JPH05323371A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH05323371A JPH05323371A JP12750492A JP12750492A JPH05323371A JP H05323371 A JPH05323371 A JP H05323371A JP 12750492 A JP12750492 A JP 12750492A JP 12750492 A JP12750492 A JP 12750492A JP H05323371 A JPH05323371 A JP H05323371A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な反射特性を有する反射型液晶表示装置
を再現性よく得る。 【構成】 反射板上の液晶層側に直径が３〜５０μｍの
円形の凸部を有する円柱を、隣接する円柱が１μｍ以上
離れるように設け、その上に反射電極を形成する。
を再現性よく得る。 【構成】 反射板上の液晶層側に直径が３〜５０μｍの
円形の凸部を有する円柱を、隣接する円柱が１μｍ以上
離れるように設け、その上に反射電極を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射すること
によって表示を行うバックライトを用いない反射型液晶
表示装置およびその製造方法に関する。
によって表示を行うバックライトを用いない反射型液晶
表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも外
部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表
示装置は、光源であるバックライトが不要であるため消
費電力が低く、薄型であり軽量化が可能であるため注目
されている。
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも外
部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表
示装置は、光源であるバックライトが不要であるため消
費電力が低く、薄型であり軽量化が可能であるため注目
されている。
【０００３】従来から、反射型液晶表示装置にはＴＮ
（ツイステッドネマティック）方式、並びにＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
るけれども、これらの方式では偏光板によって必然的に
自然光の光強度の１／２が表示に利用されないことにな
り、表示が暗くなるという問題がある。
（ツイステッドネマティック）方式、並びにＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
るけれども、これらの方式では偏光板によって必然的に
自然光の光強度の１／２が表示に利用されないことにな
り、表示が暗くなるという問題がある。
【０００４】このような問題に対して、偏光板を用い
ず、自然光のすべての光線を有効に利用しようとする表
示モードが提案されている。このようなモードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる（D．L．
White and G．N．Taylor：J．Appl．Phys．45 4718 1
974）。この表示モードでは、電界によるコレステリッ
ク・ネマティック相転移現象が利用されている。この相
転移型ゲスト・ホスト方式に、さらにマイクロカラーフ
ィルタを組合わせた反射型マルチカラーディスプレイも
提案されている（Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida，P
roceedings ofthe SID，Vol．29，157，1988）。
ず、自然光のすべての光線を有効に利用しようとする表
示モードが提案されている。このようなモードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる（D．L．
White and G．N．Taylor：J．Appl．Phys．45 4718 1
974）。この表示モードでは、電界によるコレステリッ
ク・ネマティック相転移現象が利用されている。この相
転移型ゲスト・ホスト方式に、さらにマイクロカラーフ
ィルタを組合わせた反射型マルチカラーディスプレイも
提案されている（Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida，P
roceedings ofthe SID，Vol．29，157，1988）。
【０００５】このような偏光板を必要としないモードで
さらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度からの
入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強
度を増加させる必要がある。そのためには、最適な反射
特性を有する反射板を作成することが必要となる。上述
の文献には、ガラスなどからなる基板の表面を研磨剤で
粗面化し、フッ化水素酸でエッチングする時間を変える
ことによって表面の凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄
膜を形成した反射板について記載されている。
さらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度からの
入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強
度を増加させる必要がある。そのためには、最適な反射
特性を有する反射板を作成することが必要となる。上述
の文献には、ガラスなどからなる基板の表面を研磨剤で
粗面化し、フッ化水素酸でエッチングする時間を変える
ことによって表面の凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄
膜を形成した反射板について記載されている。
【０００６】図１１は、アクティブマトリクス方式に用
いられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと記す）１を有する反射板２ａの平面図であ
り、図１２は図１１に示す切断面線ＸＩ−ＸＩから見た
断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板２上に、クロ
ム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線３が互
いに平行に設けられ、ゲートバス配線３からはゲート電
極４が分岐して設けられている。ゲートバス配線３は、
走査線として機能している。
いられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと記す）１を有する反射板２ａの平面図であ
