−12Ｖ）との
間には、コンデンサが接続されており、さらに接地端子
ＴGND にカソードを接続したフォトダイオードPDと可変
抵抗と抵抗との直列回路が接続されている。可変抵抗VR
1 の抵抗可変端子は、可変抵抗VR1 及び抵抗Ｒ1 の接続
部に接続されている。フォトダイオードPDのアノードは
バッファＢの正入力端子（＋）と接続され、バッファＢ
の出力端はバッファＢの負入力端子（−）と接続され、
また抵抗を介してコンパレータCPの負入力端子（−）に
接続されている。
【００２９】また、接地端子ＴGND と電源端子ＴVDとの
間には、抵抗とツェナーダイオードとの直列回路が接続
されており、ツェナーダイオードにはコンデンサと可変
抵抗とが並列接続されている。可変抵抗の抵抗可変端子
は抵抗を介してコンパレータCPの正入力端子（＋）と接
続されており、CPの正入力端子（＋）は抵抗を介して電
源端子ＴVDと接続されている。コンパレータCPの出力端
は抵抗を介してトランジスタTr1 のベースと接続されて
いる。
間には、抵抗とツェナーダイオードとの直列回路が接続
されており、ツェナーダイオードにはコンデンサと可変
抵抗とが並列接続されている。可変抵抗の抵抗可変端子
は抵抗を介してコンパレータCPの正入力端子（＋）と接
続されており、CPの正入力端子（＋）は抵抗を介して電
源端子ＴVDと接続されている。コンパレータCPの出力端
は抵抗を介してトランジスタTr1 のベースと接続されて
いる。
【００３０】半導体レーザ素子LD1 のアノードは接地端
子ＴGND に接続され、カソードにはトランジスタTr1 の
コレクタとトランジスタTrC のコレクタが並列接続され
る。トランジスタTr1 のベースはコンデンサを介して電
源端子ＴVDと接続され、エミッタは電圧検出回路５の抵
抗Ｒ11を介して接地されている。またトランジスタTrC
のエミッタは抵抗Ｒ12を介して接地され、ベースは後述
する補正回路６の抵抗Ｒ6 に接続される。そして前記バ
ッファＢ，コンパレータCP，トランジスタTr1等によりA
PC 回路３が構成されている。
子ＴGND に接続され、カソードにはトランジスタTr1 の
コレクタとトランジスタTrC のコレクタが並列接続され
る。トランジスタTr1 のベースはコンデンサを介して電
源端子ＴVDと接続され、エミッタは電圧検出回路５の抵
抗Ｒ11を介して接地されている。またトランジスタTrC
のエミッタは抵抗Ｒ12を介して接地され、ベースは後述
する補正回路６の抵抗Ｒ6 に接続される。そして前記バ
ッファＢ，コンパレータCP，トランジスタTr1等によりA
PC 回路３が構成されている。
【００３１】トランジスタTr1 のエミッタは抵抗Ｒ5 ，
Ｒ5 ，…を各別に介してオペアンプOP2 , OP3 ，…OPn
の各非反転入力端子（＋）と接続されており、各オペア
ンプOP2 , OP3 ，…OPn の出力端Ｐ2 ，Ｐ3 ，…Ｐn は
抵抗を各別に介してトランジスタTr2 , Tr3 ，…Trn の
ベースと接続されている。オペアンプOP2 , OP3 ，…OP
n の反転入力端子は抵抗を各別に介してトランジスタTr
2 , Tr3 ，…Trn のエミッタと接続されている。
Ｒ5 ，…を各別に介してオペアンプOP2 , OP3 ，…OPn
の各非反転入力端子（＋）と接続されており、各オペア
ンプOP2 , OP3 ，…OPn の出力端Ｐ2 ，Ｐ3 ，…Ｐn は
抵抗を各別に介してトランジスタTr2 , Tr3 ，…Trn の
ベースと接続されている。オペアンプOP2 , OP3 ，…OP
n の反転入力端子は抵抗を各別に介してトランジスタTr
2 , Tr3 ，…Trn のエミッタと接続されている。
【００３２】トランジスタTr2 , Tr3 ，…Trn のエミッ
タは抵抗Ｒ2 ，Ｒ2 …Trn を各別に介して接地されてい
る。接地端子ＴGND とトランジスタTr2 , Tr3 ，…Trn
のコレクタとの間には、そのコレクタにカソードを接続
した半導体レーザ素子LD2 ,LD3 ，…LDn が接続されて
いる。オペアンプOP2 ，OP3 ，…OPn の各非反転入力端
子（＋）には一端が接地された半導体によるスイッチSW
2 , SW3 , …SWn が各別に接続されている。これらのオ
ペアンプOP2 , OP3 ，…OPn ，トランジスタTr2 , T
r3 ，…Trn 等によりACC 回路４が構成されている。
タは抵抗Ｒ2 ，Ｒ2 …Trn を各別に介して接地されてい
る。接地端子ＴGND とトランジスタTr2 , Tr3 ，…Trn
のコレクタとの間には、そのコレクタにカソードを接続
した半導体レーザ素子LD2 ,LD3 ，…LDn が接続されて
いる。オペアンプOP2 ，OP3 ，…OPn の各非反転入力端
子（＋）には一端が接地された半導体によるスイッチSW
2 , SW3 , …SWn が各別に接続されている。これらのオ
ペアンプOP2 , OP3 ，…OPn ，トランジスタTr2 , T
r3 ，…Trn 等によりACC 回路４が構成されている。
【００３３】オペアンプOP2 の出力端Ｐ2 は抵抗Ｒ3 及
びＲ6 を介してトランジスタTrC のベースと、また抵抗
Ｒ3 及びＲ4 を介してオペアンプOP3 の非反転入力端子
と接続され、抵抗Ｒ3 及びＲ6 と抵抗Ｒ3 及びＲ4 との
それぞれの接続点は、各一端が接地されるコンデンサＣ
1 ，Ｃ1 に各別に接続される。オペアンプOP3 の出力端
Ｐ3 は、それぞれ抵抗Ｒ3 及びＲ6 を介してオペアンプ
OP2 の非反転入力端子（＋）とオペアンプOP4 （図示省
略）の非反転入力端子（＋）とそれぞれ接続され、抵抗
Ｒ3 及びＲ4 のそれぞれの接続点は、各一端が接地され
るコンデンサＣ1 ，Ｃ1 に各別に接続される。また、終
端の半導体レーザ素子LDn のオペアンプOPn の出力端Ｐ
n は、抵抗Ｒ3 及びＲ4 を介してオペアンプOPn-1 の非
反転入寮端子（＋）と接続される。これらの抵抗Ｒ3 ，
Ｒ4 ，Ｒ6 ，コンデンサＣ1 等により補正回路６が構成
されている。
びＲ6 を介してトランジスタTrC のベースと、また抵抗
Ｒ3 及びＲ4 を介してオペアンプOP3 の非反転入力端子
と接続され、抵抗Ｒ3 及びＲ6 と抵抗Ｒ3 及びＲ4 との
それぞれの接続点は、各一端が接地されるコンデンサＣ
1 ，Ｃ1 に各別に接続される。オペアンプOP3 の出力端
Ｐ3 は、それぞれ抵抗Ｒ3 及びＲ6 を介してオペアンプ
OP2 の非反転入力端子（＋）とオペアンプOP4 （図示省
略）の非反転入力端子（＋）とそれぞれ接続され、抵抗
Ｒ3 及びＲ4 のそれぞれの接続点は、各一端が接地され
るコンデンサＣ1 ，Ｃ1 に各別に接続される。また、終
端の半導体レーザ素子LDn のオペアンプOPn の出力端Ｐ
n は、抵抗Ｒ3 及びＲ4 を介してオペアンプOPn-1 の非
反転入寮端子（＋）と接続される。これらの抵抗Ｒ3 ，
Ｒ4 ，Ｒ6 ，コンデンサＣ1 等により補正回路６が構成
されている。
【００３４】次にこのような構成の半導体レーザアレー
駆動回路の動作を図５に示す部分回路図を導入して説明
する。トランジスタTr1 をオンさせると、半導体レーザ
LD1 に駆動電流が流れて、半導体レーザLD1 は光ビーム
を出射する。半導体レーザLD1 が出射する光ビームはフ
ォトダイオードPDに入射し、フォトダイオードPDは入射
した光ビームの光出力を検出し、フォトダイオードPDの
検出出力に応じてバッファＢの入力電圧が変化する。バ
ッファＢの出力電圧はコンパレータCPへ入力され、コン
パレータCPはバッファＢからの電圧と基準電圧とを比較
し、その比較結果に応じた電圧によりトランジスタTr1
を導通制御して半導体レーザLD1 の電流を制御する。そ
れによって半導体レーザLD1 の光出力が一定に制御され
る。
駆動回路の動作を図５に示す部分回路図を導入して説明
する。トランジスタTr1 をオンさせると、半導体レーザ
LD1 に駆動電流が流れて、半導体レーザLD1 は光ビーム
を出射する。半導体レーザLD1 が出射する光ビームはフ
ォトダイオードPDに入射し、フォトダイオードPDは入射
した光ビームの光出力を検出し、フォトダイオードPDの
検出出力に応じてバッファＢの入力電圧が変化する。バ
ッファＢの出力電圧はコンパレータCPへ入力され、コン
パレータCPはバッファＢからの電圧と基準電圧とを比較
し、その比較結果に応じた電圧によりトランジスタTr1
を導通制御して半導体レーザLD1 の電流を制御する。そ
れによって半導体レーザLD1 の光出力が一定に制御され
る。
【００３５】スイッチSWm をOFF 状態にしてｍ番目の半
導体レーザ素子LDm をON状態にすると、オペアンプOPm
の出力端Ｐm の電位が上昇する。この電位上昇は抵抗Ｒ
3 ，抵抗Ｒ4 を介してオペアンプ（OPm+1 及びOPm-1 ）
の非反転入力Ｉm+1 及びＩm-1 に印加され、出力端Ｐ
m+1 及びＰm-1 の電位を上昇させる。
導体レーザ素子LDm をON状態にすると、オペアンプOPm
の出力端Ｐm の電位が上昇する。この電位上昇は抵抗Ｒ
3 ，抵抗Ｒ4 を介してオペアンプ（OPm+1 及びOPm-1 ）
の非反転入力Ｉm+1 及びＩm-1 に印加され、出力端Ｐ
m+1 及びＰm-1 の電位を上昇させる。
【００３６】この結果、隣接した半導体レーザ素子LD
m+1 及びLDm-1 の動作電流が増加し、半導体レーザ素子
LDm の発熱による光出力低下分が補正される。なお、コ
ンデンサＣ1 は素子温度が除々に上昇する期間（図11に
示すΔｔ：数100 μＳ程度）の光出力変動の応答遅れを
補正するために使用され、Ｒ3 ×Ｃ1に比例した時間遅
れが得られる。この場合、抵抗Ｒ3 及びＲ4 と抵抗Ｒ5
との抵抗値の比率を調整すれば光出力の低下分は完全に
補正される。
m+1 及びLDm-1 の動作電流が増加し、半導体レーザ素子
LDm の発熱による光出力低下分が補正される。なお、コ
ンデンサＣ1 は素子温度が除々に上昇する期間（図11に
示すΔｔ：数100 μＳ程度）の光出力変動の応答遅れを
補正するために使用され、Ｒ3 ×Ｃ1に比例した時間遅
れが得られる。この場合、抵抗Ｒ3 及びＲ4 と抵抗Ｒ5
との抵抗値の比率を調整すれば光出力の低下分は完全に
補正される。
【００３７】また、半導体レーザ素子LD2 をON状態にし
た場合、オペアンプOP2 の出力は抵抗Ｒ3 及びＲ6 を介
してTrC のベースに印加され、半導体レーザ素子LD1 の
駆動電流を増加させて光出力の低下分は補正されるが、
増加した電流は抵抗Ｒ12を通過するので、抵抗Ｒ11から
取り出される基準電圧は変動しない。この結果図12に示
したような変動も防止できる。
た場合、オペアンプOP2 の出力は抵抗Ｒ3 及びＲ6 を介
してTrC のベースに印加され、半導体レーザ素子LD1 の
駆動電流を増加させて光出力の低下分は補正されるが、
増加した電流は抵抗Ｒ12を通過するので、抵抗Ｒ11から
取り出される基準電圧は変動しない。この結果図12に示
したような変動も防止できる。
【００３８】図６は本発明回路の第４の実施例の回路図
である。本実施例が前述の実施例と異なる点は、半導体
レーザ素子LD1 の温度補償用のトランジスタTrC が設け
られておらず、半導体レーザ素子LD1 に温度補償用の電
流が追加されない点にある。本実施例の回路は APC回路
３の半導体レーザ素子LD1 と ACC回路４の半導体レーザ
素子LD2 との距離が十分離れており、熱干渉が少ない場
合に適用可能であって、回路構成が簡略になる。
である。本実施例が前述の実施例と異なる点は、半導体
レーザ素子LD1 の温度補償用のトランジスタTrC が設け
られておらず、半導体レーザ素子LD1 に温度補償用の電
流が追加されない点にある。本実施例の回路は APC回路
３の半導体レーザ素子LD1 と ACC回路４の半導体レーザ
素子LD2 との距離が十分離れており、熱干渉が少ない場
合に適用可能であって、回路構成が簡略になる。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明回路は、抵抗とコ
ンデンサとの組合せにより、半導体レーザ素子の発熱に
よる隣接位置の半導体レーザ素子の光出力変動分に相当
する温度補償電流を隣接する半導体レーザ素子の動作電
流に追加するので、簡単な回路構成で半導体レーザ素子
間の熱干渉による光出力の変動を補正するという優れた
効果を奏する。
ンデンサとの組合せにより、半導体レーザ素子の発熱に
よる隣接位置の半導体レーザ素子の光出力変動分に相当
する温度補償電流を隣接する半導体レーザ素子の動作電
流に追加するので、簡単な回路構成で半導体レーザ素子
間の熱干渉による光出力の変動を補正するという優れた
効果を奏する。
【図１】本発明回路の第１の実施例の回路図である。
【図２】本発明回路の第２の実施例の回路図である。
【図３】半導体レーザの室温付近の電流─光出力特性を
示す図である。
示す図である。
【図４】本発明回路の第３の実施例の回路図である。
【図５】本発明回路の第３の実施例の一部回路図であ
る。
る。
【図６】本発明回路の第４の実施例の回路図である。
【図７】従来の半導体レーザアレー駆動回路の回路図で
ある。
ある。
【図８】従来の他の半導体レーザアレー駆動回路の回路
図である。
図である。
【図９】図８の構成要素の一部配設状態を示す模式的平
面図である。
面図である。
【図１０】従来の半導体レーザアレー駆動回路における
熱干渉と出力変動との関連性を示す図である。
熱干渉と出力変動との関連性を示す図である。
【図１１】従来の半導体レーザアレー駆動回路における
熱干渉と出力変動との関連性を示す図である。
熱干渉と出力変動との関連性を示す図である。
【図１２】従来の半導体レーザアレー駆動回路における
熱干渉と出力変動との関連性を示す図である。
熱干渉と出力変動との関連性を示す図である。
３ APC回路 ４ ACC回路 ５ 電圧検出回路 ６ 補正回路 LD 半導体レーザ素子 OP オペアンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 冨永 浩司 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 アレー状に集積された複数の半導体レー
ザ素子各別に設けられた駆動用トランジスタに選択的に
電圧を印加し、印加電圧に応じた動作電流で前記複数の
半導体レーザ素子を選択的に駆動する半導体レーザアレ
ー駆動回路において、半導体レーザ素子の駆動用トラン
ジスタの印加電圧の入力端と、該半導体レーザ素子に隣
接して集積された半導体レーザ素子の駆動用トランジス
タのベースとが、抵抗及びその一端が接地されたコンデ
ンサを介して接続されてなることを特徴とする半導体レ
ーザアレー駆動回路。 - 【請求項２】 アレー状に集積された複数の半導体レー
ザ素子のうち１つの半導体レーザ素子の光出力を検出
し、検出した光出力に応じて該半導体レーザ素子の駆動
用トランジスタへの印加電圧を制御して該半導体レーザ
素子の光出力を一定となし、該半導体レーザ素子の動作
電流に比例する電圧を、他の複数の半導体レーザ素子各
別に設けられたオペアンプを介して各半導体レーザ素子
の駆動用トランジスタに印加して該複数の半導体レーザ
素子を定電流駆動する半導体レーザアレー駆動回路にお
いて、定電流駆動される複数の半導体レーザ素子それぞ
れのオペアンプの出力端と、隣接して集積された半導体
レーザ素子のオペアンプの一方の入力端とが、抵抗及び
その一端が接地されたコンデンサを介して接続されてな
ることを特徴とする半導体レーザアレー駆動回路。 - 【請求項３】 その光出力を検出する半導体レーザ素子
に、前記駆動用トランジスタと並列接続される第２のト
ランジスタ及び抵抗を備え、第２のトランジスタのベー
スと、該半導体レーザ素子に隣接して集積された半導体
レーザ素子のオペアンプの出力端とが抵抗及びその一端
が接地されたコンデンサを介して接続されてなる請求項
２記載の半導体レーザアレー駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15136192A JPH05327084A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 半導体レーザアレー駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15136192A JPH05327084A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 半導体レーザアレー駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327084A true JPH05327084A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15516866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15136192A Pending JPH05327084A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 半導体レーザアレー駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05327084A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006009242A1 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Ｌｅｄ駆動回路 |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP15136192A patent/JPH05327084A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006009242A1 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Ｌｅｄ駆動回路 |
| CN100442558C (zh) * | 2004-07-22 | 2008-12-10 | 浜松光子学株式会社 | Led驱动电路 |
| US7812587B2 (en) | 2004-07-22 | 2010-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | LED drive circuit |
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