JPH05303127A - 半導体微粒子または金属微粒子分散材料の製造方法 - Google Patents
半導体微粒子または金属微粒子分散材料の製造方法Info
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- JPH05303127A JPH05303127A JP10706892A JP10706892A JPH05303127A JP H05303127 A JPH05303127 A JP H05303127A JP 10706892 A JP10706892 A JP 10706892A JP 10706892 A JP10706892 A JP 10706892A JP H05303127 A JPH05303127 A JP H05303127A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一な粒径を有する半導体微粒子および／ま
たは金属微粒子を高い濃度で分散することが可能で、大
きな３次の非線形光学特性を有する材料を容易に製造す
る方法を提供する。 【構成】 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 のエタノール溶液に等
モル量のＣｄ（ＮＯ 3 ）2 の水溶液とＳＣ（ＮＨ2 ）2
の水溶液とを混合し、酸素ガス雰囲気下でプラズマ化学
蒸着を行い、石英ガラス上に粒径3 〜3.5 nmのＣｄＳ微
粒子８wt% が分散したＳｉＯ2 ガラス薄膜が形成され
る。
たは金属微粒子を高い濃度で分散することが可能で、大
きな３次の非線形光学特性を有する材料を容易に製造す
る方法を提供する。 【構成】 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 のエタノール溶液に等
モル量のＣｄ（ＮＯ 3 ）2 の水溶液とＳＣ（ＮＨ2 ）2
の水溶液とを混合し、酸素ガス雰囲気下でプラズマ化学
蒸着を行い、石英ガラス上に粒径3 〜3.5 nmのＣｄＳ微
粒子８wt% が分散したＳｉＯ2 ガラス薄膜が形成され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非線形光学効果を利用し
た光デバイスの基礎をなす半導体微粒子および／または
金属微粒子分散材料の製造方法に関するものである。
た光デバイスの基礎をなす半導体微粒子および／または
金属微粒子分散材料の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、非線形光学材料は高速光スイッ
チ、高調波発生素子などの光デバイスとしての用途が考
えられている。特にその中核をなす半導体微粒子、金属
微粒子、または非線形光学特性を有する有機化合物を用
いた非線形光学材料については、より高性能な材料の開
発あるいはより改良された材料およびその製造方法が注
目されている。
チ、高調波発生素子などの光デバイスとしての用途が考
えられている。特にその中核をなす半導体微粒子、金属
微粒子、または非線形光学特性を有する有機化合物を用
いた非線形光学材料については、より高性能な材料の開
発あるいはより改良された材料およびその製造方法が注
目されている。
【０００３】この分野における従来の技術としては、例
えばジャ−ナル オブ ノンクリスタライン ソリッド
第１２２巻１０１ペ−ジ（J.Non-Cryst.Solids,Vol.12
2,1990)に記載されているような金属アルコキシドを用
いる、いわゆるゾル−ゲル法によるＣｄＳ含有シリカガ
ラスの作製法がある。
えばジャ−ナル オブ ノンクリスタライン ソリッド
第１２２巻１０１ペ−ジ（J.Non-Cryst.Solids,Vol.12
2,1990)に記載されているような金属アルコキシドを用
いる、いわゆるゾル−ゲル法によるＣｄＳ含有シリカガ
ラスの作製法がある。
【０００４】この方法はシリコンのアルコキシド（Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）を加水分解した後、メタノ−ルに溶
解させたＣｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ・２Ｈ2 Ｏを加えて撹
拌する。その後、水、エタノ−ル、アンモニア水の混合
溶液を加えて撹拌を続け、この溶液をシャ−レに移行し
ゲルを作製する。このゲルを硫化水素（Ｈ2 Ｓ）ガスを
含んだ雰囲気中に置き、硫化反応によってＣｄＳ含有ガ
ラスを作製するものである。
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）を加水分解した後、メタノ−ルに溶
解させたＣｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ・２Ｈ2 Ｏを加えて撹
拌する。その後、水、エタノ−ル、アンモニア水の混合
溶液を加えて撹拌を続け、この溶液をシャ−レに移行し
ゲルを作製する。このゲルを硫化水素（Ｈ2 Ｓ）ガスを
含んだ雰囲気中に置き、硫化反応によってＣｄＳ含有ガ
ラスを作製するものである。
【０００５】また、ジャ−ナル オブ アプライド フ
ィジックス第６３巻９５７ペ−ジ（J. Appl. Phys., Vo
l.63, 957 1988.)に記載されているＣｄＳ微粒子分散ガ
ラス薄膜がある。
ィジックス第６３巻９５７ペ−ジ（J. Appl. Phys., Vo
l.63, 957 1988.)に記載されているＣｄＳ微粒子分散ガ
ラス薄膜がある。
【０００６】このガラス薄膜は、コ−ニング社製“７０
５９ガラス”（Ｂａ含有のホウケイ酸系ガラス）とＣｄ
Ｓとをタ−ゲットに用い高周波マグネトロンスパッタ法
により、“７０５９ガラス”中にＣｄＳを２〜４重量％
分散させたものである。
５９ガラス”（Ｂａ含有のホウケイ酸系ガラス）とＣｄ
Ｓとをタ−ゲットに用い高周波マグネトロンスパッタ法
により、“７０５９ガラス”中にＣｄＳを２〜４重量％
分散させたものである。
【０００７】さらに、ジャ−ナル オブ オプティカル
ソサエティ オブ アメリカ第７３巻６４７ペ−ジ
（J. Opt. Soc. Am., Vol.73, 1983. ）に記載されてい
るように、ＣｄＳx Ｓｅ1-x をホウケイ酸ガラスに分散
したカットオフフィルタ−ガラスを非線形光学材料に用
いるものがある。このカットオフフィルタ−ガラスは、
ＣｄＳx Ｓｅ1-x とホウケイ酸ガラス材料とを白金るつ
ぼに入れ１０００℃程度の温度で溶融し作製している。
ソサエティ オブ アメリカ第７３巻６４７ペ−ジ
（J. Opt. Soc. Am., Vol.73, 1983. ）に記載されてい
るように、ＣｄＳx Ｓｅ1-x をホウケイ酸ガラスに分散
したカットオフフィルタ−ガラスを非線形光学材料に用
いるものがある。このカットオフフィルタ−ガラスは、
ＣｄＳx Ｓｅ1-x とホウケイ酸ガラス材料とを白金るつ
ぼに入れ１０００℃程度の温度で溶融し作製している。
【０００８】このような溶融法により、金を分散したガ
ラスが、例えばアプライド フィジックスＡ第47巻347
ペ−ジ（Appl. Phys. A, Vol.47, 347 1988. ）に記載
されている方法などによって作製されている。
ラスが、例えばアプライド フィジックスＡ第47巻347
ペ−ジ（Appl. Phys. A, Vol.47, 347 1988. ）に記載
されている方法などによって作製されている。
【０００９】この方法は、従来のフィルタ−ガラスの作
製法と同様の溶融冷却法によるものであり、ガラスマト
リックス中に溶解した金をさらに熱処理することにより
金微粒子として析出させるものである。
製法と同様の溶融冷却法によるものであり、ガラスマト
リックス中に溶解した金をさらに熱処理することにより
金微粒子として析出させるものである。
【００１０】また、ジャ−ナル オブ オプティカル
ソサエテ− オブ アメリカ Ｂ第7 巻790 ペ−ジ（J.