り、図１２は図１１に示す切断面線ＸＩ−ＸＩから見た
断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板２上に、クロ
ム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線３が互
いに平行に設けられ、ゲートバス配線３からはゲート電
極４が分岐して設けられている。ゲートバス配線３は、
走査線として機能している。
【０００７】ゲートバス電極４を覆って基板２上の全面
に窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（ＳｉＯx）
などから成るゲート絶縁膜５が形成されている。ゲート
電極４の上方のゲート絶縁膜５上には、非晶質シリコン
（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ
などから成る半導体層６が形成されている。半導体層６
の一方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウム
などから成るソース電極７が重畳形成されている。ま
た、半導体層６の他方の端部には、ソース電極７と同様
にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレ
イン電極８が重畳形成されている。ドレイン電極８の半
導体層６と反対側の端部には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）から成る絵素電極９が重畳形成されている。
に窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（ＳｉＯx）
などから成るゲート絶縁膜５が形成されている。ゲート
電極４の上方のゲート絶縁膜５上には、非晶質シリコン
（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ
などから成る半導体層６が形成されている。半導体層６
の一方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウム
などから成るソース電極７が重畳形成されている。ま
た、半導体層６の他方の端部には、ソース電極７と同様
にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレ
イン電極８が重畳形成されている。ドレイン電極８の半
導体層６と反対側の端部には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）から成る絵素電極９が重畳形成されている。
【０００８】図１１に示すように、ソース電極７にはゲ
ートバス配線３に前述のゲート絶縁膜５を挟んで交差す
るソースバス配線１０が接続されている。ソースバス配
線１０は、信号線として機能している。ソースバス配線
１０も、ソース電極７と同様な金属で形成されている。
ゲート電極４、ゲート絶縁膜５、半導体層６、ソース電
極７およびドレイン電極８は、ＴＦＴ１を構成し、該Ｔ
ＦＴ１は、スイッチング素子の機能を有している。
ートバス配線３に前述のゲート絶縁膜５を挟んで交差す
るソースバス配線１０が接続されている。ソースバス配
線１０は、信号線として機能している。ソースバス配線
１０も、ソース電極７と同様な金属で形成されている。
ゲート電極４、ゲート絶縁膜５、半導体層６、ソース電
極７およびドレイン電極８は、ＴＦＴ１を構成し、該Ｔ
ＦＴ１は、スイッチング素子の機能を有している。
【０００９】図１１および図１２に示すＴＦＴ１を有す
る反射板２ａを反射型液晶表示装置に適応しようとすれ
ば、絵素電極９をアルミニウム、銀などの光反射性を有
する金属で形成するばかりでなく、ゲート絶縁膜５の上
に凹凸を形成する必要がある。一般に、無機物から成る
絶縁膜５にテーパの付いた凹凸を均一に形成することは
困難である。
る反射板２ａを反射型液晶表示装置に適応しようとすれ
ば、絵素電極９をアルミニウム、銀などの光反射性を有
する金属で形成するばかりでなく、ゲート絶縁膜５の上
に凹凸を形成する必要がある。一般に、無機物から成る
絶縁膜５にテーパの付いた凹凸を均一に形成することは
困難である。
【００１０】図１３はアクティブマトリスク方式に用い
られるＴＦＴ１１を有する反射板１２ａの平面図であ
り、図１４は図１３に示される切断面線ＸＩＩ−ＸＩＩ
から見た断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板１２
上にクロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配
線１３が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線１３か
らはゲート電極１４が分岐して設けられている。ゲート
バス配線１３は、走査線として機能している。
られるＴＦＴ１１を有する反射板１２ａの平面図であ
り、図１４は図１３に示される切断面線ＸＩＩ−ＸＩＩ
から見た断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板１２
上にクロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配
線１３が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線１３か
らはゲート電極１４が分岐して設けられている。ゲート
バス配線１３は、走査線として機能している。
【００１１】ゲート電極１４を覆って基板１２上の全面
に窒化シリコン、酸化シリコンなどから成るゲート絶縁
膜１５が形成されている。ゲート電極１４の上方のゲー
ト絶縁膜１５上には、ａ−Ｓｉなどから成る半導体層１
６が形成されている。半導体層１６の両端部には、ａ−
Ｓｉなどから成るコンタクト層１７が形成されている。
一方のコンタクト層１７上にはソース電極１８が重畳形
成され、他方のコンタクト層１７上にはドレイン電極１
９が重畳形成されている。ソース電極１８にはゲートバ
ス配線１３に前述のゲート絶縁膜１５を挟んで交差する
信号線として機能するソースバス配線１０が接続されて
いる。ゲート電極１４、ゲート絶縁膜１５、半導体層１
６、コンタクト層１７、ソース電極１８およびドレイン
電極１９は、ＴＦＴ１１を構成する。
に窒化シリコン、酸化シリコンなどから成るゲート絶縁
膜１５が形成されている。ゲート電極１４の上方のゲー
ト絶縁膜１５上には、ａ−Ｓｉなどから成る半導体層１
６が形成されている。半導体層１６の両端部には、ａ−
Ｓｉなどから成るコンタクト層１７が形成されている。
一方のコンタクト層１７上にはソース電極１８が重畳形
成され、他方のコンタクト層１７上にはドレイン電極１
９が重畳形成されている。ソース電極１８にはゲートバ
