JPH05299689A - 面入出力光電融合素子 - Google Patents
面入出力光電融合素子Info
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- JPH05299689A JPH05299689A JP9099592A JP9099592A JPH05299689A JP H05299689 A JPH05299689 A JP H05299689A JP 9099592 A JP9099592 A JP 9099592A JP 9099592 A JP9099592 A JP 9099592A JP H05299689 A JPH05299689 A JP H05299689A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基本的な層構造は同一で低いレーザ発振閾値
の面発光レーザ素子と、広い受光帯域を有する受光素子
を同一面上に作製する。 【構成】 DBR2、4及び11によって共振器を構成
し、DBR4とDBR11の間に挿入された活性層兼吸
収層8によってそれぞれ発光部17、受光部16とす
る。更に受光部には媒質内波長の半分のスペーサ層3を
挿入することによって、受光帯域を広げている。 【効果】 垂直共振器型面発光半導体レーザを作製する
技術を用いて簡単な層構造の変更をするだけで、低閾
値、低抵抗を実現できる。
の面発光レーザ素子と、広い受光帯域を有する受光素子
を同一面上に作製する。 【構成】 DBR2、4及び11によって共振器を構成
し、DBR4とDBR11の間に挿入された活性層兼吸
収層8によってそれぞれ発光部17、受光部16とす
る。更に受光部には媒質内波長の半分のスペーサ層3を
挿入することによって、受光帯域を広げている。 【効果】 垂直共振器型面発光半導体レーザを作製する
技術を用いて簡単な層構造の変更をするだけで、低閾
値、低抵抗を実現できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、面入出力光電融合素子
に関し、特に高並列な光伝送や光情報処理に用いられる
面入出力光電融合素子に関する。
に関し、特に高並列な光伝送や光情報処理に用いられる
面入出力光電融合素子に関する。
【0002】
【従来の技術】面入出力光電融合素子は、同一構造で発
光と受光を行わせようとしている。(当社例として特願
平2−218833号)図4は、従来の面入出力光電融
合素子の一例である垂直共振器型面入出力光電融合素子
を示す構造断面図である。光吸収層兼活性層として動作
する量子井戸層の上下にガイド層および多層膜反射鏡を
備え、pnpn構造となっている。
光と受光を行わせようとしている。(当社例として特願
平2−218833号)図4は、従来の面入出力光電融
合素子の一例である垂直共振器型面入出力光電融合素子
を示す構造断面図である。光吸収層兼活性層として動作
する量子井戸層の上下にガイド層および多層膜反射鏡を
備え、pnpn構造となっている。
【0003】また、図5に示すように、1990年、コ
ンファレンス・レコード・オブ・オプティカル・コンピ
ューティング、164頁から166頁(CONFERE
NCE RECORD OF OPTICAL COM
PUTING,pp.164−166,1990年)に
ある光集積素子のように、発光部(マイクロレーザ、μ
−lasers)と受光部(detectors)を独
立に作成し、両特性を最適化しようとするものも提案さ
れている。
ンファレンス・レコード・オブ・オプティカル・コンピ
ューティング、164頁から166頁(CONFERE
NCE RECORD OF OPTICAL COM
PUTING,pp.164−166,1990年)に
ある光集積素子のように、発光部(マイクロレーザ、μ
−lasers)と受光部(detectors)を独
立に作成し、両特性を最適化しようとするものも提案さ