Opt. Soc.Am.B, Vol.7, 790 1990. ）に記載されている
ような金コロイドの作製法がある。
ソサエテ− オブ アメリカ Ｂ第7 巻790 ペ−ジ（J.
Opt. Soc.Am.B, Vol.7, 790 1990. ）に記載されている
ような金コロイドの作製法がある。
【００１１】この方法は塩化白金酸の0.01% 水溶液に還
元剤を加えてコロイド状の金を作製するものである。
元剤を加えてコロイド状の金を作製するものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記方法の半導体微粒
子あるいは金属微粒子分散材料の製造方法では、次のよ
うな課題がある。
子あるいは金属微粒子分散材料の製造方法では、次のよ
うな課題がある。
【００１３】（１）ゾル−ゲル法の場合：ゾル−ゲル法
で作製したガラスは、１０００ ℃以上の高温で焼結し
ないかぎり多孔質であり、このガラスに分散担持された
半導体微粒子の多くは多孔質内壁面に担持されているも
のと考えられる。従って、表面に現われているＣｄＳの
割合が大きいため、表面準位（深い準位）からの発光成
分も多くなる。この表面準位からの発光成分はマイクロ
秒以上の長い寿命を有するため、この種の材料をピコ秒
ないしはサブナノ秒の応答の早いスイッチング特性を示
す光スイッチへ応用する場合に大きな妨げとなる。
で作製したガラスは、１０００ ℃以上の高温で焼結し
ないかぎり多孔質であり、このガラスに分散担持された
半導体微粒子の多くは多孔質内壁面に担持されているも
のと考えられる。従って、表面に現われているＣｄＳの
割合が大きいため、表面準位（深い準位）からの発光成
分も多くなる。この表面準位からの発光成分はマイクロ
秒以上の長い寿命を有するため、この種の材料をピコ秒
ないしはサブナノ秒の応答の早いスイッチング特性を示
す光スイッチへ応用する場合に大きな妨げとなる。
【００１４】（２）スパッタ法の場合：ガラスのスパッ
タ速度が極めて遅く、ガラス薄膜の作製に長時間を要
し、生産効率が低い欠点がある。特に、ＳｉＯ2 ガラス
は、スパッタ速度が遅く１μｍの膜を形成するのに４〜
５時間を要する。
タ速度が極めて遅く、ガラス薄膜の作製に長時間を要
し、生産効率が低い欠点がある。特に、ＳｉＯ2 ガラス
は、スパッタ速度が遅く１μｍの膜を形成するのに４〜
５時間を要する。
【００１５】（３）溶融法の場合：溶融冷却法では、溶
解度や融点の上で溶融できる半導体または金属の種類が
かぎられる。特にセラミックス材料への金属の溶解度が
小さいために10-6〜10-5容量％程度にしか金属の分散量
を上げることができない。
解度や融点の上で溶融できる半導体または金属の種類が
かぎられる。特にセラミックス材料への金属の溶解度が
小さいために10-6〜10-5容量％程度にしか金属の分散量
を上げることができない。
【００１６】さらに、金属の場合では、セラミックス中
に分散された金属を微粒子として析出させるためには１
０００℃以上の高温で熱処理しなければならない。高温
で熱処理が必要であると、それに耐えられるデバイスに
しか適用しにくく、各種デバイスへの適用が限定され
る。
に分散された金属を微粒子として析出させるためには１
０００℃以上の高温で熱処理しなければならない。高温
で熱処理が必要であると、それに耐えられるデバイスに
しか適用しにくく、各種デバイスへの適用が限定され
る。
【００１７】（４）コロイド溶液の場合：金コロイドに
代表されるコロイドの濃度を高めることが困難であり、
10-6容量％以上の濃度にすると凝集がおこる。また、た
とえ低濃度のコロイド溶液を作製したとしても長期安定
性に欠け、時間の経過とともに次第に溶液組成が変化し
たりコロイドの粒径が大きくなる。粒径が大きくなる
と、非線形光学材料などとして用いる場合に、非線形光
学特性が大幅に低下してしまう問題がある。
代表されるコロイドの濃度を高めることが困難であり、
10-6容量％以上の濃度にすると凝集がおこる。また、た
とえ低濃度のコロイド溶液を作製したとしても長期安定
性に欠け、時間の経過とともに次第に溶液組成が変化し
たりコロイドの粒径が大きくなる。粒径が大きくなる
と、非線形光学材料などとして用いる場合に、非線形光
学特性が大幅に低下してしまう問題がある。
【００１８】本発明は、均一な粒径を有する半導体微粒
子および／または金属微粒子を高い濃度で分散すること
が可能であり、大きな３次の非線形光学特性を有する材
料を容易に製造する方法を提供することを目的とする。
子および／または金属微粒子を高い濃度で分散すること
が可能であり、大きな３次の非線形光学特性を有する材
料を容易に製造する方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の半導体微粒子および／または金属微粒子分
散材料の製造方法は、半導体微粒子源および／または金
属微粒子源を含有した金属アルコキシド溶液を原料とし
て、プラズマ化学蒸着法により、半導体微粒子および／
または金属微粒子を分散したセラミックス薄膜を作製す
ることからなる。
め、本発明の半導体微粒子および／または金属微粒子分
散材料の製造方法は、半導体微粒子源および／または金
属微粒子源を含有した金属アルコキシド溶液を原料とし
て、プラズマ化学蒸着法により、半導体微粒子および／
または金属微粒子を分散したセラミックス薄膜を作製す
ることからなる。
【００２０】前記方法においては、セラミックスがシリ
カガラス、アルミナあるいは窒化シリコンであることが
好ましい。また、前記方法においては、半導体微粒子が
金属ハロゲン化物、II−VI族化合物半導体、III −Ｖ族
半導体およびIV−VI族化合物半導体から選ばれた少なく
とも一種であることが好ましい。
カガラス、アルミナあるいは窒化シリコンであることが
好ましい。また、前記方法においては、半導体微粒子が
金属ハロゲン化物、II−VI族化合物半導体、III −Ｖ族
半導体およびIV−VI族化合物半導体から選ばれた少なく
とも一種であることが好ましい。
【００２１】また、前記方法においては、金属微粒子が
金、白金、銀、ロジウム、パラジウム、およびイリジウ
ムから選ばれた少なくとも一種であることが好ましい。
更に、前記方法においては、金属アルコキシドがシリコ
ンのアルコキシドまたはアルミニウムのアルコキシドで
あることが好ましい。
金、白金、銀、ロジウム、パラジウム、およびイリジウ
ムから選ばれた少なくとも一種であることが好ましい。
更に、前記方法においては、金属アルコキシドがシリコ
ンのアルコキシドまたはアルミニウムのアルコキシドで
あることが好ましい。
【００２２】
【作用】本発明の半導体微粒子および／または金属微粒
子分散材料の製造方法は、半導体微粒子源および／また
は金属微粒子源を含有した金属アルコキシド溶液を原料
として、プラズマ化学蒸着法により、半導体微粒子およ
び／または金属微粒子を分散したセラミックス薄膜を作
製するので、均一な粒径を有しかつ高い濃度で半導体微
粒子および／または金属微粒子をセラミックスに分散さ
せた材料を容易に製造することができる。
子分散材料の製造方法は、半導体微粒子源および／また
は金属微粒子源を含有した金属アルコキシド溶液を原料
として、プラズマ化学蒸着法により、半導体微粒子およ
び／または金属微粒子を分散したセラミックス薄膜を作
製するので、均一な粒径を有しかつ高い濃度で半導体微
粒子および／または金属微粒子をセラミックスに分散さ
せた材料を容易に製造することができる。
【００２３】前記方法において、セラミックスがシリカ
ガラス、アルミナあるいは窒化シリコンである好ましい
態様とすることにより、これらのセラミックスは可視、
視外領域で光学的に透明性が優れているので、光デバイ
スの非線形光学材料として用いる場合に発光成分の吸収
が少なく、効率の良い光デバイスを製造でき好ましい。
ガラス、アルミナあるいは窒化シリコンである好ましい
態様とすることにより、これらのセラミックスは可視、
視外領域で光学的に透明性が優れているので、光デバイ
スの非線形光学材料として用いる場合に発光成分の吸収
が少なく、効率の良い光デバイスを製造でき好ましい。
【００２４】また、前記方法において、半導体微粒子が
金属ハロゲン化物、II−VI族化合物半導体、III −Ｖ族
半導体およびIV−VI族化合物半導体から選ばれた少なく
とも一種である好ましい態様とすることにより、これら
は非線形光学特性が優れており、また、プラズマ化学蒸
着によって容易に合成することができ好ましい。
金属ハロゲン化物、II−VI族化合物半導体、III −Ｖ族
半導体およびIV−VI族化合物半導体から選ばれた少なく
とも一種である好ましい態様とすることにより、これら
は非線形光学特性が優れており、また、プラズマ化学蒸
着によって容易に合成することができ好ましい。
【００２５】また、前記方法において、金属微粒子が
金、白金、銀、ロジウム、パラジウム、およびイリジウ
ムから選ばれた少なくとも一種である好ましい態様とす
ることにより、これらの金属は非線形光学特性が優れて
おり、また、物理的、化学的に安定な金属であり環境に
より影響を受けて性能が経時的に変化する恐れが少なく
好ましい。
金、白金、銀、ロジウム、パラジウム、およびイリジウ
ムから選ばれた少なくとも一種である好ましい態様とす
ることにより、これらの金属は非線形光学特性が優れて
おり、また、物理的、化学的に安定な金属であり環境に
より影響を受けて性能が経時的に変化する恐れが少なく
好ましい。
【００２６】更に、前記方法において、金属アルコキシ
ドがシリコンのアルコキシドまたはアルミニウムのアル
コキシドである好ましい態様とすることにより、これら
の金属アルコキシドは、可視、視外領域で光学的に透明
性が優れセラミックスをプラズマ化学蒸着法で容易に製
造することができ好ましい。
ドがシリコンのアルコキシドまたはアルミニウムのアル
コキシドである好ましい態様とすることにより、これら
の金属アルコキシドは、可視、視外領域で光学的に透明
性が優れセラミックスをプラズマ化学蒸着法で容易に製
造することができ好ましい。
【００２７】
【実施例】本発明で半導体微粒子および金属微粒子を分
散させるマトリックスとなるセラミックスは、光学的に
透明なＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、およびＳｉＮが好まし
い。
散させるマトリックスとなるセラミックスは、光学的に
透明なＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、およびＳｉＮが好まし
い。
【００２８】このようなマトリックスとなるセラミック
スを作製するのに用いる金属アルコキシドは、シリコン
のメトオキシドやエトオキシド等のシリコンの低級アル
コキシド類あるいはアルミニウムのメトオキシド、エト
オキシドないしはプロポキシド等のアルミニウムの低級
アルコキシドが好ましい。これらの金属アルコキシド
は、通常アルコ−ル（低級アルコ−ル、メタノ−ル、エ
タノ−ルが好ましい）等に溶解して用いられる。これら
の金属アルコキシド溶液の濃度は特に制限するものでは
ないが、通常０．１〜５ｍｏｌ％程度の範囲で使用する
のが一般的である。
スを作製するのに用いる金属アルコキシドは、シリコン
のメトオキシドやエトオキシド等のシリコンの低級アル
コキシド類あるいはアルミニウムのメトオキシド、エト
オキシドないしはプロポキシド等のアルミニウムの低級
アルコキシドが好ましい。これらの金属アルコキシド
は、通常アルコ−ル（低級アルコ−ル、メタノ−ル、エ
タノ−ルが好ましい）等に溶解して用いられる。これら
の金属アルコキシド溶液の濃度は特に制限するものでは
ないが、通常０．１〜５ｍｏｌ％程度の範囲で使用する
のが一般的である。
【００２９】分散する半導体微粒子は、金属ハロゲン化
物、例えば、好ましくはＣｕＣｌ，ＣｕＢｒ，ＰｂＩ2
等のI 族またはIV族の金属の金属ハロゲン化物、Ｃｄ
Ｓ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＣｄＯ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，
ＺｎＯ等のII−VI族化合物半導体、ＧａＡｓ，ＩｎＰ等
のIII −Ｖ族半導体、ＰｂＳ，ＰｂＳｅ等のIV−VI族化
合物半導体等が好ましい。
物、例えば、好ましくはＣｕＣｌ，ＣｕＢｒ，ＰｂＩ2
等のI 族またはIV族の金属の金属ハロゲン化物、Ｃｄ
Ｓ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＣｄＯ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，
ＺｎＯ等のII−VI族化合物半導体、ＧａＡｓ，ＩｎＰ等
のIII −Ｖ族半導体、ＰｂＳ，ＰｂＳｅ等のIV−VI族化
合物半導体等が好ましい。
【００３０】これらの配合割合は、得られるセラミック
