JPH04270131A - 半導体微粒子分散ガラスの製造方法 - Google Patents
半導体微粒子分散ガラスの製造方法Info
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- JPH04270131A JPH04270131A JP5041591A JP5041591A JPH04270131A JP H04270131 A JPH04270131 A JP H04270131A JP 5041591 A JP5041591 A JP 5041591A JP 5041591 A JP5041591 A JP 5041591A JP H04270131 A JPH04270131 A JP H04270131A
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は非線形光学効果を利用し
た光デバイスの基礎をなす半導体微粒子分散ガラスの製
造方法に関するものである。
た光デバイスの基礎をなす半導体微粒子分散ガラスの製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、非線形光学材料は高速光スイッチ
、高調波発生素子などの光デバイスとしての用途が考え
られている。特にその中核をなす半導体微粒子や非線形
光学特性を有する有機化合物を用いた非線形光学材料に
ついては、より高性能な材料の開発あるいはより改良さ
れた材料の製造方法が注目されている。
、高調波発生素子などの光デバイスとしての用途が考え
られている。特にその中核をなす半導体微粒子や非線形
光学特性を有する有機化合物を用いた非線形光学材料に
ついては、より高性能な材料の開発あるいはより改良さ
れた材料の製造方法が注目されている。
【0003】この分野における従来の技術としては、例
えばジャーナル オブ ノンクリスタリン ソリ
ッド第122巻101ページ(J.Non−Cryst
.Solids,Vol.122,1990)に記載さ
れているようなゾル−ゲル法によるCdS含有シリカガ
ラスの作製法がある。
えばジャーナル オブ ノンクリスタリン ソリ
ッド第122巻101ページ(J.Non−Cryst
.Solids,Vol.122,1990)に記載さ
れているようなゾル−ゲル法によるCdS含有シリカガ
ラスの作製法がある。
【0004】この方法はシリコンのアルコキシド(Si
(OC2 H5 )4 )を加水分解した後、メタノー
ルに溶解させたCd(CH3 COO)2 ・2H2
Oを加えて撹拌する。その後、水、エタノール、アンモ
ニア水の混合溶液を加えて撹拌を続け、この溶液をシャ
ーレに移行しゲル板を作製する。このゲル板を硫化水素
(H2 S)ガスを含んだ雰囲気中に置き、硫化反応に
よってCdS含有ガラスを作製するものである。
(OC2 H5 )4 )を加水分解した後、メタノー
ルに溶解させたCd(CH3 COO)2 ・2H2
Oを加えて撹拌する。その後、水、エタノール、アンモ
ニア水の混合溶液を加えて撹拌を続け、この溶液をシャ
ーレに移行しゲル板を作製する。このゲル板を硫化水素
(H2 S)ガスを含んだ雰囲気中に置き、硫化反応に
よってCdS含有ガラスを作製するものである。
【0005】また、ジャーナル オブ オプティカ
ル ソサエティ オブ アメリカ、第73巻64
7ページ(J.Opt.Soc.Am.,Vol.73
,1983)に記載されているように、CdSX Se
1−X をホウケイ酸ガラスに分散したカットオフフィ
ルターガラスを非線形光学材料に用いるものがある。こ
のカットオフフィルターガラスは、CdSX Se1−
X とをホウケイ酸ガラス材料を白金ルツボに入れ、1
000℃程度の温度で溶融し作製している。
ル ソサエティ オブ アメリカ、第73巻64
7ページ(J.Opt.Soc.Am.,Vol.73
,1983)に記載されているように、CdSX Se
1−X をホウケイ酸ガラスに分散したカットオフフィ
ルターガラスを非線形光学材料に用いるものがある。こ
のカットオフフィルターガラスは、CdSX Se1−
X とをホウケイ酸ガラス材料を白金ルツボに入れ、1
000℃程度の温度で溶融し作製している。
【0006】さらに、ジャーナル オブ アプライ
ド フィジックス 第63巻957ページ(J.A
ppl.Phys. 63(3),957 1988)
に開示されているCdS微粒子ドープ薄膜ガラスがある
。
ド フィジックス 第63巻957ページ(J.A
ppl.Phys. 63(3),957 1988)
に開示されているCdS微粒子ドープ薄膜ガラスがある
。
【0007】この薄膜ガラスはターゲットにコーニング
社製7095ガラス(Ba含有のホウケイ酸系ガラス)
とCdSとをターゲットに用い高周波マグネトロンスパ
ッタリング法により、7095ガラス中にCdSを2〜
4重量%分散させたものである。
社製7095ガラス(Ba含有のホウケイ酸系ガラス)
とCdSとをターゲットに用い高周波マグネトロンスパ
ッタリング法により、7095ガラス中にCdSを2〜
4重量%分散させたものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法の半導体微粒子分散ガラスの製造方法では、次のよう
な課題がある。 イ)ゾル−ゲル法の場合:ゲル体を硫化水素雰囲気中に
置き硫化反応によってCdS含有ガラスを作製するため
、ゲル体が厚い場合にはゲル体内部にまで均一にCdS
を分散させることが困難であり、表面と内部とでCdS
の粒径が異なり十分な粒径の制御ができない。 ロ)カットオフフィルターガラスの場合:CdSX S
e1−X をホウケイ酸ガラスに2〜4wt%以上均一
に分散させることが困難であり、また1000℃以上の
高温で溶融しなければ作製できないため、構成成分の一
部が蒸発してしまう等の問題がありガラス組成、半導体
組成の制御も極めて困難なものとなる。 ハ)スパッタリング法を用いた場合:装置が高価である
とともにガラス薄膜の形成に時間かかり、(特にスパッ
タリング速度の小さなSiO2 ガラスの形成の場合な
ど、1μmの厚みにするのに4〜5時間かかる。)厚膜
を形成するのが困難である。また従来のターゲットを用
いると均一な膜を得るのが困難である。
法の半導体微粒子分散ガラスの製造方法では、次のよう
な課題がある。 イ)ゾル−ゲル法の場合:ゲル体を硫化水素雰囲気中に
置き硫化反応によってCdS含有ガラスを作製するため
、ゲル体が厚い場合にはゲル体内部にまで均一にCdS
を分散させることが困難であり、表面と内部とでCdS
の粒径が異なり十分な粒径の制御ができない。 ロ)カットオフフィルターガラスの場合:CdSX S
e1−X をホウケイ酸ガラスに2〜4wt%以上均一
に分散させることが困難であり、また1000℃以上の
高温で溶融しなければ作製できないため、構成成分の一
部が蒸発してしまう等の問題がありガラス組成、半導体
組成の制御も極めて困難なものとなる。 ハ)スパッタリング法を用いた場合:装置が高価である
とともにガラス薄膜の形成に時間かかり、(特にスパッ
タリング速度の小さなSiO2 ガラスの形成の場合な
ど、1μmの厚みにするのに4〜5時間かかる。)厚膜
を形成するのが困難である。また従来のターゲットを用
いると均一な膜を得るのが困難である。
【0009】本発明は前記従来技術の課題を解決するた
め、ゾル−ゲル法により作製した均一な細孔径と大きな
比表面積を有する多孔質ガラスに半導体微粒子を析出さ
せることにより、簡便な方法で半導体微粒子を均一な粒
子径に分散することができ、より大きな3次の非線形光
学特性を有する材料を提供することを目的とする。
め、ゾル−ゲル法により作製した均一な細孔径と大きな
比表面積を有する多孔質ガラスに半導体微粒子を析出さ
せることにより、簡便な方法で半導体微粒子を均一な粒
子径に分散することができ、より大きな3次の非線形光
学特性を有する材料を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明の半導体微粒子分散ガラスの製造方法は、ゾル
−ゲル法により半導体微粒子分散ガラスを製造する方法
において、あらかじめカドミウム、亜鉛、または鉛を溶
解させたゾルをゲル化し、前記金属および/またはその
酸化物を含有した多孔質ガラスを作製し、しかる後、イ
オウまたはセレンの化合物を溶解した溶液に前記多孔質
ガラスを浸漬し、CdS,CdSe,ZnS,ZnSe
,PbS,PbSeから選ばれる少なくとも一種の化合
物を前記多孔質ガラス中に析出させることを特徴とする
。
、本発明の半導体微粒子分散ガラスの製造方法は、ゾル
−ゲル法により半導体微粒子分散ガラスを製造する方法
において、あらかじめカドミウム、亜鉛、または鉛を溶
解させたゾルをゲル化し、前記金属および/またはその
酸化物を含有した多孔質ガラスを作製し、しかる後、イ
オウまたはセレンの化合物を溶解した溶液に前記多孔質
ガラスを浸漬し、CdS,CdSe,ZnS,ZnSe
,PbS,PbSeから選ばれる少なくとも一種の化合
物を前記多孔質ガラス中に析出させることを特徴とする
。
【0011】前記構成においては、多孔質ガラスの平均
細孔径が10nm以下であることが好ましい。
細孔径が10nm以下であることが好ましい。
【0012】
【作用】本発明の半導体微粒子分散ガラスの製造方法で
は、ゾル−ゲル法により作製した半導体微粒子分散ガラ
スを作製する過程において、あらかじめカドミウム、亜
鉛、または鉛を溶解させたゾルをゲル化し、前記金属お
よび/またはその酸化物を含有した多孔質ガラスを作製
後、イオウまたはセレンの化合物を溶解した溶液に前記
多孔質ガラスを浸漬しCdS,CdSe,ZnS,Zn
Se,PbS,PbSeから選ばれる少なくとも一種の
化合物を前記多孔質ガラス中に析出させることにより半
導体微粒子を前記多孔質ガラスに高濃度に、均一かつ強
固に分散担持させることが可能となる。
は、ゾル−ゲル法により作製した半導体微粒子分散ガラ
スを作製する過程において、あらかじめカドミウム、亜
鉛、または鉛を溶解させたゾルをゲル化し、前記金属お
よび/またはその酸化物を含有した多孔質ガラスを作製
後、イオウまたはセレンの化合物を溶解した溶液に前記
多孔質ガラスを浸漬しCdS,CdSe,ZnS,Zn
Se,PbS,PbSeから選ばれる少なくとも一種の
化合物を前記多孔質ガラス中に析出させることにより半
導体微粒子を前記多孔質ガラスに高濃度に、均一かつ強
固に分散担持させることが可能となる。
【0013】さらに、多孔質ガラスの平均細孔径が10
nm以下の多孔質ガラスを用いる本発明の好ましい態様
によれば、析出する半導体微粒子の粒子径を量子サイズ
効果が現われる程度に小さく制御することがより容易に
なり、優れた非線形光学特性を有する半導体微粒子分散
ガラスの簡便な製造方法が提供できる。
nm以下の多孔質ガラスを用いる本発明の好ましい態様
によれば、析出する半導体微粒子の粒子径を量子サイズ
効果が現われる程度に小さく制御することがより容易に
なり、優れた非線形光学特性を有する半導体微粒子分散
ガラスの簡便な製造方法が提供できる。
【0014】
【実施例】本発明で用いるカドミウム、亜鉛、または鉛
を溶解させたゾルは、ゾル中にカドミウム、亜鉛、また
は鉛イオンが存在するゾルであればよい。かかる溶液の
成分として用いられるカドミウム化合物としては、例え
ばCdCl2,CdCO3 ,Cd(NO3 )2 ,
Cd(CH3 COO)2 ,Cd(HCOO)2 等
が挙げられ、また、亜鉛化合物の具体例としては、例え
ばZnCl2 ,Zn(CHCOO)2 等、さらに、
鉛化合物の具体例としては、例えばPbCl2 ,Pb
CO3 ,Pb(NO3 )2 ,Pb(CH3 CO
O)2 等が挙げられ、通常これらの化合物をアルコー
ルなどに溶解させてゾルを調製する。
を溶解させたゾルは、ゾル中にカドミウム、亜鉛、また
は鉛イオンが存在するゾルであればよい。かかる溶液の
成分として用いられるカドミウム化合物としては、例え
ばCdCl2,CdCO3 ,Cd(NO3 )2 ,
Cd(CH3 COO)2 ,Cd(HCOO)2 等
が挙げられ、また、亜鉛化合物の具体例としては、例え
ばZnCl2 ,Zn(CHCOO)2 等、さらに、
鉛化合物の具体例としては、例えばPbCl2 ,Pb
CO3 ,Pb(NO3 )2 ,Pb(CH3 CO
O)2 等が挙げられ、通常これらの化合物をアルコー
ルなどに溶解させてゾルを調製する。
【0015】また、イオウを溶解させた溶液は、例えば
NaSH,(NH4)2 S,SC(NH2 )2 等
の化合物の水溶液または、アルコール溶液などが用いら
れる。 セレンを溶解させた溶液としては、金属セレンの硝酸溶
液、セレン酸(H2 SeO4 ),セレノ尿素(Se
C(NH2 )2 )のアルコール溶液等が挙げられる
が、ゾルの安定性、金属イオンとの反応性等を考慮する
とセレノ尿素(SeC(NH2 )2 )のアルコール
溶液が好ましい。
NaSH,(NH4)2 S,SC(NH2 )2 等
の化合物の水溶液または、アルコール溶液などが用いら
れる。 セレンを溶解させた溶液としては、金属セレンの硝酸溶
液、セレン酸(H2 SeO4 ),セレノ尿素(Se
C(NH2 )2 )のアルコール溶液等が挙げられる
が、ゾルの安定性、金属イオンとの反応性等を考慮する
とセレノ尿素(SeC(NH2 )2 )のアルコール
溶液が好ましい。
【0016】さらに、ゾルはゲル化してSiO2 とな
るものが好ましく代表的な例を挙げるとSi(OC2
H5 )4 ,Si(OCH3 )4 等のシリコンの
アルコキシド類をエタノール、水および塩酸の混合溶液
に加えて、部分的に加水分解したものを用い、このゾル
にカドミウム、亜鉛、または鉛の化合物のアルコール溶
液等を添加して調製する。
るものが好ましく代表的な例を挙げるとSi(OC2
H5 )4 ,Si(OCH3 )4 等のシリコンの
アルコキシド類をエタノール、水および塩酸の混合溶液
に加えて、部分的に加水分解したものを用い、このゾル
にカドミウム、亜鉛、または鉛の化合物のアルコール溶
液等を添加して調製する。
【0017】以下本発明の具体的実施例について説明す
る。なお本発明は下記の実施例に限定されるものではな
い。
る。なお本発明は下記の実施例に限定されるものではな
い。
【0018】実施例1
図1に示す工程に従いCdSeを分散した厚さ2mmの
多孔質シリカガラス(平均細孔径10nm、比表面積3
00m2 /g)を作製した。
多孔質シリカガラス(平均細孔径10nm、比表面積3
00m2 /g)を作製した。
【0019】最初に、表1に示した原料を用いてマトリ
ックスガラスとなるゾルを作製した。
ックスガラスとなるゾルを作製した。
【0020】
【表1】
このゾルに室温で0.2〜2.0mol %Cd(CH
3 COO)2 のアルコール溶液を添加、撹拌した後
、40〜80℃でゲル化した。さらにこのゲルを20℃
/hrの昇温速度で600℃まで加熱し、CdOを分散
した多孔質シリカガラスを作製した。次にこのガラスを
SeC(NH2)2 のアルコール溶液に1分から10
時間浸漬した後、100℃で真空乾燥することによりガ
ラス中にCdSeを析出させ、CdSeを分散した多孔
質シリカガラスを作製した。上記工程において、CdO
を分散した多孔質シリカガラスをSeC(NH2 )2
のアルコール溶液に浸漬する時間により、析出するC
dSeの粒径を1〜10nmの範囲で制御することがで
きた。
3 COO)2 のアルコール溶液を添加、撹拌した後
、40〜80℃でゲル化した。さらにこのゲルを20℃
/hrの昇温速度で600℃まで加熱し、CdOを分散
した多孔質シリカガラスを作製した。次にこのガラスを
SeC(NH2)2 のアルコール溶液に1分から10
時間浸漬した後、100℃で真空乾燥することによりガ
ラス中にCdSeを析出させ、CdSeを分散した多孔
質シリカガラスを作製した。上記工程において、CdO
を分散した多孔質シリカガラスをSeC(NH2 )2
のアルコール溶液に浸漬する時間により、析出するC
dSeの粒径を1〜10nmの範囲で制御することがで
きた。
【0021】このようにして作製した平均粒径2.5n
mのCdSeを分散した多孔質ガラスの吸収スペクトル
から求めたバンドギャップは、バルクCdSeのバンド
ギャップと比べ0.6eVブルーシフトしていた。この
ことからCdSeが量子ドットとなっていることが示唆
される。
mのCdSeを分散した多孔質ガラスの吸収スペクトル
から求めたバンドギャップは、バルクCdSeのバンド
ギャップと比べ0.6eVブルーシフトしていた。この
ことからCdSeが量子ドットとなっていることが示唆
される。
【0022】上記工程において、SeC(NH2 )2
のアルコール溶液の代わりにSC(NH2 )2 の
アルコール溶液を用いると、CdS分散シリカガラスが
作製できた。このガラスにおいてもCdSの量子サイズ
効果が確認できた。
のアルコール溶液の代わりにSC(NH2 )2 の
アルコール溶液を用いると、CdS分散シリカガラスが
作製できた。このガラスにおいてもCdSの量子サイズ
効果が確認できた。
【0023】実施例2
実施例1と同様な方法によりZnSeを分散した厚さ2
mmの多孔質ガラス(平均細孔径10nm、比表面積2
60m2 /g)を作製した。
mmの多孔質ガラス(平均細孔径10nm、比表面積2
60m2 /g)を作製した。
【0024】最初に、前記した表1に示した原料を用い
てマトリックスガラスとなるゾルを作製し、このゾルに
室温で0.5〜2.0mol %Zn(CH3 COO
)2 のアルコール溶液を添加、撹拌した後、40〜8
0℃でゲル化した。さらにこのゲルを20〜80℃/h
rの昇温速度で600℃まで加熱し、ZnOを分散した
多孔質シリカガラスを作製した。次にこのガラスをSe
C(NH2 )2 のアルコール溶液に1分から10時
間浸漬した後、100℃で真空乾燥することにより多孔
質ガラス中にZnSeを析出させ、ZnSeを分散した
多孔質シリカガラスを作製した。上記工程において、Z
nOを分散した多孔質シリカガラスをSeC(NH2
)2 のアルコ−ル溶液に浸漬する時間により、析出す
るZnSeの粒径を1〜10nmの範囲で制御すること
ができた。
てマトリックスガラスとなるゾルを作製し、このゾルに
室温で0.5〜2.0mol %Zn(CH3 COO
)2 のアルコール溶液を添加、撹拌した後、40〜8
0℃でゲル化した。さらにこのゲルを20〜80℃/h
rの昇温速度で600℃まで加熱し、ZnOを分散した
多孔質シリカガラスを作製した。次にこのガラスをSe
C(NH2 )2 のアルコール溶液に1分から10時
間浸漬した後、100℃で真空乾燥することにより多孔
質ガラス中にZnSeを析出させ、ZnSeを分散した
多孔質シリカガラスを作製した。上記工程において、Z
nOを分散した多孔質シリカガラスをSeC(NH2
)2 のアルコ−ル溶液に浸漬する時間により、析出す
るZnSeの粒径を1〜10nmの範囲で制御すること
ができた。
【0025】このようにして作製した平均粒径3nmの
ZnSeを分散した多孔質ガラスの吸収スペクトルから
求めたバンドギャップはバルクZnSeのバンドギャッ
プと比べ0.45eVブルーシフトが見られZnSeが
量子ドットとなっていることが示唆される。
ZnSeを分散した多孔質ガラスの吸収スペクトルから
求めたバンドギャップはバルクZnSeのバンドギャッ
プと比べ0.45eVブルーシフトが見られZnSeが
量子ドットとなっていることが示唆される。
【0026】上記工程において、SeC(NH2 )2
のアルコ−ル溶液の代わりにSC(NH2 )2 の
アルコ−ル溶液を用いるとZnS分散多孔質シリカガラ
スが作製できた。このガラスにおいてもZnSの量子サ
イズ効果が確認できた。
のアルコ−ル溶液の代わりにSC(NH2 )2 の
アルコ−ル溶液を用いるとZnS分散多孔質シリカガラ
スが作製できた。このガラスにおいてもZnSの量子サ
イズ効果が確認できた。
【0027】実施例3
実施例1と同様な方法によりPbSeを分散した厚さ2
mmの多孔質ガラス(平均細孔径12nm、比表面積2
80m2 /g)を作製した。
mmの多孔質ガラス(平均細孔径12nm、比表面積2
80m2 /g)を作製した。
【0028】最初に、前記表1に示した原料を用いてマ
トリックスガラスとなるゾルを作製し、このゾルに室温
で0.1〜2.0mol %Pb(CH3 COO)2
のアルコール溶液を添加、撹拌した後、40〜80℃
でゲル化した。さらにこのゲルを20〜400℃/hr
の昇温速度で600℃まで加熱し、PbOを分散した多
孔質シリカガラスを作製した。次にこのガラスをSeC
(NH2 )2 のアルコール溶液に1分から10時間
浸漬した後、100℃で真空乾燥することによりガラス
中にPbSeを析出させ、PbSeを分散した多孔質シ
リカガラスを作製した。上記工程において、PbOを分
散した多孔質シリカガラスをSeC(NH2 )2 の
アルコール溶液に浸漬する時間により、析出するPbS
eの粒径を1〜10nmの範囲で制御することができた
。
トリックスガラスとなるゾルを作製し、このゾルに室温
で0.1〜2.0mol %Pb(CH3 COO)2
のアルコール溶液を添加、撹拌した後、40〜80℃
でゲル化した。さらにこのゲルを20〜400℃/hr
の昇温速度で600℃まで加熱し、PbOを分散した多
孔質シリカガラスを作製した。次にこのガラスをSeC
(NH2 )2 のアルコール溶液に1分から10時間
浸漬した後、100℃で真空乾燥することによりガラス
中にPbSeを析出させ、PbSeを分散した多孔質シ
リカガラスを作製した。上記工程において、PbOを分
散した多孔質シリカガラスをSeC(NH2 )2 の
アルコール溶液に浸漬する時間により、析出するPbS
eの粒径を1〜10nmの範囲で制御することができた
。
【0029】このようにして作製した平均粒径3.5n
mのPbSeを分散した多孔質ガラスの吸収スペクトル
から求めたバンドギャップはバルクPbSeのバンドギ
ャップと比べ0.30eVブルーシフトが見られPbS
eが量子ドットとなっていることが示唆される。
mのPbSeを分散した多孔質ガラスの吸収スペクトル
から求めたバンドギャップはバルクPbSeのバンドギ
ャップと比べ0.30eVブルーシフトが見られPbS
eが量子ドットとなっていることが示唆される。
【0030】上記工程において、SeC(NH2 )2
のアルコール溶液の代わりにSC(NH2 )2 の
アルコ−ル溶液を用いるとPbS分散シリカガラスが作
製できた。この多孔質ガラスにおいてもPbSの量子サ
イズ効果が確認できた。
のアルコール溶液の代わりにSC(NH2 )2 の
アルコ−ル溶液を用いるとPbS分散シリカガラスが作
製できた。この多孔質ガラスにおいてもPbSの量子サ
イズ効果が確認できた。
【0031】実施例4
実施例1に示したガラスを用いて光双安定素子を作製し
た。この素子に波長600nmのレーザ光をスポット径
5μmで入射し、入射光の強度と出射光の強度の関係を
室温(25℃)で測定したところ双安定特性を示した。
た。この素子に波長600nmのレーザ光をスポット径
5μmで入射し、入射光の強度と出射光の強度の関係を
室温(25℃)で測定したところ双安定特性を示した。
【0032】
【発明の効果】本発明の、ゾル−ゲル法により作製した
半導体微粒子分散ガラスを作製する過程において、あら
かじめカドミウム、亜鉛、または鉛を溶解させたゾルを
ゲル化し、前記金属および/またはその酸化物を含有し
た多孔質ガラスを作製後、イオウまたはセレンの化合物
を溶解した溶液に前記多孔質ガラスを浸漬しCdS,C
dSe,ZnS,ZnSe,PbS,PbSeを前記多
孔質ガラス中に析出させる半導体微粒子分散ガラスの製
造方法によれば、簡便に均一な粒径の半導体を担持した
半導体微粒子分散ガラスを得ることが可能で、高速光ス
イッチとして使用できる光双安定素子等を作製すること
ができる。
半導体微粒子分散ガラスを作製する過程において、あら
かじめカドミウム、亜鉛、または鉛を溶解させたゾルを
ゲル化し、前記金属および/またはその酸化物を含有し
た多孔質ガラスを作製後、イオウまたはセレンの化合物
を溶解した溶液に前記多孔質ガラスを浸漬しCdS,C
dSe,ZnS,ZnSe,PbS,PbSeを前記多
孔質ガラス中に析出させる半導体微粒子分散ガラスの製
造方法によれば、簡便に均一な粒径の半導体を担持した
半導体微粒子分散ガラスを得ることが可能で、高速光ス
イッチとして使用できる光双安定素子等を作製すること
ができる。
【図1】 本発明の製造方法の一実施例を示す工程図
。
。
Claims (2)
- 【請求項1】 ゾル−ゲル法により半導体微粒子分散
ガラスを製造する方法において、あらかじめカドミウム
、亜鉛、または鉛を溶解させたゾルをゲル化し、前記金
属および/またはその酸化物を含有した多孔質ガラスを
作製し、しかる後、イオウまたはセレンの化合物を溶解
した溶液に前記多孔質ガラスを浸漬し、CdS,CdS
e,ZnS,ZnSe、PbS,PbSeから選ばれる
少なくとも一種の化合物を前記多孔質ガラス中に析出さ
せることを特徴とする半導体微粒子分散ガラスの製造方
法。 - 【請求項2】多孔質ガラスの平均細孔径が10nm以下
である請求項1記載の半導体微粒子分散ガラスの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5041591A JPH04270131A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体微粒子分散ガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5041591A JPH04270131A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体微粒子分散ガラスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04270131A true JPH04270131A (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=12858234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5041591A Pending JPH04270131A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体微粒子分散ガラスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04270131A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5955528A (en) * | 1996-07-04 | 1999-09-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Polymeric composite material and process for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP5041591A patent/JPH04270131A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5955528A (en) * | 1996-07-04 | 1999-09-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Polymeric composite material and process for manufacturing the same |
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