ス配線１３に前述のゲート絶縁膜１５を挟んで交差する
信号線として機能するソースバス配線１０が接続されて
いる。ゲート電極１４、ゲート絶縁膜１５、半導体層１
６、コンタクト層１７、ソース電極１８およびドレイン
電極１９は、ＴＦＴ１１を構成する。
【００１２】さらにその上に複数の凸部２０ａを有し、
ドレイン電極１９上にコンタクトホール２１を有する有
機絶縁膜２０が形成される。有機絶縁膜２０上には、反
射電極２２が形成され、反射電極２２はコンタクトホー
ル２１を介してドレイン電極１９と接続されている。
ドレイン電極１９上にコンタクトホール２１を有する有
機絶縁膜２０が形成される。有機絶縁膜２０上には、反
射電極２２が形成され、反射電極２２はコンタクトホー
ル２１を介してドレイン電極１９と接続されている。
【００１３】以上のようにＴＦＴ１１を形成した反射板
１２ａ上に有機絶縁膜２０を形成すれば、エッチング法
を用いて有機絶縁膜２０の表面に凸部２０ａを容易に形
成することができ、凸部２０ａを有する有機絶縁膜２０
上に反射電極２２を形成することによって、容易に凹凸
を有する反射電極２２を形成することができる。
１２ａ上に有機絶縁膜２０を形成すれば、エッチング法
を用いて有機絶縁膜２０の表面に凸部２０ａを容易に形
成することができ、凸部２０ａを有する有機絶縁膜２０
上に反射電極２２を形成することによって、容易に凹凸
を有する反射電極２２を形成することができる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記文献に記載の反射
板では、ガラス基板に研磨剤によって傷を付けることに
よって凹凸部が形成されるので、均一な形状の凹凸部を
形成することができない。また、凹凸部の形状の再現性
が悪いという問題点と、凹凸部の形状がパターン化でき
ないという問題点とがあるため、このようなガラス基板
を用いると再現性良く良好な反射特性を有する反射型液
晶表示装置を提供することはできない。さらに、この方
法はＴＦＴなどのスイッチング素子を有した反射板に対
しては装置にダメージを与える危険があるために適用で
きない。
板では、ガラス基板に研磨剤によって傷を付けることに
よって凹凸部が形成されるので、均一な形状の凹凸部を
形成することができない。また、凹凸部の形状の再現性
が悪いという問題点と、凹凸部の形状がパターン化でき
ないという問題点とがあるため、このようなガラス基板
を用いると再現性良く良好な反射特性を有する反射型液
晶表示装置を提供することはできない。さらに、この方
法はＴＦＴなどのスイッチング素子を有した反射板に対
しては装置にダメージを与える危険があるために適用で
きない。
【００１５】また前述の図１１および図１２に示される
ように、反射電極９とソースバス配線１０とをゲート絶
縁膜５上に形成する際には、反射電極９とソースバス配
線１０とが導通しないように間隙９ａが形成される。し
かしながら、前述の図１３および図１４に示されるよう
に、ソースバス配線２３をゲート絶縁膜１５上に反射電
極２２を有機絶縁膜２０上に形成すれば、前述のような
間隙９ａは不要である。
ように、反射電極９とソースバス配線１０とをゲート絶
縁膜５上に形成する際には、反射電極９とソースバス配
線１０とが導通しないように間隙９ａが形成される。し
かしながら、前述の図１３および図１４に示されるよう
に、ソースバス配線２３をゲート絶縁膜１５上に反射電
極２２を有機絶縁膜２０上に形成すれば、前述のような
間隙９ａは不要である。
【００１６】表示の輝度を向上するためには、反射電極
２２は大きいほど好ましい。したがって、図１３および
図１４では反射電極２２端部は有機絶縁膜２０を介して
ソースバス配線２３上にも形成され、図１１および図１
２で示される反射電極９より大きい。
２２は大きいほど好ましい。したがって、図１３および
図１４では反射電極２２端部は有機絶縁膜２０を介して
ソースバス配線２３上にも形成され、図１１および図１
２で示される反射電極９より大きい。
【００１７】しかし、有機絶縁膜２０は凹凸を有してい
るため、凹部が深くなり、凹部の底２０ｂがソースバス
配線２３上に接触するエッチング不良が生じた場合、有
機絶縁膜２０による絶縁が行われず、有機絶縁膜２０上
に形成される反射電極２２とソースバス配線２３との絶
縁不良が生じるという問題がある。
るため、凹部が深くなり、凹部の底２０ｂがソースバス
配線２３上に接触するエッチング不良が生じた場合、有
機絶縁膜２０による絶縁が行われず、有機絶縁膜２０上
に形成される反射電極２２とソースバス配線２３との絶
縁不良が生じるという問題がある。
【００１８】また、基板１２上の全面に凸部２０ａを有
する有機絶縁膜２０を形成するため、反射電極２２をパ
ターニングする際、凸部２０ａによって反射電極２２の
端部に凹凸が生じ、反射電極２２のパターニング不良が
生じるという問題がある。
する有機絶縁膜２０を形成するため、反射電極２２をパ
ターニングする際、凸部２０ａによって反射電極２２の
端部に凹凸が生じ、反射電極２２のパターニング不良が
生じるという問題がある。
【００１９】本発明の目的は、上述の問題を解決し、良
好な反射特性を有する反射電極を備えた反射型液晶表示
装置およびその製造方法を提供することである。
好な反射特性を有する反射電極を備えた反射型液晶表示
装置およびその製造方法を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置される一対の透明基板のうち、一方の基板
上の液晶層側に凹凸を有する絶縁膜を塗布し、その上に
他方の基板側からの入射光を反射する表示絵素である複
数の反射電極を有する反射板を形成し、他方の基板上の
液晶層側にはほぼ全面にわたって透光性を有する共通電
極を形成して構成される反射型液晶表示装置において、
前記凸部が直径３〜５０μｍの柱状体でかつその配置が
不規則であり、隣接する凸部が相互に１μｍ以上離れる
ことを特徴とする反射型液晶表示装置である。
して対向配置される一対の透明基板のうち、一方の基板
上の液晶層側に凹凸を有する絶縁膜を塗布し、その上に
他方の基板側からの入射光を反射する表示絵素である複
数の反射電極を有する反射板を形成し、他方の基板上の
液晶層側にはほぼ全面にわたって透光性を有する共通電
極を形成して構成される反射型液晶表示装置において、
前記凸部が直径３〜５０μｍの柱状体でかつその配置が
不規則であり、隣接する凸部が相互に１μｍ以上離れる
ことを特徴とする反射型液晶表示装置である。
【００２１】また本発明は、液晶層を介在して対向配置
される一対の透明基板のうち、一方の基板上の液晶層側
に凹凸を有する絶縁膜を塗布し、その上に他方の基板側
からの入射光を反射する表示絵素である複数の反射電極
を有する反射板を形成し、他方の基板上の液晶層側には
ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電極を形成して
構成される反射型液晶表示装置の製造方法において、前
記反射板上に有機絶縁膜を一様に塗布し、その上にホト
レジスト層を塗布し、さらに直径３〜５０μｍの円形の
遮光領域が不規則にかつ隣接する遮光領域が１μｍ以上
離れるように形成されたマスクをホトレジスト層にあて
て光を照射することによってホトレジスト層に凹凸を形
成した後、エッチングを行って有機絶縁膜に前記遮光領
域に対応する凹凸部を作り、その上に金属薄膜を形成す
ることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法であ
る。
される一対の透明基板のうち、一方の基板上の液晶層側
に凹凸を有する絶縁膜を塗布し、その上に他方の基板側
からの入射光を反射する表示絵素である複数の反射電極
を有する反射板を形成し、他方の基板上の液晶層側には
ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電極を形成して
構成される反射型液晶表示装置の製造方法において、前
記反射板上に有機絶縁膜を一様に塗布し、その上にホト
レジスト層を塗布し、さらに直径３〜５０μｍの円形の
遮光領域が不規則にかつ隣接する遮光領域が１μｍ以上
離れるように形成されたマスクをホトレジスト層にあて
て光を照射することによってホトレジスト層に凹凸を形
成した後、エッチングを行って有機絶縁膜に前記遮光領
域に対応する凹凸部を作り、その上に金属薄膜を形成す
ることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法であ
る。
【００２２】また本発明は、前記マスクは、一辺が１０
０〜２００μｍの方形の単位パターンを鏡面反転して設
計されていることを特徴とする。
０〜２００μｍの方形の単位パターンを鏡面反転して設
計されていることを特徴とする。
【００２３】
【作用】本発明に従えば、前記反射型液晶表示装置にお
いて、反射電極を有する反射板は、直径が３〜５０μｍ
の円形の混ざった凸部によって、また隣接する凸部は１
μｍ以上離れて形成され、その位置は不規則である。ま
た凹凸部の形成はマスクを用いて行うので、凹部の深さ
は一定となり、これによって絶縁不良によるダメージを
素子に与えることなく、凸部を１μｍ以上離すことによ
って露光むらを防止でき、明るい反射特性を有する。
いて、反射電極を有する反射板は、直径が３〜５０μｍ
の円形の混ざった凸部によって、また隣接する凸部は１
μｍ以上離れて形成され、その位置は不規則である。ま
た凹凸部の形成はマスクを用いて行うので、凹部の深さ
は一定となり、これによって絶縁不良によるダメージを
素子に与えることなく、凸部を１μｍ以上離すことによ
って露光むらを防止でき、明るい反射特性を有する。
【００２４】また好ましくはランダムなパターンのマス
クの設計を一辺が１００〜２００μｍの単位パターンを
鏡面反転することによって、設計の簡略化が実現でき、
鏡面反転によって単位パターンの継目が直線にならず均
一に散乱した明るい反射特性が得られる。
クの設計を一辺が１００〜２００μｍの単位パターンを
鏡面反転することによって、設計の簡略化が実現でき、
鏡面反転によって単位パターンの継目が直線にならず均
一に散乱した明るい反射特性が得られる。
【００２５】さらに反射板の反射機能を有する薄膜を形
成した面が、特に視差が問題になる場合には液晶層側、
すなわち液晶層とほぼ隣接する位置に配置されている構
成とすることができる。
成した面が、特に視差が問題になる場合には液晶層側、
すなわち液晶層とほぼ隣接する位置に配置されている構
成とすることができる。
【００２６】また、前記反射機能を有する薄膜が、誘電
体ミラーやコレステリック液晶を用いたノッチ形フィル
タの絶縁性薄膜であってもよいが、金属薄膜としても差
し支えがない。さらに、この場合には前記透光性基板に
形成された電極とは前記液晶層を挟んで対向する電極と
しても機能を付与することができる。
体ミラーやコレステリック液晶を用いたノッチ形フィル
タの絶縁性薄膜であってもよいが、金属薄膜としても差
し支えがない。さらに、この場合には前記透光性基板に
形成された電極とは前記液晶層を挟んで対向する電極と
しても機能を付与することができる。
【００２７】
【実施例】以下、実施例でもって本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２８】図１は本発明の一実施例である反射型液晶
表示装置３０の断面図であり、図２は図１に示される反
射板５２の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の
基板３１上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲ
ートバス配線３２が互いに平行に設けられ、ゲートバス
配線３２からはゲート電極３３が分岐している。ゲート
バス配線３２は、走査線として機能している。
表示装置３０の断面図であり、図２は図１に示される反
射板５２の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の
基板３１上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲ
ートバス配線３２が互いに平行に設けられ、ゲートバス
配線３２からはゲート電極３３が分岐している。ゲート
バス配線３２は、走査線として機能している。
【００２９】ゲート電極３３を覆って基板３１上の全面
に、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏx）などから成るゲート絶縁膜３４が形成されてい
る。ゲート電極３３の上方のゲート絶縁膜３４上には、
ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅなどから成る半導
体層３５が形成されている。半導体層３５の両端部に
は、ａ−Ｓｉなどから成るコンタクト電極４１が形成さ
れている。一方のコンタクト電極４１上にはチタン、モ
リブデン、アルミニウム等から成るソース電極３６が重
畳形成され、他方のコンタクト電極４１上にはソース電
極３６と同様にチタン、モリブデン、アルミニウムなど
から成るドレイン電極３７が重畳形成されている。
に、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏx）などから成るゲート絶縁膜３４が形成されてい
る。ゲート電極３３の上方のゲート絶縁膜３４上には、
ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅなどから成る半導
体層３５が形成されている。半導体層３５の両端部に
は、ａ−Ｓｉなどから成るコンタクト電極４１が形成さ
れている。一方のコンタクト電極４１上にはチタン、モ
リブデン、アルミニウム等から成るソース電極３６が重
畳形成され、他方のコンタクト電極４１上にはソース電
極３６と同様にチタン、モリブデン、アルミニウムなど
