JPH05315227A - Ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光装置及びｘ線露光方法Info
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- JPH05315227A JPH05315227A JP4120399A JP12039992A JPH05315227A JP H05315227 A JPH05315227 A JP H05315227A JP 4120399 A JP4120399 A JP 4120399A JP 12039992 A JP12039992 A JP 12039992A JP H05315227 A JPH05315227 A JP H05315227A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線露光装置及びＸ線露光方法の改良に関
し、ランナウトが相殺されるようなビームラインを併用
することにより、ランナウトに起因する位置ずれを簡単
且つ容易に防止することが可能となるＸ線露光装置及び
露光方法の提供を目的とする。 【構成】 電子蓄積リング１で形成されたシンクロトロ
ン放射光1aを偏向電磁石２により偏向させて取り出した
このシンクロトロン放射光1aを、ビームシャッタ３とト
ロイダルミラー４及びフィルタ５を通過させて、露光室
６に導入し、この露光室６内において原版により被露光
基板を露光するＸ線露光装置であって、この露光室６内
において発散するシンクロトロン放射光1aを用いて、原
版により被露光基板を露光するビームラインと、この露
光室16内において集束するシンクロトロン放射光1aを用
いて、原版により被露光基板を露光するビームラインと
を具備するように構成する。
し、ランナウトが相殺されるようなビームラインを併用
することにより、ランナウトに起因する位置ずれを簡単
且つ容易に防止することが可能となるＸ線露光装置及び
露光方法の提供を目的とする。 【構成】 電子蓄積リング１で形成されたシンクロトロ
ン放射光1aを偏向電磁石２により偏向させて取り出した
このシンクロトロン放射光1aを、ビームシャッタ３とト
ロイダルミラー４及びフィルタ５を通過させて、露光室
６に導入し、この露光室６内において原版により被露光
基板を露光するＸ線露光装置であって、この露光室６内
において発散するシンクロトロン放射光1aを用いて、原
版により被露光基板を露光するビームラインと、この露
光室16内において集束するシンクロトロン放射光1aを用
いて、原版により被露光基板を露光するビームラインと
を具備するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線露光装置及びＸ線
露光方法の改良に関するものである。集積度が非常に高
い超ＬＳＩ等の半導体集積回路装置の製造工程において
は、最小加工線幅がサブミクロンの微細加工を行うこと
が要求されており、波長が１nm近傍の軟Ｘ線を含む高強
度の光線であるシンクロトロン放射光を用いた近接Ｘ線
露光はこの要求を満たす有力な微細加工技術として注目
され、次世代の露光方法として盛んに研究が行われてい
る。
露光方法の改良に関するものである。集積度が非常に高
い超ＬＳＩ等の半導体集積回路装置の製造工程において
は、最小加工線幅がサブミクロンの微細加工を行うこと
が要求されており、波長が１nm近傍の軟Ｘ線を含む高強
度の光線であるシンクロトロン放射光を用いた近接Ｘ線
露光はこの要求を満たす有力な微細加工技術として注目
され、次世代の露光方法として盛んに研究が行われてい
る。
【０００２】シンクロトロン放射光は水平方向に強度が
一様で幅の広いビームを得ることが可能であるが、縦方
向には非常に発散の小さい偏平なビーム形状をしてお
り、数10mm角の領域を一様な強度で露光するためには、
振動ミラーにより反射させたビームを縦方向に走査させ
る方法や、ビームに対してマスクとウエーハとを一体に
して縦方向に走査する方法が行われている。
一様で幅の広いビームを得ることが可能であるが、縦方
向には非常に発散の小さい偏平なビーム形状をしてお
り、数10mm角の領域を一様な強度で露光するためには、
振動ミラーにより反射させたビームを縦方向に走査させ
