JPH05290788A - クランプ機構 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 イオン注入装置において基板を鉛直方向にし
てイオンを照射するとごみなどが基板に付着せず望まし
い。基板の搬送は水平方向になされるから、基板を台の
上に戴置した後、基板を台に固定して台を９０度回転し
なければならない。この際に基板を台に固定したり離脱
したりできる機構を提供する。 【構成】 下台５と上台６よりなる支持台を９０度回転
可能な回転ブロック２の上に設置する。押え板８を上台
６の上に設け、押え板８の下面に引下げ棒９を固着しこ
れを下台５と上台６の穴に通してバネ１０により引き下
げる。引下げ棒と一体に副棒１１を設けこれが基板７を
押し上げるようにする。押え板８の両側に揺動棒１８と
ロ−ラ１７を設け外部の駆動機構により揺動棒１８を回
転させる。揺動棒１８は３点で停止できる。揺動棒１８
の位置により、押え板８が持ち上げられたり、基板７が
持ち上げられたりする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、イオン注入装置等の
真空装置において、支持台に基板を固定するためのクラ
ンプ機構に関する。イオン注入装置において半導体ウエ
ハ等にイオンを照射するようになっている。処理は高真
空中で行われる。真空室を試料の交換の度に大気にさら
すのは望ましくない。そこで、基板の搬送は、フォ−ク
等の搬送機構を用いて処理室の真空を破らないように自
動的になされる。搬送機構は基板等を水平に搬送する。
基板を上向きに置き、イオン照射を、上から下に向かっ
てすると、基板の上にごみが付いたりして望ましくな
い。

【０００２】そこで、基板を横向きにして、横向きにイ
オン照射がなされる。搬送は水平方向になされるから、
イオン照射のためには基板を９０度回転させ基板を横向
きにする必要がある。この場合は、基板を乗せた台を９
０度回転するので基板を台に一時的に固定しなければな
らない。このための機構がクランプ機構である。本発明
は特にガラス基板等の大きく重い基板の場合のクランプ
機構に関する。

【０００３】

【従来の技術】Ｓｉウエハの場合にイオン注入するとい
うことは既に広く行われている。しかし広く重いガラス
基板のようなものにイオン注入するということはこれま
でにあまりなされていない。たとえなされていたとして
も、基板を上向きにして上からイオンを照射するもので
あった。この場合は基板の台への固定ということが問題
にならない。Ｓｉウエハの場合は、より小さく軽いので
基板の保持、搬送等は極めて簡単な機構で行える。また
Ｓｉウエハの場合は技術的蓄積が厚く、基板の台への固
定機構も既に用いられている。

【０００４】例えば特公昭６３−７６５３号は、Ｓｉウ
エハのイオン注入装置に於いて、ウエハを台に保持して
これを９０度回転し、水平方向からイオンを照射する機
構が開示されている。これは台と押え板の間にウエハを
挟み、台を９０度回転させるものである。押え板の下に
引下げ棒を固着し、引下げ棒をバネにより台から押し下
げている。引下げ棒の下端を押し上げれば、押え板が台
とウエハより上昇する。このために、ウエハを搬送でき
るようになる。このままでは、ウエハを持ち上げること
ができない。そこで台に２本の溝を掘り、２本のベルト
を溝に通してウエハを持ち上げることができるようにな
っている。このような装置において、下から長い棒材で
前記の引下げ棒を突き上げることにより、押え板を台か
ら引き離すことができる。

【０００５】このような下方から引下げ棒９を突き上げ
る機構を図１０〜図１２によって説明する。図１０は基
板７を、押え板８と上台６によって挟んだ状態を示す。
これは保持状態である。基板７を保持するための台は上
台６と下台５とよりなる。台は、下方の回転ブロック２
に支持される。回転ブロック２は水平に伸びる回転棒３
によって支持されている。上台６はウエハに対応した大
きさの矩形状の板である。これには穴１５、１６があ
る。引下げ棒９が外側の穴１６を通りうる。引下げ棒９
の一部には副棒１１が固着されており、これが、内側の
穴１５を貫く。引下げ棒９はバネ１０によって上台６に
対して押し下げられている。引下げ棒９の上端は押え板
８の下面に固着してある。バネ１０によって押え板８が
台に対して弾性的に押し付けられる。図１０はバネ１０
の力で基板７が上台６と押え板８の間に固定された状態
である。引下げ棒９の下方には、突き上げ棒５０があり
その先端に接触子５１がある。

【０００６】図１１は、突き上げ棒５０を上昇させて、
引下げ棒９を上方へ動かしている状態を示す。接触子５
１の上端が、引下げ棒９の下端５２を突き上げる。引下
げ棒９が上昇する。これに固着されている押え板８が基
板７から離れ上昇する。このとき、引下げ棒９と同体で
ある副棒１１も穴１５の中を上昇し、基板７の裏面に接
近している。さらに突き上げ棒５０を上昇させると、図
１２のようになる。副棒１１が基板７を持ち上げてい
る。基板７と上台６の間に空間が生ずるので、この空間
に搬送機構の先端６１をさし込むことができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような基板の回転
支持機構は、イオン照射を水平方向から行うために必要
になる。以上に説明したものはＳｉウエハに関するもの
である。これは軽量で薄く小さいので、台や搬送機構も
小さい。図１３はイオン照射を水平方向から行うことを
示す概略図である。前方にイオン源があり、処理室の内
部に基板を支持する台がある。これは９０度回転でき
る。破線が搬送位置である。実線がイオン注入をするた
めの位置である。上台６、下台７、回転ブロック２、基
板７、押え板８、引下げ棒９ともども回転してしまうの
である。このために突き上げ棒５０は別体になってい
る。これは、下方から引下げ棒９を突き上げるものであ
り、真空チャンバが小さい時はこれも小さく短くあまり
問題がない。

【０００８】しかし、基板が大きく重いガラスやセラミ
ック板であれば、真空チャンバも大きくならざるとえな
い。この場合に、図１０〜１２の突き上げ棒を用いると
すれば、棒が長大なものになる。真空チャンバ内の他の
機構や、その運動の邪魔になり、望ましいものではな
い。また長大な棒を用いて圧力をかけるのであるから、
座屈を起こさないようにかなり太い棒を用いる必要があ
る。これも機構を肥大化させる原因になる。さらに棒を
長手方向に動かすのであるから真空チャンバの壁面に大
きいベロ−ズを備えた直線導入器を必要とする。大きい
ベロ−ズの存在は真空チャンバの機構を複雑にし、真空
装置の負担が大きくなる。このような欠点を解決し、機
構がより簡単で動作が円滑であり他の機構の邪魔になら
ない装置を提供することが本発明の目的である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のクランプ機構
も、基板を台と押え板とで挟み、押え板はばねで基板を
弾性的に台に押し付け、押え板には引下げ棒の上端が固
着されている。また引下げ棒と一体の副棒によって基板
を押し上げるようになっている。このような構造は同じ
である。しかし引下げ棒や押え板の上方への移動機構が
異なる。本発明においては、引下げ棒を下から長い突き
上げ棒によって押し上げるのではなく、左右側方から揺
動棒とロ−ラによって押え板を押し上げるようにする。
揺動棒は、外部から駆動力が与えられて回転する。揺動
棒の停止点が３点を取るようにする。これに対応して、
外部に設けられた駆動装置も３点の停止点を持つものと
する。停止点を確実にするために中間点で停止可能なシ
リンダー、例えばタンデムシリンダー（（株）小金井製
作所：商品名）や、デュアル行程シリンダー（ＳＭＣ
（株）：商品名）を用いるとよい。

【００１０】揺動棒が最下点にあるときは、ロ−ラは押
え板から離れた状態にある。この場合は、押え板はバネ
の弾性力のために基板を上台に押し付けている。基板が
クランプされている。揺動棒が中間位置にあるときは、
ロ−ラが押え板を持ち上げていて、基板は自由である
が、台に乗ったままの状態である。揺動棒が最上点にあ
るときは、押え板がさらに持ち上げられて、基板が副棒
で持ち上げられ台から離れた状態である。この状態で、
基板と台の間に搬送機構の先端を差し込むことができ
る。３点で確実に停止すれば良いので、タンデムシリン
ダ−に限らず、通常のステップモ−タによる駆動も用い
ることができる。

