JPH05315505A - 半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置 - Google Patents
半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置Info
- Publication number
- JPH05315505A JPH05315505A JP14660392A JP14660392A JPH05315505A JP H05315505 A JPH05315505 A JP H05315505A JP 14660392 A JP14660392 A JP 14660392A JP 14660392 A JP14660392 A JP 14660392A JP H05315505 A JPH05315505 A JP H05315505A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- semiconductor element
- pair
- solder plating
- plating
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームが鍍金液中に浸漬する際曲が
ったり、鍍金液の循環流によりリードフレーム４が動い
てしまうことがなく、均一なはんだ鍍金ができる半導体
素子リードフレーム用はんだ鍍金装置を提供すること。 【構成】 鍍金液が収容された鍍金槽１内に所定の間隔
を設けて一対の陽電極６，６を対向して配置すると共
に、該陽電極６，６の間に所定の間隔を設けて一対の遮
蔽板２，２を配置し、該遮蔽板２，２の間に半導体素子
３が実装されたリードフレーム４の単品を治具５により
挾持して浸漬し、該リードフレーム４を陰電極とし該リ
ードフレーム４と陽電極６，６の間に所定の電流を通電
し、リードフレーム４にはんだ鍍金を施す半導体素子リ
ードフレーム用はんだ鍍金装置において、一対の遮蔽板
２，２の間にリードフレーム４を該遮蔽板間２，２の略
中央位置に導く一対のガイド板８，８を配置した。
ったり、鍍金液の循環流によりリードフレーム４が動い
てしまうことがなく、均一なはんだ鍍金ができる半導体
素子リードフレーム用はんだ鍍金装置を提供すること。 【構成】 鍍金液が収容された鍍金槽１内に所定の間隔
を設けて一対の陽電極６，６を対向して配置すると共
に、該陽電極６，６の間に所定の間隔を設けて一対の遮
蔽板２，２を配置し、該遮蔽板２，２の間に半導体素子
３が実装されたリードフレーム４の単品を治具５により
挾持して浸漬し、該リードフレーム４を陰電極とし該リ
ードフレーム４と陽電極６，６の間に所定の電流を通電
し、リードフレーム４にはんだ鍍金を施す半導体素子リ
ードフレーム用はんだ鍍金装置において、一対の遮蔽板
２，２の間にリードフレーム４を該遮蔽板間２，２の略
中央位置に導く一対のガイド板８，８を配置した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子が実装させた
リードフレームにはんだ鍍金を行う半導体素子リードフ
レーム用はんだ鍍金装置に関するものである。
リードフレームにはんだ鍍金を行う半導体素子リードフ
レーム用はんだ鍍金装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】図３及び図４は従来のこの種の半導体素子
リードフレーム用はんだ鍍金装置の概略構成を示す図
で、図３は斜視図、図４は断面図である。図示するよう
にはんだ鍍金槽１内には図示しない鍍金液が収容されて
おり、この鍍金液に浸漬して所定の間隔で遮蔽板２，２
が対向するように配置されている。該遮蔽板２，２の間
に治具５により挾持されたリードフレーム４が吊り下げ
られている。なお、リードフレーム４には半導体素子３
が実装されている。遮蔽板２，２の外側には陽電極６が
配置されている。この陽電極６には、例えばチタン材で
形成された網、所謂チタンケース６ａにはんだ粒６ｂが
収容された構造のものを用いる。
リードフレーム用はんだ鍍金装置の概略構成を示す図
で、図３は斜視図、図４は断面図である。図示するよう
にはんだ鍍金槽１内には図示しない鍍金液が収容されて
おり、この鍍金液に浸漬して所定の間隔で遮蔽板２，２
が対向するように配置されている。該遮蔽板２，２の間
に治具５により挾持されたリードフレーム４が吊り下げ
られている。なお、リードフレーム４には半導体素子３
が実装されている。遮蔽板２，２の外側には陽電極６が
配置されている。この陽電極６には、例えばチタン材で
形成された網、所謂チタンケース６ａにはんだ粒６ｂが
収容された構造のものを用いる。
【０００３】上記構成の半導体素子リードフレーム用は
んだ鍍金装置において、治具５に挟持されたリードフレ
ーム４を陰極とし、直流電源７からリードフレーム４と
陽電極６の間に電流を流すと、リードフレーム４の表面
にはんだ鍍金ができる。なお、遮蔽板２，２は陽電極６
とリードフレーム４の間に均一に電流が流れるようにす
るために、開口部２ａ，２ａが設けられている。
んだ鍍金装置において、治具５に挟持されたリードフレ
ーム４を陰極とし、直流電源７からリードフレーム４と
陽電極６の間に電流を流すと、リードフレーム４の表面
にはんだ鍍金ができる。なお、遮蔽板２，２は陽電極６
とリードフレーム４の間に均一に電流が流れるようにす
るために、開口部２ａ，２ａが設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置においては、
リードフレーム４の上端を治具５で挟持して遮蔽板２，
２の間の鍍金液中に浸漬しているので、この浸漬中にリ
ードフレーム４が薄いため曲がってしまったり、また下
からの鍍金液の循環流によりリードフレーム４が動いて
しまう。リードフレーム４が曲がったり動いてしもうと
はんだ鍍金が均一に形成されないという問題が生じる。
導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置においては、
リードフレーム４の上端を治具５で挟持して遮蔽板２，
２の間の鍍金液中に浸漬しているので、この浸漬中にリ
ードフレーム４が薄いため曲がってしまったり、また下
からの鍍金液の循環流によりリードフレーム４が動いて
しまう。リードフレーム４が曲がったり動いてしもうと
はんだ鍍金が均一に形成されないという問題が生じる。
【０００５】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、リードフレームが鍍金液中に浸漬する際曲がった
り、鍍金液の循環流によりリードフレーム４が動いてし
まうことがなく、均一なはんだ鍍金ができる半導体素子
リードフレーム用はんだ鍍金装置を提供することを目的
とする。
で、リードフレームが鍍金液中に浸漬する際曲がった
り、鍍金液の循環流によりリードフレーム４が動いてし
まうことがなく、均一なはんだ鍍金ができる半導体素子
リードフレーム用はんだ鍍金装置を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、図１に示すような鍍金液が収容された鍍金槽
１内に所定の間隔を設けて一対の陽電極６，６を対向し
て配置すると共に、該陽電極６，６の間に所定の間隔を
設けて一対の遮蔽板２，２を配置し、該遮蔽板２，２の
間に半導体素子３が実装されたリードフレーム４の単品
を治具５により挾持して浸漬し、該リードフレーム４を
陰電極とし該リードフレーム４と陽電極６，６の間に所
定の電流を通電し、リードフレーム４にはんだ鍍金を施
す半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置におい
て、一対の遮蔽板２，２の間にリードフレーム４を該遮
蔽板間２，２の略中央位置に導く一対のガイド板８，８
を上部間隔が広く下部間隔が狭く対向して配置した。
本発明は、図１に示すような鍍金液が収容された鍍金槽
１内に所定の間隔を設けて一対の陽電極６，６を対向し
て配置すると共に、該陽電極６，６の間に所定の間隔を
設けて一対の遮蔽板２，２を配置し、該遮蔽板２，２の
間に半導体素子３が実装されたリードフレーム４の単品
を治具５により挾持して浸漬し、該リードフレーム４を
陰電極とし該リードフレーム４と陽電極６，６の間に所
定の電流を通電し、リードフレーム４にはんだ鍍金を施
す半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置におい
て、一対の遮蔽板２，２の間にリードフレーム４を該遮
蔽板間２，２の略中央位置に導く一対のガイド板８，８
を上部間隔が広く下部間隔が狭く対向して配置した。
【０００７】
【作用】本発明によれば半導体素子リードフレーム用は
んだ鍍金装置を上記のように構成するので、上端を治具
５で挟持されたリードフレーム４の下端はガイド板８，
８に案内され、遮蔽板２，２の略中央に案内されるか
ら、薄いリードフレーム４が曲がることなく、更に鍍金
液の循環により動かされることもない。従って、均一な
はんだ鍍金が可能となる。
んだ鍍金装置を上記のように構成するので、上端を治具
５で挟持されたリードフレーム４の下端はガイド板８，
８に案内され、遮蔽板２，２の略中央に案内されるか
ら、薄いリードフレーム４が曲がることなく、更に鍍金
液の循環により動かされることもない。従って、均一な
はんだ鍍金が可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１及び図２は本発明の半導体素子リードフレー
ム用はんだ鍍金装置の構成を示す図で、図１は断面図、
図２は斜視図である。図示する通り、鍍金槽１内に所定
の間隔を設けて一対の陽電極６，６を対向して配置し、
該陽電極６，６の間に所定の間隔を設けて一対の遮蔽板
２，２を配置し、該遮蔽板２，２の間に半導体素子３が
実装されたリードフレーム４の単品を治具５により挾持
して浸漬し、該リードフレーム４を陰電極とし該リード
フレーム４と陽電極６，６の間に所定の電流を通電し、
リードフレーム４にはんだ鍍金を施すように構成した点
は、図２及び図３に示す従来のはんだ鍍金装置と同一で
ある。
する。図１及び図２は本発明の半導体素子リードフレー
ム用はんだ鍍金装置の構成を示す図で、図１は断面図、
図２は斜視図である。図示する通り、鍍金槽１内に所定
の間隔を設けて一対の陽電極６，６を対向して配置し、
該陽電極６，６の間に所定の間隔を設けて一対の遮蔽板
２，２を配置し、該遮蔽板２，２の間に半導体素子３が
実装されたリードフレーム４の単品を治具５により挾持
して浸漬し、該リードフレーム４を陰電極とし該リード
フレーム４と陽電極６，６の間に所定の電流を通電し、
リードフレーム４にはんだ鍍金を施すように構成した点
は、図２及び図３に示す従来のはんだ鍍金装置と同一で
ある。
【０００９】本発明のはんだ鍍金槽は、図示するように
遮蔽板２，２の間に、対向して配置された一対のガイド
板８，８が設けられている。対向するガイド板８，８の
間隔が上端が広く下端が狭く構成されており、最狭部ｔ
の間隔がリードフレーム４の厚さより若干大きく、その
位置が遮蔽板の略中央に位置するようになっている。
遮蔽板２，２の間に、対向して配置された一対のガイド
板８，８が設けられている。対向するガイド板８，８の
間隔が上端が広く下端が狭く構成されており、最狭部ｔ
の間隔がリードフレーム４の厚さより若干大きく、その
位置が遮蔽板の略中央に位置するようになっている。
【００１０】上記構成のはんだ鍍金装置において、上端
が治具５により挟持されたリードフレーム４を遮蔽板
２，２の間に降下すると、リードフレーム４の下端はガ
イド板８，８に案内されて降下し、最狭部ｔを通過した
ところで遮蔽板２，２の略中央部に固定される。このと
き最狭部ｔの間隔がリードフレーム４の厚さより若干大
きく形成されているから、リードフレーム４は治具５と
ガイド板８，８の最狭部ｔでその上下端が固定されたこ
とになる。これにより、薄いリードフレーム４が鍍金液
に浸漬中に曲がることなく、且つ鍍金液の下方からの循
環により動くこともない。その結果、リードフレーム４
に均一に鍍金が施される。
が治具５により挟持されたリードフレーム４を遮蔽板
２，２の間に降下すると、リードフレーム４の下端はガ
イド板８，８に案内されて降下し、最狭部ｔを通過した
ところで遮蔽板２，２の略中央部に固定される。このと
き最狭部ｔの間隔がリードフレーム４の厚さより若干大
きく形成されているから、リードフレーム４は治具５と
ガイド板８，８の最狭部ｔでその上下端が固定されたこ
とになる。これにより、薄いリードフレーム４が鍍金液
に浸漬中に曲がることなく、且つ鍍金液の下方からの循
環により動くこともない。その結果、リードフレーム４
に均一に鍍金が施される。
【００１１】なお、上記実施例においては、リードフレ
ーム８，８の対向間隔を上方が広く下方が狭く所謂テー
パー状に構成したが、リードフレーム８，８の対向間隔
はこれに限定されるものではなく、例えば上端から下端
に至るまでリードフレームの厚さより若干大きい同じ寸
法であってもよいことは当然である。
ーム８，８の対向間隔を上方が広く下方が狭く所謂テー
パー状に構成したが、リードフレーム８，８の対向間隔
はこれに限定されるものではなく、例えば上端から下端
に至るまでリードフレームの厚さより若干大きい同じ寸
法であってもよいことは当然である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、遮
蔽板の間に前記リードフレームを該遮蔽板間の所定位置
に導く一対のガイド板を対向して配置したので、薄いリ
ードフレームが鍍金液中に浸漬中に曲がることなく、且
つ鍍金液の循環流により動かされることがないから、均
一な鍍金が可能になるという優れた効果が得られる。
蔽板の間に前記リードフレームを該遮蔽板間の所定位置
に導く一対のガイド板を対向して配置したので、薄いリ
ードフレームが鍍金液中に浸漬中に曲がることなく、且
つ鍍金液の循環流により動かされることがないから、均
一な鍍金が可能になるという優れた効果が得られる。
【図１】本発明の半導体素子リードフレーム用はんだ鍍
金装置の概略構成を示す断面図である。
金装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体素子リードフレーム用はんだ鍍
金装置の概略構成を示す斜視図である。
金装置の概略構成を示す斜視図である。
【図３】従来の半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金
装置の概略構成を示す斜視図である。
装置の概略構成を示す斜視図である。
【図４】従来の半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金
装置の概略構成を示す断面図である。
装置の概略構成を示す断面図である。
１ 鍍金槽 ２ 遮蔽板 ３ 半導体素子 ４ リードフレーム ５ 治具 ６ 陽電極 ７ 直流電源 ８ ガイド板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 誠二 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 星野 雅博 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 菅原 淳 岩手県北上市北工業団地６番６号 岩手東 芝エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 松田 義博 岩手県北上市北工業団地６番６号 岩手東 芝エレクトロニクス株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 鍍金液が収容された鍍金槽内に所定の間
隔を設けて一対の陽電極を対向して配置すると共に、該
陽電極の間に所定の間隔を設けて一対の遮蔽板を配置
し、該遮蔽板の間に半導体素子が実装されたリードフレ
ームの単品を治具により挾持して浸漬し、該リードフレ
ームを陰電極とし該リードフレームと前記陽電極の間に
所定の電流を通電し、前記リードフレームにはんだ鍍金
を施す半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置にお
いて、 前記一対の遮蔽板の間に前記リードフレームを該遮蔽板
間の所定位置に導く一対のガイド板を対向して配置した
ことを特徴とする半導体素子リードフレーム用はんだ鍍
金装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14660392A JP2567786B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14660392A JP2567786B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315505A true JPH05315505A (ja) | 1993-11-26 |
| JP2567786B2 JP2567786B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=15411467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14660392A Expired - Fee Related JP2567786B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 半導体素子リードフレーム用はんだ鍍金装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2567786B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP14660392A patent/JP2567786B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2567786B2 (ja) | 1996-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |