KR100591735B1 - 반도체 기판을 가공하기 위한 베이킹 장치 - Google Patents

반도체 기판을 가공하기 위한 베이킹 장치 Download PDF

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Abstract

반도체 기판 상에 코팅된 포토레지스트 막을 균일하게 가열하기 위한 베이킹 장치는 프로세스 챔버, 베이킹 플레이트, 및 베이킹 플레이트를 마주보도록 프로세스 챔버 내부 상측에 배치되고 동일 평면상에서 회전하며 웨이퍼를 가열하는 히팅 유닛, 베이킹 플레이트를 수용하기 위한 베이킹 바울, 베이킹 바울의 상부에 배치되어 베이킹 바울과 함께 반도체 기판 가공 공간을 한정하며, 그 하부에 히팅 유닛이 설치된 베이킹 커버, 및 반도체 기판 가공 공간을 밀폐하기 위한 베이킹 커버가 베이킹 바울에 밀착되도록 베이킹 커버를 승강시키는 구동 유닛을 포함한다. 이 경우, 히팅 유닛은 열선이 내장된 히팅 플레이트, 그리고 히팅 플레이트에 회전력을 제공하는 모터를 포함한다. 하방으로 열을 방출하는 히팅 플레이트를 회전시킴으로써 반도체 기판 상에 코팅된 포토레지스트 막을 균일한 온도로 가공할 수 있다. 따라서 포토레지스트 막의 특성은 향상되고, 공정 효율은 극대화된다.

Description

반도체 기판을 가공하기 위한 베이킹 장치{BAKING APPARATUS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE}
도 1은 종래에 개시된 베이킹 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 베이킹 플레이트를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이킹 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 반도체 기판과 히팅 유닛이 밀착된 상태를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이킹 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시한 반도체 기판과 히팅 유닛이 밀착된 상태를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 200：베이킹 장치 110, 210：프로세스 챔버
112, 212：베이킹 커버 114, 214：베이킹 바울
120, 220：베이킹 플레이트 122, 222：홀
130：제1 리프터 140：제2 리프터
150：히팅 유닛 152：히팅 플레이트
154：모터 156：열선
158：보조 열선 160：온도 센서
170, 270：제어부 216：베이킹 셔터
W：반도체 기판
본 발명은 반도체 장치를 제조하기 위한 베이킹(baking) 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트 막을 열적으로 가공하기 위한 장치에 관한 것이다.
현재 반도체 장치에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다. 반도체 장치를 제조하기 위해서는 막 형성, 패턴 형성, 금속 배선 형성 등과 같은 일련의 단위 공정을 수행한다.
패턴 형성 공정에는 사진 식각 공정이 포함되며, 사진 식각 공정은 세정, 포토레지스트막 도포, 소프트 베이킹(soft-baking), 정렬/노광, 현상, 하드 베이킹(hard-baking), 에칭, 포토레지스트막 제거, 및 세척 과정으로 구분된다.
소프트 베이킹은 웨이퍼 상에 포토레지스트 용액을 분사한 후, 상기 포토레지스트 용액을 가열하는 공정이다. 이로써, 포토레지스트 용액은 웨이퍼 상에 소정 의 막으로 형성된다. 한편 하드 베이킹은 상기 포토레지스트 막을 현상한 후, 소프트 베이킹 온도보다 약 40 ~ 60℃ 높은 온도에서 수행된다. 하드 베이킹은 현상 공정 후, 포토레지스트 막 내에 잔존하는 여분의 용제 및 수분을 제거함으로써 포토레지스트 막의 접착력, 내약품성 및 내구력을 증진시킨다.
상술한 소프트 및 하드 베이킹은 노광과 현상 공정에서 포토레지스트 막의 공정 선폭에 밀접한 관계를 가지고 있으므로 포토레지스트 막의 종류에 따라 지정된 온도 및 시간을 정확히 지켜야 한다. 상술한 소프트 및 하드 베이킹 공정을 수행하기 위한 장치를 베이킹 장치라 한다.
종래의 베이킹 장치는 챔버 내부에 배치된 베이킹 플레이트 상면에 웨이퍼를 안착시킨 후, 베이킹 플레이트의 하부에 설치된 히터를 이용하여 웨이퍼를 기 설정된 온도로 가열한다.
도 1은 종래에 개시된 베이킹 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 베이킹 플레이트를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 베이킹 장치(10)는 챔버(20), 베이킹 플레이트(30), 이송 유닛(40) 및 히터(50)를 포함한다.
챔버(20)는 베이킹 바울(bowl, 24)과, 베이킹 바울(24) 상부에 선택적으로 접촉하는 베이킹 커버(cover, 22)를 포함한다. 베이킹 커버(22) 및 베이킹 바울(24)은 웨이퍼(11) 가공 공정을 수행하기 위한 공간을 한정한다. 베이킹 바울(24) 내부에는 베이킹 플레이트(30)가 설치된다.
베이킹 플레이트(30)는 원반 형상을 갖으며. 웨이퍼(11)를 밑에서 받쳐 지지 한다. 베이킹 플레이트(30)에는 이송 유닛(40)이 인접하게 배치된다.
이송 유닛(40)은 베이킹 플레이트(30)의 중심부에 배치된 이송핀(42)들과, 이송핀(42)들에 승강력을 제공하기 위한 구동기(도시되지 않음)를 포함한다. 이 경우, 이송핀(42)들은 베이킹 플레이트(30)를 관통하여 승강 가능하다. 베이킹 플레이트(30) 내부에는 히터(50)가 배치된다.
히터(50)는 다수의 열선들을 포함하며, 도 2에 도시된 바와 같이 베이킹 플레이트(30)에 원형띠 형상으로 배치된다.
베이킹 플레이트(30) 상에 웨이퍼(11)가 안착되면, 히터(50)는 베이킹 플레이트(30)를 가열한다. 웨이퍼(11)는 베이킹 플레이트(30)의 열을 전달받아 가열된다. 이 결과, 웨이퍼(11)상에 도포된 포토레지스트 막이 경화된다.
전술한 바와 같은, 종래의 베이킹 장치(10)에서 베이킹 플레이트(30)는 히터(50)의 배치 형상에 따라 국부적으로 가열된다. 베이킹 플레이트(30)가 국부적으로 가열됨에 따라 웨이퍼(11)가 전체적으로 균일하게 가열되지 못하여 부위별 온도 차이가 발생한다. 상기 온도 차이로 인하여 포토레지스트 막은 불균일한 두께로 경화되고, 후속 공정의 심각한 결함 요인으로 작용한다.
보다 양질의 반도체 소자들을 제조하기 위해서 막대한 연구비용이 투자되고 있는 현실을 고려해볼 때 반도체 가공의 공정 조건이 철저히 관리되어야 하는 것은 당연하다. 따라서 웨이퍼를 균일하게 가열할 수 있는 기술이 절실히 요구된다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발 명의 목적은 반도체 기판을 균일 및 효율적으로 가열할 수 있는 베이킹 장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 베이킹 장치는 반도체 기판 가공 공정이 수행되는 프로세스 챔버, 프로세스 챔버 내부에 배치되어 반도체 기판을 지지하는 베이킹 플레이트, 베이킹 플레이트를 마주보도록 프로세스 챔버 내부 상측에 배치되고, 동일 평면상에서 회전하며 웨이퍼를 가열하는 히팅 유닛, 베이킹 플레이트를 수용하기 위한 베이킹 바울, 베이킹 바울의 상부에 배치되어 베이킹 바울과 함께 반도체 기판 가공 공간을 한정하며, 그 하부에 히팅 유닛이 설치된 베이킹 커버, 및 반도체 기판 가공 공간을 밀폐하기 위한 베이킹 커버가 베이킹 바울에 밀착되도록 베이킹 커버를 승강시키는 구동 유닛을 포함한다. 히팅 유닛은 하방으로 열을 방출하는 히팅 플레이트, 및 히팅 플레이트에 회전력을 제공하는 모터를 포함한다. 프로세스 챔버는 베이킹 플레이트를 수용하는 베이킹 바울과, 히팅 유닛이 설치되는 베이킹 커버를 포함한다. 베이킹 커버는 베이킹 바울로부터 승강하여 히팅 플레이트와 반도체 기판의 간격을 조절한다.
본 발명에 따르면, 히팅 플레이트를 회전시킴으로써 반도체 기판 상에 도포된 포토레지스트 막을 균일하게 가열할 수 있다. 따라서 포토레지스트 막의 특성은 향상되고, 공정 효율은 극대화 된다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 베이킹 장치에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의하여 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이킹 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시한 반도체 기판과 히팅 유닛이 밀착된 상태를 설명 하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 베이킹 장치(100)는 프로세스 챔버(110), 베이킹 플레이트(120), 제1 리프터(130), 제2 리프터(140), 및 히팅 유닛(150)을 포함한다.
프로세스 챔버(110)는 반도체 기판(W)에 대한 가공 공정을 수행하기 위한 공간을 한정한다. 프로세스 챔버(110)는 베이킹 커버(112)와 베이킹 바울(114)을 포함한다. 베이킹 커버(112) 및 베이킹 바울(114)은 모두 실린더 형상을 갖으며, 상하로 서로 마주보게 배치된다. 또한, 베이킹 커버(112)에는 베이킹 커버(112)를 베이킹 바울(114)로부터 승강시키기 위한 구동기(도시되지 않음)가 연결된다.
베이킹 커버(112) 내부에는 히팅 유닛(150)이 설치되고, 베이킹 바울(114) 내부에는 베이킹 플레이트(120), 제1 리프터(130), 및 제2 리프터(140)가 설치된다. 우선, 베이킹 바울(114) 내부에 설치된 베이킹 플레이트(120), 제1 리프터(130), 및 제2 리프터(140)에 대하여 설명하면 다음과 같다.
베이킹 플레이트(120)는 전체적으로 원반 형상을 갖으며, 중심부에는 복수개의 홀(122)들이 형성된다. 복수개의 홀(122)들에는 이후 설명될 제2 리프터(140)가 삽입된다.
베이킹 플레이트(120)의 하부에는 제1 리프터(130) 및 제2 리프터(140)가 설치된다. 제1 리프터(130)는 베이킹 플레이트(120)의 주변부에 결합되어 베이킹 플레이트(120)를 승강시킨다. 제2 리프터(134)는 베이킹 플레이트(120)의 중심 하부에 설치되며, 베이킹 플레이트(120)에 형성된 홀(122)들을 관통하여 수직방향으 로 승강한다. 제2 리프터(134)는 반도체 기판(W)을 베이킹 플레이트(120) 상면에 배치하거나, 베이킹 플레이트(120) 상면으로부터 반도체 기판(W)을 분리한다. 이어서, 베이킹 커버(112)에 내부에 설치된 히팅 유닛(150)에 대하여 설명하면 다음과 같다.
히팅 유닛(150)은 히팅 플레이트(152), 및 모터(154)를 포함한다. 히팅 플레이트(152)는 베이킹 플레이트(120)에 지지된 반도체 기판(W)을 마주보도록 베이킹 커버(112) 내부에 배치된다. 히팅 플레이트(152)의 후방부에는 베이킹 커버(112) 내벽에 고정된 모터(154)가 결합된다.
히팅 플레이트(152)는 전체적으로 원반 형상을 갖으며, 내부에 열선(156)들이 내장된다. 히팅 플레이트(152)는 하방으로 열을 방출하여 베이킹 플레이트(120)에 지지된 반도체 기판(W)을 가열한다. 이 경우, 열선(156)들은 히팅 플레이트(152)의 중심으로부터 주변부로 갈수록 거의 균일한 간격을 갖도록 방사상으로 배치되는 것이 바람직하다.
히팅 플레이트(152)는 모터(154)에 의하여 반도체 기판(W) 상부에서 수평방향으로 회전된다.
모터(154)는 베이킹 커버(112) 내벽에 고정되고, 히팅 플레이트(152)의 후방에 결합된다. 모터(154)는 히팅 플레이트(152)를 베이킹 커버(112)에 고정할 뿐만 아니라, 히팅 플레이트(152)를 동일 평면상에서 회전시킨다.
히팅 플레이트(152)가 모터(154)에 의해 회전하면서 하방으로 열을 방출함에 따라, 히팅 플레이트(152) 하부에 위치한 반도체 기판(W)은 전면에 걸쳐서 실질적 으로 균일하게 가열된다. 반도체 기판(W)이 균일하게 가열됨에 따라, 반도체 기판(W) 상면에 코팅된 포토레지스트 용액도 균일하게 가열된다. 이 결과, 반도체 기판(W) 상의 포토레지스트 용액은 양질의 막으로 경화된다. 여기서 양질의 막이란 접착력, 내약품성 및 내구력의 향상을 의미한다.
보다 발전적으로는, 반도체 기판(W)을 보다 효과적으로 가열하기 위하여 베이킹 플레이트(120)에 보조 열선(158)들을 내장시킬 수도 있다. 이 경우, 보조 열선(158)들도 베이킹 플레이트(120)의 중심부로부터 주변부로 갈수록 균일하게 배치하는 것이 바람직하다.
반도체 기판(W)의 온도를 측정하기 위하여 베이킹 플레이트(120)에 온도 센서(160)가 내장되고, 히팅 유닛(150)에 연결된 제어부(170)는 온도 센서(160)로부터 제공된 온도 정보에 따라 히팅 유닛(150)의 작동을 제어한다. 보다 자세하게 설명하면, 제어부(170)는 온도 센서(160)로부터 제공된 온도 정보에 따라 열선(156) 및 보조 열선(158)의 발열량을 제어하고, 히팅 플레이트(152)의 회전 속도를 제어한다. 당연히, 제1 리프터(130), 제2 리프터(140) 그리고 베이킹 커버(112)를 승강시키기 위한 구동기도 제어부(170)에 의하여 제어된다. 이하, 본 실시예에 따른 베이킹 장치(100)를 이용한 베이킹 공정에 대하여 간략하게 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 베이킹 커버(112)가 베이킹 바울(114)로부터 상승되어 프로세스 챔버(110)가 개방되면, 반도체 기판(W)이 프로세스 챔버(110) 내부로 제공된다. 반도체 기판(W)은 베이킹 플레이트(120)로부터 돌출된 제2 리프터(140) 상에 배치된다. 제2 리프터(140)는 하강하여 반도체 기판(W)을 베이킹 플레이트(120) 상면에 배치한다. 이후, 도 4에 도시된 바와 같이 베이킹 커버(112)가 하강하여 베이킹 바울(114)에 접촉하여 프로세스 챔버(110)를 밀폐한다. 제1 리프터(130)는 베이킹 플레이트(120)를 상승시켜 반도체 기판(W)을 히팅 유닛(150)에 밀착시킨다. 모터(154)가 히팅 플레이트(152)를 회전시킴에 따라 반도체 기판(W)은 전면에 걸쳐서 균일하게 가열된다. 이 결과, 반도체 기판(W) 상에 코팅된 포토레지스트 용액이 양질의 막으로 형성된다. 히팅 플레이트(152)가 회전될 경우, 베이킹 플레이트(120)도 보조 열선(158)에 의하여 가열됨에 따라 반도체 기판(W)을 하면으로부터 가열한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 반도체 기판(W)을 균일하게 가열할 수 있을 뿐만 아니라 신속하게 가열할 수 있어, 반도체 기판(W) 상에 양질의 포토레지스트 막을 신속하게 형성할 수 있다. 반도체 기판(W) 상에 양질의 포토레지스트 막을 형성함에 따라 이후 노광 및 현상공정에서 미세한 공정 선폭을 얻을 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이킹 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 6은 도 5에 도시한 반도체 기판과 히팅 유닛이 밀착된 상태를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 본 실시예에 베이킹 장치는 상기 실시예에 따른 베이킹 장치와 많은 부분이 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명을 피하기 위하여 동일한 참조 부호에 대한 설명은 생략한다. 하지만 이것이 본 발명을 제한하거나 한정하는 것이 아님은 자명한 사실이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 베이킹 장치(200)는 프로세스 챔버(210), 베이킹 플레이트(220), 제1 리프터(130), 제2 리프터(140), 및 히팅 유닛(150)을 포함한다.
프로세스 챔버(210)는 반도체 기판(W)에 대한 가공 공정을 수행하기 위한 공간을 한정한다. 프로세스 챔버(210)는 베이킹 커버(212), 베이킹 바울(214) 및 베이킹 셔터(216)를 포함한다.
베이킹 커버(212)는 베이킹 바울(214) 상부에 배치되며, 베이킹 셔터(216)는 베이킹 바울(214) 내부에 배치된다. 베이킹 셔터(216)에는 베이킹 셔터(216)를 베이킹 커버(212)에 밀착시키기 위한 구동기(도시되지 않음)가 연결된다. 베이킹 셔터(216)가 베이킹 커버(212)에 밀착되면 프로세스 챔버(210)가 폐쇄된다.
베이킹 커버(212) 내부에는 히팅 유닛(150)이 설치되고, 베이킹 바울(214) 내부에는 베이킹 플레이트(220), 제1 리프터(130), 및 제2 리프터(140)가 설치된다.
베이킹 플레이트(220)는 전체적으로 원반 형상을 갖으며, 중심부에는 복수개의 홀(222)들이 형성된다. 복수개의 홀(122)들에는 제2 리프터(140)가 삽입된다. 베이킹 플레이트(220) 상면 주변부에는 원형 띠 형상의 가이드 링(224)이 배치된다. 가이드 링(224)은 반도체 기판(W)의 하면 주변부에 접촉하여 반도체 기판(W)을 지지한다. 가이드 링(224)은 반도체 기판(W)의 하면이 베이킹 플레이트(220)에 접촉되어 오염되는 것을 방지한다.
상시 실시예에서와 같이 본 실시예의 베이킹 장치(200)에서도 반도체 기판(W)의 온도를 측정하기 위하여 베이킹 플레이트(220)에 온도 센서(160)가 내장 되고, 히팅 유닛(150)에 연결된 제어부(270)는 온도 센서(160)로부터 제공된 온도 정보에 따라 히팅 유닛(150)을 제어한다. 또한, 제어부(270)는 제1 리프터(130), 제2 리프터(140) 그리고 베이킹 셔터(216)의 작동을 제어한다. 이하, 본 실시예에 따른 베이킹 장치(200)를 이용한 베이킹 공정에 대하여 간략하게 설명한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 베이킹 셔터(216)가 베이킹 바울(214) 내부로 하강하여 프로세스 챔버(210)가 개방되면, 반도체 기판(W)이 프로세스 챔버(210) 내부로 제공된다. 반도체 기판(W)은 베이킹 플레이트(220)로부터 돌출된 제2 리프터(140) 상에 배치된다. 제2 리프터(240)는 하강하여 반도체 기판(W)을 베이킹 플레이트(220) 상의 가이드 링(224)에 배치한다. 이후, 도 4에 도시된 바와 같이 베이킹 셔터(216)가 상승하여 베이킹 커버(212)에 밀착되고, 프로세스 챔버(210)는 밀폐된다. 제1 리프터(130)는 베이킹 플레이트(220)를 상승시켜 반도체 기판(W)을 히팅 유닛(150)에 밀착시킨다. 모터(154)가 히팅 플레이트(152)를 회전시킴에 따라 반도체 기판(W)은 전면에 걸쳐서 균일하게 가열된다. 이 결과, 반도체 기판(W) 상에 코팅된 포토레지스트 용액이 양질의 막으로 형성된다. 히팅 플레이트(152)가 회전될 경우, 베이킹 플레이트(220)도 보조 열선(158)에 의하여 가열됨에 따라 반도체 기판(W)을 하면으로부터 가열한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 반도체 기판(W)을 균일하게 가열할 수 있을 뿐만 아니라 신속하게 가열할 수 있어, 반도체 기판(W) 상에 양질의 포토레지스트 막을 신속하게 형성할 수 있다. 반도체 기판(W) 상에 양질의 포토레지스트 막을 형성함에 따라 이후 노광 및 현상공정에서 미세한 공정 선폭을 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 반도체 기판 상부에 회전하는 히터 유닛을 배치하여 반도체 기판을 균일하게 가열할 수 있다. 이 결과 반도체 기판 상에 코팅된 포토레지스트 막의 접착력, 내약품성 및 내구력이 향상되며, 후속 공정 에러 또한 급격히 감소된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (9)

  1. 반도체 기판을 가공하기 위한 공간을 한정하는 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 내부에 배치되어 상기 반도체 기판을 지지하는 베이킹 플레이트;
    상기 베이킹 플레이트에 지지된 반도체 기판을 마주보도록 상기 프로세스 챔버 내부 상측에 배치되고, 상기 반도체 기판을 균일하게 가열하기 위하여 동일 평면상에서 회전하며 열을 방출하는 히팅 유닛;
    상기 베이킹 플레이트를 수용하기 위한 베이킹 바울;
    상기 베이킹 바울의 상부에 배치되어 상기 베이킹 바울과 함께 상기 공간을 한정하며, 그 하부에 상기 히팅 유닛이 설치된 베이킹 커버; 및
    상기 공간을 밀폐하기 위하여 상기 베이킹 커버가 상기 베이킹 바울에 밀착되도록 상기 베이킹 커버를 승강시키는 구동 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 베이킹 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 히팅 유닛은 열선이 내장된 히팅 플레이트; 및
    상기 히팅 플레이트에 연결되어 회전력을 제공하는 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이킹 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 열선은 상기 히팅 플레이트에 나선형으로 배치된 것을 특징으로 하는 베이킹 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판의 온도를 측정하기 위하여 상기 베이킹 플레이트에 내장된 온도 센서; 및
    상기 온도 센서로부터 제공된 반도체 기판의 온도 정보에 따라 상기 히팅 유 닛의 작동을 제어하기 위한 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베이킹 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판을 가열하기 위하여 베이킹 플레이트에 내장된 보조 히팅 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베이킹 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 베이킹 커버는 상기 베이킹 바울로부터 이격되어 배치되고, 상기 프로세스 챔버는 상기 공간을 밀폐하기 위하여 승강 가능하도록 상기 베이킹 바울 내에 배치된 베이킹 셔터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베이킹 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 베이킹 플레이트 상에 지지된 반도체 기판과 상기 히팅 유닛 사이의 거리를 조절하기 위해 상기 베이킹 플레이트를 승강시키는 리프터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베이킹 장치.
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