ス中への半導体微粒子の目的とする分散量に応じて適宜
配合割合を調整すればよく、従って、本発明において
は、セラミックス中への半導体微粒子の分散量を例え
ば、０．１〜８０重量％の範囲で容易に分散させること
ができる。
ス中への半導体微粒子の目的とする分散量に応じて適宜
配合割合を調整すればよく、従って、本発明において
は、セラミックス中への半導体微粒子の分散量を例え
ば、０．１〜８０重量％の範囲で容易に分散させること
ができる。
【００３１】具体的には、金属アルコキシド溶液に、半
導体を構成するカチオン成分を含有する化合物とアニオ
ン成分を含有する化合物とを含有させて、プラズマ化学
蒸着により、カチオン成分とアニオン成分とを反応させ
て半導体を形成する。例えばＣｄＳ，ＣｄＳｅ，Ｚｎ
Ｓ，ＺｎＳｅ，ＰｂＳ，ＰｂＳｅ等の半導体を合成する
場合には、カドミウム、亜鉛、または鉛を溶解させた溶
液；カドミウム化合物として、例えばＣｄＣｌ2 ，Ｃｄ
ＣＯ3 ，Ｃｄ（ＮＯ3 ）2 ，Ｃｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ，
Ｃｄ（ＨＣＯＯ）2 等、亜鉛化合物として、例えばＺｎ
Ｃｌ2 ，Ｚｎ（ＣＨＣＯＯ）2 等、また、鉛化合物とし
て、例えばＰｂＣｌ2 ，ＰｂＣＯ3 ，Ｐｂ（Ｎ
Ｏ3 ）2 ，Ｐｂ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 等を適宜の溶媒例え
ば、アルコ−ル（低級アルコ−ル、メタノ−ル、エタノ
−ルが好ましい）、アセトニトリルあるいは水などに溶
解させて調整し、マトリックスに分散させた後、イオウ
を溶解させた溶液、例えばＮａＳＨ，（ＮＨ4 ）2 Ｓ，
ＳＣ（ＮＨ2 ）2 ，ＳｅＣ（ＮＨ2 ） 2 等を前述のよう
なアルコール類や水などの適宜の溶媒に溶解させて調整
したものを添加する。
導体を構成するカチオン成分を含有する化合物とアニオ
ン成分を含有する化合物とを含有させて、プラズマ化学
蒸着により、カチオン成分とアニオン成分とを反応させ
て半導体を形成する。例えばＣｄＳ，ＣｄＳｅ，Ｚｎ
Ｓ，ＺｎＳｅ，ＰｂＳ，ＰｂＳｅ等の半導体を合成する
場合には、カドミウム、亜鉛、または鉛を溶解させた溶
液；カドミウム化合物として、例えばＣｄＣｌ2 ，Ｃｄ
ＣＯ3 ，Ｃｄ（ＮＯ3 ）2 ，Ｃｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ，
Ｃｄ（ＨＣＯＯ）2 等、亜鉛化合物として、例えばＺｎ
Ｃｌ2 ，Ｚｎ（ＣＨＣＯＯ）2 等、また、鉛化合物とし
て、例えばＰｂＣｌ2 ，ＰｂＣＯ3 ，Ｐｂ（Ｎ
Ｏ3 ）2 ，Ｐｂ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 等を適宜の溶媒例え
ば、アルコ−ル（低級アルコ−ル、メタノ−ル、エタノ
−ルが好ましい）、アセトニトリルあるいは水などに溶
解させて調整し、マトリックスに分散させた後、イオウ
を溶解させた溶液、例えばＮａＳＨ，（ＮＨ4 ）2 Ｓ，
ＳＣ（ＮＨ2 ）2 ，ＳｅＣ（ＮＨ2 ） 2 等を前述のよう
なアルコール類や水などの適宜の溶媒に溶解させて調整
したものを添加する。
【００３２】これらの溶液の濃度は特に制限するもので
はないが、通常それぞれ０．１〜３モル％濃度の溶液が
好ましく用いられる。前記カチオン成分とアニオン成分
の割合は、生成させる半導体を構成する元素の割合に応
じて使用すればよく、上述した例では通常当モルづつの
割合で用いればよい。
はないが、通常それぞれ０．１〜３モル％濃度の溶液が
好ましく用いられる。前記カチオン成分とアニオン成分
の割合は、生成させる半導体を構成する元素の割合に応
じて使用すればよく、上述した例では通常当モルづつの
割合で用いればよい。
【００３３】分散させる金属微粒子は、金、白金、銀、
ロジウム、パラジウム、またはイリジウム等の貴金属が
好ましく、金属塩の水溶液に還元剤を作用させて調製す
ることができる。
ロジウム、パラジウム、またはイリジウム等の貴金属が
好ましく、金属塩の水溶液に還元剤を作用させて調製す
ることができる。
【００３４】前記金属塩としては特に制限するものでは
ないが、例えば、ＨＡｕＣｌ4 ，ＨＰｔＣｌ4 ，ＡｇＮ
Ｏ3 ，ＲｈＣｌ3 ，ＰｄＣｌ2 ，ＩｒＣｌ3 等があげら
れる。また、還元剤も特に限定するものではないが、例
えば、水素、クエン酸、ヒドラジンなどが好ましいもの
の一例である。
ないが、例えば、ＨＡｕＣｌ4 ，ＨＰｔＣｌ4 ，ＡｇＮ
Ｏ3 ，ＲｈＣｌ3 ，ＰｄＣｌ2 ，ＩｒＣｌ3 等があげら
れる。また、還元剤も特に限定するものではないが、例
えば、水素、クエン酸、ヒドラジンなどが好ましいもの
の一例である。
【００３５】これら金属微粒子のセラミックス中への分
散量についても、前記半導体微粒子と同様に、目的とす
る分散量に応じて適宜配合割合を調整することにより、
例えば、０．１〜８０重量％の範囲で容易に分散させる
ことができる。
散量についても、前記半導体微粒子と同様に、目的とす
る分散量に応じて適宜配合割合を調整することにより、
例えば、０．１〜８０重量％の範囲で容易に分散させる
ことができる。
【００３６】これらの原料溶液をプラズマ化学蒸着法
（ＣＶＤ法）により反応させることによって、容易に半
導体微粒子および／または金属微粒子が分散したセラミ
ックス薄膜とすることができる。
（ＣＶＤ法）により反応させることによって、容易に半
導体微粒子および／または金属微粒子が分散したセラミ
ックス薄膜とすることができる。
【００３７】プラズマ化学蒸着法は、上記原料溶液を加
熱してガス状にして、低温プラズマ中に導入することに
より、これら原料が活性化され、気相または基板表面で
化学反応し、所望の薄膜が形成される。用いる原料、装
置、その他の要因によって条件は異なるが、一般的には
動作圧力は１０-2〜８Ｔｏｒｒ、入力パワーは１〜５０
Ｗ程度の範囲である。
熱してガス状にして、低温プラズマ中に導入することに
より、これら原料が活性化され、気相または基板表面で
化学反応し、所望の薄膜が形成される。用いる原料、装
置、その他の要因によって条件は異なるが、一般的には
動作圧力は１０-2〜８Ｔｏｒｒ、入力パワーは１〜５０
Ｗ程度の範囲である。
【００３８】以下本発明の具体的実施例について説明す
る。 実施例１ 通常のプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、厚さ
０．２ mm の石英ガラス上に以下の方法によりＣｄＳ微
粒子を分散したＳｉＯ2 ガラス薄膜を作製した。
る。 実施例１ 通常のプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、厚さ
０．２ mm の石英ガラス上に以下の方法によりＣｄＳ微
粒子を分散したＳｉＯ2 ガラス薄膜を作製した。
【００３９】半導体微粒子源となる成分を含有した溶液
とマトリックスとなる金属アルコキシドとの混合溶液
は、１モルのＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 を５０ｍｌのエタノ
ールに溶解させたエタノール溶液に等モル量（それぞれ
０．０３モル）のＣｄ（ＮＯ3）2 とＳＣ（ＮＨ2 ）2
をそれぞれ５０ｍｌの水に溶解させた水溶液とを混合し
て調製した。
とマトリックスとなる金属アルコキシドとの混合溶液
は、１モルのＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 を５０ｍｌのエタノ
ールに溶解させたエタノール溶液に等モル量（それぞれ
０．０３モル）のＣｄ（ＮＯ3）2 とＳＣ（ＮＨ2 ）2
をそれぞれ５０ｍｌの水に溶解させた水溶液とを混合し
て調製した。
【００４０】ＣＶＤの条件は、酸素ガス雰囲気下で圧力
１ Torr 、入力パワ−３０Ｗ、基板温度３００ ℃で行
った。膜厚は２．０μｍであり、製膜速度は１μｍ/hで
あった。得られたＣｄＳ分散ＳｉＯ2 ガラス薄膜中のＣ
ｄＳの粒径は3 〜3.5 nm、ＣｄＳの分散量は8 wt% であ
った。また、ＣｄＳの分散量はＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4に
対するＣｄ（ＮＯ3 ）2 とＳＣ（ＮＨ2 ）2 の配合割合
を調整することにより、具体的には、Ｃｄ（ＮＯ3 ）2
とＳＣ（ＮＨ2 ）2 とのエタノール溶液濃度を調整する
ことにより0 〜80 wt%の範囲において容易に制御でき
た。
１ Torr 、入力パワ−３０Ｗ、基板温度３００ ℃で行
った。膜厚は２．０μｍであり、製膜速度は１μｍ/hで
あった。得られたＣｄＳ分散ＳｉＯ2 ガラス薄膜中のＣ
ｄＳの粒径は3 〜3.5 nm、ＣｄＳの分散量は8 wt% であ
った。また、ＣｄＳの分散量はＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4に
対するＣｄ（ＮＯ3 ）2 とＳＣ（ＮＨ2 ）2 の配合割合
を調整することにより、具体的には、Ｃｄ（ＮＯ3 ）2
とＳＣ（ＮＨ2 ）2 とのエタノール溶液濃度を調整する
ことにより0 〜80 wt%の範囲において容易に制御でき
た。
【００４１】本実施例の薄膜の吸収スペクトルから求め
たバンドギャップはバルクＣｄＳのバンドギャップと比
べ0.80 eV ブルーシフトしており、また、発光スペクト
ルにおける発光ピ−クもバルクＣｄＳに比べ0.78 eV 高
エネルギ−側にシフトしており、量子サイズ効果が確認
できた。さらに、前方入射型縮退４光波混合法による３
次の非線形光学感受率は6 ×10-7 esuであった。
たバンドギャップはバルクＣｄＳのバンドギャップと比
べ0.80 eV ブルーシフトしており、また、発光スペクト
ルにおける発光ピ−クもバルクＣｄＳに比べ0.78 eV 高
エネルギ−側にシフトしており、量子サイズ効果が確認
できた。さらに、前方入射型縮退４光波混合法による３
次の非線形光学感受率は6 ×10-7 esuであった。
【００４２】同様な方法により、ＺｎＳやＰｂＳ微粒子
分散ＳｉＯ2 ガラス薄膜を作製し、それぞれの薄膜にお
いて量子サイズ効果を確認した。 実施例２ 通常のプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、厚さ
０．２ mm の石英ガラス上に以下の方法によりＣｕＣｌ
微粒子を分散したＳｉＯ2 ガラス薄膜を作製した。
分散ＳｉＯ2 ガラス薄膜を作製し、それぞれの薄膜にお
いて量子サイズ効果を確認した。 実施例２ 通常のプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、厚さ
０．２ mm の石英ガラス上に以下の方法によりＣｕＣｌ
微粒子を分散したＳｉＯ2 ガラス薄膜を作製した。
【００４３】半導体微粒子源となる成分を含有した溶液
とマトリックスとなる金属アルコキシドとの混合溶液
は、１モルのＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 を５０ｍｌのエタノ
ールに溶解させたエタノール溶液に０．０７モルのＣｕ
Ｃｌを５０ｍｌのアセトニトリルに溶解させた溶液とを
混合して調製した。
とマトリックスとなる金属アルコキシドとの混合溶液
は、１モルのＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 を５０ｍｌのエタノ
ールに溶解させたエタノール溶液に０．０７モルのＣｕ
Ｃｌを５０ｍｌのアセトニトリルに溶解させた溶液とを
混合して調製した。
【００４４】ＣＶＤの条件は、酸素ガス雰囲気下で圧力
１ Torr 、入力パワ−３０Ｗ、基板温度３００℃で行っ
た。膜厚は２．０μｍであり、製膜速度は１μｍ/hであ
った。得られたＣｕＣｌ分散ＳｉＯ2 ガラス薄膜中のＣ
ｕＣｌの粒径は1.9 〜3.1 nm、ＣｕＣｌの分散量は12 w
t%であった。また、ＣｕＣｌの分散量は前述の実施例と
同様にＣｕＣｌ溶液の濃度を調整することにより、0 〜
70 wt%の範囲において容易に制御できた。
１ Torr 、入力パワ−３０Ｗ、基板温度３００℃で行っ
た。膜厚は２．０μｍであり、製膜速度は１μｍ/hであ
った。得られたＣｕＣｌ分散ＳｉＯ2 ガラス薄膜中のＣ
ｕＣｌの粒径は1.9 〜3.1 nm、ＣｕＣｌの分散量は12 w
t%であった。また、ＣｕＣｌの分散量は前述の実施例と
同様にＣｕＣｌ溶液の濃度を調整することにより、0 〜
70 wt%の範囲において容易に制御できた。
【００４５】本実施例の薄膜の吸収スペクトルから求め
たバンドギャップはバルクＣｕＣｌのバンドギャップと
比べ0.96 eV ブルーシフトしており、また、発光スペク
トルにおける発光ピ−クもバルクＣｄＳに比べ0.92 eV
高エネルギ−側にシフトしており、量子サイズ効果が確
認できた。さらに、前方入射型縮退４光波混合法による
３次の非線形光学感受率は9 ×10-7 esuであった。 実施例３ 通常のプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、厚さ
０．２ mm の石英ガラス上に以下の方法によりＣｄＳ微
粒子を分散したＡｌ2 Ｏ3 ガラス薄膜を作製した。
たバンドギャップはバルクＣｕＣｌのバンドギャップと
比べ0.96 eV ブルーシフトしており、また、発光スペク
トルにおける発光ピ−クもバルクＣｄＳに比べ0.92 eV
高エネルギ−側にシフトしており、量子サイズ効果が確
認できた。さらに、前方入射型縮退４光波混合法による
３次の非線形光学感受率は9 ×10-7 esuであった。 実施例３ 通常のプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、厚さ
０．２ mm の石英ガラス上に以下の方法によりＣｄＳ微
粒子を分散したＡｌ2 Ｏ3 ガラス薄膜を作製した。
【００４６】半導体微粒子源となる成分を含有した溶液
とマトリックスとなる金属アルコキシドとのエタノール
混合溶液は、１モルのＡｌ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 を５０ｍｌ
のエタノールに溶解させたエタノール溶液と、等モル量
（それぞれ０．０６モル）のＣｄ（ＮＯ3 ）2 とＳＣ
（ＮＨ2 ）2 をそれぞれ５０ｍｌの水に溶解させた水溶
液とを混合して調製した。
とマトリックスとなる金属アルコキシドとのエタノール
混合溶液は、１モルのＡｌ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 を５０ｍｌ
のエタノールに溶解させたエタノール溶液と、等モル量
（それぞれ０．０６モル）のＣｄ（ＮＯ3 ）2 とＳＣ
（ＮＨ2 ）2 をそれぞれ５０ｍｌの水に溶解させた水溶
液とを混合して調製した。
【００４７】ＣＶＤの条件は、酸素ガス雰囲気下で圧力
１ Torr 、入力パワ−３０Ｗ、基板温度３００℃で行っ
た。膜厚は２．０μｍであり、製膜速度は０．９μｍ/h
であった。
１ Torr 、入力パワ−３０Ｗ、基板温度３００℃で行っ
た。膜厚は２．０μｍであり、製膜速度は０．９μｍ/h
であった。
【００４８】得られたＣｄＳ分散Ａｌ2 Ｏ3 ガラス薄膜
中のＣｄＳの粒径は3 〜3.5 nm、ＣｄＳの分散量は7.8
wt% であった。また、先の実施例と同様にＣｄＳの分散
量は0 〜80 wt%の範囲において容易に制御できた。
中のＣｄＳの粒径は3 〜3.5 nm、ＣｄＳの分散量は7.8
wt% であった。また、先の実施例と同様にＣｄＳの分散
量は0 〜80 wt%の範囲において容易に制御できた。
【００４９】本実施例の薄膜の吸収スペクトルから求め
たバンドギャップはバルクＣｄＳのバンドギャップと比
べ0.68 eV ブルーシフトしており、また、発光スペクト
ルにおける発光ピ−クもバルクＣｄＳに比べ0.66 eV 高
エネルギ−側にシフトしており、量子サイズ効果が確認
できた。さらに、前方入射型縮退４光波混合法による３
次の非線形光学感受率は5 ×10-7 esuであった。
たバンドギャップはバルクＣｄＳのバンドギャップと比
べ0.68 eV ブルーシフトしており、また、発光スペクト
ルにおける発光ピ−クもバルクＣｄＳに比べ0.66 eV 高
エネルギ−側にシフトしており、量子サイズ効果が確認
できた。さらに、前方入射型縮退４光波混合法による３
次の非線形光学感受率は5 ×10-7 esuであった。
【００５０】同様な方法により、ＺｎＳやＰｂＳ微粒子
分散Ａｌ2 Ｏ3 ガラス薄膜を作製し、それぞれの薄膜に
おいて量子サイズ効果を確認した。 実施例４ 通常のプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、厚さ
０．２ mm の石英ガラス上に以下の方法によりＣｄＳ微
粒子を分散したＳｉＮガラス薄膜を作製した。
分散Ａｌ2 Ｏ3 ガラス薄膜を作製し、それぞれの薄膜に
おいて量子サイズ効果を確認した。 実施例４ 通常のプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、厚さ
０．２ mm の石英ガラス上に以下の方法によりＣｄＳ微
粒子を分散したＳｉＮガラス薄膜を作製した。
【００５１】半導体微粒子源となる成分を含有した水溶
液とマトリックスとなる金属アルコキシドのエタノール
溶液との混合溶液は、１モルのＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 を
５０ｍｌのエタノールに溶解させたエタノール溶液にそ
れぞれ等モル量（それぞれ０．０２モル）のＣｄ（ＮＯ
3 ）2 とＳＣ（ＮＨ2 ）2 をそれぞれ水５０ｍｌに溶解
させた水溶液とを混合して調製した。
液とマトリックスとなる金属アルコキシドのエタノール
溶液との混合溶液は、１モルのＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 を
５０ｍｌのエタノールに溶解させたエタノール溶液にそ
れぞれ等モル量（それぞれ０．０２モル）のＣｄ（ＮＯ
3 ）2 とＳＣ（ＮＨ2 ）2 をそれぞれ水５０ｍｌに溶解
させた水溶液とを混合して調製した。
【００５２】ＣＶＤの条件は、窒素ガス雰囲気下で圧力
１ Torr 、入力パワ−３０Ｗ、基板温度３００℃で行っ
た。膜厚は２．０μｍであり、製膜速度は０．８５μｍ
/hであった。得られたＣｄＳ分散ＳｉＮガラス薄膜中の
ＣｄＳの粒径は3 〜3.3 nm、ＣｄＳの分散量は7 wt% で
あった。
１ Torr 、入力パワ−３０Ｗ、基板温度３００℃で行っ
た。膜厚は２．０μｍであり、製膜速度は０．８５μｍ
/hであった。得られたＣｄＳ分散ＳｉＮガラス薄膜中の
ＣｄＳの粒径は3 〜3.3 nm、ＣｄＳの分散量は7 wt% で
あった。
【００５３】また、ＣｄＳの分散量は前述の実施例と同
様に0 〜80 wt%の範囲において容易に制御できた。本実
施例の薄膜の吸収スペクトルから求めたバンドギャップ
はバルクＣｄＳのバンドギャップと比べ0.67 eV ブルー
シフトしており、また、発光スペクトルにおける発光ピ
−クもバルクＣｄＳに比べ0.65 eV 高エネルギ−側にシ
フトしており、量子サイズ効果が確認できた。さらに、
前方入射型縮退４光波混合法による３次の非線形光学感
受率は6 ×10-7 esuであった。
様に0 〜80 wt%の範囲において容易に制御できた。本実
施例の薄膜の吸収スペクトルから求めたバンドギャップ