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の垂直共振器
型面入出力光電融合素子は、レーザ発光の発振閾値を低
減するため、多層膜反射鏡の反射率を上げて共振時のQ
値を高くすることが必要になる。そのため、これを受光
素子として利用しようとした時にその受光帯域が狭く、
素子の膜厚ばらつきや温度上昇による発振波長のばらつ
きに対する耐性(トレランス)が小さいという課題があ
った。そこで図5のように発光部と受光部を分離した光
集積素子の構造も提案されたが、従来の面発光型レーザ
と受光素子では構造の点において大きな相違があるため
に、これらを同一基板上に作製するのは困難であり、今
だ実現に至っていない。
型面入出力光電融合素子は、レーザ発光の発振閾値を低
減するため、多層膜反射鏡の反射率を上げて共振時のQ
値を高くすることが必要になる。そのため、これを受光
素子として利用しようとした時にその受光帯域が狭く、
素子の膜厚ばらつきや温度上昇による発振波長のばらつ
きに対する耐性(トレランス)が小さいという課題があ
った。そこで図5のように発光部と受光部を分離した光
集積素子の構造も提案されたが、従来の面発光型レーザ
と受光素子では構造の点において大きな相違があるため
に、これらを同一基板上に作製するのは困難であり、今
だ実現に至っていない。
【0005】本発明の目的は、基本的な層構造は同一で
低いレーザ発振閾値の面発光レーザ素子と、広い受光帯
域を有する受光素子を同一面上に作製することにある。
低いレーザ発振閾値の面発光レーザ素子と、広い受光帯
域を有する受光素子を同一面上に作製することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】第1の発明の面入出力光
電融合素子では、基板上に第一導伝型の第1の多層膜反
射鏡と、第一導伝型の第1のスペーサ層と、活性層と、
第一導伝型とは反対の導伝型の第二導伝型の第2のスペ
ーサ層と、第二導伝型の第2の多層膜反射鏡とが形成さ
れ、形成面に垂直方向に共振器を構成してある構造にお
いて、前記第1の多層膜反射鏡の中の一層を部分的に厚
くすることによって二重共振器を構成し、単共振器構造
の発光部と二重共振器構造の受光部を同一基板上に形成
してあることを特徴とする。
電融合素子では、基板上に第一導伝型の第1の多層膜反
射鏡と、第一導伝型の第1のスペーサ層と、活性層と、
第一導伝型とは反対の導伝型の第二導伝型の第2のスペ
ーサ層と、第二導伝型の第2の多層膜反射鏡とが形成さ
れ、形成面に垂直方向に共振器を構成してある構造にお
いて、前記第1の多層膜反射鏡の中の一層を部分的に厚
くすることによって二重共振器を構成し、単共振器構造
の発光部と二重共振器構造の受光部を同一基板上に形成
してあることを特徴とする。
【0007】第2の発明の面入出力光電融合素子では、
基板上に第一導伝型の第1の多層膜反射鏡と、第一導伝
型の第1のスペーサ層と、活性層と、第一導伝型とは反
対の導伝型の第二導伝型の第2のスペーサ層と、第二導
伝型の第2の多層膜反射鏡と、第二導伝型の第3のスペ
ーサ層と、第二導伝型の第3の多層膜反射鏡とが形成さ
れ、形成面に垂直方向に二重共振器を構成してある構造
において、前記第3のスペーサ層および第3の多層膜反
射鏡を部分的に除去してあることによって単共振器を構
成し、二重共振器構造の受光素子と単共振器構造の発光
素子を同一基板上に形成してあることを特徴とする。
基板上に第一導伝型の第1の多層膜反射鏡と、第一導伝
型の第1のスペーサ層と、活性層と、第一導伝型とは反
対の導伝型の第二導伝型の第2のスペーサ層と、第二導
伝型の第2の多層膜反射鏡と、第二導伝型の第3のスペ
ーサ層と、第二導伝型の第3の多層膜反射鏡とが形成さ
れ、形成面に垂直方向に二重共振器を構成してある構造
において、前記第3のスペーサ層および第3の多層膜反
射鏡を部分的に除去してあることによって単共振器を構
成し、二重共振器構造の受光素子と単共振器構造の発光
素子を同一基板上に形成してあることを特徴とする。
【0008】
【作用】第1および第2の本発明の受光部の吸収帯域拡
大の原理は共通で、これを以下に説明する。
大の原理は共通で、これを以下に説明する。
【0009】同一波長で共鳴するように設計された複数
の共振器が適当なバリヤを介して接続された場合、共振
波長の分裂が生じる。このことは単一量子井戸が複数
個、結合することによって縮退が解け、いくつかの準位
が形成され、さらにミニバンドができることのアナロジ
ーで理解できる。分裂した共鳴線の各々の線幅は、それ
ぞれの共振器に閉じ込められた光子寿命の逆数で決ま
り、個々の共振波長の間隔は、光が一つの共振器に局在
した状態から別の共振器に局在した状態へと移動する時
間の逆数で決まる。このため、共振器のDBRの層数を
増やすほど線幅は狭くなり、共振器間隔を増やすほどそ
れらの間隔は狭くなる。この関係を念頭において吸収ス
ペクトルができるだけ平坦に近くなるよう、DBR全体
の層数と共振器間隔を最適に設計することができる。
の共振器が適当なバリヤを介して接続された場合、共振
波長の分裂が生じる。このことは単一量子井戸が複数
個、結合することによって縮退が解け、いくつかの準位
が形成され、さらにミニバンドができることのアナロジ
ーで理解できる。分裂した共鳴線の各々の線幅は、それ
ぞれの共振器に閉じ込められた光子寿命の逆数で決ま
り、個々の共振波長の間隔は、光が一つの共振器に局在
した状態から別の共振器に局在した状態へと移動する時
間の逆数で決まる。このため、共振器のDBRの層数を
増やすほど線幅は狭くなり、共振器間隔を増やすほどそ
れらの間隔は狭くなる。この関係を念頭において吸収ス
ペクトルができるだけ平坦に近くなるよう、DBR全体
の層数と共振器間隔を最適に設計することができる。
【0010】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。ただし、ここでは導伝型がpnpnと
なるサイリスタ構造の例を示している。
ながら説明する。ただし、ここでは導伝型がpnpnと
なるサイリスタ構造の例を示している。
【0011】図1は、請求項1の発明の面入出力光電融
合素子の実施例で、その構造断面図を示してある。
合素子の実施例で、その構造断面図を示してある。
【0012】GaAs基板1(絶縁性)上にn−GaA
s(膜厚515.4オングストローム(以下Aとす
る)、ドーピング濃度2×101 8 cm- 3 )とn−A
lAs(膜厚649.4A、ドーピング濃度2×10
1 8 cm- 3 )の交代多層膜よりなるn型半導体多層膜
(DBR1)2、n−GaAsスペーサ層3(膜厚12
10.8A、ドーピング濃度2×101 8 cm- 3 )、
n−AlAs(濃度649.4A、ドーピング濃度2×
101 8 cm- 3 )、n−GaAs(膜厚100A、ド
ーピング濃度2×101 8 cm- 3 、再成長前の表面ク
リーニングのための層で再成長後の図1には示してな
い。)を分子線ビームエピタキシー法(MBE法)で形
成する。
s(膜厚515.4オングストローム(以下Aとす
る)、ドーピング濃度2×101 8 cm- 3 )とn−A
lAs(膜厚649.4A、ドーピング濃度2×10
1 8 cm- 3 )の交代多層膜よりなるn型半導体多層膜
(DBR1)2、n−GaAsスペーサ層3(膜厚12
10.8A、ドーピング濃度2×101 8 cm- 3 )、
n−AlAs(濃度649.4A、ドーピング濃度2×
101 8 cm- 3 )、n−GaAs(膜厚100A、ド
ーピング濃度2×101 8 cm- 3 、再成長前の表面ク
リーニングのための層で再成長後の図1には示してな
い。)を分子線ビームエピタキシー法(MBE法)で形
成する。
【0013】受光部16にのみレジストを塗布して保護
し、発光部17のみ最上層より順にn−GaAs、n−
AlAsおよびn−GaAsスペーサ層をエッチングに
よって最後のn−GaAsスペーサ層が100A残るよ
うに除去する。
し、発光部17のみ最上層より順にn−GaAs、n−
AlAsおよびn−GaAsスペーサ層をエッチングに
よって最後のn−GaAsスペーサ層が100A残るよ
うに除去する。
【0014】レジストを除去した後再びMBEチャンバ
ー内に戻し、加熱して最上層に残したn−GaAsを除
去し、さらにn−GaAs(膜厚515.4A、ドーピ
ング濃度2×101 8 1 cm- 3 )とn−AlAs(膜
厚649.4A、ドーピング濃度2×101 8 c
m- 3 )の交代多層膜よりなるn型半導体多層膜(DB
R2)4、n−Al0 . 4 Ga0 . 6 As5(膜厚15
53.9A、ドーピング濃度2×101 8 cm- 3 )、
p−Al0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As6(膜厚50A、ド
ーピング濃度1×101 9 cm- 3 )、Al0 . 2 5 G
a0 . 7 5 As7(膜厚1000A、ノンドープ)、活
性層兼吸収層8となるIn0 . 2 Ga0 . 8 As(膜厚
100Aで100AのノンドープAl0 . 2 5 Ga
0 . 7 5 Asを挟んで3層、ノンドープ)、Al
0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As9(膜厚900A、ノンドー
プ)、p−Al0 . 4 5 Ga0 . 6 AS10(膜厚15
48.7A、ドーピング濃度5×101 8 cm- 3 )、
p−GaAs(膜厚515.4、ドーピング濃度3×1
01 8 cm- 3 )とp−AlAs(膜厚633.7A、
ドーピング濃度3×101 8 cm- 3 )の交代多層膜よ
りなるp型半導体多層膜(DBR3)11、p−GaA
s位相補正層12(膜厚1050.4A、ドーピング濃
度1×101 9 cm- 3 )を形成する。
ー内に戻し、加熱して最上層に残したn−GaAsを除
去し、さらにn−GaAs(膜厚515.4A、ドーピ
ング濃度2×101 8 1 cm- 3 )とn−AlAs(膜
厚649.4A、ドーピング濃度2×101 8 c
m- 3 )の交代多層膜よりなるn型半導体多層膜(DB
R2)4、n−Al0 . 4 Ga0 . 6 As5(膜厚15
53.9A、ドーピング濃度2×101 8 cm- 3 )、
p−Al0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As6(膜厚50A、ド
ーピング濃度1×101 9 cm- 3 )、Al0 . 2 5 G
a0 . 7 5 As7(膜厚1000A、ノンドープ)、活
性層兼吸収層8となるIn0 . 2 Ga0 . 8 As(膜厚
100Aで100AのノンドープAl0 . 2 5 Ga
0 . 7 5 Asを挟んで3層、ノンドープ)、Al
0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As9(膜厚900A、ノンドー
プ)、p−Al0 . 4 5 Ga0 . 6 AS10(膜厚15
48.7A、ドーピング濃度5×101 8 cm- 3 )、
p−GaAs(膜厚515.4、ドーピング濃度3×1
01 8 cm- 3 )とp−AlAs(膜厚633.7A、
ドーピング濃度3×101 8 cm- 3 )の交代多層膜よ
りなるp型半導体多層膜(DBR3)11、p−GaA
s位相補正層12(膜厚1050.4A、ドーピング濃
度1×101 9 cm- 3 )を形成する。
【0015】各半導体多層部では素子抵抗低減のため
に、GaAs層とAlAs層の境界部に20Aから18
0Aまで膜厚を徐々に変化させたGaAsとAlAsか
らなる疑似グレーデッド構造が形成されており、これを
含めた各層の厚さが設計共振波長/有効屈折率/4にな
るように設定してあり、DBR1では7.5対、DBR
2で15.5対、DBR3で14.5対積層してある。
に、GaAs層とAlAs層の境界部に20Aから18
0Aまで膜厚を徐々に変化させたGaAsとAlAsか
らなる疑似グレーデッド構造が形成されており、これを
含めた各層の厚さが設計共振波長/有効屈折率/4にな
るように設定してあり、DBR1では7.5対、DBR
2で15.5対、DBR3で14.5対積層してある。
【0016】そして受光部16、発光部17それぞれを
メサ状にn型半導体多層膜までエッチングし、そのトッ
プにp電極13としてAuZiを、基板側にn電極14
としてAuGeNiをつける。さらに基板裏面には発
光、受光時の戻り光を抑制するために無反射コート15
を施してある。
メサ状にn型半導体多層膜までエッチングし、そのトッ
プにp電極13としてAuZiを、基板側にn電極14
としてAuGeNiをつける。さらに基板裏面には発
光、受光時の戻り光を抑制するために無反射コート15
を施してある。
【0017】図2は、請求項2の発明の実施例で、その
構造断面図を示している。GaAs基板1(絶縁性)上
にn−GaAs(膜厚515.4A、ドーピング濃度2
×101 8 cm- 3 )とn−AlAs(膜厚649.4
A、ドーピング濃度2×101 8 cm- 3 )の交代多層
膜よりなるn型半導体多層膜(DBR1)2、n−Al
0 . 4 GA0 . 6 As5(膜厚1553.9A、ドーピ
ング濃度2×101 8cm- 3 )、p−Al0 . 2 5 G
a0 . 7 5 As7(膜厚50A、ドーピング濃度1×1
01 9 cm- 3 )、Al0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As(膜
厚1000A、ノンドープ)、活性層兼吸収層8となる
In0 . 2 Ga0 . 8 As(層厚100Aで100Aの
ノンドープAl0 . 2 5 Ga0 . 7 5 Asを挟んで3
層、ノンドープ)、Al0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As9
(膜厚900A、ノンドープ)p−Al0 . 4 5 Ga
0 . 6 As10(膜厚1548.7A、ドーピング濃度
5×101 8 cm- 3 )、p−GaAs(膜厚515.
4A、ドーピング濃度3×1018 cm- 3 )とp−A
lAs(膜厚633.7A、ドーピング濃度3×10
1 8cm- 3 )の交代多層膜よりなるp型半導体多層膜
(DBR2)4、p−GaAsスペーサ層3(膜厚12
10.8A、ドーピング濃度3×101 8 cm- 3 )、
p−GaAs(膜厚515.4A、ドーピング濃度3×
101 8 cm- 3 )とp−AlAs(膜厚633.7
A、ドーピング濃度3×101 8 cm- 3 )の交代多層
膜よりなるp型半導体多層膜(DBR3)11をMBE
法で形成する。
構造断面図を示している。GaAs基板1(絶縁性)上
にn−GaAs(膜厚515.4A、ドーピング濃度2
×101 8 cm- 3 )とn−AlAs(膜厚649.4
A、ドーピング濃度2×101 8 cm- 3 )の交代多層
膜よりなるn型半導体多層膜(DBR1)2、n−Al
0 . 4 GA0 . 6 As5(膜厚1553.9A、ドーピ
ング濃度2×101 8cm- 3 )、p−Al0 . 2 5 G
a0 . 7 5 As7(膜厚50A、ドーピング濃度1×1
01 9 cm- 3 )、Al0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As(膜
厚1000A、ノンドープ)、活性層兼吸収層8となる
In0 . 2 Ga0 . 8 As(層厚100Aで100Aの
ノンドープAl0 . 2 5 Ga0 . 7 5 Asを挟んで3
層、ノンドープ)、Al0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As9
(膜厚900A、ノンドープ)p−Al0 . 4 5 Ga
0 . 6 As10(膜厚1548.7A、ドーピング濃度
5×101 8 cm- 3 )、p−GaAs(膜厚515.
4A、ドーピング濃度3×1018 cm- 3 )とp−A
lAs(膜厚633.7A、ドーピング濃度3×10
1 8cm- 3 )の交代多層膜よりなるp型半導体多層膜
(DBR2)4、p−GaAsスペーサ層3(膜厚12
10.8A、ドーピング濃度3×101 8 cm- 3 )、
p−GaAs(膜厚515.4A、ドーピング濃度3×
101 8 cm- 3 )とp−AlAs(膜厚633.7
A、ドーピング濃度3×101 8 cm- 3 )の交代多層
膜よりなるp型半導体多層膜(DBR3)11をMBE
法で形成する。
【0018】各半導体多層膜部では素子抵抗低減のため
に、GaAs層とAlAs層の境界部に20Aから18
0Aまで膜厚を徐々に変化させたGaAsとAlAsか
らなる疑似グレーデッド構造が形成されており、これを
含めた各層の厚さが設計共振波長/有効屈折率/4にな
るように設定してあり、DBR1では24.5対、DB
R2で15.5対、DBR3で5対積層してある。
に、GaAs層とAlAs層の境界部に20Aから18
0Aまで膜厚を徐々に変化させたGaAsとAlAsか
らなる疑似グレーデッド構造が形成されており、これを
含めた各層の厚さが設計共振波長/有効屈折率/4にな
るように設定してあり、DBR1では24.5対、DB
R2で15.5対、DBR3で5対積層してある。
【0019】次に、受光部16にのみレジストを付け、
発光部17のみスペーサ層までエッチングによって除去
する。その際スペーサを1050A程度残して位相補正
層とする。そして受光部、発光部それぞれをメサ状にn
型半導体多層膜までエッチングし、そのトップにp電極
13としてAuGeZi、基板側にn電極14としてA
uGeNiをつける。ただし、受光部は光を多層膜形成
面側から入力するため、受光窓を開けてあり、基板裏面
には発光時の戻り光を抑制するために無反射コート15
を施してある。発光部のp電極にも発光窓を開ければ、
光の入出力をともにMBE成長面側から行う構造とする
ことも出来る。
発光部17のみスペーサ層までエッチングによって除去
する。その際スペーサを1050A程度残して位相補正
層とする。そして受光部、発光部それぞれをメサ状にn
型半導体多層膜までエッチングし、そのトップにp電極
13としてAuGeZi、基板側にn電極14としてA
uGeNiをつける。ただし、受光部は光を多層膜形成
面側から入力するため、受光窓を開けてあり、基板裏面
には発光時の戻り光を抑制するために無反射コート15
を施してある。発光部のp電極にも発光窓を開ければ、
光の入出力をともにMBE成長面側から行う構造とする
ことも出来る。
【0020】図3に実施例についての受光部の吸収スペ
クトルを示す。吸収帯域は、単共振器構造では2〜10
A(図中の5、10、15は入射側DBRのペア数を示
す。)であるが、本発明の面入出力光電融合素子の受光
部では二重共振器構造となっているために吸収率50%
以上で約60Aと広くなっている。この受光帯域は、M
BE法による多層膜成長の膜厚ばらつきによる発振波長
のばらつきや、発振時の温度変化による発振波長の変動
に対して充分な受光レトレランスを持っている。また、
吸収膜厚が300Aと通常の受光器の約1μmに対して
薄いため、高速な応答速度が期待できる。
クトルを示す。吸収帯域は、単共振器構造では2〜10
A(図中の5、10、15は入射側DBRのペア数を示
す。)であるが、本発明の面入出力光電融合素子の受光
部では二重共振器構造となっているために吸収率50%
以上で約60Aと広くなっている。この受光帯域は、M
BE法による多層膜成長の膜厚ばらつきによる発振波長
のばらつきや、発振時の温度変化による発振波長の変動
に対して充分な受光レトレランスを持っている。また、
吸収膜厚が300Aと通常の受光器の約1μmに対して
薄いため、高速な応答速度が期待できる。
【発明の効果】以上説明したように、本発明を適用する
ならば、垂直共振器型の面発光半導体レーザを作製する
技術を用いて部分的に層構造の簡単な変更をするだけ
で、低い発振閾値の面発光レーザ素子と、広い受光帯域
を有する受光素子を同一基板上に作製できる。
ならば、垂直共振器型の面発光半導体レーザを作製する
技術を用いて部分的に層構造の簡単な変更をするだけ
で、低い発振閾値の面発光レーザ素子と、広い受光帯域
を有する受光素子を同一基板上に作製できる。
【0021】本実施例ではGaAs系の例を述べたが、
本発明はInP系など他材料の半導体あるいは誘電体に
も適用できる。
本発明はInP系など他材料の半導体あるいは誘電体に
も適用できる。
【図1】本発明による第1の面入出力光電融合素子の実
施例を説明するための構造断面図である。
施例を説明するための構造断面図である。
【図2】本発明による第2の面入出力光電融合素子の実
施例を説明するための構造断面図である。
施例を説明するための構造断面図である。
【図3】第1および第2の本発明による面入出力光電融
合素子の受光部の効果を示すための吸収スペクトル図で
ある。
合素子の受光部の効果を示すための吸収スペクトル図で
ある。
【図4】従来例の垂直共振器型面入出力光電融合素子を
説明するための構造断面図である。
説明するための構造断面図である。
【図5】従来例の光集積素子を説明するための構造断面
図である。
図である。
1 基板 2 DBR1 3 スペーサ層 4 DBR2 5 n−Al0 . 4 Ga0 . 6 As 6 p−Al0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As 7 Al0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As 8 活性層兼吸収層 9 Al0 . 2 5 Ga0 . 7 5 As 10 p−Al0 . 4 5 Ga0 . 6 As 11 DBR3 12 位相補正層 13 p電極 14 n電極 15 無反射コート 16 受光部 17 発光部
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に第一導伝型の第1の多層膜反射
鏡と、第一導伝型の第1のスペーサ層と、活性層と、第
一導伝型とは反対の導伝型の第二導伝型の第2のスペー
サ層と、第二導伝型の第2の多層膜反射鏡とが形成さ
れ、その形成面に垂直方向に共振器を構成してある構造
において、前記第1の多層膜反射鏡の中の一層を部分的
に厚くすることによって二重共振器を構成し、単共振器
構造の発光部と二重共振器構造の受光部を同一基板上に
形成していることを特徴とする面入出力光電融合素子。 - 【請求項2】 基板上に第一導伝型の第1の多層膜反射
鏡と、第一導伝型の第1のスペーサ層と、活性層と、第
一導伝型とは反対の導伝型の第二導伝型の第2のスペー
サ層と、第二導伝型の第2の多層膜反射鏡と、第二導伝
型の第3のスペーサ層と、第二導伝型の第3の多層膜反
射鏡とが形成され、その形成面に垂直方向に二重共振器
を構成してある構造において、前記第3のスペーサ層お
よび第3の多層膜反射鏡を部分的に除去してあることに
よって単共振器を構成し、二重共振器構造の受光素子と
単共振器構造の発光素子を同一基板上に形成しているこ
とを特徴とする面入出力光電融合素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9099592A JP2874442B2 (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 面入出力光電融合素子 |
US08/044,372 US5293393A (en) | 1992-04-10 | 1993-04-06 | Vertical-to-surface transmission electrophotonic device |
EP93302771A EP0565374B1 (en) | 1992-04-10 | 1993-04-08 | Vertical-to-surface transmission electrophotonic device |
DE69319366T DE69319366T2 (de) | 1992-04-10 | 1993-04-08 | Elektrophotonische Vorrichtung mit Übertragung vertikal zur Oberfläche |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9099592A JP2874442B2 (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 面入出力光電融合素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05299689A true JPH05299689A (ja) | 1993-11-12 |
JP2874442B2 JP2874442B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=14014092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9099592A Expired - Fee Related JP2874442B2 (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 面入出力光電融合素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5293393A (ja) |
EP (1) | EP0565374B1 (ja) |
JP (1) | JP2874442B2 (ja) |
DE (1) | DE69319366T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6667496B2 (en) | 2001-01-17 | 2003-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor apparatus, and its fabrication method |
JP2010021337A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
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---|---|---|---|---|
EP0674367B1 (en) * | 1993-02-22 | 1997-12-29 | Motorola, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser with lateral index waveguide |
US5405710A (en) * | 1993-11-22 | 1995-04-11 | At&T Corp. | Article comprising microcavity light sources |
US5475701A (en) * | 1993-12-29 | 1995-12-12 | Honeywell Inc. | Integrated laser power monitor |
KR100259490B1 (ko) * | 1995-04-28 | 2000-06-15 | 윤종용 | 광검출기 일체형 표면광 레이저와 이를 채용한 광픽업 장치 |
US5848088A (en) * | 1995-07-11 | 1998-12-08 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor for laser with optical detector, method of manufacturing thereof, and sensor using the same |
US5648979A (en) * | 1995-12-29 | 1997-07-15 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Assembly of VCSEL light source and VCSEL optical detector |
CN1089292C (zh) * | 1998-03-13 | 2002-08-21 | 明石被服兴业株式会社 | 布制品折痕增强带 |
US6081379A (en) * | 1998-10-28 | 2000-06-27 | Coherent, Inc. | Multiple coupled Gires-Tournois interferometers for group-delay-dispersion control |
DE10004398A1 (de) * | 2000-02-02 | 2001-08-16 | Infineon Technologies Ag | VCSEL mit monolithisch integriertem Photodetektor |
KR100940530B1 (ko) * | 2003-01-17 | 2010-02-10 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 실리콘광소자 및 이를 적용한 화상 입력 및/또는 출력장치 |
US7831152B2 (en) * | 2002-06-04 | 2010-11-09 | Finisar Corporation | Optical transceiver |
KR20040076330A (ko) * | 2003-02-25 | 2004-09-01 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 및 이를 적용한 광신호 입출력장치 |
US6977954B2 (en) * | 2003-07-25 | 2005-12-20 | University Of Connecticut | Semiconductor laser array device employing modulation doped quantum well structures |
KR100612875B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2006-08-14 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 실리콘광소자 및 이를 적용한 화상 입력 및/또는 출력장치 |
KR20060059327A (ko) * | 2004-11-27 | 2006-06-01 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 실리콘광소자 및 이를 적용한 화상 입력 및/또는 출력장치 |
JP2016085968A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
CN106201983B (zh) * | 2016-07-15 | 2019-04-23 | 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 | 一种计算机系统 |
JP7094694B2 (ja) * | 2017-12-01 | 2022-07-04 | キヤノン株式会社 | 発光素子アレイ及びこれを用いた露光ヘッドと画像形成装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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NL8803080A (nl) * | 1988-12-16 | 1990-07-16 | Philips Nv | Verstembare halfgeleiderdiodelaser met verdeelde reflectie en vervaardigingswijze van een dergelijke halfgeleiderdiodelaser. |
US4949350A (en) * | 1989-07-17 | 1990-08-14 | Bell Communications Research, Inc. | Surface emitting semiconductor laser |
US5012486A (en) * | 1990-04-06 | 1991-04-30 | At&T Bell Laboratories | Vertical cavity semiconductor laser with lattice-mismatched mirror stack |
US5031188A (en) * | 1990-04-30 | 1991-07-09 | At&T Bell Laboratories | Inline diplex lightwave transceiver |
JP2596195B2 (ja) * | 1990-08-20 | 1997-04-02 | 日本電気株式会社 | 垂直共振器型面入出力光電融合素子 |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP9099592A patent/JP2874442B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-06 US US08/044,372 patent/US5293393A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-08 DE DE69319366T patent/DE69319366T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-08 EP EP93302771A patent/EP0565374B1/en not_active Expired - Lifetime
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US6667496B2 (en) | 2001-01-17 | 2003-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor apparatus, and its fabrication method |
JP2010021337A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE69319366T2 (de) | 1998-10-22 |
EP0565374B1 (en) | 1998-07-01 |
JP2874442B2 (ja) | 1999-03-24 |
DE69319366D1 (de) | 1998-08-06 |
EP0565374A1 (en) | 1993-10-13 |
US5293393A (en) | 1994-03-08 |
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