【００１１】

【作用】本発明のクランプ機構は、押え板の左右両側か
ら揺動棒によって押え板を持ち上げるので駆動力は全て
回転の形で伝達され、直線運動を伴わない。軸と、軸受
け、歯車は必要であるが、長い軸や、これを長手方向に
移動させるための直線導入器や、大きいベロ−ズを必要
としない。太い棒材を使わなければならないということ
もない。また押え板８の側方に力を加えるので、短い棒
材のみで構成できる。これらの利点は真空チャンバの構
造を大いに簡略化し、真空排気装置の負担を軽減する。

【００１２】

【実施例】図１は本発明の実施例にかかるクランプ機構
の概略正面図、図２は基板、押え板、揺動棒の近傍のみ
の平面図である。真空チャンバ１はイオンを基板に照射
するための処理室である。真空排気装置（図示せず）が
接続され内部を真空に引くことができる。またゲ−トバ
ルブ（図示せず）により隣接する真空チャンバとつなが
っている。真空チャンバ１の内部には、回転ブロック２
が水平の回転棒３によって支持される。回転棒３はチャ
ンバ壁において回転導入器４によって外部の回転部材と
連結されている。回転ブロック２の上には、下台５と上
台６とが上下に固定される。上台６の上面には基板７が
戴置される。この基板７はガラスセラミック等大きく厚
く重いものである。半導体ウエハのように軽く薄く小さ
いものではない。押え板８が基板７を上から押さえてい
る。押え板８は中央に大きい開口を有する。これはイオ
ンを通すために必要である。押え板８の下面には４本の
引下げ棒９の上端が固着される。

【００１３】引下げ棒９は上下に伸びる棒材であるが、
これはバネ１０によって押し下げられる。バネ１０は、
引下げ棒９の中間の分岐部と、上方の上台６の下面で挟
まれるような配置である。バネ１０のために、押え板８
が基板７を上台６に押し付ける。これが固定状態であ
る。引下げ棒９は分岐部から側方に副棒１１を備える。
これは基板７を押し上げるためのものである。回転ブロ
ック２と下台５は支持部材１２によって結合固着され
る。下台５と上台６とは支持部材１３、１４によって結
合固着される。上台６には４隅に、内穴１５と外穴１６
が穿孔されている。内穴１５には副棒１１が、外穴１６
には引下げ棒９の先端が挿通されうる。引下げ棒９と、
副棒１１と押え板８とは一体であるから常に同一の変位
をする。引下げ棒９の上端と副棒１１の上端の高さは異
なり、副棒１１の上端の方が低くなっている。これはま
ず押え板８を持ち上げその後で、基板７を持ち上げるよ
うになっているのである。

【００１４】本発明では引下げ棒９を下から押し上げる
のではなく、左右両側から、ロ−ラ１７によって押え板
８を持ち上げるのである。これを持ち上げると同時に引
下げ棒９と副棒１１も持ち上がる。図２に示すように引
下げ棒９、副棒１１は４つある。ロ−ラ１７も４つあ
る。ロ−ラ１７はそれぞれ短い揺動棒１８によって支持
される。２本の平行な揺動棒１８は反対側の端部で水平
方向の軸１９に固着されている。軸１９にはベベルギヤ
２０が取り付けられる。これは直角方向の他のベベルギ
ヤ２１に噛合う。このベベルギヤ２１は垂直方向に真空
チャンバ１の壁を貫く軸２２に固着される。実際にはこ
れは回転導入器であるから、軸が内外に連続していると
は限らない。外部の軸には第３のベベルギヤ２４が固着
される。これはさらに第４のベベルギヤ２５に噛合う。
このベベルギヤ２５は、水平の伝達軸２６に固着されて
いる。伝達軸２６のいずれかの箇所には、ピニオン２７
が固着される。これはラック２８と噛み合っている。ラ
ックは直線運動してピニオンを回転させる。ラックの運
動については後に述べる。

【００１５】この例では４つのベベルギヤを両方の伝達
系に利用している。同等のベベルギヤを使うと、左右の
揺動棒１８の回転角速度を同一にできる。また伝達軸２
６は中央から左右に同一方向の回転力を伝えるが、ベベ
ルギヤ２５、２４の噛合いで左右の軸２２の回転方向が
反対になる。このために左右の揺動棒１８の回転方向も
互いに逆方向になる。つまり左右の揺動棒１８は反対方
向に同一の各速度で回転できる。ベベルギヤの噛合いで
あるから、初めに両方の軸の位相を揃えておけば、揺動
棒１８の角度を左右で常に一致させることができる。ピ
ニオン２７の回転によって、左右の揺動棒１８、１８は
同じ高さを保ちながら揺動することができる。これは３
つの異なる回転角の位置で停止できる。最上位置、中間
位置、最下位置ということにする。停止位置が確実に定
められているということが重要である。

