KR20060068073A - 베이크 장치 - Google Patents

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KR20060068073A
KR20060068073A KR1020040106009A KR20040106009A KR20060068073A KR 20060068073 A KR20060068073 A KR 20060068073A KR 1020040106009 A KR1020040106009 A KR 1020040106009A KR 20040106009 A KR20040106009 A KR 20040106009A KR 20060068073 A KR20060068073 A KR 20060068073A
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Abstract

포토레지스트 막이 형성된 기판을 소프트 베이크하기 위한 베이크 장치에 있어서, 반도체 기판이 핫 플레이트 상에 지지되고 가열된다. 이때, 상기 반도체 기판 상에 포토레지스트 막에 포함된 용매(solvent)가 증발하여 퓸(fume)을 형성한다. 상기 퓸으로 발생할 수 있는 문제점을 방지하기 위하여 상기 베이크 장치는 상기 퓸을 외부로 배출하기 위한 배출부를 포함한다. 상기 배출부는 배기 라인으로 연결된 펌프를 포함하고, 상기 퓸은 배기 라인과 연통된 배출 홈 및 배출 공 등을 통해 외부로 배출된다.

Description

베이크 장치{Bake apparatus}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시에에 따른 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 베이크 장치 100 : 공정 챔버
102 : 커버 104 : 핫 플레이트
106 : 스페이서 108 : 가이드 부재
110 : 리프트 핀 112 : 세라믹 핀
120 : 배출부 122 : 배출 홈
124 : 배출공 126 : 배기 라인
128 : 펌프 132 : 지지부
142 : 제어부
본 발명은 베이크 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 포토레지스트 막이 형성된 기판에 대하여 소프트 베이크 공정을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; 'FAB') 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 반도체 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트막 내의 용매를 제거하여 균일하고 건조한 포토레지스트 막을 얻기 위하여 상기 반도체 기판을 소프트 베이크하는 단계와, 상기 반도체 기판을 노광하는 단계와, 상기 반도체 기판을 현상하여 소정의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 패턴을 경화시키기 위해 하드 베이크 공정을 더 수행한다.
상기 소프트 베이크 공정을 수행하기 위한 장치에 대하여 살펴보면, 상기 베이크 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하기 위한 공정 챔버와, 포토레지스트 막이 형성된 기판을 지지하고 가열하기 위한 핫 플레이트를 포함한다.
상기 포토레지스트는 폴리머(polymer), 광감응제(sensitizer), 용매(solvent) 및 첨가물(additive)로 구성되어 있다. 자세하게, 폴리머는 CxHy 형태로 에칭 또는 이온 주입 공정 시 고체 마스크의 역할을 수행하는 유기 고체 물질이며, 광감응제는 노광 공정 시 광과 반응하여 광화학적인 반응을 일으켜 폴리머의 구조를 변형시키는 역할을 한다. 감광제의 약 75%에 해당되는 것이 액체 상태의 용매로, 상기 용매는 원활한 감광액 도포를 위하여 사용된다. 상기 첨가물은 광화학 반응을 제어하기 위한 색소 등을 포함한다.
상기 소프트 베이크 공정을 수행하는 동안 포토레지스트 막에 포함된 용매가 증발된다. 상기 용매를 포토레지스트 막으로부터 제거하는 이유는 크게 두 가지이다. 첫째, 용매가 포토레지스트 막에 잔존하면 노광 공정이 수행되는 동안 상기 용매가 폴리머의 광화학적 반응을 방해한다. 둘째, 용매가 제거되면 포토레지스트 막이 상기 기판 상에 잘 흡착된다. 따라서 상기 포토레지스트 막에 포함된 용매는 제거되어야 한다.
그러나 상기 소프트 베이크 공정을 수행하는 동안 발생되는 퓸이 상기 공정 챔버 내부에 잔존하여 핫 플레이트 및 공정 챔버 커버를 오염시키는 문제점이 발생되고 있다.
또한, 상기 잔존하는 퓸이 소프트 베이크 공정을 수행한 후, 온도가 낮아지면 다시 액화되어 상기 공정 챔버 커버와 같은 곳에 맺히게 된다. 상기 용매가 다른 기판 상으로 떨어져 상기 기판의 불량을 일으키는 문제점이 발생되고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 소프트 베이크 공정을 수행하는 동안 발생되는 퓸을 공정 챔버 외부로 배출하기 위한 베이크 장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 상부 및 하부가 개방되고 포토레지스트 막이 형성된 기판에 대하여 베이크 공정을 수행하기 위하여 공간을 제공하기 위한 공정 챔버와, 상기 공정 챔버의 상부를 개폐하기 위한 커버와, 상기 공정 챔버의 하부에 배치되어 상기 공간을 한정하며, 기판을 지지하고, 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트 막을 경화시키기 위한 핫 플레이트와, 상기 공정 챔버와 연결되며, 상기 포토레지스트 막을 경화시키는 동안 발생되는 퓸(fume)을 상기 공정 챔버로부터 배출시키기 위한 배출부와, 상기 커버의 개방과 연동하여 상기 배출부가 상기 퓸을 배기시키도록 상기 배출부의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 핫 플레이트 상에 배치되어 상기 기판과 상기 핫 플레이트 사이에서 소정의 간격을 유지시키기 위한 스페이서와, 상기 스페이서 상으로 상기 기판을 안내하기 위한 가이드 부재와, 상기 핫 플레이트를 관통하여 배치되어 있으며 상기 기판을 상기 스페이서 상에 로딩 및 언로딩시키기 위한 다수의 리프트 핀들을 더 포함한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 포토레지스트 막이 형성된 기판에 대하여 소프트 베이크 공정을 수행하는 동안 발생되는 퓸을 공정 챔버 외부로 배출시켜 상기 퓸으로 인한 문제점들을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 베이크 장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1에서 도시된 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 베이크 장치(10)는, 상부가 개방된 공정 챔버(100)와, 상기 공정 챔버(100)의 상부를 개폐하기 위한 커버(102)와, 상기 공정 챔버(100)의 하부에 배치되며 기판(W) 상에 형성된 포토레지스트 막을 경화시키기 위한 핫 플레이트(104)와, 상기 공정 시 발생되는 퓸을 공정 챔버(100)로부터 배출시키기 위한 배출부(120)와, 상기 커버(102) 및 배출부(120)의 동작을 제어하기 위한 제어부(142)를 포함한다.
또한, 상기 베이크 장치(10)는, 상기 반도체 기판(W)을 핫 플레이트(104)와 소정 거리 이격 시키기 위한 스페이서(106)와, 상기 스페이서(106) 상으로 상기 반도체 기판(W)을 안내하기 위한 가이드 부재(108)와, 상기 반도체 기판(W)을 상기 스페이서(106) 상으로 로딩 및 언로딩하기 위한 다수의 리프트 핀(110)들을 더 포 함한다.
공정 챔버(100)는 상부 및 하부가 개방된 실린더 형상을 갖으며, 상기 공정 챔버(100) 하부에는 내측으로 돌출된 환형 단차부(144)가 형성되어 있다. 상기 환형 단차부(144)는 상기 환형 단차부(144)를 관통하는 적어도 하나의 배출공(124)이 형성되어 있다.
또한, 상기 공정 챔버(100)의 측벽의 상부에는 상기 커버(102) 및 공정 챔버(100)가 밀폐되도록 오링(O-ring, 130)이 장착되어 있다. 구체적으로, 상기 오링(130)은 상기 공정 챔버(100)의 측벽의 상부면 상에 형성된 그루브(미도시) 내에 장착되어 있으며, 상기 기판(W)에 대한 소프트 베이크 공정이 수행되는 동안 상기 공정 챔버(100)로부터의 열 방출을 억제하며 오염물이 공정 챔버(100) 내부로 유입되는 것을 방지하기 위하여 사용된다.
커버(102)는 상기 공정 챔버(100) 상에 위치하며, 상하 구동하여 상기 공정 챔버(100)의 상부를 개폐한다. 자세하게, 상기 커버(102)는 제1구동부(144)와 제1구동축(미도시)으로 연결되며, 상기 제1구동부(144)에 의해 커버(102)가 상승하면 상기 공정 챔버(100)의 상부는 개방되며, 상기 제1구동부(144)에 의해 커버(102)가 하강하면 상기 공정 챔버(100)의 상부가 폐쇄된다.
이때, 상기 커버(102)가 하강하면 공정 챔버(100) 상부에 장착된 오링(130)에 의해 상기 공정 챔버(100) 및 커버(102)는 밀봉되고, 상기 공정 챔버(100) 및 커버(102)에 의해 공정 공간이 형성된다.
핫 플레이트(104)는 상기 공정 챔버(100)와 결합되어 있다. 자세하게, 상기 공정 챔버(100)의 환형 단차부 상에 핫 플레이트(104)가 위치하며 나사 결합 방식으로 상기 환형 단차부와 핫 플레이트(104)가 결합된다. 이때, 상기 핫 플레이트(104)는 상기 챔버(100)의 측벽과 소정의 간격 이격되어 상기 환형 단차부 상에 결합된다. 따라서, 상기 핫 플레이트(104)의 에지 및 상기 챔버(100)의 측벽 사이에 배출 홈(112)이 형성된다. 상기 배출 홈(112)은 상기 베이크 공정 수행 시 발생되는 퓸을 외부로 배출하기 위한 통로의 기능을 수행한다. 상기 배출 홈(112)은 상기 환형 단차부에 형성된 적어도 하나의 배출공(124)과 연통되어 있다.
또한, 자세하게 도시되어 있지는 않지만, 상기 핫 플레이트(104)는 내부에 히터(미도시)를 구비한다. 상기 히터는 상기 핫 플레이트(104) 상에 지지된 반도체 기판(W) 상에 형성된 포토레지스트 막의 용매를 증발시킨다. 상기 히터로는 통상의 저항 열선이 사용된다.
상기 핫 플레이트(104)의 하부면 중앙 부위에는 원형 홈이 형성되어 있으며, 상기 원형 홈은 원형 캡(136)에 의해 커버(102)된다. 상세하게 도시되어 있지는 않았으나, 상기 원형 캡(136)은 나사 결합 방식으로 상기 원 홈(136)에 결합될 수 있으며, 상기 원형 홈과 원형 캡(136) 사이에는 외부로부터 유입될 수 있는 오염물을 방지하기 위한 오링(미도시)과 같은 밀봉 부재가 기재될 수 있다.
상기 원형 홈 및 원형 캡(136)으로 정의된 공간(138)에는 후에 설명되어질 다수의 리프트 핀(110)들을 지지하기 위한 지지부(132)가 배치되며, 상기 지지부(132)는 원형 캡(136)을 통해 연장되는 제2구동축(134)에 의해 제2구동부(140)와 연결되어 상하 구동할 수 있다.
배출부(120)는 상기 공정 공간에서 베이크 공정을 수행하는 동안 상기 반도체 기판(W) 상에 형성된 포토레지스트 막에서 증발한 퓸을 상기 공정 챔버(100) 외부로 배출한다.
상기 배출부(120)는 상기 퓸을 제거하기 위한 배기 라인(126)를 포함한다. 상기 배기 라인(126)는 상기 적어도 하나의 배출공(124)과 배기 라인(126)으로 연결되어 있다. 또한, 상기 설명되어진 바와 같이 상기 배출공(124)은 상기 배출 홈(112)과 연통되어 있다.
상기 퓸이 공정 챔버(100)로부터 배출되는 과정을 살펴보면, 상기 공정 공간에서 형성된 퓸은 상기 배기 라인(126)의 흡입력으로 상기 핫 플레이트(104)와 챔버(100)로 한정된 배출 홈(112) 및 챔버(100)의 환형 단차부의 배출공(124)을 따라 상기 배기 라인(126)으로 플로우되어 상기 공정 챔버(100) 외부로 배출된다.
제어부(142)는 상기 커버(102)를 승강시키기 위한 제1구동부(144) 및 상기 배출부(120)의 배기 라인(126)와 연결되어 있다. 자세하게, 상기 커버(102)를 상승시키기 위하여 제1구동부(144)를 동작시킴과 동시에 상기 배기 라인(126)를 동작시켜 상기 퓸을 공정 챔버(100) 외부로 배출한다.
스페이서(106)들은 상기 핫 플레이트(104)의 외주를 따라 등간격으로 다수 개가 형성되어 있다. 상기 스페이서(106)는 상기 반도체 기판(W)을 상기 핫 플레이트(104)로부터 소정의 높이만큼 이격시켜 상기 반도체 기판(W) 모든 영역으로 동일한 열을 제공받도록 하는 기능을 한다.
가이드 부재(108)는 상기 각각의 스페이서(106) 상에 위치하고, 상기 반도체 기판(W)을 상기 다수의 스페이서(106)들의 상부로 안내하며, 상기 반도체 기판(W)을 고정시킨다. 자세하게, 상기 가이드 부재(108)는 작은 원통형이며, 상기 스페이서(106)의 직경보다 작은 직경을 갖으며, 상기 가이드 부재(108)와 상기 스페이서(106)는 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 가이드 부재(108)는 상기 반도체 기판(W)을 상기 다수의 스페이서(106)들의 상부로 안내하기 위하여 경사진 측면을 갖는다.
다수의 리프트 핀(110)들은 핫 플레이트(104)를 관통하여 상기 지지부(132) 상에 고정되어 위치하며, 반도체 기판(W)을 상기 스페이서(108) 상으로 로딩 또는 언로딩하기 위하여 상하 운동한다. 상기 리프트 핀(110)은 적어도 세 개 이상이어야 정상적으로 기능한다. 한편, 상기 리프트 핀(110)들은 반응 공정 챔버(100) 하부에 위치하는 제2구동부(140)는 상기 핫 플레이트(104)의 캡의 중앙을 관통하여 상기 지지부(132)를 구동하기 위한 제2구동부(140)와 연결되어 있다.
또한, 상기 리프트 핀(110)들 중에 하나는 베이크 공정을 수행하는 동안 발생될 수 있는 정전기를 방지하기 위한 세라믹 핀(112)일 수 있다.
상기와 같은 구성 요소를 포함하는 베이크 장치(10)에서 수행되어지는 베이크 공정을 살펴보면, 우선 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판(W)이 베이크 공정 챔버(100) 내부로 이동한다. 이때, 상기 반도체 기판(W)이 소정의 구동 유닛(미도시)에 파지되며 상기 구동 유닛에 의해 상기 공정 챔버(100) 내부로 이동할 수 있다.
상기 공정 챔버(100) 내부에 위치한 반도체 기판(W)은 제2구동부에 의해 상 승된 리프트 핀(110)들 상에 로딩된다. 이어서, 상기 리프트 핀(110)들을 하강하고 스페이서(106)들 상부에 상기 반도체 기판(W)을 로딩한다. 상기 반도체 기판(W)이 스페이서(106)들 상부로 로딩되는 동안 다수의 가이드 부재(108)들이 상기 반도체 기판(W)을 스페이서(106)들 상부로 안내한다.
상기 반도체 기판(W)이 상기 스페이서(106)들 상에 로딩된 후, 상기 이송 로봇(미도시)이 상기 공정 챔버(100)의 외부로 이동하면, 커버(102)의 제1구동부(144)가 상기 커버(102)를 하강시켜 상기 공정 챔버(100) 내부를 밀폐시킨다.
히터에 의해 상기 핫 플레이트(104) 및 반도체 기판(W)이 가열되며 상기 반도체 기판(W)의 모든 영역을 동일하게 가열한다.
자세하게, 상기 반도체 기판(W) 상에는 포토레지스트 막을 형성되어 있으며, 상기 포토레지스트에 포함되어 있는 용매를 증발시키기 위하여 약 90 내지 120℃로 상기 핫 플레이트(104)를 가열한다. 상기 가열 온도는 115℃가 바람직하다.
상기 가열 공정이 수행되는 동안 상기 반도체 기판(W)의 포토레지스트 막의 용매는 증발하게 되고, 증발된 퓸이 상기 공정 챔버(100)에 형성하게 된다.
상기 반도체 기판(W)에 대한 가열 공정 후, 상기 리프트 핀(110)들이 상승하여 상기 반도체 기판(W)을 상기 스페이서(106)들로부터 언로딩한다. 이때, 세라믹 핀(112)이 상기 베이크 공정 중에 발생될 수 있는 정전기를 제거하여 상기 언로딩을 수월하게 할 수 있다.
상기 리프트 핀(110)들이 상승하고 상기 커버(102)가 열리면 제어부(142)에서는 진공 펌프(128)를 가동시켜 상기 공정 챔버(100) 내부에 형성된 퓸을 배출한 다.
자세하게, 상기 퓸은 배기 라인(126)의 흡입력으로 상기 핫 플레이트(104) 및 공정 챔버(100) 측벽에 의해 한정된 배출 홈(112)과 상기 원형 단차부에 형성된 적어도 하나의 배기공을 따라 배기 라인(126)으로 플로우되어 상기 공정 챔버(100) 외부로 배출된다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 베이크 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 베이크 장치(20)는 상부가 개방된 공정 챔버(200)와, 상기 공정 챔버의 상부를 개폐하기 위한 커버(202)와, 상기 공정 챔버(200)의 하부에 배치되며 기판(W) 상에 형성된 포토레지스트 막을 경화시키기 위한 핫 플레이트(204)와, 상기 공정 시 발생되는 퓸을 공정 챔버(200)로부터 배출시키기 위한 배출부와, 상기 커버(202) 및 배출부의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함한다.
또한, 상기 베이크 장치는 상기 반도체 기판(W)을 핫 플레이트(204)와 소정 거리 이격 시키기 위한 스페이서(206)와, 상기 스페이서(206) 상으로 상기 반도체 기판(W)을 안내하기 위한 가이드 부재(208)와, 상기 반도체 기판(W)을 상기 스페이서(206) 상으로 로딩 및 언로딩하기 위한 다수의 리프트 핀(210)들을 더 포함한다.
핫 플레이트(204)는 상기 핫 플레이트(204)를 관통하는 다수의 배출공(222)들을 형성하고 있다. 상기 배출공(222)들은 상기 핫 플레이트(204)의 중심으로부터 방사상으로 등간격으로 형성되어 있다. 그러나, 상기 배출공(222) 사이의 간격 및 상기 배출공(222)의 수량은 본 발명에서 한정하지 않는다. 상기 배출공(222)들은 각각 배기 라인(224)과 연결되어 있다.
한편, 도시되어진 바와 같이 상기 핫 플레이트(204) 상부의 내부에는 상기 배출공(222)들과 연통되는 배출 공간을 형성할 수 있다. 상기 배출 공간 하부의 일 부분이 배기 라인(224)과 연통되어 있다.
배출부(220)는 상기 공정 챔버(200)와 배기 라인(224)을 통해 연결된 펌프(226)를 포함한다. 상기와 배출부(220)를 이용하여 공정 챔버(200) 내부에서 베이크 공정을 수행하는 동안 상기 반도체 기판(W)에 형성된 포토레지스트 막으로부터 발생되는 퓸을 배출하는 과정에 대하여 설명하면 다음과 같다.
상기 퓸은 상기 공정 챔버(200) 및 커버(202)에 의해 한정된 공정 공간에 형성된다. 상기 퓸은 상기 펌프의 흡입력으로 상기 다수의 배출공(222)을 따라 상기 배기 라인(224)으로 플로우 되어 상기 공정 챔버(200) 외부로 배출된다.
한편, 상기 퓸은 상기 펌프의 흡입력으로 상기 다수의 배출공(222) 및 상기 배출공(222)과 연통된 배출 공간을 따라 상기 배기 라인(224)으로 플로우되어 상기 공정 챔버(200) 외부로 배출된다.
상기와 같은 구성 요소들에 대한 추가적인 상세 설명은 도 1 및 도 2에 도시된 베이크 장치(10)와 관련하여 이미 설명된 것들과 유사하므로 생략하기로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 베이크 공정을 수행하는 동안 포토레지스트에 포함된 용매가 증발되며, 상기 증발된 퓸을 배출하기 위하여 핫 플레이트와 공정 챔버 측벽에 의하여 한정된 배출 홈과, 원형 단차부에 형성된 적어도 하나의 배기 공과, 배기 라인을 통해 펌프를 이용하여 상기 공정 챔버로부터 배출한다.
또한, 상기 공정 챔버를 개폐하기 위한 제1구동부와 펌프가 연동하여, 커버가 상승하도록 제1구동부를 구동시킴과 동시에 상기 펌프가 구동하여 상기 퓸을 공정 챔버의 외부로 배출할 수 있다.
따라서, 퓸이 공정 공간에 잔존함으로써 발생될 수 있는 공정 챔버 및 핫 플레이트의 오염을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. 상부 및 하부가 개방되고 포토레지스트 막이 형성된 기판에 대하여 베이크 공정을 수행하기 위하여 공간을 제공하기 위한 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 상부를 개폐하기 위한 커버;
    상기 공정 챔버의 하부에 배치되어 상기 공간을 한정하며, 기판을 지지하고, 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트 막을 경화시키기 위한 핫 플레이트;
    상기 공정 챔버와 연결되며, 상기 포토레지스트 막을 경화시키는 동안 발생되는 퓸(fume)을 상기 공정 챔버로부터 배출시키기 위한 배출부; 및
    상기 커버의 개방과 연동하여 상기 배출부가 상기 퓸을 배기시키도록 상기 배출부의 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 베이크 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공정 챔버는 상부 및 하부가 개방된 실린더 형상을 갖고, 상기 공정 챔버의 하부에는 내측으로 돌출된 환형 단차부가 형성되어 있으며, 상기 핫 플레이트는 환형 단차부 상에 결합되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 배출부는 상기 공정 챔버와 배기 라인을 통해 연결된 펌프를 포함하며, 상기 퓸은 상기 공정 챔버의 측벽과 상기 핫 플레이트의 측벽에 의해 한정되는 배출홈과, 상기 공정 챔버의 환형 단차부를 관통하는 적어도 하나의 배출공 및 상기 적어도 하나의 배출공과 연결된 배기 라인을 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 배출부는 상기 핫 플레이트와 배기 라인을 통해 연결된 펌프를 포함하며, 상기 퓸은 상기 핫 플레이트를 관통하여 형성된 적어도 하나의 배기공과, 상기 적어도 하나의 배출공과 연결된 배기 라인을 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 배기공은 상기 핫 플레이트 내부에 형성된 배기 공간과 연통되어 있으며, 상기 배기 공간과 배기 라인이 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 커버를 승강시키기 위한 구동부를 더 포함하며, 상기 제어부는 상기 구동부의 동작에 따라 상기 배출부의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 핫 플레이트 상에 배치되어 상기 기판과 상기 핫 플레이트 사이에서 소정의 간격을 유지시키기 위한 스페이서와, 상기 스페이서 상으로 상기 기판을 안내하기 위한 가이드 부재와, 상기 핫 플레이트를 관통하여 배치되어 있으며 상기 기판을 상기 스페이서 상에 로딩 및 언로딩시키기 위한 다수의 리프트 핀들을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100943503B1 (ko) * 2007-12-28 2010-02-22 주식회사 동부하이텍 챔버 가스 배출 장치

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