KR20230107945A - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230107945A
KR20230107945A KR1020220003141A KR20220003141A KR20230107945A KR 20230107945 A KR20230107945 A KR 20230107945A KR 1020220003141 A KR1020220003141 A KR 1020220003141A KR 20220003141 A KR20220003141 A KR 20220003141A KR 20230107945 A KR20230107945 A KR 20230107945A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
wafer
heater
semiconductor device
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020220003141A
Other languages
English (en)
Inventor
황영호
서은석
임재홍
허석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020220003141A priority Critical patent/KR20230107945A/ko
Publication of KR20230107945A publication Critical patent/KR20230107945A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치의 제조 방법은 개방된 챔버의 내부에 웨이퍼를 로딩시키는 제1 단계, 챔버를 하강시켜 챔버의 내부를 밀폐시키는 제2 단계, 웨이퍼 상에 포토 레지스트를 도포하는 제3 단계, 챔버를 제1 위치로 상승시킨 후에 챔버로부터 웨이퍼를 언로딩시키는 제4 단계, 챔버를 하강시켜 챔버를 밀폐시키는 제5 단계, 챔버를 제1 위치로 상승시켜 챔버의 내부를 개방시키는 제6 단계, 및 챔버의 내부에 웨이퍼가 위치되지 않는 휴지기 동안, 제5 단계 및 제6 단계를 반복하여 챔버의 내부의 온도를 일정하게 유지시키는 제7 단계를 포함한다.

Description

반도체 장치의 제조 방법{Method for fabricating a semiconductor device}
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 스피너 장치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정 중에서 포토 레지스트 공정은 웨이퍼 상에 보호막을 형성하는 공정으로 보호막의 재질로 비감광성 포토 레지스트를 사용하고 있다. 이 경우, 스피너 장치의 내부에서 웨이퍼 상에 포토 레지스트를 도포한 후, 도포된 포토 레지스트를 가열하여 경화시킴으로써 보호막이 형성된다.
이러한 포토 레지스트 공정이 수행되는 동안, 웨이퍼가 챔버의 내부에 위치되지 않은 휴지기 후에 새로운 웨이퍼가 챔버의 내부에 로딩되기 전까지 챔버의 내부의 온도가 증가하여 공정 불량이 발생하는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 챔버의 내부에 웨이퍼가 위치되지 않는 휴지기 동안에 챔버의 상승 및 하강을 반복적으로 수행하여 챔버의 내부의 온도를 일정하게 유지시킴으로써, 휴지기 후에 새로운 웨이퍼가 챔버의 내부에 로딩되기 전까지 챔버의 내부의 온도가 증가함으로써 발생할 수 있는 공정 불량을 방지하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 챔버의 내부에 웨이퍼가 위치되지 않는 휴지기 동안에 챔버를 일부 개방하여 챔버의 내부의 온도를 일정하게 유지시킴으로써, 휴지기 후에 새로운 웨이퍼가 챔버의 내부에 로딩되기 전까지 챔버의 내부의 온도가 증가함으로써 발생할 수 있는 공정 불량을 방지하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 몇몇 실시예는, 개방된 챔버의 내부에 웨이퍼를 로딩시키는 제1 단계, 챔버를 하강시켜 챔버의 내부를 밀폐시키는 제2 단계, 웨이퍼 상에 포토 레지스트를 도포하는 제3 단계, 챔버를 제1 위치로 상승시킨 후에 챔버로부터 웨이퍼를 언로딩시키는 제4 단계, 챔버를 하강시켜 챔버를 밀폐시키는 제5 단계, 챔버를 제1 위치로 상승시켜 챔버의 내부를 개방시키는 제6 단계, 및 챔버의 내부에 웨이퍼가 위치되지 않는 휴지기 동안, 제5 단계 및 제6 단계를 반복하여 챔버의 내부의 온도를 일정하게 유지시키는 제7 단계를 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 다른 몇몇 실시예는, 개방된 챔버의 내부에 웨이퍼를 로딩시키는 제1 단계, 챔버를 하강시켜 챔버의 내부를 밀폐시키는 제2 단계, 웨이퍼 상에 포토 레지스트를 도포하는 제3 단계, 챔버를 제1 위치로 상승시킨 후에 챔버로부터 웨이퍼를 언로딩시키는 제4 단계, 챔버의 내부에 웨이퍼가 위치되지 않는 휴지기 동안, 챔버를 제1 위치보다 낮은 제2 위치로 하강시켜 챔버의 내부의 일부를 개방시킴으로써 챔버의 내부의 온도를 일정하게 유지시키는 제5 단계, 및 휴지기가 종료된 후에, 챔버를 제1 위치로 상승시켜 챔버의 내부를 개방시키는 제6 단계를 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 이용되는 스피너 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면들이다.
도 8은 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 9는 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면이다.
이하에서, 도 1을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 이용되는 스피너(spinner) 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 이용되는 스피너 장치를 설명하기 위한 도면이다.
스피너 장치는 반도체 제조 공정 중에서 웨이퍼 상에 포토 레지스트를 도포하고, 웨이퍼 상에 도포된 포토 레지스트를 가열하여 경화시키는 장치이다. 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 이용되는 스피너 장치는 베이스 모듈(100), 히터(110), 지지부(120), 리프트 핀(130), 챔버(140), 챔버 연결부(150), 챔버 구동부(160), 온도 제어부(170) 및 제어부(180)를 포함한다.
베이스 모듈(100)은 스피너 장치의 베이스 프레임일 수 있다. 도 1에 도시된 베이스 모듈(100)은 설명의 편의를 위해 개략적으로 도시된 것이고, 베이스 모듈(100)의 형상은 제한되지 않는다. 히터(110)는 베이스 모듈(100) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 히터(110)는 원판 형상을 가질 수 있지만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 히터(110)는 히터(110) 상에 로딩된 웨이퍼(W)를 가열할 수 있다.
지지부(120)는 히터(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 지지부(120)는 히터(110)의 상면으로부터 수직 방향(DR2)으로 돌출될 수 있다. 여기에서, 수직 방향(DR2)은 베이스 프레임의 상면에 수직인 방향으로 정의될 수 있다. 히터(110) 상에 로딩된 웨이퍼(W)는 지지부(120)에 의해 지지될 수 있다. 지지부(120)는 웨이퍼(W)가 히터(110)와 직접 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 지지부(120)는 히터(110)의 상면에 복수 개가 배치될 수 있다.
리프트 핀(130)은 베이스 모듈(100) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 리프트 핀(130)은 히터(110)를 수직 방향(DR2)으로 관통하여 히터(110)의 상면 상으로 연장될 수 있다. 리프트 핀(130)은 수직 방향(DR2)으로 상승 또는 하강될 수 있다. 예를 들어, 히터(110)의 상면 상에 로딩된 웨이퍼(W)는 상승된 리프트 핀(130) 상에 위치될 수 있다. 웨이퍼(W)가 위치된 리프트 핀(130)은 하강하여 웨이퍼(W)를 지지부(120) 상에 위치시킬 수 있다.
챔버(140)는 히터(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 챔버(140)는 히터(110)의 상면과 접하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 챔버(140)의 수평 방향(DR1)의 폭은 히터(110)의 상면의 수평 방향(DR1)의 폭보다 작을 수 있다. 여기에서, 수평 방향(DR21)은 베이스 프레임의 상면에 평행한 방향으로 정의될 수 있다. 즉, 수직 방향(DR2)은 수평 방향(DR1)에 수직인 방향으로 정의될 수 있다.
예를 들어, 챔버(140)는 하부가 오픈된 컵 형상을 가질 수 있다. 다만, 챔버(140)의 형상은 예시적인 것이고, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 챔버(140)는 히터(110) 상에 로딩된 웨이퍼(W)를 덮을 수 있다. 챔버(140)는 히터(110) 상에 로딩된 웨이퍼(W)에 대한 공정이 수행되는 동안 웨이퍼(W)를 챔버(140)의 외부로부터 밀폐시킬 수 있다.
챔버 연결부(150)는 챔버(140)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 챔버 연결부(150)는 챔버(140)의 측벽에 연결될 수 있다. 챔버 구동부(160)는 베이스 모듈(100)과 챔버 연결부(150) 사이를 연결할 수 있다. 챔버 구동부(160)는 챔버 연결부(150)를 수직 방향(DR2)으로 상승 또는 하강시킬 수 있다. 이로 인해, 챔버 구동부(160)는 챔버 연결부(150)에 연결된 챔버(140)를 수직 방향(DR2)으로 상승 또는 하강시킬 수 있다. 챔버 구동부(160)는 예를 들어, 실린더일 수 있지만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.
온도 제어부(170)는 히터(110)에 파워를 제공하여 히터(110)의 온도를 제어할 수 있다. 온도 제어부(170)는 예를 들어, 300W 내지 350W 범위의 파워를 히터(110)에 제공할 수 있지만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.
제어부(180)는 히터(110)의 온도, 챔버(140) 내부의 온도, 챔버(140)의 온도 및 히터(110)에 제공되는 파워에 대한 정보들을 획득할 수 있다. 제어부(180)는 온도 제어부(170)를 제어하여 히터(110)의 온도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 제어부(180)는 온도 제어부(170)를 제어하여 히터(110)에 제공되는 파워를 제어함으로써 히터(110)의 온도를 조절할 수 있다. 또한, 제어부(180)는 히터(110)의 온도를 조절함으로써, 챔버(140)의 내부의 온도 및 챔버(140)의 온도를 제어할 수 있다.
챔버(140)의 내부에 웨이퍼(W)가 위치되지 않는 휴지기 동안, 제어부(180)는 온도 제어부(170)를 제어하여 챔버(140)의 내부의 온도를 미리 설정된 온도로 일정하게 유지시킬 수 있다. 또한, 챔버(140)의 내부에 웨이퍼(W)가 위치되지 않는 휴지기 동안, 제어부(180)는 온도 제어부(170)를 제어하여 챔버(140)의 온도를 미리 설정된 온도로 일정하게 유지시킬 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
제어부(180)는 챔버 구동부(160)를 제어하여 챔버(140)를 수직 방향(DR2)으로 상승 또는 하강시킬 수 있다. 제어부(180)는 챔버(140)를 수직 방향(DR2)으로 상승 또는 하강시켜 챔버(140)의 내부의 온도가 미리 설정된 온도보다 높아지는 것을 방지할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
이하에서, 도 2 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명한다.
도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 3 내지 도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면들이다.
도 3 내지 도 7에 도시된 공정이 수행되는 동안, 제어부(180)는 온도 제어부(170)를 제어하여 히터(110)에 지속적으로 파워를 제공할 수 있다. 즉, 도 2 내지 도 7에 도시된 공정이 수행되는 동안, 히터(110)는 챔버(140)의 내부를 지속적으로 가열할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 개방된 챔버(140)의 내부에 웨이퍼(W)가 로딩되는 제1 단계(S110)가 수행될 수 있다. 구체적으로, 제어부(180)는 챔버 구동부(160)를 제어하여 챔버(140)를 수직 방향(DR2)으로 상승시킬 수 있다. 이 경우, 챔버(140)는 제1 위치(P1)까지 상승될 수 있다.
이어서, 웨이퍼(W)가 챔버(140)의 내부로 로딩될 수 있다. 챔버(140)의 내부로 로딩된 웨이퍼(W)는 상승된 리프트 핀(130) 상에 위치될 수 있다. 웨이퍼(W)가 위치된 리프트 핀(130)은 하강되어 웨이퍼(W)를 히터(110)의 상면 상에 위치시킬 수 있다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 챔버(140)를 하강시켜 챔버(140)의 내부를 밀폐시키는 제2 단계(S120)가 수행될 수 있다. 구체적으로, 제어부(180)는 챔버 구동부(160)를 제어하여 챔버(140)를 하강시킬 수 있다. 이 경우, 챔버(140)는 히터(110)의 상면과 접할 수 있다. 이로 인해, 챔버(140)의 내부는 밀폐될 수 있다. 이어서, 포토 레지스트 공정을 수행하여 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트(PR)가 도포되는 제3 단계(S130)가 수행될 수 있다.
제1 내지 제3 단계(S110, S120, S130)가 수행되는 동안, 제어부(180)는 온도 제어부(170)를 제어하여 히터(110)에 제1 파워를 제공할 수 있다. 제1 파워는 예를 들어, 300W 일 수 있다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 챔버(140)를 제1 위치(P1)로 상승시킨 후에 챔버(140)로부터 웨이퍼(W)가 언로딩되는 제4 단계(S140)가 수행될 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼(W)에 대한 포토 레지스트 공정이 완료된 후에, 제어부(180)는 챔버 구동부(160)를 제어하여 챔버(140)를 수직 방향(DR2)으로 상승시킬 수 있다. 이 경우, 챔버(140)는 제1 위치(P1)까지 상승될 수 있다. 이어서, 웨이퍼(W)가 위치된 리프트 핀(130)이 수직 방향(DR2)으로 상승할 수 있다. 이어서, 챔버(140)로부터 웨이퍼(W)가 언로딩될 수 있다.
제4 단계(S140)가 수행되는 동안, 제어부(180)는 온도 제어부(170)를 제어하여 히터(110)에 제1 파워보다 높은 제2 파워를 제공할 수 있다. 제2 파워는 예를 들어, 350W 일 수 있다.
도 2 및 도 6을 참조하면, 챔버(140)를 하강시켜 챔버(140)의 내부를 밀폐시키는 제5 단계(S150)가 수행될 수 있다. 구체적으로, 제어부(180)는 챔버 구동부(160)를 제어하여 챔버(140)를 하강시킬 수 있다. 이 경우, 챔버(140)는 히터(110)의 상면과 접할 수 있다. 이로 인해, 챔버(140)의 내부는 밀폐될 수 있다.
도 2 및 도 7을 참조하면, 챔버(140)를 제1 위치(P1)로 상승시켜 챔버(140)의 내부를 개방시키는 제6 단계(S160)가 수행될 수 있다. 구체적으로, 제어부(180)는 챔버 구동부(160)를 제어하여 챔버(140)를 수직 방향(DR2)으로 상승시킬 수 있다. 이 경우, 챔버(140)는 제1 위치(P1)까지 상승될 수 있다.
이어서, 챔버(140)의 내부에 웨이퍼(W)가 위치되지 않는 휴지기 동안, 제5 단계(S150) 및 제6 단계(S160)가 반복적으로 수행되는 제7 단계(S170)가 수행될 수 있다. 제7 단계(S170)가 수행되는 휴지기 동안, 히터(110)에 의해 가열된 챔버(140)의 내부의 공기가 챔버(140)의 외부로 환기될 수 있다. 이로 인해, 챔버(140)의 내부의 온도가 미리 설정된 온도보다 높게 형성되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제5 내지 제7 단계(S150, S160, S170)가 수행되는 동안, 챔버(140)의 내부의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다. 또한, 제5 내지 제7 단계(S150, S160, S170)가 수행되는 동안, 챔버(140)의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다.
제7 단계(S170)가 수행되는 휴지기 동안, 반복되는 제5 단계(S150) 및 제6 단계(S160)가 수행되는 횟수는 제한되지 않는다. 즉, 제7 단계(S170)가 수행되는 휴지기 동안, 챔버(140)의 내부의 온도가 미리 설정된 온도보다 높게 형성되는 것을 방지하기 위해 지속적으로 제5 단계(S150) 및 제6 단계(S160)가 반복적으로 수행될 수 있다.
제5 내지 제7 단계(S150, S160, S170)가 수행되는 동안, 제어부(180)는 온도 제어부(170)를 제어하여 히터(110)에 제1 파워를 제공할 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 제1 내지 제3 단계(S110, S120, S130) 및 제5 내지 제7 단계(S150, S160, S170) 각각이 수행되는 동안, 히터(110)에 제1 파워가 제공될 수 있다. 또한, 제4 단계(S140)가 수행되는 동안, 히터(110)에 제1 파워보다 높은 제2 파워가 제공될 수 있다.
제7 단계(S170)에서는 휴지기가 종료된 것인지를 판단할 수 있다. 예를 들어, 휴지기가 종료되지 않는 경우, 다시 제5 단계(S150) 및 제6 단계(S160)가 반복적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 휴지기가 종료되어 다시 챔버(140)의 내부에 웨이퍼(W)의 로딩이 요구되는 경우, 제1 내지 제7 단계(S110 내지 S170)이 순차적으로 다시 수행될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 챔버(140)의 내부에 웨이퍼(W)가 위치되지 않는 휴지기 동안에 챔버(140)의 상승 및 하강을 반복적으로 수행하여 챔버(140)의 내부의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다. 즉, 휴지기 후에 챔버(140)의 내부에 새로운 웨이퍼(W)가 다시 로딩되어 포토 레지스트 공정이 수행되는 경우, 휴지기에서의 챔버(140)의 내부의 온도와 동일한 온도에서 포토 레지스트 공정을 수행할 수 있다. 이로 인해, 휴지기 후에 새로운 웨이퍼(W)가 챔버(140)의 내부에 로딩되기 전까지 챔버의 내부의 온도가 증가함으로써 발생할 수 있는 공정 불량을 방지할 수 있다.
이하에서, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명한다. 도 2 내지 도 7에 도시된 반도체 장치의 제조 방법과의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 8은 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 9는 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 도면이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 개방된 챔버(140)의 내부에 웨이퍼(W)가 로딩되는 제1 단계(S110), 챔버(140)를 하강시켜 챔버(140)의 내부를 밀폐시키는 제2 단계(S120), 포토 레지스트 공정을 수행하여 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트(PR)가 도포되는 제3 단계(S130) 및 챔버(140)를 제1 위치(P1)로 상승시킨 후에 챔버(140)로부터 웨이퍼(W)가 언로딩되는 제4 단계(S140)가 순차적으로 수행될 수 있다.
이어서, 챔버(140)를 제1 위치(도 3의 P1)보다 낮은 제2 위치(P2)로 하강되는 챔버(140)의 내부를 일부 개방시키는 제5 단계(S250)가 수행될 수 있다. 구체적으로, 제어부(180)는 챔버 구동부(160)를 제어하여 챔버(140)를 제2 위치(P2)로 하강시킬 수 있다.
제5 단계(S250)는 챔버(140)의 내부에 웨이퍼(W)가 위치되지 않는 휴지기 동안 수행될 수 있다. 제5 단계(S250)가 수행되는 휴지기 동안, 히터(110)에 의해 가열된 챔버(140)의 내부의 공기가 챔버(140)의 외부로 환기될 수 있다. 이로 인해, 챔버(140)의 내부의 온도가 미리 설정된 온도보다 높게 형성되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제5 단계(S250)가 수행되는 동안, 챔버(140)의 내부의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다. 또한, 제5 단계(S250)가 수행되는 동안, 챔버(140)의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다.
이어서, 휴지기인 제5 단계(S250)가 종료된 후에, 챔버(140)를 제1 위치(도 3의 P1)로 상승시켜 챔버(140)의 내부를 개방시키는 제6 단계(S260)가 수행될 수 있다. 구체적으로, 제어부(180)는 챔버 구동부(160)를 제어하여 챔버(140)를 수직 방향(DR2)으로 상승시킬 수 있다. 이 경우, 챔버(140)는 제1 위치(P1)까지 상승될 수 있다.
제5 단계(S250) 및 제6 단계(S260)가 수행되는 동안, 제어부(180)는 온도 제어부(170)를 제어하여 히터(110)에 제1 파워를 제공할 수 있다. 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 제1 내지 제3 단계(S110, S120, S130), 제5 단계(S250) 및 제6 단계(S260) 각각이 수행되는 동안, 히터(110)에 제1 파워가 제공될 수 있다. 또한, 제4 단계(S140)가 수행되는 동안, 히터(110)에 제1 파워보다 높은 제2 파워가 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 챔버(140)의 내부에 웨이퍼(W)가 위치되지 않는 휴지기 동안에 챔버(140)를 일부 개방하여 챔버(140)의 내부의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다. 즉, 휴지기 후에 챔버(140)의 내부에 새로운 웨이퍼(W)가 다시 로딩되어 포토 레지스트 공정이 수행되는 경우, 휴지기에서의 챔버(140)의 내부의 온도와 동일한 온도에서 포토 레지스트 공정을 수행할 수 있다. 이로 인해, 휴지기 후에 새로운 웨이퍼(W)가 챔버(140)의 내부에 로딩되기 전까지 챔버의 내부의 온도가 증가함으로써 발생할 수 있는 공정 불량을 방지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
W: 웨이퍼 PR: 포토 레지스트
100: 베이스 모듈 110: 히터
120: 지지부 130: 리프트 핀
140: 챔버 150: 챔버 연결부
160: 챔버 구동부 170: 온도 제어부
180: 제어부 P1: 제1 위치
P2: 제2 위치

Claims (10)

  1. 개방된 챔버의 내부에 웨이퍼를 로딩시키는 제1 단계;
    상기 챔버를 하강시켜 상기 챔버의 내부를 밀폐시키는 제2 단계;
    상기 웨이퍼 상에 포토 레지스트를 도포하는 제3 단계;
    상기 챔버를 제1 위치로 상승시킨 후에 상기 챔버로부터 상기 웨이퍼를 언로딩시키는 제4 단계;
    상기 챔버를 하강시켜 상기 챔버를 밀폐시키는 제5 단계;
    상기 챔버를 상기 제1 위치로 상승시켜 상기 챔버의 내부를 개방시키는 제6 단계; 및
    상기 챔버의 내부에 상기 웨이퍼가 위치되지 않는 휴지기 동안, 상기 제5 단계 및 상기 제6 단계를 반복하여 상기 챔버의 내부의 온도를 일정하게 유지시키는 제7 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제7 단계가 수행되는 동안, 히터를 이용하여 상기 챔버의 내부를 지속적으로 가열하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제3 단계, 상기 제5 내지 제7 단계 각각에서 상기 히터에 제공되는 파워는 제1 파워로 동일한 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제4 단계에서 상기 히터에 제공되는 제2 파워는 상기 제1 파워보다 높은 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 챔버를 상승 및 하강시키는 것은 상기 챔버에 연결된 챔버 구동부를 이용하여 상기 챔버를 이동시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제5 내지 제7 단계가 수행되는 동안, 상기 챔버의 온도는 일정하게 유지되는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 휴지기가 종료된 후에, 상기 제1 내지 제7 단계가 수행되는 것을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 개방된 챔버의 내부에 웨이퍼를 로딩시키는 제1 단계;
    상기 챔버를 하강시켜 상기 챔버의 내부를 밀폐시키는 제2 단계;
    상기 웨이퍼 상에 포토 레지스트를 도포하는 제3 단계;
    상기 챔버를 제1 위치로 상승시킨 후에 상기 챔버로부터 상기 웨이퍼를 언로딩시키는 제4 단계;
    상기 챔버의 내부에 상기 웨이퍼가 위치되지 않는 휴지기 동안, 상기 챔버를 상기 제1 위치보다 낮은 제2 위치로 하강시켜 상기 챔버의 내부의 일부를 개방시킴으로써 상기 챔버의 내부의 온도를 일정하게 유지시키는 제5 단계; 및
    상기 휴지기가 종료된 후에, 상기 챔버를 상기 제1 위치로 상승시켜 상기 챔버의 내부를 개방시키는 제6 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 내지 제6 단계가 수행되는 동안, 히터를 이용하여 상기 챔버의 내부를 지속적으로 가열하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제3 단계, 상기 제5 단계 및 상기 제6 단계 각각에서 상기 히터에 제공되는 파워는 동일한 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020220003141A 2022-01-10 2022-01-10 반도체 장치의 제조 방법 KR20230107945A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220003141A KR20230107945A (ko) 2022-01-10 2022-01-10 반도체 장치의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220003141A KR20230107945A (ko) 2022-01-10 2022-01-10 반도체 장치의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230107945A true KR20230107945A (ko) 2023-07-18

Family

ID=87423932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220003141A KR20230107945A (ko) 2022-01-10 2022-01-10 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230107945A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101018259B1 (ko) 일정 온도 척을 사용하여 가변 온도 프로세스로 기판을 가열하는 방법
KR20180029550A (ko) 웨이퍼 워피지 개선 장치 및 방법
JP4531661B2 (ja) 基板の処理方法及び基板の処理装置
KR20230107945A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR20200040670A (ko) 기판 냉각 장치 및 기판 냉각 방법
JP4267809B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
KR102263718B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102166269B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP3451166B2 (ja) 基板熱処理装置
KR102501657B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
JP2000040698A (ja) 基板熱処理方法およびその装置
US6149728A (en) Semiconductor manufacturing device
KR100861090B1 (ko) 열처리 장치
TW202117919A (zh) 基板處理裝置
KR20180002373A (ko) 웨이퍼 검사 공정에서 척의 온도를 제어하는 방법
KR100436548B1 (ko) 베이크 장치를 사용한 웨이퍼 가공 방법
KR100591735B1 (ko) 반도체 기판을 가공하기 위한 베이킹 장치
KR20100067722A (ko) 기판 리프트장치
KR20060056653A (ko) 반도체 소자 제조용 베이크 장치
JPH1197431A (ja) 基板熱処理装置
JP7365387B2 (ja) 加熱処理装置及び加熱処理方法
JP3942602B2 (ja) 基板熱処理方法およびその装置
JPH098049A (ja) 基板加熱装置
KR100992847B1 (ko) 열처리 장치
US20220319877A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method