JPH05299454A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 封止金型の離型用イジェクタピンを装着した
部分の摩耗をなくし、金型の補修管理が容易な半導体製
造装置を提供する。 【構成】 半導体装置用封止金型の空洞部９に配置され
た離型用イジェクタピン５と、その離型用イジェクタピ
ン５の外周部に配置された離型用イジェクタピン５より
高さの低いスリーブ２１とを備えた構成である。この構
成によって、離型用イジェクタピン５が上下するために
摩耗するのはスリーブ２１になり、スリーブ２１を交換
することで金型の機密性が保たれる。また、わずかに発
生する樹脂の縦ばりは、離型用イジェクタピン５とスリ
ーブ２１との段差によって半導体装置内部に埋設される
こととなり、半導体装置の外観を損なうことがなくな
る。
部分の摩耗をなくし、金型の補修管理が容易な半導体製
造装置を提供する。 【構成】 半導体装置用封止金型の空洞部９に配置され
た離型用イジェクタピン５と、その離型用イジェクタピ
ン５の外周部に配置された離型用イジェクタピン５より
高さの低いスリーブ２１とを備えた構成である。この構
成によって、離型用イジェクタピン５が上下するために
摩耗するのはスリーブ２１になり、スリーブ２１を交換
することで金型の機密性が保たれる。また、わずかに発
生する樹脂の縦ばりは、離型用イジェクタピン５とスリ
ーブ２１との段差によって半導体装置内部に埋設される
こととなり、半導体装置の外観を損なうことがなくな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを樹脂封
止するための半導体製造装置に関する。
止するための半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップを保護する方法とし
て、樹脂封止による方法が一般的になっている。
て、樹脂封止による方法が一般的になっている。
【０００３】以下、従来の半導体装置の製造方法の工程
について説明する。図３は従来の半導体装置の製造方法
の工程を示す断面図である。図３において、リードフレ
ーム１は半導体チップ２が接着されている。３は封止用
下金型、封止用上金型４には離型用イジェクタピン５が
上下できるよう組み込まれている。ポット６内にはプラ
ンジャピン７を有している。８は樹脂ペレット、９はキ
ャビティ、１０は従来の半導体パッケージである。
について説明する。図３は従来の半導体装置の製造方法
の工程を示す断面図である。図３において、リードフレ
ーム１は半導体チップ２が接着されている。３は封止用
下金型、封止用上金型４には離型用イジェクタピン５が
上下できるよう組み込まれている。ポット６内にはプラ
ンジャピン７を有している。８は樹脂ペレット、９はキ
ャビティ、１０は従来の半導体パッケージである。
【０００４】まず、図３（ａ）のように半導体チップ２
の接着されたリードフレーム１を１８０℃付近に加熱さ
れた封止用下金型３の上に乗せ、やはり１８０℃付近に
加熱された封止用上金型４を下降し、リードフレーム１
を封止用上金型４と封止用下金型３でクランプする。そ
の封止用上金型４が下降するとともに離型用イジェクタ
ピン５が上昇する。次に図３（ｂ）に示すようにポット
６内に樹脂ペレット８を投入する。樹脂ペレット８が金
型の熱によって溶融されると同時に、図３（ｃ）のよう
にプランジャピン７がポット６内で下降し、溶融された
樹脂ペレット８がキャビティ９内に押し込まれる。そし
て、樹脂の硬化が終了した時点で、図３（ｄ）のように
封止用上金型４を上昇し、それとともに離型用イジェク
タピン５が下降し、封止用上金型４と従来の半導体パッ
ケージ１０を離型する。
の接着されたリードフレーム１を１８０℃付近に加熱さ
れた封止用下金型３の上に乗せ、やはり１８０℃付近に
加熱された封止用上金型４を下降し、リードフレーム１
を封止用上金型４と封止用下金型３でクランプする。そ
の封止用上金型４が下降するとともに離型用イジェクタ
ピン５が上昇する。次に図３（ｂ）に示すようにポット
６内に樹脂ペレット８を投入する。樹脂ペレット８が金
型の熱によって溶融されると同時に、図３（ｃ）のよう
にプランジャピン７がポット６内で下降し、溶融された
樹脂ペレット８がキャビティ９内に押し込まれる。そし
て、樹脂の硬化が終了した時点で、図３（ｄ）のように
封止用上金型４を上昇し、それとともに離型用イジェク
タピン５が下降し、封止用上金型４と従来の半導体パッ
ケージ１０を離型する。
【０００５】その結果、図４のように半導体チップが樹
脂封止された従来の半導体パッケージ１０が完成する。
脂封止された従来の半導体パッケージ１０が完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体製造装置では、離型用イジェクタピンが１シ
ョット毎に上昇、下降するため、動作回数が多くなると
封止用上金型と離型用イジェクタピンの接触部分が摩耗
し、その部分に隙間ができ、樹脂封止後の製品イジェク
タの回りに樹脂縦ばりが発生し、その樹脂縦ばりのため
に後工程で他パッケージの表面に傷を付けたり、製品加
工時に樹脂縦ばりが折れて、製品加工金型に付着し、製
品加工不良を発生させる原因になるという問題があっ
た。
来の半導体製造装置では、離型用イジェクタピンが１シ
ョット毎に上昇、下降するため、動作回数が多くなると
封止用上金型と離型用イジェクタピンの接触部分が摩耗
し、その部分に隙間ができ、樹脂封止後の製品イジェク
タの回りに樹脂縦ばりが発生し、その樹脂縦ばりのため
に後工程で他パッケージの表面に傷を付けたり、製品加
工時に樹脂縦ばりが折れて、製品加工金型に付着し、製
品加工不良を発生させる原因になるという問題があっ
た。
【０００７】また、この樹脂縦ばり発生後、それの発生
を抑えるためには、離型用イジェクタピンを抜取り、封
止用上金型の摩耗した部分を研磨し、その大きくなった
穴に合う離型用イジェクタピンを新たに入れ直すしかな
く、金型修正コストと修正時間がかかってしまう問題が
あった。
を抑えるためには、離型用イジェクタピンを抜取り、封
止用上金型の摩耗した部分を研磨し、その大きくなった
穴に合う離型用イジェクタピンを新たに入れ直すしかな
く、金型修正コストと修正時間がかかってしまう問題が
あった。
【０００８】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、樹脂ばりが発生しても他のパッケージの表面に傷を
付けたりせず、金型修正コストを少額化し、修正時間を
短縮することができる半導体製造装置を提供することを
目的としている。
で、樹脂ばりが発生しても他のパッケージの表面に傷を
付けたりせず、金型修正コストを少額化し、修正時間を
短縮することができる半導体製造装置を提供することを
目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体製造装置は、離型用イジェクタピンの
外周部に、金型表面より突出しその突出部が離型用イジ
ェクタピンが空洞部に突出した場合の高さより低く固定
して配置されたスリーブを有し、そのスリーブ内を離型
用イジェクタピンが上下移動するようにした構成によ
る。
に本発明の半導体製造装置は、離型用イジェクタピンの
外周部に、金型表面より突出しその突出部が離型用イジ
ェクタピンが空洞部に突出した場合の高さより低く固定
して配置されたスリーブを有し、そのスリーブ内を離型
用イジェクタピンが上下移動するようにした構成によ
る。
【００１０】
【作用】この構成によって、離型用イジェクタピンが上
下するために摩耗するのはスリーブになり、スリーブを
交換することで金型の機密性が保たれる。また、わずか
に発生する樹脂の縦ばりは、離型用イジェクタピンとス
リーブとの段差によって半導体装置内部に埋設されるこ
ととなり、半導体装置の外観を損なうことがなくなる。
下するために摩耗するのはスリーブになり、スリーブを
交換することで金型の機密性が保たれる。また、わずか
に発生する樹脂の縦ばりは、離型用イジェクタピンとス
リーブとの段差によって半導体装置内部に埋設されるこ
ととなり、半導体装置の外観を損なうことがなくなる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図１およ
び図２を参照しながら説明する。
び図２を参照しながら説明する。
【００１２】図１は本発明の半導体製造装置を用いた半
導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。図１に
おいて従来例の図３と同一箇所には同一番号を付し説明
を省略する。すなわち本発明の特徴は封止用上金型４に
スリーブ２１が封止用上金型の面より突起した状態で組
み込まれ、そのスリーブ２１内に離型用イジェクタピン
５が上下できるよう組み込まれていることである。本発
明の半導体パッケージ２２には図２（ｄ）および図２に
示すように離型用イジェクタピンでできた製品凹部２３
がある。
導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。図１に
おいて従来例の図３と同一箇所には同一番号を付し説明
を省略する。すなわち本発明の特徴は封止用上金型４に
スリーブ２１が封止用上金型の面より突起した状態で組
み込まれ、そのスリーブ２１内に離型用イジェクタピン
５が上下できるよう組み込まれていることである。本発
明の半導体パッケージ２２には図２（ｄ）および図２に
示すように離型用イジェクタピンでできた製品凹部２３
がある。
【００１３】まず、図１（ａ）のように半導体チップ２
の接着されたリードフレーム１を１８０℃付近に加熱さ
れた封止用下金型３の上に乗せ、やはり１８０℃付近に
加熱された封止用上金型４を下降し、リードフレーム１
を封止用上金型４と封止用下金型３でクランプする。そ
の封止用上金型４が下降するとともに離型用イジェクタ
ピン５が上昇する。次に図１（ｂ）に示すようにポット
６内に樹脂ペレット８を投入する。樹脂ペレット８が金
型の熱によって溶融されると同時に、図１（ｃ）のよう
にプランジャピン７がポット６内で下降し、溶融された
樹脂ペレット８がキャビティ９内に押し込まれる。そし
て、樹脂の硬化が終了した時点で、図１（ｄ）のように
封止用上金型４を上昇し、それとともに離型用イジェク
タピン５が下降し、封止用上金型４と本発明の半導体パ
ッケージ２２を離型する。その結果、図２のように半導
体チップが樹脂封止された本発明の半導体パッケージ２
２が完成する。
の接着されたリードフレーム１を１８０℃付近に加熱さ
れた封止用下金型３の上に乗せ、やはり１８０℃付近に
加熱された封止用上金型４を下降し、リードフレーム１
を封止用上金型４と封止用下金型３でクランプする。そ
の封止用上金型４が下降するとともに離型用イジェクタ
ピン５が上昇する。次に図１（ｂ）に示すようにポット
６内に樹脂ペレット８を投入する。樹脂ペレット８が金
型の熱によって溶融されると同時に、図１（ｃ）のよう
にプランジャピン７がポット６内で下降し、溶融された
樹脂ペレット８がキャビティ９内に押し込まれる。そし
て、樹脂の硬化が終了した時点で、図１（ｄ）のように
封止用上金型４を上昇し、それとともに離型用イジェク
タピン５が下降し、封止用上金型４と本発明の半導体パ
ッケージ２２を離型する。その結果、図２のように半導
体チップが樹脂封止された本発明の半導体パッケージ２
２が完成する。
【００１４】以上のように本実施例によれば、封止用上
金型４と離型用イジェクタピン５の間に封止用上金型４
の面より突起したスリーブ２１を設けたことにより、製
品凹部２３が２重の穴になっている。そのため、スリー
ブ２１と離型用イジェクタピン５との間が摩耗により隙
間ができ、樹脂縦ばりが発生したとしても製品凹部２３
の内側の穴の回りに樹脂縦ばりが発生するため、樹脂縦
ばりが本発明の半導体パッケージ２２の表面より突起す
ることがなく、その樹脂縦ばりのために後工程で他パッ
ケージの表面に傷を付けたり、製品加工時に樹脂縦ばり
が折れて、製品加工金型に付着し、製品加工不良を発生
させることがなくなる。また、この樹脂の縦ばり発生
後、それの発生を抑えるためには、スリーブ２１を交換
するだけですむ。
金型４と離型用イジェクタピン５の間に封止用上金型４
の面より突起したスリーブ２１を設けたことにより、製
品凹部２３が２重の穴になっている。そのため、スリー
ブ２１と離型用イジェクタピン５との間が摩耗により隙
間ができ、樹脂縦ばりが発生したとしても製品凹部２３
の内側の穴の回りに樹脂縦ばりが発生するため、樹脂縦
ばりが本発明の半導体パッケージ２２の表面より突起す
ることがなく、その樹脂縦ばりのために後工程で他パッ
ケージの表面に傷を付けたり、製品加工時に樹脂縦ばり
が折れて、製品加工金型に付着し、製品加工不良を発生
させることがなくなる。また、この樹脂の縦ばり発生
後、それの発生を抑えるためには、スリーブ２１を交換
するだけですむ。
【００１５】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
は、離型用イジェクタピンの外周部に、金型表面より突
出しその突出部が離型用イジェクタピンが空洞部に突出
した場合の高さより低く固定して配置されたスリーブを
有し、そのスリーブ内を離型用イジェクタピンが上下移
動するようにした構成によるので、摩耗による樹脂縦ば
りが半導体パッケージの表面より突起することがなく、
その樹脂縦ばりのために後工程で他パッケージの表面に
傷を付けたり、製品加工時に樹脂縦ばりが折れて、製品
加工金型に付着し、製品加工不良の発生を防ぐことがで
きる。またスリーブの交換が容易で、金型修正コストの
少額化、修正時間の短縮化ができる半導体製造装置を提
供できる。
は、離型用イジェクタピンの外周部に、金型表面より突
出しその突出部が離型用イジェクタピンが空洞部に突出
した場合の高さより低く固定して配置されたスリーブを
有し、そのスリーブ内を離型用イジェクタピンが上下移
動するようにした構成によるので、摩耗による樹脂縦ば
りが半導体パッケージの表面より突起することがなく、
その樹脂縦ばりのために後工程で他パッケージの表面に
傷を付けたり、製品加工時に樹脂縦ばりが折れて、製品
加工金型に付着し、製品加工不良の発生を防ぐことがで
きる。またスリーブの交換が容易で、金型修正コストの
少額化、修正時間の短縮化ができる半導体製造装置を提
供できる。
【図１】本発明の一実施例の半導体製造装置を用いた半
導体装置の製造方法の工程断面図
導体装置の製造方法の工程断面図
【図２】図１の半導体製造装置を用いて製造した半導体
装置の外観斜視図
装置の外観斜視図
【図３】従来の半導体製造装置を用いた半導体装置の製
造方法の工程断面図
造方法の工程断面図
【図４】図３の半導体製造装置を用いて製造した半導体
装置の外観斜視図
装置の外観斜視図
１ リードフレーム ２ 半導体チップ ３ 封止用下金型 ４ 封止用上金型 ５ 離型用イジェクタピン ６ ポット ７ プランジャピン ８ 樹脂ペレット ９ キャビティ（空洞部） ２１ スリーブ ２２ 半導体パッケージ（半導体装置） ２３ 製品凹部
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置用封止金型の空洞部に配置され
た上下移動する離型用イジェクタピンを少なくとも有す
る半導体製造装置において、前記離型用イジェクタピン
の外周部に、前記金型表面より突出しその突出部が前記
離型用イジェクタピンが前記空洞部に突出した場合の高
さより低く固定して配置されたスリーブを有し、そのス
リーブ内を前記離型用イジェクタピンが上下移動するよ
うにしたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106290A JPH05299454A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106290A JPH05299454A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299454A true JPH05299454A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14429930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4106290A Pending JPH05299454A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299454A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073600A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN104795337A (zh) * | 2014-01-17 | 2015-07-22 | 三菱电机株式会社 | 电力用半导体装置及其制造方法 |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP4106290A patent/JPH05299454A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073600A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN104795337A (zh) * | 2014-01-17 | 2015-07-22 | 三菱电机株式会社 | 电力用半导体装置及其制造方法 |
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