から成るドレイン電極３７が重畳形成されている。
【００３０】図２に示すようにソース電極３６には、ゲ
ートバス配線３２に前述のゲート絶縁膜３４を挟んで交
差するソースバス配線３９が接続されている。ソースバ
ス配線３９は、信号線として機能している。ソースバス
配線３９も、ソース電極３６と同様の金属で形成されて
いる。ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３
５、ソース電極３６およびドレイン電極３７は、ＴＦＴ
４０を構成し、該ＴＦＴ４０は、スイッチング素子の機
能を有する。
ートバス配線３２に前述のゲート絶縁膜３４を挟んで交
差するソースバス配線３９が接続されている。ソースバ
ス配線３９は、信号線として機能している。ソースバス
配線３９も、ソース電極３６と同様の金属で形成されて
いる。ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３
５、ソース電極３６およびドレイン電極３７は、ＴＦＴ
４０を構成し、該ＴＦＴ４０は、スイッチング素子の機
能を有する。
【００３１】ゲートバス配線３２、ソースバス配線３９
およびＴＦＴ４０を覆って、基板３１上全面に有機絶縁
膜４２が形成されている。有機絶縁膜４２の反射電極３
８が形成される領域には先細状で底面部の断面形状が直
径３〜５０μｍ、好ましくは５〜２０μｍの凸部が高さ
Ｈで、隣接する凸部が１μｍ以上離れて形成されてお
り、ドレイン電極３７部分にはコンタクトホール４３が
形成されている。有機絶縁膜４２の形成方法やこれにコ
ンタクトホール４３を形成する工程上の問題、および液
晶表示装置３０を作成する際のセル厚のばらつきを小さ
くするため、前記凸部の高さＨは１０μｍ以下が好まし
い（一般にセルの厚さは１０μｍ以下である）。有機絶
縁膜４２の円形の凸部４２ａの形成領域上にアルミニウ
ム、銀などから成る反射電極３８が形成され、反射電極
３８はコンタクトホール４３においてドレイン電極３７
と接続される。さらにその上には配向膜４４が形成され
る。
およびＴＦＴ４０を覆って、基板３１上全面に有機絶縁
膜４２が形成されている。有機絶縁膜４２の反射電極３
８が形成される領域には先細状で底面部の断面形状が直
径３〜５０μｍ、好ましくは５〜２０μｍの凸部が高さ
Ｈで、隣接する凸部が１μｍ以上離れて形成されてお
り、ドレイン電極３７部分にはコンタクトホール４３が
形成されている。有機絶縁膜４２の形成方法やこれにコ
ンタクトホール４３を形成する工程上の問題、および液
晶表示装置３０を作成する際のセル厚のばらつきを小さ
くするため、前記凸部の高さＨは１０μｍ以下が好まし
い（一般にセルの厚さは１０μｍ以下である）。有機絶
縁膜４２の円形の凸部４２ａの形成領域上にアルミニウ
ム、銀などから成る反射電極３８が形成され、反射電極
３８はコンタクトホール４３においてドレイン電極３７
と接続される。さらにその上には配向膜４４が形成され
る。
【００３２】他方の基板４５上には、カラーフィルタ４
６が形成される。カラーフィルタ４６の基板３１の反射
電極３８に対向する位置にはマゼンタまたは緑のフィル
タ４６ａが形成され、反射電極３８に対向しない位置に
はブラックのフィルタ４６ｂが形成される。カラーフィ
ルタ４６上の全面にはＩＴＯなどから成る透明な電極４
７、さらにその上には配向膜４８が形成される。
６が形成される。カラーフィルタ４６の基板３１の反射
電極３８に対向する位置にはマゼンタまたは緑のフィル
タ４６ａが形成され、反射電極３８に対向しない位置に
はブラックのフィルタ４６ｂが形成される。カラーフィ
ルタ４６上の全面にはＩＴＯなどから成る透明な電極４
７、さらにその上には配向膜４８が形成される。
【００３３】両基板３１，４５は、反射電極３８とフィ
ルタ４６ａとが一致するように対向して貼り合わせら
れ、間に液晶４９が注入されて反射型液晶表示装置３０
が完成する。
ルタ４６ａとが一致するように対向して貼り合わせら
れ、間に液晶４９が注入されて反射型液晶表示装置３０
が完成する。
【００３４】図３は、図１および図２に示される円形の
凹凸を有する反射電極３８を基板３１上に形成する形成
方法を説明する工程図であり、図４は図３に示す形成方
法を説明する断面図であり、図５は図３の工程ｓ７で用
いられるマスク５１の平面図である。図４（１）は図３
の工程ｓ４を示し、図４（２）は図３の工程ｓ７を示
し、図４（３）は図３の工程ｓ８を示し、図４（４）は
図３の工程ｓ９を示している。
凹凸を有する反射電極３８を基板３１上に形成する形成
方法を説明する工程図であり、図４は図３に示す形成方
法を説明する断面図であり、図５は図３の工程ｓ７で用
いられるマスク５１の平面図である。図４（１）は図３
の工程ｓ４を示し、図４（２）は図３の工程ｓ７を示
し、図４（３）は図３の工程ｓ８を示し、図４（４）は
図３の工程ｓ９を示している。
【００３５】工程ｓ１では、ガラスなどから成る絶縁性
の基板３１上にスパッタリング法によって３０００Åの
厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソ
グラフ法およびエッチングによってパターニングを行
い、ゲートバス配線３２およびゲート電極３３を形成す
る。工程ｓ２では、プラズマＣＶＤ法によって４０００
Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜３４を形
成する。
の基板３１上にスパッタリング法によって３０００Åの
厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソ
グラフ法およびエッチングによってパターニングを行
い、ゲートバス配線３２およびゲート電極３３を形成す
る。工程ｓ２では、プラズマＣＶＤ法によって４０００
Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜３４を形
成する。
【００３６】工程ｓ３では、半導体層３５となる厚さ１
０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ
４００Åのｎ+ 型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成
する。形成されたｎ+ 型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層の
パターニングを行い、半導体３５およびコンタクト層４
１を形成する。工程ｓ４では、基板３１の全面に厚さ２
０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極３６、ドレイン電極３７およびソースバス配線
３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（１）は、
工程ｓ４までの処理終了後のＴＦＴ４０が形成された反
射板５２の断面図である。
