JPH05294643A - ガラス光学素子成形装置 - Google Patents
ガラス光学素子成形装置Info
- Publication number
- JPH05294643A JPH05294643A JP9533092A JP9533092A JPH05294643A JP H05294643 A JPH05294643 A JP H05294643A JP 9533092 A JP9533092 A JP 9533092A JP 9533092 A JP9533092 A JP 9533092A JP H05294643 A JPH05294643 A JP H05294643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- surface layer
- optical element
- die
- barrel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/12—Cooling, heating, or insulating the plunger, the mould, or the glass-pressing machine; cooling or heating of the glass in the mould
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 上下一対の胴型に直接通電し加熱する方式に
おいて、型の温度をフィードバックして電流を制御する
上で、上下胴型が閉じた際にも、精密に制御がなし得る
ようにすることを目的とする。 【構成】 胴型表面に胴型よりも電気抵抗の高い表面層
を形成させ、胴型同士が閉じて接触した場合にも、上型
及び下型間に電気的接触や干渉が起こらず、精密な温度
制御が可能となり、精密なガラス光学素子の成形が可能
となる。
おいて、型の温度をフィードバックして電流を制御する
上で、上下胴型が閉じた際にも、精密に制御がなし得る
ようにすることを目的とする。 【構成】 胴型表面に胴型よりも電気抵抗の高い表面層
を形成させ、胴型同士が閉じて接触した場合にも、上型
及び下型間に電気的接触や干渉が起こらず、精密な温度
制御が可能となり、精密なガラス光学素子の成形が可能
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学素子を直接プレス
成形により製造する光学素子成形装置に係わるもので、
特に通電加熱装置に関するものである。
成形により製造する光学素子成形装置に係わるもので、
特に通電加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス光学素子を製造する方法と
して、研削、研磨による製造方法が一般的であった。近
年、これに代わり、高精度な金型により加熱軟化したガ
ラス材料をプレス成形する方法が試みられている。
して、研削、研磨による製造方法が一般的であった。近
年、これに代わり、高精度な金型により加熱軟化したガ
ラス材料をプレス成形する方法が試みられている。
【０００３】この光学素子をプレス成形する際に、金型
及び硝子素材の加熱方法として、例えば特開昭６３−１
７０２２８号公報及び特開昭６４−４５７３４号公報で
示されるような高周波誘導加熱方式（ＲＦ誘導加熱方
式）がある。
及び硝子素材の加熱方法として、例えば特開昭６３−１
７０２２８号公報及び特開昭６４−４５７３４号公報で
示されるような高周波誘導加熱方式（ＲＦ誘導加熱方
式）がある。
【０００４】別の方法として、特開昭６２−５９５３９
号公報に示されるような熱輻射加熱方式では、金型ある
いは胴型を赤外線により加熱し、その金型からの伝熱及
び輻射熱により、この金型内に置かれた硝材を加熱する
ものである。
号公報に示されるような熱輻射加熱方式では、金型ある
いは胴型を赤外線により加熱し、その金型からの伝熱及
び輻射熱により、この金型内に置かれた硝材を加熱する
ものである。
【０００５】また、より直接的に金型を加熱する方法と
して、特開昭６１−２６６３２１号公報に示されるよう
な金型自体を導電性セラミックスで構成し、金型自体を
通電し発熱することにより金型及びガラス材料を加熱す
る通電加熱方式が提案されている。
して、特開昭６１−２６６３２１号公報に示されるよう
な金型自体を導電性セラミックスで構成し、金型自体を
通電し発熱することにより金型及びガラス材料を加熱す
る通電加熱方式が提案されている。
【０００６】
【従来技術の課題】しかしながら、高周波加熱や赤外線
加熱方式では、加熱源が金型や胴型の外側にあり、中心
部と周辺部とでは高周波の浸透の差、赤外線の照射の
差、の問題が発生し、胴型、金型を均一に加熱すること
は難しく、特に大口径化した場合やマルチキャビティー
化した場合は、この加熱の不均一性が顕著に表れる。こ
れらの問題に対処するため、金型を保持するための胴型
そのものを発熱体とする加熱方法が提案されている。こ
れによると、金型を保持する胴型そのものに通電し、ジ
ュール熱により胴型自体を発熱させ、金型及びガラス素
材を加熱する。この方法では、大口径化やマルチキャビ
ティー化を積極的におこなうことができ、そのうえ加熱
すべき物の直近で発熱するため加熱効率が良く、消費電
力が少なくて済み、また角型レンズやプリズムなどの複
雑な金型構造にも対応できる。
加熱方式では、加熱源が金型や胴型の外側にあり、中心
部と周辺部とでは高周波の浸透の差、赤外線の照射の
差、の問題が発生し、胴型、金型を均一に加熱すること
は難しく、特に大口径化した場合やマルチキャビティー
化した場合は、この加熱の不均一性が顕著に表れる。こ
れらの問題に対処するため、金型を保持するための胴型
そのものを発熱体とする加熱方法が提案されている。こ
れによると、金型を保持する胴型そのものに通電し、ジ
ュール熱により胴型自体を発熱させ、金型及びガラス素
材を加熱する。この方法では、大口径化やマルチキャビ
ティー化を積極的におこなうことができ、そのうえ加熱
すべき物の直近で発熱するため加熱効率が良く、消費電
力が少なくて済み、また角型レンズやプリズムなどの複
雑な金型構造にも対応できる。
【０００７】ところが、上下一対の胴型に電流を流し発
熱させ、その電流を胴型の温度をフィードバックして制
御する上で、上下胴型が閉じた際に、上下胴型間に電気
的干渉が起こり、その制御が精密になし得ないと言う問
題点があった。
熱させ、その電流を胴型の温度をフィードバックして制
御する上で、上下胴型が閉じた際に、上下胴型間に電気
的干渉が起こり、その制御が精密になし得ないと言う問
題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、成形金型と、
該金型を保持する上下一対の胴型と、該胴型に通電して
加熱し、その温度を制御する制御装置とを具備し、該胴
型が閉じた際に上下胴型間に電気的干渉が起こらないよ
うに、該胴型表面に胴型よりも電気抵抗の高い表面層を
形成させるようにしたものである。
該金型を保持する上下一対の胴型と、該胴型に通電して
加熱し、その温度を制御する制御装置とを具備し、該胴
型が閉じた際に上下胴型間に電気的干渉が起こらないよ
うに、該胴型表面に胴型よりも電気抵抗の高い表面層を
形成させるようにしたものである。
【０００９】ここで、上記電気抵抗の高い表面層は、化
学気相成長（ＣＶＤ）処理やプラズマ溶射により形成す
るＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 等、または、塗布固
化させたアルミナ系セメント等の高電気抵抗材料からな
るようにしたものである。
学気相成長（ＣＶＤ）処理やプラズマ溶射により形成す
るＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 等、または、塗布固
化させたアルミナ系セメント等の高電気抵抗材料からな
るようにしたものである。
【００１０】また、該胴型を炭素とＳｉＣとの複合材料
から形成し、その表面層の炭素を酸化して除去し、上記
電気抵抗の高い表面層を形成させるようにしたものであ
る。
から形成し、その表面層の炭素を酸化して除去し、上記
電気抵抗の高い表面層を形成させるようにしたものであ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。図１は、胴型に通電し発熱させる通電加熱方式に
おいて、その温度を制御するためのシステム図である。
図１において、胴型１、２は通電し発熱させるのに適し
た常温で体積電気抵抗率が８×１０-8Ωｍから７×１０
-1Ωｍの材料から成り、レンズを加圧成形するための金
型３、４を保持している。胴型１、２に通電し発熱さ
せ，熱輻射及び伝熱で金型３、４およびレンズ素材５を
加熱後、上下の金型３、４を閉め成形を行う。
する。図１は、胴型に通電し発熱させる通電加熱方式に
おいて、その温度を制御するためのシステム図である。
図１において、胴型１、２は通電し発熱させるのに適し
た常温で体積電気抵抗率が８×１０-8Ωｍから７×１０
-1Ωｍの材料から成り、レンズを加圧成形するための金
型３、４を保持している。胴型１、２に通電し発熱さ
せ，熱輻射及び伝熱で金型３、４およびレンズ素材５を
加熱後、上下の金型３、４を閉め成形を行う。
【００１２】胴型１、２または金型３、４の温度を熱電
対６、７で検出し、自動温度調節器（ＡＴＣ）８、９に
より、設定値温度との差に応じて比例・積分・微分（Ｐ
ＩＤ）制御により適した電流値（例えば、４〜２０ｍ
Ａ）またはリレー出力に変換される。これらの制御信号
によりサイリスタ１０、１１は、位相制御方式にてその
制御信号に応じた電圧または電流または電力量を出力す
る。
対６、７で検出し、自動温度調節器（ＡＴＣ）８、９に
より、設定値温度との差に応じて比例・積分・微分（Ｐ
ＩＤ）制御により適した電流値（例えば、４〜２０ｍ
Ａ）またはリレー出力に変換される。これらの制御信号
によりサイリスタ１０、１１は、位相制御方式にてその
制御信号に応じた電圧または電流または電力量を出力す
る。
【００１３】一般に、胴型１、２の電気抵抗の温度係数
が小さい場合、制御信号に対し電圧が一定になるように
制御を行う。胴型１、２が白金やモリブデンや導電性の
セラミック等から成り、冷却と高温時で４〜１２倍も電
気抵抗が変化する場合は制御信号に対し電流が一定にな
るように制御を行う。更に、炭化珪素（ＳｉＣ）のよう
に、発熱温度によってその抵抗が変化し、更に経年変化
によりその電気抵抗が初期の４倍近くまで劣化するよう
な材料で胴型１、２が形成されている場合は、制御信号
に対し電力量が一定になるように制御をする。
が小さい場合、制御信号に対し電圧が一定になるように
制御を行う。胴型１、２が白金やモリブデンや導電性の
セラミック等から成り、冷却と高温時で４〜１２倍も電
気抵抗が変化する場合は制御信号に対し電流が一定にな
るように制御を行う。更に、炭化珪素（ＳｉＣ）のよう
に、発熱温度によってその抵抗が変化し、更に経年変化
によりその電気抵抗が初期の４倍近くまで劣化するよう
な材料で胴型１、２が形成されている場合は、制御信号
に対し電力量が一定になるように制御をする。
【００１４】また、胴型１、２の抵抗値は材質や形状や
構造により異なるため、その抵抗値に合わせた電圧およ
び電流を与える必要性から、サイリスタ１０、１１から
の出力は変圧器１２、１３で適正な電圧・電流に変換
後、胴型１、２に供給される。これらの制御は、図１の
ように上下金型別々に独立して行われるため、上下金型
の構造が全く異なったものであっても、それぞれ精度良
く温度制御がなされる。また、上述の比例・積分・微分
（ＰＩＤ）制御により、それぞれの型は設定値に対して
±１℃以内で安定させることが可能である。
構造により異なるため、その抵抗値に合わせた電圧およ
び電流を与える必要性から、サイリスタ１０、１１から
の出力は変圧器１２、１３で適正な電圧・電流に変換
後、胴型１、２に供給される。これらの制御は、図１の
ように上下金型別々に独立して行われるため、上下金型
の構造が全く異なったものであっても、それぞれ精度良
く温度制御がなされる。また、上述の比例・積分・微分
（ＰＩＤ）制御により、それぞれの型は設定値に対して
±１℃以内で安定させることが可能である。
【００１５】図２は、レンズ成形装置の概略構成図であ
る。図２において、胴型１、２と、金型３、４を具備
し、胴型１、２に通電発熱させ、熱輻射及び伝熱で金型
３、４およびレンズ素材５を加熱後、上下金型３、４を
閉め成形を行う。熱電対６、７はその温度を検出する。
る。図２において、胴型１、２と、金型３、４を具備
し、胴型１、２に通電発熱させ、熱輻射及び伝熱で金型
３、４およびレンズ素材５を加熱後、上下金型３、４を
閉め成形を行う。熱電対６、７はその温度を検出する。
【００１６】固定軸１４は上端側がフレーム１５に固定
された上金型３用の軸であり、この固定軸１４には上型
用断熱部材１６を介して、上型用バックアッププレート
１７が取り付けられている。上型用断熱部材１６は、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 等のセラミックスまたは溶融石英で作られてお
り、バックアッププレート１７、２２および胴型１、２
をステンレス、タングステン、モリブデン等の金属製の
ネジで固定するには、電気的にも絶縁されている方が好
ましい。上型用バックアッププレート１７は、上金型３
及び上型用胴型１を軸に固定するためのもので、胴型
１、２や金型３、４の構造によっては特に必要がない場
合もある。このバックアッププレート１７、２２もその
素材は熱伝導が悪く電気抵抗が大きい方が好ましく、少
なくても胴型１、２より電気抵抗が大きいことが条件と
なる。
された上金型３用の軸であり、この固定軸１４には上型
用断熱部材１６を介して、上型用バックアッププレート
１７が取り付けられている。上型用断熱部材１６は、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 等のセラミックスまたは溶融石英で作られてお
り、バックアッププレート１７、２２および胴型１、２
をステンレス、タングステン、モリブデン等の金属製の
ネジで固定するには、電気的にも絶縁されている方が好
ましい。上型用バックアッププレート１７は、上金型３
及び上型用胴型１を軸に固定するためのもので、胴型
１、２や金型３、４の構造によっては特に必要がない場
合もある。このバックアッププレート１７、２２もその
素材は熱伝導が悪く電気抵抗が大きい方が好ましく、少
なくても胴型１、２より電気抵抗が大きいことが条件と
なる。
【００１７】一方、固定軸１４と同軸状態に配置された
移動軸１８は、ガラス光学素子を成形するため、油圧シ
リンダまたはモータから成る駆動源１９により上下方向
に駆動され、この移動軸１８の上端には、前記上型と同
様、下型用断熱部材２１を介して下型用バックアッププ
レート２２、下型用胴型２および下金型４が取り付けら
れている。
移動軸１８は、ガラス光学素子を成形するため、油圧シ
リンダまたはモータから成る駆動源１９により上下方向
に駆動され、この移動軸１８の上端には、前記上型と同
様、下型用断熱部材２１を介して下型用バックアッププ
レート２２、下型用胴型２および下金型４が取り付けら
れている。
【００１８】上型用胴型１はその周囲に取り付けられた
電極２８および３０により、下型用胴型２はその周囲に
取り付けられた電極２９および３１により、通電し発熱
する。これら電極は、平編み導線等の曲がり易い電線に
より外部から電気を供給される。
電極２８および３０により、下型用胴型２はその周囲に
取り付けられた電極２９および３１により、通電し発熱
する。これら電極は、平編み導線等の曲がり易い電線に
より外部から電気を供給される。
【００１９】また、これら加熱される全ての部材は、ブ
ラケット２３およびガラスチャンバー３２により密閉さ
れ、酸化されないように、加熱時には空気を窒素ガスに
置換する。胴型１、２に通電するため電気は、気体を遮
断するポート２４、２５、２６、２７を介してブラケッ
ト２３内に供給される。また、ガラスチャンバー３２
は、胴型１、２が加熱されることにより発する熱線を反
射するため、内部に金等の反射物質を蒸着またはメッキ
すると良い。レンズ素材５や成形後のレンズは、ブラケ
ット２３とガラスチャンバー３２の間が開閉することに
より出し入れされる。
ラケット２３およびガラスチャンバー３２により密閉さ
れ、酸化されないように、加熱時には空気を窒素ガスに
置換する。胴型１、２に通電するため電気は、気体を遮
断するポート２４、２５、２６、２７を介してブラケッ
ト２３内に供給される。また、ガラスチャンバー３２
は、胴型１、２が加熱されることにより発する熱線を反
射するため、内部に金等の反射物質を蒸着またはメッキ
すると良い。レンズ素材５や成形後のレンズは、ブラケ
ット２３とガラスチャンバー３２の間が開閉することに
より出し入れされる。
【００２０】下金型４の上にガラス素材５を載せ、ブラ
ケット２３内の空気を窒素ガス置換した後、図１で説明
を行った温度制御により所定温度まで加熱し、その後、
駆動源１９にて加圧する。その圧力はロードセル２０に
より検出され、駆動源１９にフィードバックされ、適正
な圧力によって加圧される。これにより、移動軸１８に
連なる系が上昇し、上型用胴型１と下型用胴型２の合わ
せ面が密着し、上型用金型３と下型用金型４により構成
される形状にレンズ素材５が変形され、ガラス光学素子
が成形される。上型用胴型１と下型用胴型２は、レンズ
の偏心を最小限に押さえるため、成形時横ズレしないよ
うな構造になっている。
ケット２３内の空気を窒素ガス置換した後、図１で説明
を行った温度制御により所定温度まで加熱し、その後、
駆動源１９にて加圧する。その圧力はロードセル２０に
より検出され、駆動源１９にフィードバックされ、適正
な圧力によって加圧される。これにより、移動軸１８に
連なる系が上昇し、上型用胴型１と下型用胴型２の合わ
せ面が密着し、上型用金型３と下型用金型４により構成
される形状にレンズ素材５が変形され、ガラス光学素子
が成形される。上型用胴型１と下型用胴型２は、レンズ
の偏心を最小限に押さえるため、成形時横ズレしないよ
うな構造になっている。
【００２１】ここで問題となるのが、上型用胴型１と下
型用胴型２の合わせ面が密着した時、両胴型間に起こる
電気的干渉である。上型用胴型１は、電極２８および３
０により、下型用胴型２は電極２９および３１により通
電されるが、これらが密着すると電気は抵抗が低い方へ
流れようとし、電極２８から２９へ流れたりする。この
ため、正確な温度コントロールができなくなるだけでな
く、電気的にショート状態になる危険性がある。
型用胴型２の合わせ面が密着した時、両胴型間に起こる
電気的干渉である。上型用胴型１は、電極２８および３
０により、下型用胴型２は電極２９および３１により通
電されるが、これらが密着すると電気は抵抗が低い方へ
流れようとし、電極２８から２９へ流れたりする。この
ため、正確な温度コントロールができなくなるだけでな
く、電気的にショート状態になる危険性がある。
【００２２】実験例１ 本発明では、胴型表面に胴型よりも電気抵抗の高い表面
層を形成させることにより、電気的干渉を防止する。。
図３において、導電性セラミックスを胴型部材３３とし
て用い、上および下型用胴型の合わせ面となる表面に、
電気抵抗の高い材質から成る表面層３４を形成させる。
その方法として、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 等の
物質を化学気相成長（ＣＶＤ）処理やプラズマ溶射によ
り５０〜７００μｍ蓄積させた。その後、上下型の偏心
を抑えるため合わせ面の再加工を行う。この表面層３４
は上および下型用胴型の一方に設ければ良いが、両方に
設けた方が好ましい。これにより、胴型部材３３の１０
倍以上の電気抵抗を持つ表面層３４が形成され、上下型
が閉じた時にも電気的干渉が起こらず、正確な温度コン
トロールが可能となる。また、化学気相成長（ＣＶＤ）
やプラズマ照射は、高硬度な膜を形成でき、モールドの
耐久も１万回以上と大変安定した結果が得られた。
層を形成させることにより、電気的干渉を防止する。。
図３において、導電性セラミックスを胴型部材３３とし
て用い、上および下型用胴型の合わせ面となる表面に、
電気抵抗の高い材質から成る表面層３４を形成させる。
その方法として、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 等の
物質を化学気相成長（ＣＶＤ）処理やプラズマ溶射によ
り５０〜７００μｍ蓄積させた。その後、上下型の偏心
を抑えるため合わせ面の再加工を行う。この表面層３４
は上および下型用胴型の一方に設ければ良いが、両方に
設けた方が好ましい。これにより、胴型部材３３の１０
倍以上の電気抵抗を持つ表面層３４が形成され、上下型
が閉じた時にも電気的干渉が起こらず、正確な温度コン
トロールが可能となる。また、化学気相成長（ＣＶＤ）
やプラズマ照射は、高硬度な膜を形成でき、モールドの
耐久も１万回以上と大変安定した結果が得られた。
【００２３】実験例２ また、別の上記電気抵抗の高い表面層３４を形成させる
方法として、アルミナ系セメントを塗布固化させること
も可能である。これは、上記方法に比べ、合わせ面の再
加工や耐久に多少問題があるが、コスト的には安くで
き、少量生産の光学素子の成形には大変有用である。
方法として、アルミナ系セメントを塗布固化させること
も可能である。これは、上記方法に比べ、合わせ面の再
加工や耐久に多少問題があるが、コスト的には安くで
き、少量生産の光学素子の成形には大変有用である。
【００２４】実験例３ また、別の上記電気抵抗の高い表面層３４を形成させる
方法として、胴型部材３３を炭素とＳｉＣとの複合材料
により形成し、それを空気中で加熱して表面の炭素を酸
化除去する。ここで、胴型部材３３を空気中で８００℃
にて約２時間加熱することにより、数１００μｍの表面
層３４が形成され、もとの素材の１００倍以上の電気抵
抗の高い表面層が得られた。
方法として、胴型部材３３を炭素とＳｉＣとの複合材料
により形成し、それを空気中で加熱して表面の炭素を酸
化除去する。ここで、胴型部材３３を空気中で８００℃
にて約２時間加熱することにより、数１００μｍの表面
層３４が形成され、もとの素材の１００倍以上の電気抵
抗の高い表面層が得られた。
【００２５】
【発明の効果】このように本発明によれば、胴型表面に
形成した胴型よりも電気抵抗の高い物質により、胴型同
士が閉じて接触した場合にも、電気的接触が起こらず、
精密な温度コントロールが可能となり、精密なガラス光
学素子成形が可能となる。
形成した胴型よりも電気抵抗の高い物質により、胴型同
士が閉じて接触した場合にも、電気的接触が起こらず、
精密な温度コントロールが可能となり、精密なガラス光
学素子成形が可能となる。
【００２６】上記のように胴型に電気を通じて発熱させ
る方法では、従来の高周波加熱や赤外線加熱と異なり、
胴型そのものが発熱するため、胴型の形状を工夫してや
ることにより型の均熱性が図り易く、電気消費量が少な
くて済み、効率も高い。また、発熱させる胴型の温度を
直接モニターし、胴型に通じる電気量を調整することに
より、胴型または金型の温度をコントロールし易く、装
置的にも大型の高周波発信器や赤外線ランプユニットが
不要となり、小型化が可能となる。
る方法では、従来の高周波加熱や赤外線加熱と異なり、
胴型そのものが発熱するため、胴型の形状を工夫してや
ることにより型の均熱性が図り易く、電気消費量が少な
くて済み、効率も高い。また、発熱させる胴型の温度を
直接モニターし、胴型に通じる電気量を調整することに
より、胴型または金型の温度をコントロールし易く、装
置的にも大型の高周波発信器や赤外線ランプユニットが
不要となり、小型化が可能となる。
【００２７】また、本方式では、胴型内部から発熱する
ため、大口径レンズやマルチキャビティー化において、
型全体が大型化した場合でも、温度コントロールし易
く、量産性が向上する。装置としても、大型の高周波発
信器や赤外線ランプユニットが不要となり小型化が可能
となる。
ため、大口径レンズやマルチキャビティー化において、
型全体が大型化した場合でも、温度コントロールし易
く、量産性が向上する。装置としても、大型の高周波発
信器や赤外線ランプユニットが不要となり小型化が可能
となる。
【図１】本発明の実施例における、温度制御するための
システム図である。
システム図である。
【図２】本発明の実施例における、ガラス光学素子成形
装置の概略構成図である。
装置の概略構成図である。
【図３】電気抵抗の高い表面層を形成させた胴型の概略
説明図である。
説明図である。
１、２ 胴型 ３、４ 金型 ５ レンズ素材 ６、７ 熱電対 ８、９ 自動温度調節器 １０、１１ サイリスタ １２、１３ 変圧器 １４ 固定軸 １５ フレーム １６、２１ 断熱部材 １７、２２ バックアッププレート １８ 移動軸 １９ 駆動源 ２０ ロードセル ２３ ブラケット ２４、２５、２６、２７ 電気ポート ２８、２９、３０、３１ 電極 ３２ ガラスチャンバー ３３ 胴型部材 ３４ 表面層
Claims (3)
- 【請求項１】成形金型と、該金型を保持する上下一対の
胴型と、該胴型に通電して加熱し、その温度を制御する
制御装置とを具備し、該胴型が閉じた際に上下胴型間に
電気的干渉が起こらないように、該胴型表面に胴型より
も電気抵抗の高い表面層を形成させることを特徴とする
ガラス光学素子成形装置。 - 【請求項２】上記電気抵抗の高い表面層は、化学気相成
長（ＣＶＤ）処理やプラズマ溶射により形成するＳｉ
Ｃ、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 等、または、塗布固化させ
たアルミナ系セメント等の高電気抵抗材料からなること
を特徴とする請求項１記載のガラス光学素子成形装置。 - 【請求項３】該胴型は、炭素とＳｉＣとの複合材料から
なり、その表面層の炭素を酸化して除去し、上記電気抵
抗の高い表面層を形成させることを特徴とする請求項１
記載のガラス光学素子成形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9533092A JPH05294643A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | ガラス光学素子成形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9533092A JPH05294643A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | ガラス光学素子成形装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294643A true JPH05294643A (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=14134716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9533092A Pending JPH05294643A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | ガラス光学素子成形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05294643A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09188529A (ja) * | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Asahi Optical Co Ltd | 光学素子の成形装置 |
| JP2010030863A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Nikon Corp | 成形型の劣化判定方法、石英ガラスの成形方法及び成形装置 |
| WO2011040180A1 (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | コニカミノルタオプト株式会社 | 成形金型 |
| CN114956520A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-08-30 | 深圳技术大学 | 非等温加热的模压方法 |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP9533092A patent/JPH05294643A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09188529A (ja) * | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Asahi Optical Co Ltd | 光学素子の成形装置 |
| JP2010030863A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Nikon Corp | 成形型の劣化判定方法、石英ガラスの成形方法及び成形装置 |
| WO2011040180A1 (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | コニカミノルタオプト株式会社 | 成形金型 |
| CN114956520A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-08-30 | 深圳技术大学 | 非等温加热的模压方法 |
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