JPH05299904A - 非可逆回路素子およびその製造方法 - Google Patents

非可逆回路素子およびその製造方法

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JPH05299904A
JPH05299904A JP12563092A JP12563092A JPH05299904A JP H05299904 A JPH05299904 A JP H05299904A JP 12563092 A JP12563092 A JP 12563092A JP 12563092 A JP12563092 A JP 12563092A JP H05299904 A JPH05299904 A JP H05299904A
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Hiromoto Dejima
弘基 出嶌
Michihiro Tsunekado
陸宏 常門
Keiji Okamura
圭司 岡村
Takashi Kawanami
崇 川浪
Takashi Hasegawa
長谷川  隆
Katsuyuki Ohira
勝幸 大平
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型かつ高性能でしかも製造が容易な非可逆
回路素子およびその製造方法を提供することである。 【構成】 それぞれに所定の電極パターンが形成された
複数のセラミックグリーンシート101〜114が積層
圧着後、一括的に焼成されて1枚の誘電体基板に一体化
される。この1枚の誘電体基板内には、複数の電極パタ
ーンが積層され、それによって中心電極,整合回路等の
内部回路が立体的に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、非可逆回路素子およ
びその製造方法に関し、より特定的には、マイクロ波帯
の高周波部品として採用される非可逆回路素子、例えば
アイソレータ,サーキュレータの改良された構造および
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、アイソレータ,サーキュレータ
等の非可逆回路素子は、信号の伝送方向にはほとんど減
衰がなく、かつ逆方向には減衰が大きくなるような機能
を有しており、例えばUHF帯で使用される携帯電話,
自動車電話等の移動通信機器の送信回路部に採用されて
いる。この移動通信機器に採用される非可逆回路素子
は、その用途からして小型,軽量であることが要求され
ている。そこで、従来は、1つの基板に中心電極および
整合回路を集約配置する方法が種々提案されている。
【0003】(1)第1の従来技術 図21および図22は、従来のサーキュレータの第1の
例(以下、第1の従来技術と称する)の構成を示す図で
あり、特に、図21は要部斜視図であり、図22は断面
図である。図21に示すように、セラミック等の誘電体
基板1の表面には、3組の中心電極2a,2bが互いに
接触せずかつ交差しないように所定の角度間隔で配置さ
れている。同様に、誘電体基板1の裏面には、3組の中
心電極2c,2dが互いに接触せずかつ交差しないよう
に所定の角度間隔で配置されている。各中心電極2a,
2bは、それぞれ、スルーホール5を介して対応する裏
面の各中心電極2c,2dと接続されている。また、誘
電体基板1の表面には各中心電極2a,2bの周囲に3
枚の容量電極3が中心電極2a,2bと一体的に形成さ
れ、誘電体基板1の裏面には各中心電極2c,2dの周
囲に接地電極4が中心電極2c,2dと一体的に形成さ
れている。各容量電極3は、誘電体基板1を挟んで接地
電極4と対向することにより、整合回路用のコンデンサ
を構成している。
【0004】図22に示すように、誘電体基板1は金属
製のヨーク7の内部に収納される。誘電体基板1の下部
には接地板8が配置され、この接地板8は誘電体基板1
の裏面の接地電極4と当接している。また、接地板8の
中央部には凹部が設けられ、この凹部にはフェライト板
6が嵌め込まれている。フェライト板6は各中心電極の
下部に位置しており、各中心電極の誘導結合を助けてい
る。ヨーク7の内部天井面には、磁石9が固着されてい
る。この磁石9は、各中心電極に対して直流磁界を印加
している。
【0005】(2)第2の従来技術 図23および図24は、従来のサーキュレータの第2の
例(以下、第2の従来技術と称する)の構成を示す図で
あり、特に、図23は要部斜視図であり、図24は断面
図である。図23に示すように、セラミック等の誘電体
基板1の裏面には、接地電極4が形成されている。一
方、誘電体基板1の表面には、印刷および焼成を繰り返
すことにより、3枚の電極パターン10と、2枚の絶縁
シート11とが交互に形成される。各電極パターン10
は、中心電極部20と、容量電極部30とを含む。各中
心電極部20の一端は、それぞれスルーホール5を介し
て裏面の接地電極4と接続されている。各容量電極部3
0は、誘電体基板1を挟んで接地電極4と対向すること
により、整合回路用のコンデンサを構成している。
【0006】この第2の従来技術の断面構造は、図24
に示すように、前述の第1の従来技術の断面構造と同様
である。
【0007】(3)第3の従来技術 図25および図26は、従来のサーキュレータの第3の
例(以下、第3の従来技術と称する)の構成を示す図で
あり、特に、図25は要部斜視図であり、図26は断面
図である。図25に示すように、セラミック等の誘電体
基板1a,1bおよび1cの表面には印刷により電極パ
ターン10a,10bおよび10cがそれぞれ形成さ
れ、裏面には印刷により接地電極4a,4bおよび4c
がそれぞれ形成される。電極パターン10a,10bお
よび10cは、それぞれ、中心電極部20a,20bお
よび20cと、容量電極部30a,30bおよび30c
と、接地電極部40a,40bおよび40cとを含む。
誘電体基板1a,1bおよび1cは個別に焼成された
後、圧着されて多層基板とされる。接地電極部40a,
40bおよび40cと接地電極4a,4bおよび4c
は、スルーホール6を介して相互に接続される。各容量
電極部30a,30bおよび30cは、それぞれ、誘電
体基板1a,1bおよび1cを挟んで接地電極4a,4
bおよび4cと対向することにより、整合回路用のコン
デンサを構成している。
【0008】この第3の従来技術の断面構造は、図26
に示すように、前述の第1の従来技術の断面構造とほぼ
同様である。ただし、誘電体基板が多層構造となってい
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した第1〜第
3の従来技術では、以下に述べるような問題点が指摘さ
れる。
【0010】(1)第1の従来技術の問題点 a.各中心電極相互を短絡しないように交差させるに
は、スルーホールが必ず必要となり、構造が複雑でかつ
高価となる。 b.中心電極相互の短絡を防ぐために、中心電極の幅を
狭くしなければならない。そのため、中心電極での損失
が増加し、電気的特性が劣化する。 c.各中心電極2a,2bの周囲に容量電極3を配置し
ているが、必要な容量値を得るためには、この容量電極
3の面積を大きくしなければならず、素子全体の構成が
大型化してしまう。 d.誘電体基板1の焼成工程と、誘電体基板1に印刷さ
れた電極の焼成工程との計2回の焼成工程を必要とし、
製造工程が煩雑でかつ製造に長時間を要する。
【0011】(2)第2の従来技術の問題点 a.各中心電極部20の周囲に容量電極部30を配置し
ているが、必要な容量値を得るためには、この容量電極
部30の面積を大きくしなければならず、素子全体の構
成が大型化してしまう。 b.各電極パターン10および各絶縁シート11の焼成
工程を繰り返して行わなければならず、製造工程が煩雑
でかつ製造に長時間を要する。
【0012】(3)第3の従来技術の問題点 a.各中心電極部20a〜20cの周囲に容量電極部3
0a〜30cを配置しているが、必要な容量値を得るた
めには、この容量電極部30a〜30cの面積を大きく
しなければならず、素子全体の構成が大型化してしま
う。 b.各誘電体基板1a〜1cごとに焼成工程を繰り返し
て行わなければならず、製造工程が煩雑でかつ製造に長
時間を要する。 c.接続箇所が多く信頼性が劣る。 d.各誘電体基板1a〜1cを薄くすることが困難であ
る。そのため、素子全体の厚みが大きくなり、下層と上
層とにある中心電極の距離が遠くなりすぎて、中心電極
相互の等価性(バランス)が悪化する。
【0013】それゆえに、この発明の目的は、上記問題
点をすべて解消でき、小型かつ高信頼性で、製造が容易
な非可逆回路素子およびその製造方法を提供することで
ある。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
信号の伝送方向には減衰度が極めて小さく、逆方向には
減衰度が極めて大きい非可逆回路素子であって、1枚の
誘電体基板内に複数の電極パターンが積層配置されてお
り、それによって内部回路が立体的に配置されているこ
とを特徴とする。
【0015】請求項2に係る発明は、請求項1に係る発
明において、さらに以下のことを特徴とする。すなわ
ち、電極パターンは、1以上の中心電極用パターンと、
1以上のコンデンサ電極用パターンと、1以上の接地電
極用パターンとを含み、誘電体基板の内部において、コ
ンデンサ電極用パターンと接地電極用パターンとが誘電
体を間に挟んで交互に配置されており、かつ各コンデン
サ電極用パターンは共通接続されて対応する中心電極用
パターンに接続されており、各接地電極用パターンは共
通接続されており、それによって中心電極用パターンと
接地電極用パターンとの間には、1以上の整合回路用コ
ンデンサが積層配置されていることを特徴とする。
【0016】請求項3に係る発明は、信号の伝送方向に
は減衰度が極めて小さく、逆方向には減衰度が極めて大
きい非可逆回路素子を製造する方法であって、それぞれ
に所定の電極パターンが形成された複数枚の誘電体グリ
ーンシートを積層圧着してグリーンシート積層体を得る
積層工程と、グリーンシート積層体を焼成して1枚の誘
電体基板に一体化する焼成工程とを備え、それによって
1枚の誘電体基板内に内部回路が立体的に積層配置され
た非可逆回路素子を得ることを特徴とする。
【0017】請求項4に係る発明は、請求項3に係る発
明において、さらに以下のことを特徴とする。すなわ
ち、1回の焼成工程によって、中心電極と誘電体基板と
を同時形成することを特徴とする。
【0018】請求項5に係る発明は、請求項3に係る発
明において、さらに以下のことを特徴とする。すなわ
ち、1回の焼成工程によって、中心電極と、それに接続
される整合回路と、誘電体基板とを同時形成することを
特徴とする。
【0019】
【作用】請求項1に係る発明においては、1枚の誘電体
基板内に複数の電極パターンを積層配置することによ
り、素子全体の小型化および高性能化を図っている。す
なわち、従来は平面的に配置されていた内部回路を、誘
電体基板の内部で立体的に配置できるため、素子全体の
回路面積を小型化できる。また、各電極パターンを、誘
電体基板の内部で相互に接触することなく交差できるた
め、第1の従来技術のように中心電極の幅を狭くする必
要がなく、挿入損失を低減できる。さらに、一体構造で
あるため、各電極パターン間の間隔を極めて接近させて
配置しても、十分大きな強度を確保できる。その結果、
各中心電極間の電気的対称性を良好な状態に保てる。
【0020】請求項2に係る発明においては、コンデン
サ電極用パターンと接地電極用パターンとを誘電体を間
に挟んで交互に配置し、かつ各コンデンサ電極用パター
ンを共通接続して対応する中心電極用パターンに接続
し、さらに各接地電極用パターンを共通接続することに
より、中心電極用パターンと接地電極用パターンとの間
に、1以上の整合回路用コンデンサを積層配置するよう
にしている。したがって、整合回路として必要な容量値
を小さな回路面積で確保でき、素子全体の小型化を図る
ことができる。
【0021】請求項3に係る発明においては、それぞれ
に所定の電極パターンが形成された複数枚の誘電体グリ
ーンシートを積層圧着後、一括的に焼成して1枚の誘電
体基板に一体化するようにしている。したがって、1回
の焼成工程で誘電体基板と内部回路とが同時形成できる
ため、製造時間を大幅に短縮化できる。
【0022】請求項4に係る発明においては、1回の焼
成工程で中心電極と誘電体基板とを同時形成している。
【0023】請求項5に係る発明においては、1回の焼
成工程で中心電極と、それに接続される整合回路と、誘
電体基板とを同時形成している。
【0024】
【実施例】図1〜図18は、この発明の一実施例に係る
サーキュレータの構成を示す図であり、特に、図1はサ
ーキュレータの要部斜視図であり、図2はサーキュレー
タの断面図であり、図3は誘電体基板の製造工程を説明
するための斜視図であり、図4〜図18は各セラミック
グリーンシートにおける電極パターンを示す平面図であ
る。以下、これら図1〜図18を参照して、この発明の
一実施例について説明する。
【0025】図1および図2に示すように、誘電体基板
100は金属製のヨーク7の内部に収納される。誘電体
基板100の下部には接地板8が配置され、この接地板
8は誘電体基板100の裏面の接地電極4と当接してい
る。また、接地板8の中央部には凹部が設けられ、この
凹部にはフェライト板6が嵌め込まれている。フェライ
ト板6は各中心電極の下部に位置しており、各中心電極
の誘導結合を助けている。ヨーク7の内部天井面には、
磁石9が固着されている。この磁石9は、各中心電極に
対して直流磁界を印加している。
【0026】上記誘電体基板100は、図3に示すよう
に、それぞれに所定の電極パターンが形成された複数の
セラミックグリーンシート101〜114を積層して圧
着した後、一括的に焼成して構成される。ここで、セラ
ミックグリーンシートは、未焼成のまたは仮焼成済のセ
ラミック粉末をバインダである有機溶剤と混練し、たと
えば押し出し成形によって得られる可撓性を有した薄型
(通常数10μ程度)のシート状部材である。セラミッ
クグリーンシートの材料としては、高周波域で高いQと
高いεr(たとえばεr=20〜100)を有する材
料、たとえばMgTiO3 −CiTiO3 系、ZrO2
−SnO2 −TiO2 系、BaTi4 9系、Nd2
2 7 −(BaPb)TiO3 −TiO2 系の誘電体
材料が用いられる。また、各電極パターンの形成は、誘
電体材料の焼結温度の点から、Pd,Pt等を用いて、
たとえば、印刷、蒸着などにより行われる。各セラミッ
クグリーンシート101〜114は、一括焼成後、融合
して一体化し、1枚の誘電体基板100となる。
【0027】図4,図6,図8,図10,図12,図1
6に示すように、セラミックグリーンシート101,1
03,105,107,109,113の表面には、そ
れぞれ、同形上の接地電極パターン401,403,4
05,407,409,413が形成されている。ま
た、図18に示すように、セラミックグリーンシート1
14の裏面には、上記各接地電極パターンと同形上の接
地電極パターン414が形成されている。また、図5,
図7,図9,図11,図17に示すように、セラミック
グリーンシート102,104,106,108,11
4の表面には、それぞれ、同形上の容量電極パターン3
02a〜302c,304a〜304c,306a〜3
06c,308a〜308c,314a〜314cが形
成されている。
【0028】さらに、セラミックグリーンシート11
0,111,112の表面には、それぞれ、略同形上の
電極パターン710,711,712が形成されてい
る。各電極パターン710〜712は、相互に120°
の角度間隔ずれて配置されている。電極パターン710
は中心電極部210と容量電極部310と接地電極部4
10と配線部810とを含み、電極パターン711は中
心電極部211と容量電極部311と接地電極部411
と配線部811とを含み、電極パターン712は中心電
極部212と容量電極部312と接地電極部412と配
線部812とを含む。容量電極部310,311,31
2は、それぞれ、中心電極部210,211,212の
一端に接続されている。接地電極部410,411,4
12は、それぞれ、中心電極部210,211,212
の他端に接続されている。容量電極部310,311,
312は、それぞれ、配線部810,811,812を
介して、セラミックグリーンシート110,111,1
12の端部まで引き出されている。
【0029】容量電極パターン302a,304a,3
06a,308a,314aおよび容量電極部310
は、スルーホール5aを介して、相互に接続されてい
る。また、容量電極パターン302b,304b,30
6b,308b,314bおよび容量電極部311は、
スルーホール5bを介して、相互に接続されている。ま
た、容量電極パターン302c,304c,306c,
308c,314cおよび容量電極部312は、スルー
ホール5cを介して、相互に接続されている。また、接
地電極パターン401,403,405,407,40
9,413,414および接地電極部410,411,
412は、スルーホール5d,5e,5fを介して、相
互に接続されている。
【0030】上記のような構成において、容量電極パタ
ーン302aは接地電極パターン401および403と
対向することにより第1のコンデンサを形成し、容量電
極パターン304aは接地電極パターン403および4
05と対向することにより第2のコンデンサを形成し、
容量電極パターン306aは接地電極パターン405お
よび407と対向することにより第3のコンデンサを形
成し、容量電極パターン308aは接地電極パターン4
07および409と対向することにより第4のコンデン
サを形成し、容量電極部310は接地電極部409およ
び411と対向することにより第5のコンデンサを形成
し、容量電極パターン314aは接地電極パターン41
3および414と対向することにより第6のコンデンサ
を形成している。整合回路を構成するこれら第1〜第6
のコンデンサは、中心電極部210の一端と接地との間
に並列に接続されて介挿されている。なぜならば、第1
〜第6のコンデンサの各一方電極302a,304a,
306a,308a,310,314aは、スルーホー
ル5aを介して共通的に中心電極部210の一端に接続
されており、第1〜第6のコンデンサの各他方電極40
1,403,405,407,409,411,41
2,413,414は、スルーホール5d,5e,5f
を介して、共通的に接地に接続されているからである。
同様に、中心電極部211と接地との間には整合回路用
の6つのコンデンサが並列に接続されて介挿され、中心
電極部212と接地との間には整合回路用の6つのコン
デンサが並列に接続されて介挿されている。
【0031】上記のごとく、各中心電極部210〜21
2の一端と接地との間には、それぞれ並列に接続された
複数のコンデンサが積層して配置されているため、整合
回路として必要な容量値を小さい回路面積で確保でき
る。したがって、素子全体の構成を小型化できる。ま
た、上記実施例では、1回の焼成工程で誘電体基板,中
心電極,整合回路の焼成が完了するので、製造工程が簡
素化され、製造時間を大幅に短縮化できる。さらに、上
記実施例では、複数のセラミックグリーンシートが焼成
によって1枚の誘電体基板100に一体化されるため、
各セラミックグリーンシートの厚み、すなわち各中心電
極部210〜212間の間隔を極めて狭くしても、強度
的に問題は生じない。その結果、各中心電極部210〜
212の電気的対称性が良好なものとなる。
【0032】図1に示すように、誘電体基板100の側
面には、側面電極800a,800b,800cが形成
されている。側面電極800aは図13の配線部810
と接続され、側面電極800bは図14の配線部811
と接続され、側面電極800cは図15の配線部812
と接続されている。なお、各セラミックグリーンシート
において、接地電極パターンまたは接地電極部には、側
面電極800aの周辺を取り囲むように余白部401
a,403a,405a,407a,409a,411
a,412a,413a,414aが形成され、側面電
極800bの周辺を取り囲むように余白部401b,4
03b,405b,407b,409b,410b,4
12b,413b,414bが形成され、側面電極80
0cの周辺を取り囲むように余白部401c,403
c,405c,407c,409c,410c,411
c,413c,414cが形成されている。また、接地
板8には、側面電極800aの周辺を取り囲むように余
白部8aが形成され、側面電極800bの周辺を取り囲
むように余白部8bが形成され、側面電極800cの周
辺を取り囲むように余白部8cが形成されている。これ
ら余白部によって各側面電極と各接地電極パターン,各
接地電極部および接地板8との短絡が防止されている。
【0033】次に、図1および図2に示すサーキュレー
タの動作について説明する。側面電極800aに高周波
信号が入力されると、中心電極部210の回りに生じる
高周波磁界が磁石9からの直流磁界によって所定角度だ
け回転し、フェライト板6を介した誘導結合によって例
えば右隣の中心電極部211に誘導電流が生じる。した
がって、側面電極800aから入力される高周波信号
は、右隣の側面電極800bに伝達され、左隣の側面電
極800cには伝達されない。同様に、側面電極800
bから入力される高周波信号は、右隣の側面電極800
cに伝達され、左隣の側面電極800aには伝達されな
い。また、側面電極800cから入力される高周波信号
は、右隣の側面電極800aに伝達され、左隣の側面電
極800bには伝達されない。
【0034】なお、図1および図2に示すサーキュレー
タにおいて、いずれか1つの配線部または側面電極(例
えば、配線部812または側面電極800c)と接地と
の間に、終端抵抗を接続すれば、図1および図2に示す
サーキュレータをアイソレータとして用いることができ
る。この場合、当該アイソレータは、残りの一方の側面
電極(例えば、側面電極800a)から残りの他方の側
面電極(例えば、側面電極800b)への一方向にのみ
高周波信号を伝達する。
【0035】図19および図20は、この発明の他の実
施例に係るサーキュレータの構成を示す図であり、特
に、図19はサーキュレータの分解斜視図であり、図2
0はサーキュレータの断面図である。以下、これら図1
9および図20を参照して、この発明の他の実施例につ
いて説明する。
【0036】図において、誘電体基板100’は、図1
に示す誘電体基板100と同様に、それぞれに所定の電
極パターンが形成された複数のセラミックグリーンシー
トを積層圧着後、一括的に焼成し一体化することによっ
て構成される。ここで、誘電体基板100’における各
容量電極パターンおよび各容量電極部の接続は、スルー
ホールを設けることなく側面電極800a〜800cを
介して行われる。すなわち、図5,図7,図9,図1
1,図17に示す容量電極パターン302a,304
a,306a,308a,314aおよび図13に示す
容量電極部310は、それぞれに配線部が設けられて側
面電極800aに対応する側面で露出するように構成さ
れる。同様に、容量電極パターン302b,304b,
306b,308b,314bおよび図14に示す容量
電極部311は、それぞれに配線部が設けられて側面電
極800bに対応する側面で露出するように構成され、
容量電極パターン302c,304c,306c,30
8c,314cおよび図15に示す容量電極部312
は、それぞれに配線部が設けられて側面電極800cに
対応する側面で露出するように構成される。なお、誘電
体基板100’における接地電極パターン401,40
3,405,407,409,413,414および接
地電極部410,411,412には、側面電極800
a〜800cの周囲を取り囲むように余白部が設けら
れ、各容量電極パターンおよび各容量電極部との短絡が
防止されている。
【0037】一方、接地電極パターン401,403,
405,407,409,413,414および接地電
極部410,411,412の接続も容量電極パターン
および容量電極部の接続と同様に、スルーホールを設け
ることなく側面電極800d〜800fを介して行われ
る。なお、各側面電極800a〜800cおよび800
d〜800fは、ケース71に形成された入出力端子7
1a〜71cおよび接地端子71d〜71fとの接続を
図るために、誘電体基板100’の表面に回り込んでお
り、それぞれ誘電体基板100’の表面において表面電
極80a〜80cおよび80d〜80fを形成してい
る。
【0038】樹脂成型品等により構成されるケース71
は、その断面形状が略「H」字状に選ばれており、その
中央部には磁石9を挿入するための透孔70aが形成さ
れている。ケース71の下側凹部70cには、誘電体基
板100’が配置され、さらにその下にフェライト板6
および接地板8が配置される。磁石9,誘電体基板10
0’,フェライト板6および接地板8を間に挟むよう
に、金属製の磁気ヨーク72がケース71の上下の凹部
70b,70cに嵌め込まれる。その後、磁気ヨーク7
2はケース71に固着される。
【0039】ケース71の一方側面には入出力端子71
b,71cおよび接地端子71dが形成されており、他
方側面には入出力端子71aおよび接地端子71e,7
1fが形成されている(なお、図19では、ケース71
の他方側面が隠れているため、入出力端子71aおよび
接地端子71e,71fは図示されていない)。各入出
力端子71a〜71cおよび接地端子71d〜71f
は、図20に示すように、ケース71の内部を貫通し
て、ケース71の下側凹部70cの天井面に露出してい
る。表面電極80a〜80cは、それぞれ、入出力端子
71a〜71cと当接し、表面電極80d〜80fは、
それぞれ、接地端子71d〜71fと当接している。
【0040】上記のように構成された図19および図2
0に示すサーキュレータは、図1および図2に示すサー
キュレータと同様に機能し、アイソレータとして用いる
ことも可能である。
【0041】なお、図19および図20に示す実施例で
は、側面電極を利用して各容量電極パターンと各容量電
極部との接続および各接地電極パターンと各接地電極部
との接続を図るようにしたが、図1および図2に示す実
施例と同様に、スルーホールを用いてこれらの接続を図
るようにしてもよい。
【0042】
【発明の効果】請求項1に係る発明によれば、1枚の誘
電体基板内に複数の電極パターンを積層配置するように
したので、素子全体の小型化および高性能化を図ること
ができる。すなわち、従来は平面的に配置されていた内
部回路を誘電体基板の内部で立体的に配置できるため、
素子全体の回路面積を小型化できる。また、各電極パタ
ーンを、誘電体基板の内部で相互に接触することなく交
差できるため、中心電極の幅を狭くする必要がなく、挿
入損失を低減できる。さらに、一体構造であるため、各
電極パターン間の間隔を極めて狭くしても、十分大きな
強度を確保できる。そのため、各中心電極間の電気的対
称性を良好な状態に保てる。
【0043】また、請求項2に係る発明によれば、中心
電極用パターンと接地電極用パターンとの間に、1以上
の整合回路用コンデンサを積層配置するようにしたの
で、整合回路として必要な容量値を小さな回路面積で確
保でき、素子全体の小型化を図ることができる。
【0044】また、請求項3に係る発明によれば、それ
ぞれに所定の電極パターンが形成された複数枚の誘電体
グリーンシートを積層圧着後、一括的に焼成して1枚の
誘電体基板に一体化するようにしているので、1回の焼
成工程で誘電体基板と内部回路とを形成でき、製造時間
を大幅に短縮化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例に係るサーキュレータの要
部斜視図である。
【図2】この発明の一実施例に係るサーキュレータの断
面図である。
【図3】この発明の一実施例に用いられる誘電体基板の
製造工程を説明するための図解図であり、積層および焼
成前のセラミックグリーンシートの状態を示している。
【図4】第1のセラミックグリーンシートの上面図であ
る。
【図5】第2のセラミックグリーンシートの上面図であ
る。
【図6】第3のセラミックグリーンシートの上面図であ
る。
【図7】第4のセラミックグリーンシートの上面図であ
る。
【図8】第5のセラミックグリーンシートの上面図であ
る。
【図9】第6のセラミックグリーンシートの上面図であ
る。
【図10】第7のセラミックグリーンシートの上面図で
ある。
【図11】第8のセラミックグリーンシートの上面図で
ある。
【図12】第9のセラミックグリーンシートの上面図で
ある。
【図13】第10のセラミックグリーンシートの上面図
である。
【図14】第11のセラミックグリーンシートの上面図
である。
【図15】第12のセラミックグリーンシートの上面図
である。
【図16】第13のセラミックグリーンシートの上面図
である。
【図17】第14のセラミックグリーンシートの上面図
である。
【図18】第14のセラミックグリーンシートの下面図
である。
【図19】この発明の他の実施例に係るサーキュレータ
の分解斜視図である。
【図20】この発明の他の実施例に係るサーキュレータ
の断面図である。
【図21】第1の従来技術に係るサーキュレータの要部
斜視図である。
【図22】第1の従来技術に係るサーキュレータの断面
図である。
【図23】第2の従来技術に係るサーキュレータの要部
分解斜視図である。
【図24】第2の従来技術に係るサーキュレータの断面
図である。
【図25】第3の従来技術に係るサーキュレータの要部
分解斜視図である。
【図26】第3の従来技術に係るサーキュレータの断面
図である。
【符号の説明】
5a〜5f: スルーホール 6: フェライト板 7: ヨーク 8: 接地板 9: 磁石 100: 誘電体基板 101〜114: セラミックグリーンシート 302a〜302c,304a〜304c,306a〜
306c,308a〜308c,314a〜314c:
容量電極パターン 401,403,405,407,409,413,4
14: 接地電極パターン 210〜212: 中心電極部 310〜312: 容量電極部 410〜412: 接地電極部 810〜812: 配線部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川浪 崇 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 長谷川 隆 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 大平 勝幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 信号の伝送方向には減衰度が極めて小さ
    く、逆方向には減衰度が極めて大きい非可逆回路素子で
    あって、 1枚の誘電体基板内に複数の電極パターンが積層配置さ
    れており、それによって内部回路が立体的に配置されて
    いることを特徴とする、非可逆回路素子。
  2. 【請求項2】 前記電極パターンは、1以上の中心電極
    用パターンと、1以上のコンデンサ電極用パターンと、
    1以上の接地電極用パターンとを含み、 前記誘電体基板の内部において、前記コンデンサ電極用
    パターンと前記接地電極用パターンとが誘電体を間に挟
    んで交互に配置されており、かつ各前記コンデンサ電極
    用パターンは共通接続されて対応する前記中心電極用パ
    ターンに接続されており、各前記接地電極用パターンは
    共通接続されており、それによって前記中心電極用パタ
    ーンと前記接地電極用パターンとの間には、1以上の整
    合回路用コンデンサが積層配置されていることを特徴と
    する、請求項1に記載の非可逆回路素子。
  3. 【請求項3】 信号の伝送方向には減衰度が極めて小さ
    く、逆方向には減衰度が極めて大きい非可逆回路素子を
    製造する方法であって、 それぞれに所定の電極パターンが形成された複数枚の誘
    電体グリーンシートを積層圧着してグリーンシート積層
    体を得る積層工程と、 前記グリーンシート積層体を焼成して1枚の誘電体基板
    に一体化する焼成工程とを備え、それによって前記1枚
    の誘電体基板内に内部回路が立体的に積層配置された非
    可逆回路素子を得ることを特徴とする、非可逆回路素子
    の製造方法。
  4. 【請求項4】 1回の前記焼成工程によって、中心電極
    と前記誘電体基板とを同時形成することを特徴とする、
    請求項3に記載の非可逆回路素子の製造方法。
  5. 【請求項5】 1回の前記焼成工程によって、中心電極
    と、それに接続される整合回路と、前記誘電体基板とを
    同時形成することを特徴とする、請求項3に記載の非可
    逆回路素子の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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