０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ
４００Åのｎ+ 型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成
する。形成されたｎ+ 型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層の
パターニングを行い、半導体３５およびコンタクト層４
１を形成する。工程ｓ４では、基板３１の全面に厚さ２
０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極３６、ドレイン電極３７およびソースバス配線
３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（１）は、
工程ｓ４までの処理終了後のＴＦＴ４０が形成された反
射板５２の断面図である。
【００３７】工程ｓ５では、ＴＦＴ４０を形成した反射
板５２上全面にポリイミド樹脂（商品名：ＪＳＳ−７４
２；日本合成ゴム株式会社製）を、１２００ｒｐｍで２
０秒間スピンコートし、２μｍの厚さに形成し、有機絶
縁膜４２を形成する。工程ｓ６では、ホトリソグラフ法
およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜４２にコ
ンタクトホール４３を形成する。工程ｓ７では、有機絶
縁膜４２上にホトレジスト５０を塗布し、図５に示され
るマスク５１を用いて反射電極３８形成領域のホトレジ
スト５０に円形の凸部５０ａをパターニングする。さら
に、円形の凸部５０ａの角を取るために、１２０℃〜２
５０℃の範囲で熱処理を行う。本実施例では、２００
℃、３０分の熱処理を行った。図４（２）に、工程ｓ７
までの処理終了後の基板３１の断面図を示す。マスク５
１には、反射電極３８形成領域に図５の斜線で示す円形
の遮光領域５１ａが不規則に形成されている。
板５２上全面にポリイミド樹脂（商品名：ＪＳＳ−７４
２；日本合成ゴム株式会社製）を、１２００ｒｐｍで２
０秒間スピンコートし、２μｍの厚さに形成し、有機絶
縁膜４２を形成する。工程ｓ６では、ホトリソグラフ法
およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜４２にコ
ンタクトホール４３を形成する。工程ｓ７では、有機絶
縁膜４２上にホトレジスト５０を塗布し、図５に示され
るマスク５１を用いて反射電極３８形成領域のホトレジ
スト５０に円形の凸部５０ａをパターニングする。さら
に、円形の凸部５０ａの角を取るために、１２０℃〜２
５０℃の範囲で熱処理を行う。本実施例では、２００
℃、３０分の熱処理を行った。図４（２）に、工程ｓ７
までの処理終了後の基板３１の断面図を示す。マスク５
１には、反射電極３８形成領域に図５の斜線で示す円形
の遮光領域５１ａが不規則に形成されている。
【００３８】工程ｓ８では、図４（３）に示されるよう
に、ホトレジスト５０のない部分の有機絶縁膜４２をエ
ッチングして高さＨが１．０μｍの円形の凸部４２ａを
形成する。このとき、ホトレジスト５０に熱処理を行
い、円形の凸部の角を取ってあるため、円形の凸部４２
ａもまた角が取れた形に形成される。また、コンタクト
ホール４３およびＴＦＴ４０上の有機絶縁膜４２はホト
レジスト５０によって保護されており、エッチングが行
われない。エッチングが終われば、薬品で洗浄するか、
光照射でホトレジスト５０を取りさる。
に、ホトレジスト５０のない部分の有機絶縁膜４２をエ
ッチングして高さＨが１．０μｍの円形の凸部４２ａを
形成する。このとき、ホトレジスト５０に熱処理を行
い、円形の凸部の角を取ってあるため、円形の凸部４２
ａもまた角が取れた形に形成される。また、コンタクト
ホール４３およびＴＦＴ４０上の有機絶縁膜４２はホト
レジスト５０によって保護されており、エッチングが行
われない。エッチングが終われば、薬品で洗浄するか、
光照射でホトレジスト５０を取りさる。
【００３９】工程ｓ９では有機絶縁膜４２上全面にアル
ミニウム層を形成し、図４（４）に示されるように、円
形の凸部４２ａの上に反射電極３８を形成する。この状
態の反射板５２を、反射電極３８を有する基板５２とす
る。反射電極３８は、有機絶縁膜４２に形成されたコン
タクトホール４３を介してＴＦＴ４０のドレイン電極３
７と接続されている。
ミニウム層を形成し、図４（４）に示されるように、円
形の凸部４２ａの上に反射電極３８を形成する。この状
態の反射板５２を、反射電極３８を有する基板５２とす
る。反射電極３８は、有機絶縁膜４２に形成されたコン
タクトホール４３を介してＴＦＴ４０のドレイン電極３
７と接続されている。
【００４０】有機絶縁膜４２上の凸の形状を決めるマス
クの形状は、図５のパターン５１のものでもよいが、好
ましくは図６（ａ）に示すような一辺が１００〜２００
μｍの方形のＦで示す単位パターンとし、図６（ｂ）に
示すように鏡面反転を利用して設計する。図７は鏡面反
転を利用して設計したマスク５５の一例を示す。なお、
図７の点線５６は鏡面を示す。
クの形状は、図５のパターン５１のものでもよいが、好
ましくは図６（ａ）に示すような一辺が１００〜２００
μｍの方形のＦで示す単位パターンとし、図６（ｂ）に
示すように鏡面反転を利用して設計する。図７は鏡面反
転を利用して設計したマスク５５の一例を示す。なお、
図７の点線５６は鏡面を示す。
【００４１】有機絶縁膜４２上の凸部の形状は、マスク
５１または５５の形状、ホトレジスト５０の厚さ、ドラ
イエッチングの時間によって制御することができるが、
さらに他の有機絶縁膜を塗布してもよい。
５１または５５の形状、ホトレジスト５０の厚さ、ドラ
イエッチングの時間によって制御することができるが、
さらに他の有機絶縁膜を塗布してもよい。
【００４２】以上の工程によって、反射電極３８を有す
る反射板５２を得た。また上述の製造工程において、有
機絶縁膜４２のドライエッチング時間を長くして、種々
の半径の円形の凸部４２ａとのそれぞれの高さＨを１μ
ｍとした基板３１を得ることができ、高さＨが１μｍで
ある反射電極３８を有する反射板５２を基板５９とす
る。
る反射板５２を得た。また上述の製造工程において、有
機絶縁膜４２のドライエッチング時間を長くして、種々
の半径の円形の凸部４２ａとのそれぞれの高さＨを１μ
ｍとした基板３１を得ることができ、高さＨが１μｍで
ある反射電極３８を有する反射板５２を基板５９とす
る。
【００４３】図１に示される他方の基板４５に形成され
る電極４７は、たとえばＩＴＯから成り、厚さは１００
０Åである。配向膜４４，４８は、ポリイミドなどを塗
布後、焼成することによって形成されている。基板５
２，４５間には、たとえば７μｍのスペーサを混入した
図示しない接着性シール剤をスクリーン印刷することに
よって液晶４９を封入する空間が形成され、前記空間を
真空脱気することによって液晶４９が注入される。液晶
４９としては、たとえば黒色色素を混入したゲストホス
ト液晶（メルク社製、商品名 ＺＬＩ２３２７）に、光
学活性物質（メルク社製、商品名 Ｓ８１１）を４．５
％混入したものを用いる。
る電極４７は、たとえばＩＴＯから成り、厚さは１００
０Åである。配向膜４４，４８は、ポリイミドなどを塗
布後、焼成することによって形成されている。基板５
２，４５間には、たとえば７μｍのスペーサを混入した
図示しない接着性シール剤をスクリーン印刷することに
よって液晶４９を封入する空間が形成され、前記空間を
真空脱気することによって液晶４９が注入される。液晶
４９としては、たとえば黒色色素を混入したゲストホス
ト液晶（メルク社製、商品名 ＺＬＩ２３２７）に、光
学活性物質（メルク社製、商品名 Ｓ８１１）を４．５
％混入したものを用いる。
【００４４】図８は、反射電極６７を有する反射板７０
の反射特性の測定方法を示す断面図である。反射板７０
を実際に液晶表示装置に用いる場合を想定し、液晶層と
ガラス基板の屈折率はいずれも約１．５とほぼ等しいの
で、反射電極６７を有する反射板７０上に屈折率１．５
の紫外線硬化接着樹脂６３を用いてガラス基板６２を密
着し、測定装置６１を形成する。ガラス基板６２の上部
には、光の強度を測定するフォトマルチメータ６４が配
置されている。フォトマルチメータ６４は、反射板７０
に対して入射角θで入射する入射光６５のうち、反射電
極６７によってガラス基板６９の法線方向に反射する散
乱光６６を検出するように、反射板７０の法線方向に固
定されている。
の反射特性の測定方法を示す断面図である。反射板７０
を実際に液晶表示装置に用いる場合を想定し、液晶層と
ガラス基板の屈折率はいずれも約１．５とほぼ等しいの
で、反射電極６７を有する反射板７０上に屈折率１．５
の紫外線硬化接着樹脂６３を用いてガラス基板６２を密
着し、測定装置６１を形成する。ガラス基板６２の上部
には、光の強度を測定するフォトマルチメータ６４が配
置されている。フォトマルチメータ６４は、反射板７０
に対して入射角θで入射する入射光６５のうち、反射電
極６７によってガラス基板６９の法線方向に反射する散
乱光６６を検出するように、反射板７０の法線方向に固
定されている。
【００４５】測定装置６１に入射される入射光６５の入
射角θを変化させて反射電極６７による法線方向の散乱
光６６を測定することによって、反射電極６７の反射特
性が得られる。
射角θを変化させて反射電極６７による法線方向の散乱
光６６を測定することによって、反射電極６７の反射特
性が得られる。
【００４６】図９は、図１に示す円形の凸部をもった反
射電極３８の反射特性を示すグラフである。図９におい
て入射角θをもって入射する光の反射強度はθ＝０°の
線に対する角度θの方向に原点０からの距離として横軸
に表されている。反射電極３８の反射特性を黒三角で示
す。白丸で示す反射特性曲線は、標準白色板（酸化マグ
ネシウム）について測定したものである。
射電極３８の反射特性を示すグラフである。図９におい
て入射角θをもって入射する光の反射強度はθ＝０°の
線に対する角度θの方向に原点０からの距離として横軸
に表されている。反射電極３８の反射特性を黒三角で示
す。白丸で示す反射特性曲線は、標準白色板（酸化マグ
ネシウム）について測定したものである。
【００４７】図１０は、前述の図１４に示す従来の円形
凸部の反射電極２２による反射特性を示すグラフであ
る。反射電極２２による反射特性を黒四角で示す。本発
明の円形の凸部を有する反射電極３８の反射特性と、従
来の円形の凸部を有する反射電極とを比較すると、前者
の方が反射特性がよく、明るい表示が得られることがわ
かる。
凸部の反射電極２２による反射特性を示すグラフであ
る。反射電極２２による反射特性を黒四角で示す。本発
明の円形の凸部を有する反射電極３８の反射特性と、従
来の円形の凸部を有する反射電極とを比較すると、前者
の方が反射特性がよく、明るい表示が得られることがわ
かる。
【００４８】ポリイミド樹脂の種類や膜厚、レジストの
熱処理温度を適当に選択すると凹凸の傾斜角度を自由に
制御することができ、これによって反射強度の入射角θ
の依存性を制御できる。その上に塗布する有機絶縁膜の
種類や膜厚を変えることによっても反射強度を制御でき
る。
熱処理温度を適当に選択すると凹凸の傾斜角度を自由に
制御することができ、これによって反射強度の入射角θ
の依存性を制御できる。その上に塗布する有機絶縁膜の
種類や膜厚を変えることによっても反射強度を制御でき
る。
【００４９】また、マスク５１の遮光領域の占める割合
を変えることによって、正反射成分の大きさも制御する
ことができる。
を変えることによって、正反射成分の大きさも制御する
ことができる。
【００５０】反射率の測定は、前述の図８の反射板の位
置に、上記の反射型液晶表示装置を置いて測定した。反
射率は、入射角θ＝３０°をもって入射する入射光につ
いて説明され、標準白色板における法線方向への拡散光
に対する、表示装置における法線方向への拡散光の強度
の比率を求めることによって得られる。
置に、上記の反射型液晶表示装置を置いて測定した。反
射率は、入射角θ＝３０°をもって入射する入射光につ
いて説明され、標準白色板における法線方向への拡散光
に対する、表示装置における法線方向への拡散光の強度
の比率を求めることによって得られる。
【００５１】本実施例の反射型液晶表示装置では、反射
型アクティブマトリスク基板５２の反射電極３８を形成
した面が、液晶層側に配置されているので視差がなくな
り、良好な表示画面が得られる。また、本実施例では反
射型アクティブマトリスク基板５２の反射薄膜が液晶層
側、すなわち液晶層にほぼ隣接する位置に配置されてい
る構成となるので、凸部の高さＨはセル厚よりも小さ
く、凸部の傾斜角度は液晶の配向を乱さない程度に緩や
かにするのが望ましい。
型アクティブマトリスク基板５２の反射電極３８を形成
した面が、液晶層側に配置されているので視差がなくな
り、良好な表示画面が得られる。また、本実施例では反
射型アクティブマトリスク基板５２の反射薄膜が液晶層
側、すなわち液晶層にほぼ隣接する位置に配置されてい
る構成となるので、凸部の高さＨはセル厚よりも小さ
く、凸部の傾斜角度は液晶の配向を乱さない程度に緩や
かにするのが望ましい。
【００５２】さらに、本実施例では有機絶縁膜のパター
ニングをドライエッチング法によって行ったが、有機絶
縁膜がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液によるウ
エットエッチング法によって行ってもよい。また、有機
絶縁膜としてポリイミド樹脂を用いたが、アクリル樹脂
などの他の有機材料を用いることができる。さらに、基
板としては、本実施例ではガラス基板を用いたが、Ｓｉ
基板のような不透明基板でも同様な効果が発揮され、こ
の場合には回路を基板上に集積できるメリットがある。
ニングをドライエッチング法によって行ったが、有機絶
縁膜がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液によるウ
