JPH0529342A - パワーｍｉｓｆｅｔの製造方法 - Google Patents

パワーｍｉｓｆｅｔの製造方法

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JPH0529342A
JPH0529342A JP3159780A JP15978091A JPH0529342A JP H0529342 A JPH0529342 A JP H0529342A JP 3159780 A JP3159780 A JP 3159780A JP 15978091 A JP15978091 A JP 15978091A JP H0529342 A JPH0529342 A JP H0529342A
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transistor cell
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 少ない写真工程で低ボルトパワーＭＩＳＦＥ
Ｔを製造する方法を提供する。 【構成】 第１写真工程で多珪素層３を構造化し、セル
８の場及び縁領域１６、１７を製造する。次いで第１酸
化物層２を施し、これを第２写真工程でセル及び縁領域
並びに縁４とセルとの間で開放させる。次いで金属層１
８を施し、これを第３写真工程でセルと縁４との間で遮
断する。これにより磁気抵抗素子及びチャネルストッパ
９を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタセルの場
並びに少なくとも１個の磁気抵抗素子及び少なくとも１
つのチャネルストッパを備えた半導体基体を有するパワ
ーＭＩＳＦＥＴを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のＭＩＳＦＥＴの製造方法は広く
実施されている。この種のパワーＭＩＳＦＥＴの微細構
造を製造するためにはこの場合少なくとも４つの、好ま
しくは５又はそれ以上の写真工程が必要とされる。各写
真工程に対して１つのマスクが必要である。製造費の十
分な削減は写真工程を減らすことによってのみ達成する
ことができるに過ぎない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、単に３つの
写真工程で足りる、低ボルトパワーＭＩＳＦＥＴ用とし
て使用可能の方法を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
の本発明の方法は、次の各工程： ａ） 半導体基体を第１酸化物層で被覆し、ｂ） 第１
酸化物層を多珪素層で被覆し、ｃ） 多珪素層を第１写
真工程により構造化し、ｄ） トランジスタセル及び上
下に重ね合わされた縁領域を形成し、ｅ） 半導体基体
を第２酸化物層で被覆し、ｆ） 第２写真工程により第
２酸化物層中でトランジスタセル及び縁領域の範囲内に
接触孔又は接触範囲を、また多珪素層中でトランジスタ
セルと縁領域との間にトランジスタセルを囲む環状のく
ぼみを形成し、ｇ） このくぼみを介して半導体基体に
半導体基体とは異なり導電性のドーパントを、トランジ
スタセル及び縁領域用として使用した線量よりも小さい
線量で注入し、ｈ） 半導体基体を金属層で被覆し、
ｉ） 金属層及び多珪素層を、第３写真工程により環状
のくぼみの範囲で完全に中断させることによって特徴づ
けられる。
【０００５】
【実施例】次に本発明の一実施例を図１〜図５に基づき
詳述する。これらの図面は本発明の主要な処理工程のみ
を示すもので、全ての工程が示されているものではな
い。
【０００６】図１には半導体基体１が示されており、こ
れは例えば弱いｎ導電性である。半導体基体１を、ゲー
ト酸化物として使用される第１酸化物層２で被覆する。
引続きこの層２を多珪素層３で被覆する。
【０００７】多珪素層３を第１写真工程で構造化する
が、その際トランジスタセル８用の開口５及びチャネル
ストッパ９用の縁部に存在する開口１９が生じる（図
２）。これらの開口は傾斜側面を有し、従って多珪素層
３はソース領域６及びベース領域７を製造するための或
は縁４に存在するチャネルストッパ９の上下に重ね合わ
された領域１６、１７を製造するためのマスクとして利
用することができる。ソース領域６、ベース領域７及び
縁領域１６、１７を公知の方法で、例えば砒素イオン又
は燐イオン或は硼素イオンを注入することによって製造
する。この場合硼素イオンのエネルギーは比較的大き
く、従ってこれはマスクとして使用した多珪素層３の面
取りされた部分を透過し、半導体基体１内に深く入り込
む。この工程でトランジスタセル８及び縁領域１６、１
７を製造する。
【０００８】次の工程（図３）として、第１酸化物層２
より数倍厚い第２酸化物層１０を施す。この酸化物層１
０は半導体基体１の全表面を覆う。第２写真工程で第２
酸化物層１０を構造化する。これはトランジスタセル８
及び縁領域１６、１７を、ベース領域７並びに縁領域１
７にまで達する接触孔１１又は接触範囲１３が生じるよ
うに開放する。同じ写真工程で第２酸化物層１０中でト
ランジスタセル８と縁領域１６、１７との間に、トラン
ジスタセル８を環状に取り囲む開口１４を形成させる。
接触孔１１及び接触範囲１３をベース領域７又は縁領域
１７の表面まで開放する同じエッチング過程はまた環状
のくぼみ１２を多珪素層３内にまでエッチングする。引
続き半導体基体１の表面に例えば、半導体基体１とは異
なる導電性の環状領域１５を形成する硼素イオンを注入
する。適用された線量はソース領域６及びベース領域７
又は縁領域１６、１７を製造するために使用した線量よ
りも少ない。従って接触孔１３の範囲内のトランジスタ
セル８のドーピングは無視し得る程度に変化するに過ぎ
ない。領域１５とトランジスタセル８との間で半導体基
体１の表面は更に第２酸化物層１０によってイオン注入
から遮蔽される（図４）。
【０００９】引続き半導体基体１の表面に例えばアルミ
ニウムからなる金属層１８を施す。この層はトランジス
タセル８用のソース接触を形成し、ソース領域６とベー
ス領域７との間に、パワーＭＩＳＦＥＴには欠くことの
できない分路をもたらす。チャネルストッパ９の範囲で
金属層１８が縁領域１６、１７を接触する。第３の最終
写真工程で多珪素層３及び金属層１８を領域１５上で完
全に中断する（図５）。引続き全表面を更に例えば窒化
珪素からなる不活性化層で被覆することができる。この
工程は図面には示されていない。
【００１０】別の実施態様によれば図４に示したイオン
注入を、多珪素層３及び金属層１８の中断（図５）後に
初めて行うこともできる。この場合金属層１８はマスク
として作用する。
【００１１】トランジスタセル８と接続された金属層１
８はこれと接続された多珪素層３の一部と一緒に磁気抵
抗素子として作用する。縁領域１６、１７と接続された
金属層１８は、これと接続された多珪素層３と連結され
た状態でチャネルストッパ用電極として作用する。縁領
域１７を画成するｐｎ接合は機械的切断過程によるその
縁状態によって、例えば鋸挽きにより極めて劣化するこ
とから、この場合にはチャネルストッパ９と半導体基体
１の基板との間には比較的良好な接触が生じる。領域１
６は同じ理由からソース領域として作用することはな
い。領域１５は保護環として作用し、浮動電位上にあ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１酸化物層及び多珪素層を有する半導体基体
の横断面図。
【図２】本発明方法の第１写真工程後における図１に相
応する横断面図。
【図３】第２酸化物層を施した後の図２に基づく横断面
図。
【図４】本発明方法の第２写真工程後における図３に基
づく横断面図。
【図５】本発明方法の第３写真工程後における図４に基
づく横断面図。
【符号の説明】
１ 半導体基体 ２ 第１酸化物層 ３ 多珪素層 ４ 縁 ５ トランジスタセル用開口 ６ ソース領域 ７ ベース領域 ８ トランジスタセル ９ チャネルストッパ １０ 第２酸化物層 １１ 接触孔 １２ 環状くぼみ １３ 接触範囲 １４ 開口 １５ 環状領域 １６、１７ 縁領域 １８ 金属層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 トランジスタセルの場並びに少なくとも
    １個の磁気抵抗素子及び少なくとも１つのチャネルスト
    ッパを備えた半導体基体を有するパワーＭＩＳＦＥＴを
    製造するに当たり、以下の各工程： ａ） 半導体基体（１）を第１酸化物層（２）で被覆
    し、 ｂ） 第１酸化物層を多珪素層（３）で被覆し、 ｃ） 多珪素層（３）を第１写真工程により構造化し、 ｄ） トランジスタセル（８）及び上下に重ね合わされ
    た縁領域（１６、１７）を形成し、 ｅ） 半導体基体（１）を第２酸化物層（１０）で被覆
    し、 ｆ） 第２写真工程により第２酸化物層（１０）中でト
    ランジスタセル（８）及び縁領域（１６、１７）の範囲
    内に接触孔（１１）又は接触範囲（１３）を、また多珪
    素層（３）中でトランジスタセル（８）と縁領域（１
    ６、１７）との間にトランジスタセルを囲む環状のくぼ
    み（１２）を形成し、 ｇ） このくぼみ（１２）を介して半導体基体（１）に
    半導体基体（１）とは異なる導電性のドーパントを、ト
    ランジスタセル及び縁領域用として使用した線量よりも
    小さい線量で注入し、 ｈ） 半導体基体（１）を金属層（１８）で被覆し、 ｉ） 金属層（１８）及び多珪素層（３）を、第３写真
    工程により環状のくぼみ（１２）の範囲で完全に中断さ
    せることを特徴とするパワーＭＩＳＦＥＴの製造方法。
  2. 【請求項２】 工程ｉ）を工程ｇ）の前に実施すること
    を特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 工程ｉ）及びｇ）の後に半導体基体
    （１）を不活性化層で被覆することを特徴とする請求項
    １又は２記載の方法。
JP3159780A 1990-06-05 1991-06-03 パワーｍｉｓｆｅｔの製造方法 Pending JPH0529342A (ja)

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EP90110611A EP0460251B1 (de) 1990-06-05 1990-06-05 Herstellverfahren für einen Leistungs-MISFET
AT90110611.2 1990-06-05

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JPH0529342A true JPH0529342A (ja) 1993-02-05

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ID=8204054

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