はバルクＣｄＳのバンドギャップと比べ0.67 eV ブルー
シフトしており、また、発光スペクトルにおける発光ピ
−クもバルクＣｄＳに比べ0.65 eV 高エネルギ−側にシ
フトしており、量子サイズ効果が確認できた。さらに、
前方入射型縮退４光波混合法による３次の非線形光学感
受率は6 ×10-7 esuであった。
【００５４】同様な方法によりＺｎＳやＰｂＳ微粒子分
散ＳｉＮガラス薄膜を作製し、それぞれの薄膜において
量子サイズ効果を確認した。 実施例５ 通常のプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、厚さ
０．２ mm の石英ガラス上に以下の方法によりＰｔ微粒
子を分散したＳｉＯ2 ガラス薄膜を作製した。
散ＳｉＮガラス薄膜を作製し、それぞれの薄膜において
量子サイズ効果を確認した。 実施例５ 通常のプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）装置を用い、厚さ
０．２ mm の石英ガラス上に以下の方法によりＰｔ微粒
子を分散したＳｉＯ2 ガラス薄膜を作製した。
【００５５】白金微粒子源となる白金コロイドの調製
は、１０００ｍｌの塩化白金酸水溶液（１ｇ−Ｐｔ／
ｌ）を沸騰後、５０ｍｌのクエン酸ナトリウム水溶液
（１ｗｔ％）添加し沸騰させ調製した。金属イオンの金
属への還元にはクエン酸ナトリウム以外に水素、ヒドラ
ジン、水素化ホウ素ナトリウム等を用いることができ
た。このようにして作製した白金微粒子半導体微粒子と
なる成分を含有した溶液とマトリックスとなる金属アル
コキシドのエタノール溶液即ち１モルのＳｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）4 をエタノール５０ｍｌに溶解したエタノール溶液
を混合して調製した。
は、１０００ｍｌの塩化白金酸水溶液（１ｇ−Ｐｔ／
ｌ）を沸騰後、５０ｍｌのクエン酸ナトリウム水溶液
（１ｗｔ％）添加し沸騰させ調製した。金属イオンの金
属への還元にはクエン酸ナトリウム以外に水素、ヒドラ
ジン、水素化ホウ素ナトリウム等を用いることができ
た。このようにして作製した白金微粒子半導体微粒子と
なる成分を含有した溶液とマトリックスとなる金属アル
コキシドのエタノール溶液即ち１モルのＳｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）4 をエタノール５０ｍｌに溶解したエタノール溶液
を混合して調製した。
【００５６】ＣＶＤの条件は、窒素ガス雰囲気下で圧力
１ Torr 、入力パワ−３０Ｗ、基板温度３００℃で行っ
た。膜厚は２．０μｍであり、製膜速度は０．８５μｍ
/hであった。
１ Torr 、入力パワ−３０Ｗ、基板温度３００℃で行っ
た。膜厚は２．０μｍであり、製膜速度は０．８５μｍ
/hであった。
【００５７】得られたＰｔ分散ＳｉＯ2 ガラス薄膜中の
Ｐｔの粒径は2 〜3.4 nm、Ｐｔの分散量は10 wt%であっ
た。このようにして作製したＰｔ微粒子分散ＳｉＯ2 ガ
ラスの吸収スペクトルには525 nmに表面プラズマ吸収に
基づくピ−クが見られた。さらに、前方入射型縮退４光
波混合法による３次の非線形光学感受率は4 ×10-7 esu
であった。
Ｐｔの粒径は2 〜3.4 nm、Ｐｔの分散量は10 wt%であっ
た。このようにして作製したＰｔ微粒子分散ＳｉＯ2 ガ
ラスの吸収スペクトルには525 nmに表面プラズマ吸収に
基づくピ−クが見られた。さらに、前方入射型縮退４光
波混合法による３次の非線形光学感受率は4 ×10-7 esu
であった。
【００５８】上記工程において白金の替わりに、金ある
いは白金と金との合金を用いてもそれぞれの金属微粒子
を分散したＳｉＯ2 ガラスを作製することができた。ま
た、それぞれの３次の非線形光学感受率は10-8〜10-7 e
suの範囲にあった。 実施例６ 実施例１に示した薄膜を用いて光双安定素子を作製し
た。
いは白金と金との合金を用いてもそれぞれの金属微粒子
を分散したＳｉＯ2 ガラスを作製することができた。ま
た、それぞれの３次の非線形光学感受率は10-8〜10-7 e
suの範囲にあった。 実施例６ 実施例１に示した薄膜を用いて光双安定素子を作製し
た。
【００５９】この素子に波長380 nmのレ−ザ光をスポッ
ト径５μｍで入射し、入射光の強度と出射光の強度の関
係を室温（２５℃）にて測定したところ双安定特性を示
した。
ト径５μｍで入射し、入射光の強度と出射光の強度の関
係を室温（２５℃）にて測定したところ双安定特性を示
した。
【００６０】
【発明の効果】本発明の半導体微粒子および／または金
属微粒子分散材料の製造方法は、均一な粒径を有する半
導体微粒子および／または金属微粒子を高濃度に分散し
たセラミックス薄膜の容易な製造方法を提供できる。本
発明方法により、高速光スイッチとして使用できる光双
安定素子等の作製に有用な大きな３次の非線形光学特性
を有する材料を容易に製造することができる。
属微粒子分散材料の製造方法は、均一な粒径を有する半
導体微粒子および／または金属微粒子を高濃度に分散し
たセラミックス薄膜の容易な製造方法を提供できる。本
発明方法により、高速光スイッチとして使用できる光双
安定素子等の作製に有用な大きな３次の非線形光学特性
を有する材料を容易に製造することができる。
【００６１】本発明方法において、セラミックスがシリ
カガラス、アルミナあるいは窒化シリコンである好まし
い態様とすることにより、光デバイスの非線形光学材料
として用いる場合に発光成分の吸収が少なく、効率の良
い光デバイスを製造でき好ましい。
カガラス、アルミナあるいは窒化シリコンである好まし
い態様とすることにより、光デバイスの非線形光学材料
として用いる場合に発光成分の吸収が少なく、効率の良
い光デバイスを製造でき好ましい。
【００６２】また、本発明方法において、半導体微粒子
が金属ハロゲン化物、II−VI族化合物半導体、III −Ｖ
族半導体およびIV−VI族化合物半導体から選ばれた少な
くとも一種である好ましい態様とすることにより、これ
らは非線形光学特性が優れており、また、プラズマ化学
蒸着によって容易に合成することができる。
が金属ハロゲン化物、II−VI族化合物半導体、III −Ｖ
族半導体およびIV−VI族化合物半導体から選ばれた少な
くとも一種である好ましい態様とすることにより、これ
らは非線形光学特性が優れており、また、プラズマ化学
蒸着によって容易に合成することができる。
【００６３】また、本発明方法において、金属微粒子が
金、白金、銀、ロジウム、パラジウム、およびイリジウ
ムから選ばれた少なくとも一種である好ましい態様とす
ることにより、非線形光学特性が優れており、また、性
能が経時的に変化する恐れが少なくい半導体微粒子およ
び／または金属微粒子分散材料の製造方法を提供でき
る。
金、白金、銀、ロジウム、パラジウム、およびイリジウ
ムから選ばれた少なくとも一種である好ましい態様とす
ることにより、非線形光学特性が優れており、また、性
能が経時的に変化する恐れが少なくい半導体微粒子およ
び／または金属微粒子分散材料の製造方法を提供でき
る。
【００６４】更に、本発明方法において、金属アルコキ
シドがシリコンのアルコキシドまたはアルミニウムのア
ルコキシドである好ましい態様とすることにより、可
視、視外領域で光学的に透明性が優れセラミックス成分
を有する半導体微粒子および／または金属微粒子分散材
料をプラズマ化学蒸着法で容易に製造することができ
る。
シドがシリコンのアルコキシドまたはアルミニウムのア
ルコキシドである好ましい態様とすることにより、可
視、視外領域で光学的に透明性が優れセラミックス成分
を有する半導体微粒子および／または金属微粒子分散材
料をプラズマ化学蒸着法で容易に製造することができ
る。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体微粒子源および／または金属微粒
子源を含有した金属アルコキシド溶液を原料として、プ
ラズマ化学蒸着法により、半導体微粒子および／または
金属微粒子を分散したセラミックス薄膜を作製する半導
体微粒子および／または金属微粒子分散材料の製造方
法。 - 【請求項２】 セラミックスがシリカガラス、アルミナ
あるいは窒化シリコンである請求項１記載の半導体微粒
子および／または金属微粒子分散材料の製造方法。 - 【請求項３】 半導体微粒子が金属ハロゲン化物、II−
VI族化合物半導体、III −Ｖ族半導体およびIV−VI族化
合物半導体から選ばれた少なくとも一種である請求項１
記載の半導体微粒子および／または金属微粒子分散材料
の製造方法。 - 【請求項４】 金属微粒子が金、白金、銀、ロジウム、
パラジウム、およびイリジウムから選ばれた少なくとも
一種である請求項１記載の半導体微粒子および／または
金属微粒子分散材料の製造方法。 - 【請求項５】 金属アルコキシドがシリコンのアルコキ
シドまたはアルミニウムのアルコキシドである請求項１
記載の半導体微粒子および／または金属微粒子分散材料
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10706892A JPH05303127A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 半導体微粒子または金属微粒子分散材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10706892A JPH05303127A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 半導体微粒子または金属微粒子分散材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05303127A true JPH05303127A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14449679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10706892A Pending JPH05303127A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 半導体微粒子または金属微粒子分散材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05303127A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7718273B2 (en) | 2003-01-14 | 2010-05-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring material, wiring substrate and manufacturing method thereof, display panel, fine particle thin film material, substrate including thin film layer and manufacturing method thereof |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP10706892A patent/JPH05303127A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7718273B2 (en) | 2003-01-14 | 2010-05-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring material, wiring substrate and manufacturing method thereof, display panel, fine particle thin film material, substrate including thin film layer and manufacturing method thereof |
| US8088495B2 (en) | 2003-01-14 | 2012-01-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring material, wiring substrate and manufacturing method thereof, display panel, fine particle thin film material, substrate including thin film layer and manufacturing method thereof |
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