JPH05308156A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
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- JPH05308156A JPH05308156A JP13771592A JP13771592A JPH05308156A JP H05308156 A JPH05308156 A JP H05308156A JP 13771592 A JP13771592 A JP 13771592A JP 13771592 A JP13771592 A JP 13771592A JP H05308156 A JPH05308156 A JP H05308156A
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- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】GaN 系の化合物半導体の発光ダイオードの青色
の発光強度の向上。 【構成】Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa
1-XN;X=0を含む) からなるＮ層と、Ｐ型不純物を添加し
たＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN; X=0
を含む) からなるＩ層とを有する窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子において、Ｉ層を、Ｎ層４と接合する側
からＰ型不純物濃度が比較的低濃度の低不純物濃度ＩL
層と、Ｐ型不純物濃度が比較的高濃度の高不純物濃度Ｉ
H 層とを１周期として、複数周期繰り返して形成して形
成したことを特徴とする。この構造により電子、正孔の
注入効率が向上した。又、Ｎ層４と低不純物濃度ＩL 層
Ｌ1 との接合面、低不純物濃度ＩL 層と高不純物濃度Ｉ
H 層との各接合面で発光し、発光輝度が向上した。
の発光強度の向上。 【構成】Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa
1-XN;X=0を含む) からなるＮ層と、Ｐ型不純物を添加し
たＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN; X=0
を含む) からなるＩ層とを有する窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子において、Ｉ層を、Ｎ層４と接合する側
からＰ型不純物濃度が比較的低濃度の低不純物濃度ＩL
層と、Ｐ型不純物濃度が比較的高濃度の高不純物濃度Ｉ
H 層とを１周期として、複数周期繰り返して形成して形
成したことを特徴とする。この構造により電子、正孔の
注入効率が向上した。又、Ｎ層４と低不純物濃度ＩL 層
Ｌ1 との接合面、低不純物濃度ＩL 層と高不純物濃度Ｉ
H 層との各接合面で発光し、発光輝度が向上した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は青色発光の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子に関する。
系化合物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、青色の発光ダイオードとしてGaN 系
の化合物半導体を用いたものが知られている。そのGaN
系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効率が
高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色とする
こと等から注目されている。
の化合物半導体を用いたものが知られている。そのGaN
系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効率が
高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色とする
こと等から注目されている。
【０００３】このようなGaN 系の化合物半導体を用いた
発光ダイオードは、サファイア基板上に直接又は窒化ア
ルミニウムから成るバッファ層を介在させて、Ｎ導電型
のGaN 系の化合物半導体から成る高キャリア濃度Ｎ+ 層
と低キャリア濃度Ｎ層と、その低キャリア濃度Ｎ層の上
に低不純物濃度ＩL 層と高不純物濃度ＩH 層とを成長さ
せた構造をとっている（特開平3-252177号公報）。
発光ダイオードは、サファイア基板上に直接又は窒化ア
ルミニウムから成るバッファ層を介在させて、Ｎ導電型
のGaN 系の化合物半導体から成る高キャリア濃度Ｎ+ 層
と低キャリア濃度Ｎ層と、その低キャリア濃度Ｎ層の上
に低不純物濃度ＩL 層と高不純物濃度ＩH 層とを成長さ
せた構造をとっている（特開平3-252177号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構造の発
光ダイオードの発光強度は未だ十分ではなく、改良が望
まれている。そこで、本発明の目的は、GaN 系の化合物
半導体の発光ダイオードの青色の発光強度を向上させる
ことである。
光ダイオードの発光強度は未だ十分ではなく、改良が望
まれている。そこで、本発明の目的は、GaN 系の化合物
半導体の発光ダイオードの青色の発光強度を向上させる
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｎ型の窒化ガ
リウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む) からなる
Ｎ層と、Ｐ型不純物を添加したＩ型の窒化ガリウム系化
合物半導体(AlXGa1-XN; X=0を含む) からなるＩ層とを
有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
Ｉ層を、Ｎ層と接合する側からＰ型不純物濃度が比較的
低濃度の低不純物濃度ＩL 層と、Ｐ型不純物濃度が比較
的高濃度の高不純物濃度ＩH 層とを１周期として、複数
周期繰り返して形成したことを特徴とする。
リウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む) からなる
Ｎ層と、Ｐ型不純物を添加したＩ型の窒化ガリウム系化
合物半導体(AlXGa1-XN; X=0を含む) からなるＩ層とを
有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
Ｉ層を、Ｎ層と接合する側からＰ型不純物濃度が比較的
低濃度の低不純物濃度ＩL 層と、Ｐ型不純物濃度が比較
的高濃度の高不純物濃度ＩH 層とを１周期として、複数
周期繰り返して形成したことを特徴とする。
【０００６】Ｐ型不純物としては例えばZnである。各Ｉ
層の厚さは、形成する層の総数にもよるが、2 ×4 層で
は、約50〜1000Åの範囲が望ましい。
層の厚さは、形成する層の総数にもよるが、2 ×4 層で
は、約50〜1000Åの範囲が望ましい。
【０００７】Ｐ型不純物としてZnを用いた場合には、不
純物濃度は、低不純物濃度ＩL 層が1 ×1017〜 5×1018
／cm3 、高不純物濃度ＩH 層が 1×1019〜 1×1021／cm
3 の範囲が望ましい。又、Ｉ層の最上層には更に不純物
濃度の高い超高不純物濃度ＩSH層を設けるのが望まし
い。その超高不純物濃度ＩSH層のZn濃度は 1×1020〜1
×1022／cm3 が望ましい。
純物濃度は、低不純物濃度ＩL 層が1 ×1017〜 5×1018
／cm3 、高不純物濃度ＩH 層が 1×1019〜 1×1021／cm
3 の範囲が望ましい。又、Ｉ層の最上層には更に不純物
濃度の高い超高不純物濃度ＩSH層を設けるのが望まし
い。その超高不純物濃度ＩSH層のZn濃度は 1×1020〜1
×1022／cm3 が望ましい。
【０００８】
【発明の作用及び効果】本発明は、Ｉ層を、Ｎ層と接合
する側からＰ型不純物濃度が比較的低濃度の低不純物濃
度ＩL 層と、Ｐ型不純物濃度が比較的高濃度の高不純物
濃度ＩH 層とを１周期として、複数周期繰り返して形成
したので、電子及び正孔の注入効率が向上すると共に、
発光部分がＮ層と低不純物濃度ＩL 層との接合面、各低
不純物濃度ＩL 層と各高不純物濃度ＩH 層との各接合面
から発光するようになったため発光輝度が向上した。
する側からＰ型不純物濃度が比較的低濃度の低不純物濃
度ＩL 層と、Ｐ型不純物濃度が比較的高濃度の高不純物
濃度ＩH 層とを１周期として、複数周期繰り返して形成
したので、電子及び正孔の注入効率が向上すると共に、
発光部分がＮ層と低不純物濃度ＩL 層との接合面、各低
不純物濃度ＩL 層と各高不純物濃度ＩH 層との各接合面
から発光するようになったため発光輝度が向上した。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１において、発光ダイオード１０は、サファ
イア基板１を有しており、そのサファイア基板１に500
ÅのAlN のバッファ層２が形成されている。そのバッフ
ァ層２の上には、順に、膜厚約2.2 μｍ、キャリア濃度
1.5×1018/ cm3 のGaNから成る高キャリア濃度Ｎ+ 層
３、膜厚約1.1 μｍ、キャリア濃度１×1015/ cm3 のGa
N から成る低キャリア濃度Ｎ層４、薄膜の多重層から成
るＩ層５が形成されている。Ｉ層５は、膜厚約500 Å、
Zn濃度 2×1018/ cm3 の低不純物濃度ＩL層Ｌ1 、膜厚
約500 Å、Zn濃度 1×1020/ cm3 の高不純物濃度ＩH 層
Ｈ1 を１周期として５周期繰り返し形成された多重層構
造と、さらに、最上層に形成された膜厚0.2 μｍのZn濃
度がさらに高い超高不純物濃度ＩSH層６で構成されてい
る。そして、超高不純物濃度ＩSH層６に接続するアルミ
ニウムで形成された電極７と高キャリア濃度Ｎ+ 層３に
接続するアルミニウムで形成された電極８とが形成され
ている。
明する。図１において、発光ダイオード１０は、サファ
イア基板１を有しており、そのサファイア基板１に500
ÅのAlN のバッファ層２が形成されている。そのバッフ
ァ層２の上には、順に、膜厚約2.2 μｍ、キャリア濃度
1.5×1018/ cm3 のGaNから成る高キャリア濃度Ｎ+ 層
３、膜厚約1.1 μｍ、キャリア濃度１×1015/ cm3 のGa
N から成る低キャリア濃度Ｎ層４、薄膜の多重層から成
るＩ層５が形成されている。Ｉ層５は、膜厚約500 Å、
Zn濃度 2×1018/ cm3 の低不純物濃度ＩL層Ｌ1 、膜厚
約500 Å、Zn濃度 1×1020/ cm3 の高不純物濃度ＩH 層
Ｈ1 を１周期として５周期繰り返し形成された多重層構
造と、さらに、最上層に形成された膜厚0.2 μｍのZn濃
度がさらに高い超高不純物濃度ＩSH層６で構成されてい
る。そして、超高不純物濃度ＩSH層６に接続するアルミ
ニウムで形成された電極７と高キャリア濃度Ｎ+ 層３に
接続するアルミニウムで形成された電極８とが形成され
ている。
【００１０】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2とトリメチルガリウム(Ga(CH3)3)
（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニウム(Al
(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とシラン(SiH4)とジエ
チル亜鉛（以下「DEZ 」と記す) である。
造方法について説明する。上記発光ダイオード１０は、
有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) に
よる気相成長により製造された。用いられたガスは、NH
3 とキャリアガスH2とトリメチルガリウム(Ga(CH3)3)
（以下「TMG 」と記す) とトリメチルアルミニウム(Al
(CH3)3)（以下「TMA 」と記す) とシラン(SiH4)とジエ
チル亜鉛（以下「DEZ 」と記す) である。
【００１１】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
ｃ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をM0VPE 装
置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常
圧でH2を 2Liter ／分で反応室に流しながら温度1100℃
でサファイア基板１を気相エッチングした。
ｃ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をM0VPE 装
置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常
圧でH2を 2Liter ／分で反応室に流しながら温度1100℃
でサファイア基板１を気相エッチングした。
【００１２】次に、温度を 400℃まで低下させて、H2を
20Liter ／分、NH3 を10Liter ／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分で供給してAlN のバッファ層２が約 500Åの厚
さに形成された。
20Liter ／分、NH3 を10Liter ／分、TMA を 1.8×10-5
モル／分で供給してAlN のバッファ層２が約 500Åの厚
さに形成された。
【００１３】次に、サファイア基板１の温度を1150℃に
保持し、H2を20Liter ／分、NH3 を10Liter ／分、TMG
を 1.7×10-4モル／分、H2で 0.86ppmまで希釈したシラ
ン(SiH4)を 200mLiter／分の割合で30分間供給し、膜厚
約 2.2μｍ、キャリア濃度 1.5×1018/ cm3 のGaN から
成る高キャリア濃度Ｎ+ 層３を形成した。
保持し、H2を20Liter ／分、NH3 を10Liter ／分、TMG
を 1.7×10-4モル／分、H2で 0.86ppmまで希釈したシラ
ン(SiH4)を 200mLiter／分の割合で30分間供給し、膜厚
約 2.2μｍ、キャリア濃度 1.5×1018/ cm3 のGaN から
成る高キャリア濃度Ｎ+ 層３を形成した。
【００１４】続いて、サファイア基板１の温度を1150℃
に保持し、H2を20Liter ／分、NH3を10Liter ／分、TMG
を1.7×10-4モル／分の割合で15分間供給し、膜厚約1.
1μｍ、キャリア濃度1×1015/ cm3 のGaN から成る低キ
ャリア濃度Ｎ層４を形成した。
に保持し、H2を20Liter ／分、NH3を10Liter ／分、TMG
を1.7×10-4モル／分の割合で15分間供給し、膜厚約1.
1μｍ、キャリア濃度1×1015/ cm3 のGaN から成る低キ
ャリア濃度Ｎ層４を形成した。
【００１５】次に、サファイア基板１を 900℃にして、
Ｈ2 を20Liter ／分、NH3 を10Liter ／分、TMG を 1.7
×10-4モル／分、DEZ を 3×10-6モル／分の割合で 0.7
分間供給して、膜厚500 Å、GaN から成るZn濃度 2×10
18/ cm3 の低不純物濃度ＩL層Ｌ1 を形成した。
Ｈ2 を20Liter ／分、NH3 を10Liter ／分、TMG を 1.7
×10-4モル／分、DEZ を 3×10-6モル／分の割合で 0.7
分間供給して、膜厚500 Å、GaN から成るZn濃度 2×10
18/ cm3 の低不純物濃度ＩL層Ｌ1 を形成した。
【００１６】続いて、サファイア基板１を 900℃にし
て、Ｈ2 を20Liter ／分、NH3 を10Liter ／分、TMG を
1.7×10-4モル／分、DEZ を 1.5×10-4モル／分の割合
で 0.7分間供給して、膜厚 500Å、GaN から成るZn濃度
1×1020/ cm3 の高不純物濃度ＩH 層Ｈ1 を形成した。
て、Ｈ2 を20Liter ／分、NH3 を10Liter ／分、TMG を
1.7×10-4モル／分、DEZ を 1.5×10-4モル／分の割合
で 0.7分間供給して、膜厚 500Å、GaN から成るZn濃度
1×1020/ cm3 の高不純物濃度ＩH 層Ｈ1 を形成した。
【００１７】続いて、上記の低不純物濃度ＩL 層と高不
純物濃度ＩH 層の形成工程を、さらに、４周期繰り返し
て、全体として５周期の多重構造を得た。続いて、サフ
ァイア基板１を 900℃にして、Ｈ2 を20Liter ／分、NH
3 を10Liter ／分、TMG を 1.7×10-4モル／分、DEZ を
4.5×10-4モル／分の割合で３分間供給して、膜厚0.2
μｍ、GaN から成るZn濃度 3×1020/ cm3 の超高不純物
濃度ＩSH層６を形成した。このようにして、図２に示す
ような多層構造が得られた。
純物濃度ＩH 層の形成工程を、さらに、４周期繰り返し
て、全体として５周期の多重構造を得た。続いて、サフ
ァイア基板１を 900℃にして、Ｈ2 を20Liter ／分、NH
3 を10Liter ／分、TMG を 1.7×10-4モル／分、DEZ を
4.5×10-4モル／分の割合で３分間供給して、膜厚0.2
μｍ、GaN から成るZn濃度 3×1020/ cm3 の超高不純物
濃度ＩSH層６を形成した。このようにして、図２に示す
ような多層構造が得られた。
【００１８】次に、図３に示すように、超高不純物濃度
ＩSH層６の上に、スパッタリングによりSiO2層１１を20
00Åの厚さに形成した。次に、そのSiO2層１１上にフォ
トレジスト１２を塗布して、フォトリソグラフにより、
そのフォトレジスト１２を高キャリア濃度Ｎ+ 層３に対
する電極形成部位のフォトレジストを除去したパターン
に形成した。
ＩSH層６の上に、スパッタリングによりSiO2層１１を20
00Åの厚さに形成した。次に、そのSiO2層１１上にフォ
トレジスト１２を塗布して、フォトリソグラフにより、
そのフォトレジスト１２を高キャリア濃度Ｎ+ 層３に対
する電極形成部位のフォトレジストを除去したパターン
に形成した。
【００１９】次に、図４に示すように、フォトレジスト
１２によって覆われていないSiO2層１１をフッ酸系エッ
チング液で除去した。次に、図５に示すように、フォト
レジスト１２及びSiO2層１１によって覆われていない部
位の超高不純物濃度ＩSH層６、多重層構造のＩ層５、低
キャリア濃度Ｎ層４及び高キャリア濃度Ｎ+ 層３の上面
一部を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm3 、CCl2
F2ガスを10cc/ 分でドライエッチングした後、Arでドラ
イエッチングした。
１２によって覆われていないSiO2層１１をフッ酸系エッ
チング液で除去した。次に、図５に示すように、フォト
レジスト１２及びSiO2層１１によって覆われていない部
位の超高不純物濃度ＩSH層６、多重層構造のＩ層５、低
キャリア濃度Ｎ層４及び高キャリア濃度Ｎ+ 層３の上面
一部を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm3 、CCl2
F2ガスを10cc/ 分でドライエッチングした後、Arでドラ
イエッチングした。
【００２０】次に、図６に示すように、超高不純物濃度
ＩSH層６上に残っているSiO2層１１をフッ酸で除去し
た。次に、図７に示すように、試料の上全面に、Al層１
３を蒸着により形成した。そして、そのAl層１３の上に
フォトレジスト１４を塗布して、フォトリソグラフによ
り、そのフォトレジスト１４が高キャリア濃度Ｎ+ 層３
及び超高不純物濃度ＩSH層６に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。
ＩSH層６上に残っているSiO2層１１をフッ酸で除去し
た。次に、図７に示すように、試料の上全面に、Al層１
３を蒸着により形成した。そして、そのAl層１３の上に
フォトレジスト１４を塗布して、フォトリソグラフによ
り、そのフォトレジスト１４が高キャリア濃度Ｎ+ 層３
及び超高不純物濃度ＩSH層６に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。
【００２１】次に、図７に示すようにそのフォトレジス
ト１４をマスクとして下層のAl層１３の露出部を硝酸系
エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１４をア
セトンで除去し、高キャリア濃度Ｎ+ 層３の電極８、超
高不純物濃度ＩSH層６の電極７を形成した。
ト１４をマスクとして下層のAl層１３の露出部を硝酸系
エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１４をア
セトンで除去し、高キャリア濃度Ｎ+ 層３の電極８、超
高不純物濃度ＩSH層６の電極７を形成した。
【００２２】このようにして、図１に示すようにMIS(Me
ta- l-Insulator-Semiconductor)構造の窒化ガリウム系
発光素を製造することができる。このようにして製造さ
れた発光ダイオード１０の発光強度を測定したところ、
2mcdであった。これは、従来の発光ダイオードに比べ
て、発光強度が10倍に向上した。又、発光面を観察した
所、発光点の数が飛躍的に増加していることも観察され
た。
ta- l-Insulator-Semiconductor)構造の窒化ガリウム系
発光素を製造することができる。このようにして製造さ
れた発光ダイオード１０の発光強度を測定したところ、
2mcdであった。これは、従来の発光ダイオードに比べ
て、発光強度が10倍に向上した。又、発光面を観察した
所、発光点の数が飛躍的に増加していることも観察され
た。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドの構成を示した構成図。
ドの構成を示した構成図。
【図２】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図３】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図４】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図５】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図６】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。
断面図。
【図７】同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した
断面図。 １０…発光ダイオード １…サファイア基板 ２…バッファ層 ３…高キャリア濃度Ｎ+ 層 ４…低キャリア濃度Ｎ層 ５…第Ｉ層 ６…超高不純物濃度ＩSH層 Ｌ1,〜Ｌ5 …低不純物濃度ＩL 層 Ｈ1,〜Ｈ5 …高不純物濃度ＩH 層 ７，８…電極
断面図。 １０…発光ダイオード １…サファイア基板 ２…バッファ層 ３…高キャリア濃度Ｎ+ 層 ４…低キャリア濃度Ｎ層 ５…第Ｉ層 ６…超高不純物濃度ＩSH層 Ｌ1,〜Ｌ5 …低不純物濃度ＩL 層 Ｈ1,〜Ｈ5 …高不純物濃度ＩH 層 ７，８…電極
フロントページの続き (72)発明者 梅崎 潤一 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 野杁 静代 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 佐々 道成 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体(Alx
Ga1-XN;X=0を含む) からなるＮ層と、Ｐ型不純物を添加
したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0
を含む) からなるＩ層とを有する窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子において、 前記Ｉ層を、前記Ｎ層と接合する側からＰ型不純物濃度
が比較的低濃度の低不純物濃度ＩL 層と、Ｐ型不純物濃
度が比較的高濃度の高不純物濃度ＩH 層とを１周期とし
て、複数周期繰り返して形成して形成したことを特徴と
する発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13771592A JPH05308156A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13771592A JPH05308156A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001077942A Division JP3613190B2 (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05308156A true JPH05308156A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=15205132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13771592A Pending JPH05308156A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05308156A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0703631A1 (en) * | 1994-09-20 | 1996-03-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP13771592A patent/JPH05308156A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| EP0703631A1 (en) * | 1994-09-20 | 1996-03-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
| US5753939A (en) * | 1994-09-20 | 1998-05-19 | Toyoda Gosei Kk | Light-emitting semiconductor device using a Group III nitride compound and having a contact layer upon which an electrode is formed |
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