JPH05327029A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH05327029A JPH05327029A JP4152938A JP15293892A JPH05327029A JP H05327029 A JPH05327029 A JP H05327029A JP 4152938 A JP4152938 A JP 4152938A JP 15293892 A JP15293892 A JP 15293892A JP H05327029 A JPH05327029 A JP H05327029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- resin
- light emitting
- emitting diode
- mold resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光するダイオードペレットを透明樹脂で封
止してなる発光ダイオードの耐湿性を改善する。 【構成】 発光するダイオードペレット１を封止した透
明なモールド樹脂２の外側を第２のモールド樹脂３で被
覆して二重モールド構造にし、透明樹脂の吸湿性が高い
ことによる耐湿性の劣化を改善する。第２のモールド樹
脂３にも透明な樹脂を用いる、或いは透明なモールド樹
脂に形成したレンズ部を除く部分を耐湿性の高い非透明
な第２のモールド樹脂で被覆する。
止してなる発光ダイオードの耐湿性を改善する。 【構成】 発光するダイオードペレット１を封止した透
明なモールド樹脂２の外側を第２のモールド樹脂３で被
覆して二重モールド構造にし、透明樹脂の吸湿性が高い
ことによる耐湿性の劣化を改善する。第２のモールド樹
脂３にも透明な樹脂を用いる、或いは透明なモールド樹
脂に形成したレンズ部を除く部分を耐湿性の高い非透明
な第２のモールド樹脂で被覆する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオードに関し、
特に発光ダイオードの封止構造に関する。
特に発光ダイオードの封止構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の発光ダイオードは図３に
示すように、カソードリード６の一部にダイオードペレ
ット１を搭載し、アノードリード５に対してボンディン
グワイヤ４より電気的接続をとり、その上でこれらリー
ドとペレットを透明のモールド樹脂２によって封止をし
た構成となっている。又、透明のモールド樹脂２の中央
部に凸型のレンズ７を設けている。このレンズ７は封止
されたダイオードペレット１に対向配置され、ダイオー
ドペレット１から発光された光を集光して出力させてい
る。
示すように、カソードリード６の一部にダイオードペレ
ット１を搭載し、アノードリード５に対してボンディン
グワイヤ４より電気的接続をとり、その上でこれらリー
ドとペレットを透明のモールド樹脂２によって封止をし
た構成となっている。又、透明のモールド樹脂２の中央
部に凸型のレンズ７を設けている。このレンズ７は封止
されたダイオードペレット１に対向配置され、ダイオー
ドペレット１から発光された光を集光して出力させてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の発光ダ
イオードは、モールド樹脂に透明樹脂を使用している
が、透明樹脂の吸湿率は一般的には２〜６（wt％）であ
り、ＩＣやフォトカプラ等に使用されているエポキシ樹
脂の吸水率（ 0.2〜 0.4（wt％））に比べて吸水率があ
り、そのためエポキシ樹脂に比べて耐湿性が劣るという
問題点があった。本発明の目的は、耐湿性を改善した発
光ダイオードを提供することにある。
イオードは、モールド樹脂に透明樹脂を使用している
が、透明樹脂の吸湿率は一般的には２〜６（wt％）であ
り、ＩＣやフォトカプラ等に使用されているエポキシ樹
脂の吸水率（ 0.2〜 0.4（wt％））に比べて吸水率があ
り、そのためエポキシ樹脂に比べて耐湿性が劣るという
問題点があった。本発明の目的は、耐湿性を改善した発
光ダイオードを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光するダイ
オードペレットを封止した透明なモールド樹脂の外側を
第２のモールド樹脂で被覆して二重モールド構造にす
る。例えば、透明なモールド樹脂に形成したレンズ部を
除く部分を耐湿性の高い第２のモールド樹脂で被覆す
る。
オードペレットを封止した透明なモールド樹脂の外側を
第２のモールド樹脂で被覆して二重モールド構造にす
る。例えば、透明なモールド樹脂に形成したレンズ部を
除く部分を耐湿性の高い第２のモールド樹脂で被覆す
る。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の発光ダイオードの第１実施例の正面
図である。カソードリード６にダイオードペレット１を
銀ペーストで接着し、アノードリード５とダイオードペ
レット１をボンディングワイヤ４で電気的接続をとって
いる。又、アノードリード５とカソードリード６を固定
し、かつダイオードペレット１やボンディングワイヤ４
等を封止するため、それぞれ透明な第１のモールド樹脂
２と、第２のモールド樹脂３で二重に封止している。即
ち、第１のモールド樹脂２での封止を行った上で、その
外側を第２のモールド樹脂３で被覆している。又、これ
らの樹脂２，３にはレンズ７を一体に形成し、ダイオー
ドペレット１で発光した光を集束している。
る。図１は本発明の発光ダイオードの第１実施例の正面
図である。カソードリード６にダイオードペレット１を
銀ペーストで接着し、アノードリード５とダイオードペ
レット１をボンディングワイヤ４で電気的接続をとって
いる。又、アノードリード５とカソードリード６を固定
し、かつダイオードペレット１やボンディングワイヤ４
等を封止するため、それぞれ透明な第１のモールド樹脂
２と、第２のモールド樹脂３で二重に封止している。即
ち、第１のモールド樹脂２での封止を行った上で、その
外側を第２のモールド樹脂３で被覆している。又、これ
らの樹脂２，３にはレンズ７を一体に形成し、ダイオー
ドペレット１で発光した光を集束している。
【０００６】このように、透明な第１のモールド樹脂２
でダイオードペレット１等を封止し、更にその外側を透
明な第２のモールド樹脂３で被覆することにより、それ
ぞれ単独では低い耐湿性を、二重に構成することで改善
することができ、発光ダイオード全体としての耐湿性を
従来よりも向上させることができる。
でダイオードペレット１等を封止し、更にその外側を透
明な第２のモールド樹脂３で被覆することにより、それ
ぞれ単独では低い耐湿性を、二重に構成することで改善
することができ、発光ダイオード全体としての耐湿性を
従来よりも向上させることができる。
【０００７】図２は本発明の第２実施例の正面図であ
る。尚、第１実施例と同一部分には同一符号を付してあ
る。この実施例では、透明な第１のモールド樹脂２Ａの
外側をＩＣやフォトカプラ等で使われている非透明なエ
ポキシ樹脂からなる第２のモールド樹脂３Ａで被覆して
いる。但し、レンズ７は第１のモールド樹脂２Ａで形成
し、第２のモールド樹脂３Ａはこのレンズ７を除く部分
にのみ形成している。この構成では、耐湿性の高いエポ
キシ樹脂からなる第２のモールド樹脂３Ａで透明な第１
のモールド樹脂２Ａの大部分を被覆しているため、発光
ダイオード全体の耐湿性を従来よりも改善することがで
きる。
る。尚、第１実施例と同一部分には同一符号を付してあ
る。この実施例では、透明な第１のモールド樹脂２Ａの
外側をＩＣやフォトカプラ等で使われている非透明なエ
ポキシ樹脂からなる第２のモールド樹脂３Ａで被覆して
いる。但し、レンズ７は第１のモールド樹脂２Ａで形成
し、第２のモールド樹脂３Ａはこのレンズ７を除く部分
にのみ形成している。この構成では、耐湿性の高いエポ
キシ樹脂からなる第２のモールド樹脂３Ａで透明な第１
のモールド樹脂２Ａの大部分を被覆しているため、発光
ダイオード全体の耐湿性を従来よりも改善することがで
きる。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、透明なモ
ールド樹脂でダイオードペレット等を封止するととも
に、その外側を第２のモールド樹脂で被覆して二重モー
ルド構造にすることにより、透明樹脂の吸水率を抑える
ことができ、発光ダイオード全体としての耐湿性の向上
を図ることができる。
ールド樹脂でダイオードペレット等を封止するととも
に、その外側を第２のモールド樹脂で被覆して二重モー
ルド構造にすることにより、透明樹脂の吸水率を抑える
ことができ、発光ダイオード全体としての耐湿性の向上
を図ることができる。
【図１】本発明の発光ダイオードの第１実施例の正面図
である。
である。
【図２】本発明の発光ダイオードの第２実施例の正面図
である。
である。
【図３】従来の発光ダイオードの正面図である。
１ 発光ダイオード ２，２Ａ 透明な第１のモールド樹脂 ３ 透明な第２のモールド樹脂 ３Ａ エポキシ樹脂（第２のモールド樹脂） ５ アノードリード ６ カソードリード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】 発光するダイオードペレットを透明なモ
ールド樹脂で封止した発光ダイオードにおいて、前記モ
ールド樹脂の外側を第２のモールド樹脂で被覆して二重
モールド構造にしたことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 透明なモールド樹脂に形成したレンズ部
を除く部分を耐湿性の高い第２のモールド樹脂で被覆し
てなる請求項１の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152938A JPH05327029A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152938A JPH05327029A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327029A true JPH05327029A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15551436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4152938A Pending JPH05327029A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05327029A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677614B1 (en) * | 1992-12-17 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US6808950B2 (en) * | 1992-12-17 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7078734B2 (en) | 2003-06-06 | 2006-07-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP4152938A patent/JPH05327029A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677614B1 (en) * | 1992-12-17 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US6808950B2 (en) * | 1992-12-17 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7094619B2 (en) | 1992-12-17 | 2006-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating a light emitting device |
| US7288795B2 (en) | 1992-12-17 | 2007-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7297984B2 (en) | 1992-12-17 | 2007-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7315046B2 (en) | 1992-12-17 | 2008-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device |
| US7078734B2 (en) | 2003-06-06 | 2006-07-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device |
| US7645643B2 (en) | 2003-06-06 | 2010-01-12 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device method |
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