JPH0529419A - 半導体装置の昇降温装置 - Google Patents

半導体装置の昇降温装置

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Publication number
JPH0529419A
JPH0529419A JP20481391A JP20481391A JPH0529419A JP H0529419 A JPH0529419 A JP H0529419A JP 20481391 A JP20481391 A JP 20481391A JP 20481391 A JP20481391 A JP 20481391A JP H0529419 A JPH0529419 A JP H0529419A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
liquid
heat block
lowering
raising
Prior art date
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Pending
Application number
JP20481391A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunihiro Shigetomo
邦宏 重友
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP20481391A priority Critical patent/JPH0529419A/ja
Publication of JPH0529419A publication Critical patent/JPH0529419A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ICの昇降温を高精度でかつ短時間で行う。 【構成】 液体を設定温度に昇降温し維持する加熱・冷
却機7により一定温度に維持された、液体6aとその液
体を包み込む薄膜6bから成る柔軟性を有したヒートブ
ロック6を、IC2ならびにIC収納ボード1に接触さ
せるようにしたものである。 【効果】 ICの一定条件における電気的特性の試験
が、高精度、かつ短時間に行え、品質の向上、処理能力
の増加が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ICをある一定温度
に、高精度かつ短時間で昇温・降温する装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来の高低温の空気循環によるI
Cの昇降温装置の一例を示す図であり、図6は従来のヒ
ートレールを用いた昇温装置の一例を示す図である。図
5において、1はIC2を収納するパレット、3は一定
温度に保たれて強制循環する空気、4は循環する空気の
保持、保温をするチャンバーである。また図6におい
て、5はIC2に接触し、昇温するヒートレールであ
り、金属のレール5aとこれに埋め込まれたヒーター5
bとで構成されている。
【0003】次に動作について説明する。まず図5の例
では、IC2の収納されたパレット1が一定温度に保た
れたチャンバー4の中に入り、順次ピッチ上昇して行く
間に、IC2はチャンバー4の内部を循環する恒温ある
いは低温の空気3と熱変換し、チャンバー内空気温度と
同じになることで昇降温される。また図6の例において
は、一定温度に加熱されたヒートレール5を上下に間隔
を持って配置し、下の固定ヒートレール5上をIC2は
常時加熱されつつ間欠移動する。その際、上方に配置さ
れた上下動するヒートレール5は、IC2は移動すると
きは上昇し、IC2が一時停止する間下降してICに圧
接することで、IC2は加熱される。そしてこれらの一
連の動作を繰り返し、一定温度までIC2は昇温され
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図5の空気
によるIC昇降温装置は、空気の熱容量が金属や液体に
較べて小さく、昇降温に長い時間が必要であるという問
題があった。また図6の金属のヒートレールによるIC
の昇温装置は、ICの外形精度のバラツキ、レールの加
工精度、組立精度のバラツキに対し、レールが剛体のた
め、ICとレールの接触が不均一であり、またレール内
に挿入されたヒーターの状態により、レールでの温度分
布が不均一となるため、ICの温度精度を出すことが難
しかった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ICの表面に均一に密着し、か
つ接触面積が大きくなり、短時間で均一な高精度のIC
昇降温が可能となる装置を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係るICの昇
降温装置は、加熱・冷却機により一定温度に維持された
液体を柔軟性のある薄膜により覆い包み込んだヒートブ
ロックを、ボードの貫通孔内に支承されたICに接触さ
せるようにしたものである。
【0007】
【作用】この発明においては、柔軟性を有する熱容量の
大きい液体を熱媒体としてICに接触することで、接触
面が広く、かつ密着するため、温度分布が均一となり、
また温度精度が向上し、なおかつ短時間に昇降温が可能
である。
【0008】
【実施例】実施例1.以下この発明の一実施例を図につ
いて説明する。図1は本発明に係る半導体装置の昇降温
装置の概要図、図2はヒートブロックがICと接触する
前の状態を示す拡大図、図3はヒートブロックがICと
接触した状態を示す。これらの図において、1はヒート
ブロックが進入可能な貫通孔1aを有し、IC2を支承
する受台を有するボード、6は一定温度に維持された液
体6aと該液体を包み込む袋状薄膜6bから成るヒート
ブロック、7は上記液体6aを一定温度に加熱・冷却し
て維持する加熱・冷却機、8はヒートブロックを支持昇
降する昇降支持機構である。
【0009】次に動作について説明する。液体を循環さ
せ設定温度にまで上昇あるいは降下し、その温度を一定
に保つ加熱・冷却機7と接続され、上下に配置されたヒ
ートブロック6の間に、IC2の収納されたボード1を
移動する(図1の状態)。そしてこの状態でヒートブロ
ック6はボード方向へ昇降機構8により移動し、ボード
1に圧接する。すると、柔軟性のあるヒートブロック6
は、IC及びボードの形状(貫通孔を含む)に変形し、
IC、ボードと均一に大きな面積で熱交換する。そして
この熱交換により、IC、ボードは昇温、冷却され、一
定温度に達すると、ヒートブロックは上、下方向へ移動
し、ボートは次のポジションへと移動する。
【0010】実施例2.なお上記実施例では、ヒートブ
ロック、加熱・冷却機、ヒートブロックの昇降支持機、
ボードの構成に関してのみ説明したが、図4に示すよう
に加熱・冷却機を除く上記構成部をICを昇温する温度
に維持された恒温槽9内に設けてもよい。
【0011】実施例3.なお上記実施例では、ヒートブ
ロックに一定温度に維持された液体とそれを包み込む薄
膜を使用したが、弾力性並びに柔軟性を有した固体(例
えばゴム、スポンジ)をヒートブロックとして使用して
も同様の効果を奏する。
【0012】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、柔軟性
があり、熱容量の大きな液体をヒートブロックに使用し
たので、ICの形状にならって変形し、広い面積で密着
することで、温度精度の高い、また設定温度に到達する
時間の短い装置が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による半導体装置の昇降温
装置を示す概要図である。
【図2】この発明におけるヒートブロックがICと接触
する前の状態図である。
【図3】この発明におけるヒートブロックがICと接触
した際の状態図である。
【図4】この発明の他の実施例を示す断面図である。
【図5】従来の高低温の空気循環式恒温槽による半導体
装置の昇降温装置の概要断面図(a)とそのA部の拡大図
(b)である。
【図6】従来のヒートレールを用いた半導体装置の昇降
温装置の概要図(a)とそのB部の拡大図(b)とC−C線断
面図(c)である。
【符号の説明】
1 IC収納ボード 2 IC 6 ヒートブロック 6a 液体 6b 薄膜 7 加熱・冷却機 8 昇降支持機

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液体とこの液体を包み込む柔軟性を有す
    る薄膜よりなるヒートブロック、このヒートブロックに
    連結されその中の液体を設定温度に昇・降温し、維持す
    る加熱・冷却機、上記ヒートブロックを上下動させる昇
    降支持機を備え、上記ヒートブロックを、貫通孔内にI
    Cパッケージを支承したボードに接触させるようにした
    ことを特徴とする半導体装置の昇降温装置。
  2. 【請求項2】 弾力性並びに柔軟性を有した固体でなる
    ヒートブロック、このヒートブロックを設定温度に昇・
    降温し、維持する加熱・冷却機、上記ヒートブロックを
    上下動させる昇降支持機を備え、上記ヒートブロック
    を、貫通孔内にICパッケージを支承したボードに接触
    させるようにしたことを特徴とする半導体装置の昇降温
    装置。
JP20481391A 1991-07-19 1991-07-19 半導体装置の昇降温装置 Pending JPH0529419A (ja)

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JP20481391A JPH0529419A (ja) 1991-07-19 1991-07-19 半導体装置の昇降温装置

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JP20481391A JPH0529419A (ja) 1991-07-19 1991-07-19 半導体装置の昇降温装置

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JPH0529419A true JPH0529419A (ja) 1993-02-05

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ID=16496804

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JP20481391A Pending JPH0529419A (ja) 1991-07-19 1991-07-19 半導体装置の昇降温装置

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JP (1) JPH0529419A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6361834B1 (en) * 1999-10-25 2002-03-26 Nec Corporation Resist film baking method
KR20030028070A (ko) * 2001-09-27 2003-04-08 (주)제이티 반도체소자 분류기용 핸들러의 열전소자를 사용한 냉, 온테스트방법및 그 장치

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US6361834B1 (en) * 1999-10-25 2002-03-26 Nec Corporation Resist film baking method
KR20030028070A (ko) * 2001-09-27 2003-04-08 (주)제이티 반도체소자 분류기용 핸들러의 열전소자를 사용한 냉, 온테스트방법및 그 장치

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