エットエッチング法によって行ってもよい。また、有機
絶縁膜としてポリイミド樹脂を用いたが、アクリル樹脂
などの他の有機材料を用いることができる。さらに、基
板としては、本実施例ではガラス基板を用いたが、Ｓｉ
基板のような不透明基板でも同様な効果が発揮され、こ
の場合には回路を基板上に集積できるメリットがある。
【００５３】なお、本実施例では表示モードとして相転
移型ゲスト・ホストモードを取り上げたが、これに限定
することなく、たとえば２層式ゲスト・ホストモードの
ような他の光吸収モード、高分子分散型ＬＣＤ（液晶表
示装置）のような光散乱型表示モード、強誘電性ＬＣＤ
で使用される複屈折表示モードなど、本発明にかかわる
反射型アクティブマトリクス基板およびその製造方法の
適用は可能である。スイッチング素子としてＴＦＴを用
いた場合について説明したが、他のたとえばＭＩＭ(Met
al Insulator Metal）素子、ダイオード、バリスタなど
を用いたアクティブマトリクス基板にも適用することが
できる。
移型ゲスト・ホストモードを取り上げたが、これに限定
することなく、たとえば２層式ゲスト・ホストモードの
ような他の光吸収モード、高分子分散型ＬＣＤ（液晶表
示装置）のような光散乱型表示モード、強誘電性ＬＣＤ
で使用される複屈折表示モードなど、本発明にかかわる
反射型アクティブマトリクス基板およびその製造方法の
適用は可能である。スイッチング素子としてＴＦＴを用
いた場合について説明したが、他のたとえばＭＩＭ(Met
al Insulator Metal）素子、ダイオード、バリスタなど
を用いたアクティブマトリクス基板にも適用することが
できる。
【００５４】有機絶縁膜に用いる樹脂にレジスト（ＯＦ
ＰＲ−８００）を用いたものは、さらに干渉光を少なく
できる効果がある。
ＰＲ−８００）を用いたものは、さらに干渉光を少なく
できる効果がある。
【００５５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、直径３〜
５０μｍの範囲の円形が混ざり、隣接する円形が１μｍ
以上離れたマスクを用いることによって、凸部が直径３
〜５０μｍの範囲の円形が混ざり、隣接する凸部が１μ
ｍ以上離れた一定パターンの絶縁膜を得、その上に反射
電極を形成し、良好な反射特性を有する反射型液晶表示
装置を再現性よく製造できる。
５０μｍの範囲の円形が混ざり、隣接する円形が１μｍ
以上離れたマスクを用いることによって、凸部が直径３
〜５０μｍの範囲の円形が混ざり、隣接する凸部が１μ
ｍ以上離れた一定パターンの絶縁膜を得、その上に反射
電極を形成し、良好な反射特性を有する反射型液晶表示
装置を再現性よく製造できる。
【００５６】また一辺が１００〜２００μｍの方形の単
位パターンを鏡面反転を利用してマスクの設計を行うこ
とにより、マスクの設計を簡略化できる上、単位パター
ンの継目が直線にならず良好な反射特性を有する反射型
液晶表示装置を得ることができる。
位パターンを鏡面反転を利用してマスクの設計を行うこ
とにより、マスクの設計を簡略化できる上、単位パター
ンの継目が直線にならず良好な反射特性を有する反射型
液晶表示装置を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例である反射型液晶表示装置３
０の断面図である。
０の断面図である。
【図２】図１に示される基板３１の平面図である。
【図３】図１および図２に示される基板３１上に直径３
〜５０μｍの円形の凸部を有する反射電極３８を形成す
る方法を説明する工程図である。
〜５０μｍの円形の凸部を有する反射電極３８を形成す
る方法を説明する工程図である。
【図４】図３に示す形成方法を説明するための基板３１
の断面図である。
の断面図である。
【図５】図３の工程ｓ７で用いるマスクの一例の平面図
である。
である。
【図６】単位パターンの鏡面反転を説明する図である。
【図７】単位パターンを鏡面反転して設計したマスク５
５の平面図である。
５の平面図である。
【図８】反射電極６７の反射特性を測定する装置の原理
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図９】本発明の円形の凸部を有する反射電極の反射特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図１０】従来技術による円形の凸部を有する反射電極
２２の反射特性を示すグラフである。
２２の反射特性を示すグラフである。
【図１１】従来技術に用いられる反射型液晶表示装置の
基板２の平面図である。
基板２の平面図である。
【図１２】図１１に示される切断面線ＸＩ−ＸＩから見
た断面図である。
た断面図である。
【図１３】従来技術に用いられるその他の反射型液晶表
示装置の基板１２の平面図である。
示装置の基板１２の平面図である。
【図１４】図１３に示される切断面線ＸＩＩ−ＸＩＩか
ら見た断面図である。
ら見た断面図である。
３０ 反射型液晶表示装置 ３８ 反射電極 ４２ 有機絶縁膜 ４２ａ 円形の凸部 ５１，５５ マスク
Claims (3)
- 【請求項１】 液晶層を介在して対向配置される一対の
透明基板のうち、一方の基板上の液晶層側に凹凸を有す
る絶縁膜を塗布し、その上に他方の基板側からの入射光
を反射する表示絵素である複数の反射電極を有する反射
板を形成し、他方の基板上の液晶層側にはほぼ全面にわ
たって透光性を有する共通電極を形成して構成される反
射型液晶表示装置において、 前記凸部が直径３〜５０μｍの柱状体でかつその配置が
不規則であり、隣接する凸部が相互に１μｍ以上離れて
いることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶層を介在して対向配置される一対の
透明基板のうち、一方の基板上の液晶層側に凹凸を有す
る絶縁膜を塗布し、その上に他方の基板側からの入射光
を反射する表示絵素である複数の反射電極を有する反射
板を形成し、他方の基板上の液晶層側にはほぼ全面にわ
たって透光性を有する共通電極を形成して構成される反
射型液晶表示装置の製造方法において、 前記反射板上に有機絶縁膜を一様に塗布し、その上にホ
トレジスト層を塗布し、さらに直径３〜５０μｍの円形
の遮光領域が不規則にかつ隣接する遮光領域が１μｍ以
上離れるように形成されたマスクをホトレジスト層にあ
てて光を照射することによってホトレジスト層に凹凸を
形成した後、エッチングを行って有機絶縁膜に前記遮光
領域に対応する凹凸部を作り、その上に金属薄膜を形成
することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記マスクは、一辺が１００〜２００μ
ｍの方形の単位パターンを鏡面反転して設計されている
ことを特徴とする請求項２記載の反射型液晶表示装置の
製造方法。
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