る方法や、ビームに対してマスクとウエーハとを一体に
して縦方向に走査する方法が行われている。
【０００３】このような水平方向に強度が一様で幅の広
いビームのシンクロトロン放射光により露光を行うと、
位置によってシンクロトロン放射光の入射する角度が異
なるため、原版マスクのパターンと被処理基板に投影さ
れるパターンの位置がずれるランナウトが生じるという
障害が発生している。
いビームのシンクロトロン放射光により露光を行うと、
位置によってシンクロトロン放射光の入射する角度が異
なるため、原版マスクのパターンと被処理基板に投影さ
れるパターンの位置がずれるランナウトが生じるという
障害が発生している。
【０００４】以上のような状況から、シンクロトロン放
射光のランナウトに起因する位置ずれを減少させること
が可能となるＸ線露光装置及び露光方法が要望されてい
る。
射光のランナウトに起因する位置ずれを減少させること
が可能となるＸ線露光装置及び露光方法が要望されてい
る。
【０００５】
【従来の技術】従来のＸ線露光装置及び露光方法につい
て図４〜図６により詳細に説明する。図４はシンクロト
ロン放射光の照射状況を説明する図(1) 、図５はシンク
ロトロン放射光の照射状況を説明する図(2) 、図６は従
来のＸ線露光装置の概略構造を示す図である。
て図４〜図６により詳細に説明する。図４はシンクロト
ロン放射光の照射状況を説明する図(1) 、図５はシンク
ロトロン放射光の照射状況を説明する図(2) 、図６は従
来のＸ線露光装置の概略構造を示す図である。
【０００６】シンクロトロン放射光を用いるＸ線露光装
置は、通常の管球型のＸ線発生装置に比べて数桁高強度
の線源であるため高いスループットが期待できる。シン
クロトロン放射光1aは、電子蓄積リング１内において数
百MeV 〜数GeV のエネルギーまで加速され、ほぼ光速で
運動する電子が偏向電磁石２の一様な磁場内で円軌道を
描く際にその接線方向に放射される光線であり、図６に
示すようにビームシャッタ13、集束光学素子、例えばト
ロイダルミラー14、Ｘ線を透過するフィルタ15等から構
成されるビームラインＢを通して露光室16に導かれる。
置は、通常の管球型のＸ線発生装置に比べて数桁高強度
の線源であるため高いスループットが期待できる。シン
クロトロン放射光1aは、電子蓄積リング１内において数
百MeV 〜数GeV のエネルギーまで加速され、ほぼ光速で
運動する電子が偏向電磁石２の一様な磁場内で円軌道を
描く際にその接線方向に放射される光線であり、図６に
示すようにビームシャッタ13、集束光学素子、例えばト
ロイダルミラー14、Ｘ線を透過するフィルタ15等から構
成されるビームラインＢを通して露光室16に導かれる。
【０００７】露光の際は、予め電子ビーム露光等により
所定のパターンが形成された原版Ｘ線マスク７を透過さ
せたシンクロトロン放射光1aを複製Ｘ線マスク８上に照
射してパターンを焼き付け、その後、同様にして複製Ｘ
線マスク８を透過させたシンクロトロン放射光1aをウエ
ーハ９上に照射してパターンを焼き付けている。
所定のパターンが形成された原版Ｘ線マスク７を透過さ
せたシンクロトロン放射光1aを複製Ｘ線マスク８上に照
射してパターンを焼き付け、その後、同様にして複製Ｘ
線マスク８を透過させたシンクロトロン放射光1aをウエ
ーハ９上に照射してパターンを焼き付けている。
【０００８】シンクロトロン放射光は図４に示すよう
に、水平方向に強度が一様で幅の広いビームを得ること
が可能であるが、縦方向には非常に発散の小さな偏平な
ビーム形状の露光領域を有しており、数10mm角の領域を
一様な強度で露光するためには、図５に示すようにトロ
イダルミラー或いはシリンドリカルミラーなどの集束光
学素子を振動させて反射させたビームを縦方向に走査さ
せる方法や、図４に示すようにシンクロトロン放射光に
対してＸ線マスクとウエーハとを一体にして矢印方向の
走査方向に走査する方法が行われている。
に、水平方向に強度が一様で幅の広いビームを得ること
が可能であるが、縦方向には非常に発散の小さな偏平な
ビーム形状の露光領域を有しており、数10mm角の領域を
一様な強度で露光するためには、図５に示すようにトロ
イダルミラー或いはシリンドリカルミラーなどの集束光
学素子を振動させて反射させたビームを縦方向に走査さ
せる方法や、図４に示すようにシンクロトロン放射光に
対してＸ線マスクとウエーハとを一体にして矢印方向の
走査方向に走査する方法が行われている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来のＸ
線露光装置を用いて行う近接Ｘ線露光においては、原版
Ｘ線マスク或いは複製Ｘ線マスクの数10mm角の領域に形
成されているパターンを、複製Ｘ線マスク或いはウエー
ハ上の数ケ所に転写する場合に、原版Ｘ線マスクと複製
Ｘ線マスクとの間或いは複製Ｘ線マスクとウエーハとの
間には、接触させないで容易に位置合わせするために、
図７に示すように通常は数10μm のギャップｇを設けて
いる。
線露光装置を用いて行う近接Ｘ線露光においては、原版
Ｘ線マスク或いは複製Ｘ線マスクの数10mm角の領域に形
成されているパターンを、複製Ｘ線マスク或いはウエー
ハ上の数ケ所に転写する場合に、原版Ｘ線マスクと複製
Ｘ線マスクとの間或いは複製Ｘ線マスクとウエーハとの
間には、接触させないで容易に位置合わせするために、
図７に示すように通常は数10μm のギャップｇを設けて
いる。
【００１０】このため、シンクロトロン放射光が集束ビ
ームの場合は図７(a) に示すようにＸ線マスクを透過し
たシンクロトロン放射光はレジスト膜の表面ではランナ
ウトδだけシンクロトロン放射光の光軸側にずれて照射
され、シンクロトロン放射光が発散ビームの場合は図７
(b) に示すようにＸ線マスクを透過したシンクロトロン
放射光はレジスト膜の表面ではランナウトδだけシンク
ロトロン放射光の光軸とは反対側の外方向にずれて照射
されるので、Ｘ線マスクの周辺部では特に転写されるパ
ターンとＸ線マスクのパターンとの位置ずれ、即ちラン
ナウトδが大きくなってしまう。
ームの場合は図７(a) に示すようにＸ線マスクを透過し
たシンクロトロン放射光はレジスト膜の表面ではランナ
ウトδだけシンクロトロン放射光の光軸側にずれて照射
され、シンクロトロン放射光が発散ビームの場合は図７
(b) に示すようにＸ線マスクを透過したシンクロトロン
放射光はレジスト膜の表面ではランナウトδだけシンク
ロトロン放射光の光軸とは反対側の外方向にずれて照射
されるので、Ｘ線マスクの周辺部では特に転写されるパ
ターンとＸ線マスクのパターンとの位置ずれ、即ちラン
ナウトδが大きくなってしまう。
【００１１】また、図５に示すようにウエーハ上でのＸ
線の強度を増大させる目的でシリンドリカルミラーやト
ロイダルミラーなどの集束光学素子を用いて発散ビーム
をウエーハ９上に集束させる場合にも同様にランナウト
が生じる。
線の強度を増大させる目的でシリンドリカルミラーやト
ロイダルミラーなどの集束光学素子を用いて発散ビーム
をウエーハ９上に集束させる場合にも同様にランナウト
が生じる。
【００１２】Ｘ線マスクとウエーハとの間のギャップを
ｇ、Ｘ線マスクの法線に対するシンクロトロン放射光の
集束ビーム或いは発散ビームの傾き角をθとすると、ラ
ンナウトδは、 δ＝ｇ・θ で表され、例えば、ｇ＝30μm 、θ＝0.005radとする
と、δ＝0.15μm となる。
ｇ、Ｘ線マスクの法線に対するシンクロトロン放射光の
集束ビーム或いは発散ビームの傾き角をθとすると、ラ
ンナウトδは、 δ＝ｇ・θ で表され、例えば、ｇ＝30μm 、θ＝0.005radとする
と、δ＝0.15μm となる。
【００１３】半導体集積回路装置は、多層のパターン形
成過程を経て製造されるが、すべての層に同方向のラン
ナウトが生じるＸ線露光を行うのでなく、他の露光手段
と併用する場合には、Ｘ線露光の際に生じたランナウト
が重ね合わせを行う場合に無視できなくなる。
成過程を経て製造されるが、すべての層に同方向のラン
ナウトが生じるＸ線露光を行うのでなく、他の露光手段
と併用する場合には、Ｘ線露光の際に生じたランナウト
が重ね合わせを行う場合に無視できなくなる。
【００１４】従来は、Ｘ線露光で生じるランナウトを計
算により予測し、電子ビーム露光時に位置の補正を行っ
ていたが、集束光学素子によってＸ線マスク上の各点に
おいて生じるランナウトは、シンクロトロン放射光の光
軸からの距離によりそれぞれ異なるので、電子ビーム露
光時の補正は容易でなかった。
算により予測し、電子ビーム露光時に位置の補正を行っ
ていたが、集束光学素子によってＸ線マスク上の各点に
おいて生じるランナウトは、シンクロトロン放射光の光
軸からの距離によりそれぞれ異なるので、電子ビーム露
光時の補正は容易でなかった。
【００１５】原版Ｘ線マスクによる複製Ｘ線マスクの焼
き付けの場合においても、複製Ｘ線マスクによるウエー
ハの焼き付けの場合においても、シンクロトロン放射光
を用いると、いずれの露光の際にも図７に示すようなラ
ンナウトδが生じるためにランナウトが重複すると、ラ
ンナウトに起因する位置ずれが増大するという問題点が
あった。
き付けの場合においても、複製Ｘ線マスクによるウエー
ハの焼き付けの場合においても、シンクロトロン放射光
を用いると、いずれの露光の際にも図７に示すようなラ
ンナウトδが生じるためにランナウトが重複すると、ラ
ンナウトに起因する位置ずれが増大するという問題点が
あった。
【００１６】本発明は以上のような状況から、ランナウ
トが相殺されるようなビームラインを併用することによ
り、ランナウトに起因する位置ずれを簡単且つ容易に防
止することが可能となるＸ線露光装置及び露光方法の提
供を目的としたものである。
トが相殺されるようなビームラインを併用することによ
り、ランナウトに起因する位置ずれを簡単且つ容易に防
止することが可能となるＸ線露光装置及び露光方法の提
供を目的としたものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線露光装置
は、電子蓄積リングで形成されたシンクロトロン放射光
を偏向電磁石により偏向させて取り出したこのシンクロ
トロン放射光を、ビームシャッタと集束光学素子及びフ
ィルタを通過させて、露光室に導入し、この露光室内に
おいて原版により被露光基板を露光するＸ線露光装置で
あって、この露光室内において発散するシンクロトロン
放射光を用いて、原版により被露光基板を露光するビー
ムラインと、この露光室内において集束するシンクロト
ロン放射光を用いて、原版により被露光基板を露光する
ビームラインとを具備するように構成する。
は、電子蓄積リングで形成されたシンクロトロン放射光
を偏向電磁石により偏向させて取り出したこのシンクロ
トロン放射光を、ビームシャッタと集束光学素子及びフ
ィルタを通過させて、露光室に導入し、この露光室内に
おいて原版により被露光基板を露光するＸ線露光装置で
あって、この露光室内において発散するシンクロトロン
放射光を用いて、原版により被露光基板を露光するビー
ムラインと、この露光室内において集束するシンクロト
ロン放射光を用いて、原版により被露光基板を露光する
ビームラインとを具備するように構成する。
【００１８】本発明のＸ線露光方法は、上記のＸ線露光
装置を用いて行うＸ線露光方法であって、この露光室内
において発散するシンクロトロン放射光を用いて、原版
Ｘ線マスクにより複製Ｘ線マスクを露光するＸ線露光工
程と、この露光室内において集束するシンクロトロン放
射光を用いて、複製Ｘ線マスクによりウエーハを露光す
るＸ線露光工程とを含むか、或いはこの露光室内におい
て集束するシンクロトロン放射光を用いて、原版Ｘ線マ
スクにより複製Ｘ線マスクを露光するＸ線露光工程と、
この露光室内において発散するシンクロトロン放射光を
用いて、複製Ｘ線マスクによりウエーハを露光するＸ線
露光工程とを含むように構成する。
装置を用いて行うＸ線露光方法であって、この露光室内
において発散するシンクロトロン放射光を用いて、原版
Ｘ線マスクにより複製Ｘ線マスクを露光するＸ線露光工
程と、この露光室内において集束するシンクロトロン放
射光を用いて、複製Ｘ線マスクによりウエーハを露光す
るＸ線露光工程とを含むか、或いはこの露光室内におい
て集束するシンクロトロン放射光を用いて、原版Ｘ線マ
スクにより複製Ｘ線マスクを露光するＸ線露光工程と、
この露光室内において発散するシンクロトロン放射光を
用いて、複製Ｘ線マスクによりウエーハを露光するＸ線
露光工程とを含むように構成する。
【００１９】
【作用】シンクロトロン放射光の入射ビームのＸ線マス
クの法線に対する傾き角をθとし、このθをＸ線マスク
面内の直交する二方向の成分にわけて図３に示すように
θx ，θy とすると、θ2＝θx 2＋θy 2 となり、複製Ｘ
線マスク上の任意の点Ｐにおけるランナウトは、 δx ＝ｇ・θx δy ＝ｇ・θy で表される。
クの法線に対する傾き角をθとし、このθをＸ線マスク
面内の直交する二方向の成分にわけて図３に示すように
θx ，θy とすると、θ2＝θx 2＋θy 2 となり、複製Ｘ
線マスク上の任意の点Ｐにおけるランナウトは、 δx ＝ｇ・θx δy ＝ｇ・θy で表される。
【００２０】複製Ｘ線マスクからウエーハへパターンを
転写する際に、点Ｐにおけるビームの傾き角が−θx ，
−θy のように絶対値が等しく符号が反対の傾き角を有
するビームを用いることにより、原版Ｘ線マスクによる
複製Ｘ線マスクへのパターンの転写において生じたラン
ナウトは、複製Ｘ線マスクによるウエーハへのパターン
の転写において生じるランナウトにより相殺され、原版
Ｘ線マスクのパターンをウエーハ上に正しく転写するこ
とが可能となる。
転写する際に、点Ｐにおけるビームの傾き角が−θx ，
−θy のように絶対値が等しく符号が反対の傾き角を有
するビームを用いることにより、原版Ｘ線マスクによる
複製Ｘ線マスクへのパターンの転写において生じたラン
ナウトは、複製Ｘ線マスクによるウエーハへのパターン
の転写において生じるランナウトにより相殺され、原版
Ｘ線マスクのパターンをウエーハ上に正しく転写するこ
とが可能となる。
【００２１】従って、原版Ｘ線マスクから複製Ｘ線マス
クへのパターンの転写に発散ビームを用いた場合には、
複製Ｘ線マスクからウエーハへのパターンの転写に集束
ビームを用い、原版Ｘ線マスクから複製Ｘ線マスクへの
パターンの転写に集束ビームを用いた場合には、複製Ｘ
線マスクからウエーハへのパターンの転写に発散ビーム
を用いることにより、パターンの転写の際に生じるラン
ナウトを相殺することができるので、原版Ｘ線マスクの
パターンを位置ずれさせないでウエーハ上に転写するこ
とが可能となる。
クへのパターンの転写に発散ビームを用いた場合には、
複製Ｘ線マスクからウエーハへのパターンの転写に集束
ビームを用い、原版Ｘ線マスクから複製Ｘ線マスクへの
パターンの転写に集束ビームを用いた場合には、複製Ｘ
線マスクからウエーハへのパターンの転写に発散ビーム
を用いることにより、パターンの転写の際に生じるラン
ナウトを相殺することができるので、原版Ｘ線マスクの
パターンを位置ずれさせないでウエーハ上に転写するこ
とが可能となる。
【００２２】
【実施例】以下図１〜図２により本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。図１は本発明による一実施例のＸ
線露光装置の概略構造を示す図、図２は本発明による一
実施例のビームの傾き角を示す図である。
いて詳細に説明する。図１は本発明による一実施例のＸ
線露光装置の概略構造を示す図、図２は本発明による一
実施例のビームの傾き角を示す図である。
【００２３】図１に示すＸ線露光装置は、図６に示す従
来のＸ線露光装置と主要部の構成は同じであるが、従来
のビームラインＢと構造の異なるビームラインＡが設け
られている。
来のＸ線露光装置と主要部の構成は同じであるが、従来
のビームラインＢと構造の異なるビームラインＡが設け
られている。
【００２４】ビームラインＢとビームラインＡの構造の
違いは、ビームラインＢが集束するシンクロトロン放射
光を用いて露光するのに対して、ビームラインＡはビー
ムラインＢとは絶対値が等しく、方向が反対の発散ビー
ムのシンクロトロン放射光を用いて露光することであ
り、いずれのビームラインも光源から３ｍの位置にトロ
イダルミラーが設けられているが、ビームラインＡでは
光源から20ｍの位置において一度焦点を結んだ後の発散
ビームを用いており、ビームラインＢでは光源から10ｍ
の位置において焦点の手前の集束ビームを用いて露光を
行っている。
違いは、ビームラインＢが集束するシンクロトロン放射
光を用いて露光するのに対して、ビームラインＡはビー
ムラインＢとは絶対値が等しく、方向が反対の発散ビー
ムのシンクロトロン放射光を用いて露光することであ
り、いずれのビームラインも光源から３ｍの位置にトロ
イダルミラーが設けられているが、ビームラインＡでは
光源から20ｍの位置において一度焦点を結んだ後の発散
ビームを用いており、ビームラインＢでは光源から10ｍ
の位置において焦点の手前の集束ビームを用いて露光を
行っている。
【００２５】図２はビームラインＡ、ビームラインＢに
おいて、ビームの傾き角θx ，θyがＸ線マスク上の水
平方向の位置Ｘによって変化することを示したものであ
り、原版(7,8) と被露光基板(8,9) はＹ軸方向に走査さ
れるので、ビーム傾き角の垂直位置依存性はない。
おいて、ビームの傾き角θx ，θyがＸ線マスク上の水
平方向の位置Ｘによって変化することを示したものであ
り、原版(7,8) と被露光基板(8,9) はＹ軸方向に走査さ
れるので、ビーム傾き角の垂直位置依存性はない。
【００２６】θx はビームラインＡとビームラインＢで
絶対値がほぼ等しく、反対符号であることがわかる。こ
れはビームラインＡが水平方向には発散ビームであり、
ビームラインＢが水平方向には集束ビームであることを
示している。
絶対値がほぼ等しく、反対符号であることがわかる。こ
れはビームラインＡが水平方向には発散ビームであり、
ビームラインＢが水平方向には集束ビームであることを
示している。
【００２７】θy はビームラインＡとビームラインＢで
絶対値がほぼ等しく、同符号であるから、原版Ｘ線マス
ク７による複製Ｘ線マスク８の露光の場合の原版Ｘ線マ
スク７の装着方向に対して、複製Ｘ線マスク８によるウ
エーハ９の露光の場合の複製Ｘ線マスク８の装着方向を
180°回転して逆方向から装着することにより、θyに
関して符号を反転させることが可能となる。この場合θ
x には符号の変化は生じないことは明らかである。
絶対値がほぼ等しく、同符号であるから、原版Ｘ線マス
ク７による複製Ｘ線マスク８の露光の場合の原版Ｘ線マ
スク７の装着方向に対して、複製Ｘ線マスク８によるウ
エーハ９の露光の場合の複製Ｘ線マスク８の装着方向を
180°回転して逆方向から装着することにより、θyに
関して符号を反転させることが可能となる。この場合θ
x には符号の変化は生じないことは明らかである。
【００２８】このように構造の異なるビームラインＡと
ビームラインＢとを併用てし、いずれか一方のビームラ
インで原版Ｘ線マスク７による複製Ｘ線マスク８の露光
を行い、他方のビームラインに複製Ｘ線マスク８とウエ
ーハ９とを逆方向に装着し、複製Ｘ線マスク８によるウ
エーハ９の露光を行うと、一方のビームラインにおける
露光により生じたランナウトと、他方のビームラインに
おける露光により生じたランナウトとが相殺され、原版
Ｘ線マスク７のパターンを正確にウエーハ９に転写する
ことが可能となる。
ビームラインＢとを併用てし、いずれか一方のビームラ
インで原版Ｘ線マスク７による複製Ｘ線マスク８の露光
を行い、他方のビームラインに複製Ｘ線マスク８とウエ
ーハ９とを逆方向に装着し、複製Ｘ線マスク８によるウ
エーハ９の露光を行うと、一方のビームラインにおける
露光により生じたランナウトと、他方のビームラインに
おける露光により生じたランナウトとが相殺され、原版
Ｘ線マスク７のパターンを正確にウエーハ９に転写する
ことが可能となる。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構成の異なるビームラインを用い
て複製Ｘ線マスクの露光とウエーハの露光を行うことに
より、逆方向のランナウトを相殺させて露光を行うこと
が可能となるから、原版Ｘ線マスクのパターンとウエー
ハのパターンとの位置ずれを防止することが可能となる
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待できるＸ線露光装置及び露光方法の提供が可能であ
る。
によれば極めて簡単な構成の異なるビームラインを用い
て複製Ｘ線マスクの露光とウエーハの露光を行うことに
より、逆方向のランナウトを相殺させて露光を行うこと
が可能となるから、原版Ｘ線マスクのパターンとウエー
ハのパターンとの位置ずれを防止することが可能となる
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待できるＸ線露光装置及び露光方法の提供が可能であ
る。
【図１】 本発明による一実施例のＸ線露光装置の概略
構造を示す図
構造を示す図
【図２】 本発明による一実施例のビームの傾き角を示
す図
す図
【図３】 シンクロトロン放射光を用いるＸ線露光にお
けるランナウトを説明する図
けるランナウトを説明する図
【図４】 シンクロトロン放射光の照射状況を説明する
図(1)
図(1)
【図５】 シンクロトロン放射光の照射状況を説明する
図(2)
図(2)
【図６】 従来のＸ線露光装置の概略構造を示す図
【図７】 シンクロトロン放射光を用いるＸ線露光にお
ける問題点を示す図
ける問題点を示す図
１は電子蓄積リング、 1aはシンクロトロン放射
光、２は偏向電磁石、 3,13はビームシャッ
タ、4,14はトロイダルミラー、 5,15はフィルタ、6,
16は露光室、 ７は原版Ｘ線マスク、８は
複製Ｘ線マスク、 ９はウエーハ、
光、２は偏向電磁石、 3,13はビームシャッ
タ、4,14はトロイダルミラー、 5,15はフィルタ、6,
16は露光室、 ７は原版Ｘ線マスク、８は
複製Ｘ線マスク、 ９はウエーハ、
Claims (3)
- 【請求項１】 電子蓄積リング(1) で形成されたシンク
ロトロン放射光(1a)を偏向電磁石(2) により偏向させて
取り出した前記シンクロトロン放射光(1a)を、ビームシ
ャッタ(3) と集束光学素子(4) 及びフィルタ(5) を通過
させて、露光室に導入し、該露光室内において原版によ
り被露光基板を露光するＸ線露光装置であって、 前記露光室内において発散するシンクロトロン放射光(1
a)を用いて、原版により被露光基板を露光するビームラ
インと、 前記露光室内において集束するシンクロトロン放射光(1
a)を用いて、原版により被露光基板を露光するビームラ
インと、 を具備することを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のＸ線露光装置を用いて行
うＸ線露光方法であって、 前記露光室内において発散するシンクロトロン放射光(1
a)を用いて、原版Ｘ線マスク(7) により複製Ｘ線マスク
(8) を露光するＸ線露光工程と、 前記露光室内において集束するシンクロトロン放射光(1
a)を用いて、複製Ｘ線マスク(8) によりウエーハ(9) を
露光するＸ線露光工程と、 を含むことを特徴とするＸ線露光方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のＸ線露光装置を用いて行
うＸ線露光方法であって、 前記露光室内において集束するシンクロトロン放射光(1
a)を用いて、原版Ｘ線マスク(7) により複製Ｘ線マスク
(8) を露光するＸ線露光工程と、 前記露光室内において発散するシンクロトロン放射光(1
a)を用いて、複製Ｘ線マスク(8) によりウエーハ(9) を
露光するＸ線露光工程と、 を含むことを特徴とするＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4120399A JPH05315227A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | Ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4120399A JPH05315227A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | Ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315227A true JPH05315227A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14785252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4120399A Withdrawn JPH05315227A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | Ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315227A (ja) |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP4120399A patent/JPH05315227A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |