JPH0529890B2 - - Google Patents
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- JPH0529890B2 JPH0529890B2 JP1054942A JP5494289A JPH0529890B2 JP H0529890 B2 JPH0529890 B2 JP H0529890B2 JP 1054942 A JP1054942 A JP 1054942A JP 5494289 A JP5494289 A JP 5494289A JP H0529890 B2 JPH0529890 B2 JP H0529890B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光シヤツタアレイ及びその製造方法
に関する。更に詳述すると、本発明は電気光学効
果を利用した光シヤツタアレイとその製法に関す
る。
に関する。更に詳述すると、本発明は電気光学効
果を利用した光シヤツタアレイとその製法に関す
る。
(従来の技術)
電気光学効果として、印加電界に対して媒質の
複屈折が変化する現象が知られている。この現象
を利用し、印加する電界を制御することによつて
媒質に光の透光・遮光動作を行なわせるようにし
た光シヤツタアレイが従来提案されている。この
光シヤツタアレイは、板状の電気光学効果を有す
る物質例えばPLZTに薄型電極をくし歯状に配置
し、個々の電極にかかる電圧を制御してPLZTに
所定の電界を印加するようにしたものである。電
極101は、従来、アルミ蒸着とエツチング処理
によつてPLZT102の表面に形成されている。
例えば、第3図Aに示すようにPLZT102の一
方の面に取付けたり、第3図Bに示すように
PLZT102の両面に取付けたり(特開昭62−
42120号)、第3図Cに示すようにPLZT102に
溝加工を施してPLZT102の深さ方向に電極1
01を一部埋め込むようにして取付けられてい
る。
複屈折が変化する現象が知られている。この現象
を利用し、印加する電界を制御することによつて
媒質に光の透光・遮光動作を行なわせるようにし
た光シヤツタアレイが従来提案されている。この
光シヤツタアレイは、板状の電気光学効果を有す
る物質例えばPLZTに薄型電極をくし歯状に配置
し、個々の電極にかかる電圧を制御してPLZTに
所定の電界を印加するようにしたものである。電
極101は、従来、アルミ蒸着とエツチング処理
によつてPLZT102の表面に形成されている。
例えば、第3図Aに示すようにPLZT102の一
方の面に取付けたり、第3図Bに示すように
PLZT102の両面に取付けたり(特開昭62−
42120号)、第3図Cに示すようにPLZT102に
溝加工を施してPLZT102の深さ方向に電極1
01を一部埋め込むようにして取付けられてい
る。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、電極101が電気光学効果を有
する物質102の表面に形成されている場合、物
質内部で均一に電気光学効果が起こり難い。この
ため、駆動電圧を高くしなくてはならない。ま
た、電極の一部を物質102内に埋め込む場合、
狭隘な溝103を加工することが困難であるし、
この溝加工のため機械的強度が劣るという問題が
ある。更に、上述の従来のシヤツタアレイは、電
気光学効果を有する物質102上に電極101の
リード部分104も形成しているため、実際のシ
ヤツタ部分よりも広いものが必要となり、コスト
高となる。
する物質102の表面に形成されている場合、物
質内部で均一に電気光学効果が起こり難い。この
ため、駆動電圧を高くしなくてはならない。ま
た、電極の一部を物質102内に埋め込む場合、
狭隘な溝103を加工することが困難であるし、
この溝加工のため機械的強度が劣るという問題が
ある。更に、上述の従来のシヤツタアレイは、電
気光学効果を有する物質102上に電極101の
リード部分104も形成しているため、実際のシ
ヤツタ部分よりも広いものが必要となり、コスト
高となる。
本発明は、安価でかつ低い駆動電圧によつて確
実に作動するシヤツタアレイを提供することを目
的とする。また、本発明はそのような構造のシヤ
ツタアレイを簡単に製造できる製造方法を提供す
ることを目的とする。
実に作動するシヤツタアレイを提供することを目
的とする。また、本発明はそのような構造のシヤ
ツタアレイを簡単に製造できる製造方法を提供す
ることを目的とする。
(課題を解決するための手段)
かかる目的を達成するため、本発明の光シヤツ
タアレイは、シヤツタエレメントの大きさの電気
光学効果を有する基板と、基板の光透過方向と平
行な一方の面に基板の表面側と裏面側に露出する
ように設けられた複数の個別電極と、基板の他方
の面に表面側と裏面側に露出するように設けられ
た共通電極と、基板と異なる材質から成り個別電
極を基板との間で挾む支持部材と、支持部材上に
設けられて各個別電極に個々に接続されている端
子とから成り、個別電極と共通電極とが入射光に
ほぼ平行となるようにシヤツタエレメントの光透
過方向の全域に設けられかつ端子電極が入射光に
対しほぼ直交するように設けられている。
タアレイは、シヤツタエレメントの大きさの電気
光学効果を有する基板と、基板の光透過方向と平
行な一方の面に基板の表面側と裏面側に露出する
ように設けられた複数の個別電極と、基板の他方
の面に表面側と裏面側に露出するように設けられ
た共通電極と、基板と異なる材質から成り個別電
極を基板との間で挾む支持部材と、支持部材上に
設けられて各個別電極に個々に接続されている端
子とから成り、個別電極と共通電極とが入射光に
ほぼ平行となるようにシヤツタエレメントの光透
過方向の全域に設けられかつ端子電極が入射光に
対しほぼ直交するように設けられている。
また、本発明の光シヤツタアレイは、電気光学
効果を有する基板の光透過方向と平行な一方の面
に相互に独立した複数の個別電極を形成する工程
と、基板の一方の面と平行な他方の面に共通電極
を形成する工程と、基板の個別電極側に支持部材
を積層形成する工程と、基板と個別電極と共通電
極及び支持部材を積層して成る2組のブロツク
を、共通電極が背中合せに対向するように接合し
て1つのブロツクを形成する工程と、このブロツ
クを積層方向と直交する面でスライスする工程
と、個別電極の夫々及び共通電極に接続される対
応端子電極を形成する工程によつて製造されてい
る。
効果を有する基板の光透過方向と平行な一方の面
に相互に独立した複数の個別電極を形成する工程
と、基板の一方の面と平行な他方の面に共通電極
を形成する工程と、基板の個別電極側に支持部材
を積層形成する工程と、基板と個別電極と共通電
極及び支持部材を積層して成る2組のブロツク
を、共通電極が背中合せに対向するように接合し
て1つのブロツクを形成する工程と、このブロツ
クを積層方向と直交する面でスライスする工程
と、個別電極の夫々及び共通電極に接続される対
応端子電極を形成する工程によつて製造されてい
る。
(作用)
したがつて、電気光学効果素子の光の透過方向
に平行な面に光透過方向全域に形成された個別電
極と共通電極との間で電界が印加され、電気光学
効果が厚み方向に均一に現れる。
に平行な面に光透過方向全域に形成された個別電
極と共通電極との間で電界が印加され、電気光学
効果が厚み方向に均一に現れる。
(実施例)
以下、本発明の構成を図面に示す実施例に基づ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第1図A及びBに本発明の光シヤツタアレイの
一実施例を示す。この本実施例は二組のシヤツタ
アレイ1,1を、それらの共通電極4が向い合せ
になるように背中合せに接合して1つのブロツク
としたものである。1組のシヤツタアレイ1は、
電気光学効果を有する物質から成る基板2と、前
記基板2の光透過方向と平行な一方の面に設けら
れた複数の個別電極3,…,3と、前記基板2の
光透過方向と平行な他方の面に設けられた共通電
極4と、前記個別電極3,…,3を前記基板2と
の間で挾む支持部材5と、前記支持部材5上に設
けられて前記各個別電極3,…,3に個々に接続
されている端子電極6,…,6とから構成されて
いる。そして、この二組のシヤツタアレイ1,1
は、向い合う各共通電極4,4の間および各個別
電極4と支持部材5との間にSiO2及び低融点ガ
ラスの接着剤を兼ねた絶縁層8,9が形成されて
1つのブロツクを構成するように固められてい
る。また、各支持部材5,5上に形成されている
個別電極3,…,3は、一方側の個別電極3,
…,3が他方側の個別電極間に位置するように千
鳥状に配置されている。
一実施例を示す。この本実施例は二組のシヤツタ
アレイ1,1を、それらの共通電極4が向い合せ
になるように背中合せに接合して1つのブロツク
としたものである。1組のシヤツタアレイ1は、
電気光学効果を有する物質から成る基板2と、前
記基板2の光透過方向と平行な一方の面に設けら
れた複数の個別電極3,…,3と、前記基板2の
光透過方向と平行な他方の面に設けられた共通電
極4と、前記個別電極3,…,3を前記基板2と
の間で挾む支持部材5と、前記支持部材5上に設
けられて前記各個別電極3,…,3に個々に接続
されている端子電極6,…,6とから構成されて
いる。そして、この二組のシヤツタアレイ1,1
は、向い合う各共通電極4,4の間および各個別
電極4と支持部材5との間にSiO2及び低融点ガ
ラスの接着剤を兼ねた絶縁層8,9が形成されて
1つのブロツクを構成するように固められてい
る。また、各支持部材5,5上に形成されている
個別電極3,…,3は、一方側の個別電極3,
…,3が他方側の個別電極間に位置するように千
鳥状に配置されている。
前記個別電極3,…,3には対応する端子電極
6,…,6が夫々支持部材5上に形成されて接続
され、各個別電極を個々に制御し得るように設け
られている。また、低融点ガラス・SiO2等の接
着剤8を介して接合された共通電極4,4には一
本の端子電極7が同時に接続されている。尚、電
極3,4にはアルミニウム等の電極材が使用さ
れ、所望の形状及び厚みに真空蒸着等によつて形
成されている。また、共通電極4は図示の如く基
板2の全面に亙る1本の電極とせず、個別電極
3,…,3に対応する複数の電極として形成して
も良い。
6,…,6が夫々支持部材5上に形成されて接続
され、各個別電極を個々に制御し得るように設け
られている。また、低融点ガラス・SiO2等の接
着剤8を介して接合された共通電極4,4には一
本の端子電極7が同時に接続されている。尚、電
極3,4にはアルミニウム等の電極材が使用さ
れ、所望の形状及び厚みに真空蒸着等によつて形
成されている。また、共通電極4は図示の如く基
板2の全面に亙る1本の電極とせず、個別電極
3,…,3に対応する複数の電極として形成して
も良い。
電気光学効果を有する基板2は、印加電界に対
して複屈折が変化する現象を呈する媒質であり、
例えばPLZTの使用が好適である。PLZTは
(Pb、La)(Zr、Ti)O3の化学式で表わされるセ
ラミツクスである。このPLZTは透過率が高く大
きな電気光学係数を有し、応答速度が速く可動部
がない等の高速光シヤツタとして有利な条件を備
えている。また、支持部材5としては通常セラミ
ツクスが使用可能であり、好ましくはアルミナセ
ラミツクスが使用される。
して複屈折が変化する現象を呈する媒質であり、
例えばPLZTの使用が好適である。PLZTは
(Pb、La)(Zr、Ti)O3の化学式で表わされるセ
ラミツクスである。このPLZTは透過率が高く大
きな電気光学係数を有し、応答速度が速く可動部
がない等の高速光シヤツタとして有利な条件を備
えている。また、支持部材5としては通常セラミ
ツクスが使用可能であり、好ましくはアルミナセ
ラミツクスが使用される。
以上のように構成されたシヤツタアレイによれ
ば、次のように光シヤツタとして作動する。
ば、次のように光シヤツタとして作動する。
任意の個別電極3,…,3と共通電極4との間
に所定の電圧を印加して電界を形成すれば、それ
らの間のPLZTが複屈折を起し、その前後に偏光
板で偏光子、検光子を構成すると、シヤツタとし
て動作する。例えば第1図Aにおいて上側の右端
の別個電極3と共通電極4との間に電界を加える
と、それらの間のPLZT2のシヤツタ部分A-1が
動作し光を通過させる。尚、図中符号A-1,A-2,
…,A-Nはシヤツタ部を示す。
に所定の電圧を印加して電界を形成すれば、それ
らの間のPLZTが複屈折を起し、その前後に偏光
板で偏光子、検光子を構成すると、シヤツタとし
て動作する。例えば第1図Aにおいて上側の右端
の別個電極3と共通電極4との間に電界を加える
と、それらの間のPLZT2のシヤツタ部分A-1が
動作し光を通過させる。尚、図中符号A-1,A-2,
…,A-Nはシヤツタ部を示す。
次に上述の構成の光シヤツタアレイの製造方法
について説明する。
について説明する。
まず、PLZTの基板2の一方の全面にアルミニ
ウム等の電極材を真空蒸着等によつて固着させ、
一定厚さの薄膜10を形成する[第2図A]。そ
のAl薄膜10にフオトリソグラフイによりスト
ライプ状の個別電極3,…,3を形成する[第2
図B]。フオトリソグラフイは、例えばポジ型フ
オトレジストを電極材薄膜10の上に塗布し、電
極材を必要としない箇所だけに光が照射されるよ
うにフオトマスクを通して紫外線を照射し、現像
液により感光剤を取り除き、残つた感光剤を保護
膜にしてエツチングにより電極材10を部分的に
取除く。その後、感光剤は除去される。また、
PLZT基板2の他方の面(裏面)にAl等の電極材
を真空蒸着等によつて固着し、共通電極4を全面
に形成する[第2図C]。この場合、個別電極3,
…,3と同様の方法により、個別電極に対応する
部分のみ共通電極4を形成しても良い。共通電極
4を個別電極3,…,3と対向する位置に個別に
設ければ、絶縁層8,8同士を接着した時の熱に
よる膨張の違いによつて共通電極やSiO2の薄膜
が剥離するという危険を減少させることができる
し、また、電気光学効果が共通電極部分で横に広
がることもないから、クロストークも防止できる
効果がある。そして、基板2の両面に電極3,
…,3及び4を被うように、スパツタリング等に
よつてSiO2の薄膜8,9を形成しブロツク11
とする[第2図D]。
ウム等の電極材を真空蒸着等によつて固着させ、
一定厚さの薄膜10を形成する[第2図A]。そ
のAl薄膜10にフオトリソグラフイによりスト
ライプ状の個別電極3,…,3を形成する[第2
図B]。フオトリソグラフイは、例えばポジ型フ
オトレジストを電極材薄膜10の上に塗布し、電
極材を必要としない箇所だけに光が照射されるよ
うにフオトマスクを通して紫外線を照射し、現像
液により感光剤を取り除き、残つた感光剤を保護
膜にしてエツチングにより電極材10を部分的に
取除く。その後、感光剤は除去される。また、
PLZT基板2の他方の面(裏面)にAl等の電極材
を真空蒸着等によつて固着し、共通電極4を全面
に形成する[第2図C]。この場合、個別電極3,
…,3と同様の方法により、個別電極に対応する
部分のみ共通電極4を形成しても良い。共通電極
4を個別電極3,…,3と対向する位置に個別に
設ければ、絶縁層8,8同士を接着した時の熱に
よる膨張の違いによつて共通電極やSiO2の薄膜
が剥離するという危険を減少させることができる
し、また、電気光学効果が共通電極部分で横に広
がることもないから、クロストークも防止できる
効果がある。そして、基板2の両面に電極3,
…,3及び4を被うように、スパツタリング等に
よつてSiO2の薄膜8,9を形成しブロツク11
とする[第2図D]。
次いで、2組の上述のブロツク11を共通電極
4,4同士が向い合うように背中合せに突合せ、
かつ一方の支持部材5上の個別電極3,…,3が
他方の支持部材5上の個別電極3,…,3の間に
位置するように千鳥状に配列して、それらの共通
電極4,4の間にスペーサ(図示省略)を挟み込
んで重ねる。更に、各個別電極3,…,3側にス
ペーサ(図示省略)を介して支持部材5としての
セラミツクス等のブロツクを夫々重ねる。その
後、支持部材5と個別電極側絶縁層9との間及び
共通電極側絶縁層8との間に加熱状態下で低融点
ガラス12を侵入させて全体を1つのブロツク状
に固める[第2図E]。
4,4同士が向い合うように背中合せに突合せ、
かつ一方の支持部材5上の個別電極3,…,3が
他方の支持部材5上の個別電極3,…,3の間に
位置するように千鳥状に配列して、それらの共通
電極4,4の間にスペーサ(図示省略)を挟み込
んで重ねる。更に、各個別電極3,…,3側にス
ペーサ(図示省略)を介して支持部材5としての
セラミツクス等のブロツクを夫々重ねる。その
後、支持部材5と個別電極側絶縁層9との間及び
共通電極側絶縁層8との間に加熱状態下で低融点
ガラス12を侵入させて全体を1つのブロツク状
に固める[第2図E]。
次いで、このブロツク13を積層方向と直交す
る面で即ちPLZT基板2と直角方向に所望の厚さ
にスライスする[第2図F]。スライスされたブ
ロツクチツプ14は研磨される。そして、そのブ
ロツクチツプ14の片面にアルミニウム等の電極
材を真空蒸着等によつて薄膜状に被膜し、フオト
リソグラフイによつて所望の端子電極6,…,6
を支持部材5上に、また共通電極4,4上に端子
電極7を形成する[第2図G]。端子電極6,…,
6は対応する個別電極3,…,3と夫々接続さ
れ、端子電極7は双方の共通電極4,4と同時に
接続されている。
る面で即ちPLZT基板2と直角方向に所望の厚さ
にスライスする[第2図F]。スライスされたブ
ロツクチツプ14は研磨される。そして、そのブ
ロツクチツプ14の片面にアルミニウム等の電極
材を真空蒸着等によつて薄膜状に被膜し、フオト
リソグラフイによつて所望の端子電極6,…,6
を支持部材5上に、また共通電極4,4上に端子
電極7を形成する[第2図G]。端子電極6,…,
6は対応する個別電極3,…,3と夫々接続さ
れ、端子電極7は双方の共通電極4,4と同時に
接続されている。
(発明の効果)
以上の説明より明らかなように、本発明の光シ
ヤツタアレイは、シヤツタエレメントの大きさの
電気光学効果を有する基板と、基板の光透過方向
と平行な一方の面に基板の表面側と裏面側に露出
するように設けられた複数の個別電極と、基板の
他方の面に表面側と裏面側に露出するように設け
られた共通電極と、基板と異なる材質から成り個
別電極を基板との間で挾む支持部材と、支持部材
上に設けられて各個別電極に個々に接続されてい
る端子電極とから成り、個別電極と共通電極とが
入射光にほぼ平行となるようにシヤツタエレメン
トの光透過方向の全域に設けられかつ端子電極が
入射光に対しほぼ直交するように設けられている
ので、電気光学効果素子の光の透過方向に平行な
面に光透過方向全域に形成された個別電極と共通
電極との間で電界が印加され、光透過方向の全域
において電気光学効果が厚み方向に均一に現れる
ため、低電圧で駆動できる。また、シヤツタ部分
にだけ電気光学効果を有する物質例えばPLZTを
使用し、端子電極を配線する部分には別のセラミ
ツクス部材を使用するため、PLZTの使用量が少
なく低コスト化が可能である。
ヤツタアレイは、シヤツタエレメントの大きさの
電気光学効果を有する基板と、基板の光透過方向
と平行な一方の面に基板の表面側と裏面側に露出
するように設けられた複数の個別電極と、基板の
他方の面に表面側と裏面側に露出するように設け
られた共通電極と、基板と異なる材質から成り個
別電極を基板との間で挾む支持部材と、支持部材
上に設けられて各個別電極に個々に接続されてい
る端子電極とから成り、個別電極と共通電極とが
入射光にほぼ平行となるようにシヤツタエレメン
トの光透過方向の全域に設けられかつ端子電極が
入射光に対しほぼ直交するように設けられている
ので、電気光学効果素子の光の透過方向に平行な
面に光透過方向全域に形成された個別電極と共通
電極との間で電界が印加され、光透過方向の全域
において電気光学効果が厚み方向に均一に現れる
ため、低電圧で駆動できる。また、シヤツタ部分
にだけ電気光学効果を有する物質例えばPLZTを
使用し、端子電極を配線する部分には別のセラミ
ツクス部材を使用するため、PLZTの使用量が少
なく低コスト化が可能である。
また、本発明の光シヤツタアレイは、電気光学
効果を有する基板に個別電極、共通電極及び支持
部材を積層形成した2組のブロツクをそれらの共
通電極が対向するように背中合せに接合して1つ
のブロツクを形成し、このブロツクを積層方向と
直交する面でスライスしたものの個別電極及び共
通電極に端子電極を形成するように製造するよう
にしたので、プレーナ法で作れ、量産性が向上す
る。
効果を有する基板に個別電極、共通電極及び支持
部材を積層形成した2組のブロツクをそれらの共
通電極が対向するように背中合せに接合して1つ
のブロツクを形成し、このブロツクを積層方向と
直交する面でスライスしたものの個別電極及び共
通電極に端子電極を形成するように製造するよう
にしたので、プレーナ法で作れ、量産性が向上す
る。
第1図は本発明の光シヤツタアレイの一実施例
を示す図で、Aは平面図、Bは−線断面図で
ある。第2図A〜Gは本発明に係る光シヤツタア
レイの製造プロセスの一例を示す加工工程図であ
る。第3図A,B,Cは従来の光シヤツタアレイ
の電極の配置の仕方を説明する断面正面図であ
る。 1……シヤツタアレイ、2……電気光学効果を
有する基板、3……個別電極、4……共通電極、
5……支持部材、6,7……端子電極、11……
基板と電極を積層して成るブロツク、13……2
つの基板を有するブロツク、14……ブロツクか
らスライスされたシヤツタアレイチツプ。
を示す図で、Aは平面図、Bは−線断面図で
ある。第2図A〜Gは本発明に係る光シヤツタア
レイの製造プロセスの一例を示す加工工程図であ
る。第3図A,B,Cは従来の光シヤツタアレイ
の電極の配置の仕方を説明する断面正面図であ
る。 1……シヤツタアレイ、2……電気光学効果を
有する基板、3……個別電極、4……共通電極、
5……支持部材、6,7……端子電極、11……
基板と電極を積層して成るブロツク、13……2
つの基板を有するブロツク、14……ブロツクか
らスライスされたシヤツタアレイチツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 シヤツタエレメントの大きさの電気光学効果
を有する基板と、前記基板の光透過方向と平行な
一方の面に前記基板の表面側と裏面側に露出する
ように設けられた複数の個別電極と、前記基板の
他方の面に表面側と裏面側に露出するように設け
られた共通電極と、前記基板と異なる材質から成
り前記個別電極を前記基板との間で挾む支持部材
と、前記支持部材上に設けられて前記各個別電極
に個々に接続されている端子電極とから成り、前
記個別電極と前記共通電極とが入射光にほぼ平行
となるように前記シヤツタエレメントの光透過方
向の全域に設けられかつ前記端子電極が前記入射
光に対しほぼ直交するように設けられたことを特
徴とする光シヤツタアレイ。 2 請求項1記載の光シヤツタアレイを2組用
い、かつこれら2組の光シヤツタアレイが前記共
通電極を絶縁層を介して背中合せに接合されてな
る光シヤツタアレイ。 3 電気光学効果を有する基板の光透過方向と平
行な一方の面に相互に独立した複数の個別電極を
形成する工程と、前記基板の前記一方の面と平行
な他方の面に共通電極を形成する工程と、前記基
板の前記個別電極側に支持部材を積層形成する工
程と、前記基板と個別電極と共通電極及び支持部
材を積層して成る2組のブロツクを、前記共通電
極が背中合せに対向するように接合して1つのブ
ロツクを形成する工程と、このブロツクを積層方
向と直交する面でスライスする工程と、前記個別
電極の夫々及び共通電極に接続される対応端子電
極を形成する工程とから成ることを特徴とする光
シヤツタアレイの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5494289A JPH02235017A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光シャッタアレイ及びその製造方法 |
PCT/JP1990/000310 WO1990010887A1 (en) | 1989-03-09 | 1990-03-09 | Light shutter array and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5494289A JPH02235017A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光シャッタアレイ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02235017A JPH02235017A (ja) | 1990-09-18 |
JPH0529890B2 true JPH0529890B2 (ja) | 1993-05-06 |
Family
ID=12984697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5494289A Granted JPH02235017A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光シャッタアレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02235017A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024135076A1 (ja) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | 日本碍子株式会社 | 波長変換素子の製造方法、波長変換素子 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63189836A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-05 | Minolta Camera Co Ltd | 光シヤツタアレイ |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP5494289A patent/JPH02235017A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63189836A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-05 | Minolta Camera Co Ltd | 光シヤツタアレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02235017A (ja) | 1990-09-18 |
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