【００１６】図３〜図５は揺動棒１８の位置の違いによ
るクランプ機構の変化を示す。これは従来例において図
１０〜１２に対応する。図３は、揺動棒１８が最下端に
ある場合を示す。ロ−ラ１７が押え板８に接触していな
い。引下げ棒９、押え板８は一体である。押え板８はバ
ネ１０の弾性力によって下方に引っ張られる。基板７が
押え板８によって上台６に押し付けられる。この状態が
保持状態である。基板７と上台６、回転ブロック２等が
一体であるので回転棒３を回転して、基板７を鉛直方向
（イオン照射位置）にすることができる。

【００１７】図４は揺動棒１８が中間位置にある場合を
示す。揺動棒１８が少し上がるので、ロ−ラ１７が左右
から押え板８を少し持ち上げる。揺動棒１８の先端にロ
−ラ１７があるのは、押え板８を持ち上げるときにこれ
を擦らず傷つけないためである。引下げ棒９は押え板８
に一体であるからこれも引き上げられる。バネ１０は少
し圧縮される。この時副棒１１は内穴１６の中に深く入
っているが、基板７を持ち上げていない。

【００１８】図５は揺動棒１８が最上位置にある場合を
示す。揺動棒１８につれてロ−ラ１７も上がる。これが
さらに押え板８を持ち上げる。引下げ棒９が上がり副棒
１１も上がるので、これが基板７を持ち上げる。基板７
は上台６から離れる。上台６と基板７の間に空間が生ず
る。この空間に側方から搬送機構の先端（フォ−クな
ど）６１を差し入れる。この後、揺動棒１８、ロ−ラ１
７を少し下げると、搬送機構先端６１の上に基板７が乗
る。搬送機構によって基板７を搬送することができる。
処理済みの基板７はこのようにして運び出す。

【００１９】実際には図３〜図５の操作を往復繰り返し
て、一回のイオン注入を行うことができる。初めは図５
の状態で搬送機構から基板７を副棒１１の上に置く。揺
動棒１８、ロ−ラ１７を少し下げる。基板７が上台６の
上に戴置される。これが図４の状態である。さらにロ−
ラ１７を下げると。押え板８が基板７を押さえる。基板
７が上台６の上に固定される。これが図３の状態であ
る。次に外部から回転棒３を操作して回転ブロック２を
９０度回転し、基板７をイオン源の方へ向ける。図６は
この状態を示す。これは正面図であるが、回転ブロック
２と下台５、回転棒３が見えるが、基板７、押え板８等
はこちらからは見えない。揺動棒１８等は上方にありこ
の図の範囲に入らない。

【００２０】揺動棒１８をこのように３つの停止点をも
つように動かす機構を説明する。揺動棒１８は既に述べ
たように、ベベルギヤと軸との組み合わせにより外部の
ピニオン２７、ラック２８の運動から駆動力を得るよう
になっている。ラック２８は直線運動をする。この運動
が問題である。揺動棒１８を３点で停止させなければな
らないのであるから、ラック２８の直線運動も３点で正
確に停止できるものでなければならない。もちろん駆動
機構は真空チャンバの外部にあるのであるからステップ
モ−タ等によっても駆動できる。しかしここでは別異の
例を示す。

【００２１】図７〜図９によってラック２８の運動の例
を説明する。これはタンデムシリンダ−３１によって駆
動する例である。このタンデムシリンダ−３１は、空気
圧または油圧によってふたつのピストンを左右に送るよ
うになっている。第１ピストン３２と第２ピストン３３
はタンデムシリンダ−３１の中に直列に設けられたピス
トンである。第１ピストン３２は第１軸３４に結合され
ている。第２ピストン３３は第２軸３５に結合されてい
る。第１軸３４はラック２８に結合されている。しかし
第２軸３５の他端は自由端である。

【００２２】タンデムシリンダ−３１は壁面に、Ａ口３
６、Ｂ口３７、Ｃ口３８を有する。これらから空気圧ま
たは油圧が送給排出される。Ａ口３６、Ｂ口３７は、第
１ピストン３２を内蔵する第１室４１の両端に連通して
いる。Ｃ口３８は、第２ピストン３３を内蔵する第２室
４２の右端に連通している。第２室４２の左端には単に
空気または油を自然に吸入しあるいは排除するためのＤ
口４３がある。これは動作に積極的な役割を果たさな
い。第１軸３４、第２軸３５はタンデムシリンダ−３１
の壁面を貫くがここには、シ−ル３９が設けられる。第
１ピストン３２、第２ピストン３３の周囲にはＯリング
４０が取り付けてある。第１室４１の方が、第２室４２
よりも長い。

【００２３】図７において、Ａ口３６から流体を供給す
る。第１ピストン３２が右方へ押し込まれる。第１ピス
トン３２が中間壁近傍で止まる。同時に第２ピストン３
３が第２室４２の壁面近傍で止まる。第２軸３５の長さ
を大体第２室４２の長さに等しくすればこのようにでき
る。この状態でラック２８が最も右側に寄る。図８にお
いて、Ｃ口３８から流体を供給する。第２ピストン３３
が左方に移動する。第２軸３５は第１ピストン３２を左
方に押すので、ピストンはともに左方に移動する。第２
ピストン３３は中間壁の近傍まで動く。しかし第２室４
２は第１室４１よりも短いので、第２ピストン３３が中
間壁の近傍で停止してもなお第１ピストン３２は第１室
４１の中間位置に留まっている。この状態でラック２８
は中間位置にある。

【００２４】図９において、Ｂ口３７から流体を供給す
る。第１ピストン３２がさらに左方へ移動し、左壁の近
傍で停止する。第２軸３５の自由端は第１ピストン３２
から離れる。図９では第２ピストン３３が中間の位置で
止まっている状態を示す。第２ピストン３３は他のもの
に結合されていないのでこのような中途半端な状態もあ
るということを示している。ラック２８は最左端に寄っ
ている。

【００２５】ラック２８はピニオン２７を回転させ、こ
れは伝達軸２６に固着されているのであるから、ラック
２８の動きが、揺動棒１８を回転させる。ラック２８
と、揺動棒１８の間には軸とベベルギヤが介在している
のであるから、ラック２８の変位と揺動棒１８の変位の
間には、厳密な対応がある。滑りはない。勿論ベベルギ
ヤの噛合いのバックラッシュがあるがこれは僅かなもの
である。正確に予め定められた３点にロ−ラ１７、揺動
棒１８が停止できるので、基板７の押え板８による保持
状態（図３）、押え板８の引下げ棒９による持ち上げ状
態（図４）、副棒１１による基板７の持ち上げ状態（図
５）の状態を再現性よく実現できる。

【００２６】

【発明の効果】本発明によれば、イオン注入装置におい
て、基板を鉛直方向に立てた状態でイオン照射できるの
で、基板上にごみ等が付着しない。高品質のイオン注入
を行うことができる。基板の搬送は水平方向になされイ
オン注入は基板を鉛直にしてなされるので、基板をクラ
ンプする機構が必要である。この機構として下方から突
き上げ棒を昇降させる方式は、基板が重く大きい場合は
多くの難点があった。ガラス、セラミック基板のように
大きく重く広いものの場合イオン注入装置が大型かする
が、この時下から突き上げ棒を昇降させると、棒の長さ
が大きくなり真空チャンバの他の機構の邪魔になる。ま
た長柱の座屈の問題も起こる。ストロ−クが大きいので
ベロ−ズを含む直線導入器の寸法が大掛かりになる。

【００２７】ところが本発明では側方から揺動棒によっ
て押え板８を持ち上げるようにしているので、長い部材
が不要である。揺動棒や軸等が真空チャンバの内部に備
えられなければならないが、これらは何れも小さい部材
で良いので真空チャンバの内部を狭くしない。真空と大
気の間の関係であるが、従来例の場合は長い直線導入器
を必要としたが、本発明では回転だけを伝達すればよい
のである。シ−ル部の機構が簡略化される。従来の場合
は直線運動をする４本の棒を昇降させなければならず、
当然駆動機構も直線運動をするものでなければならい。
駆動部も大掛かりになってしまった。しかし本発明では
駆動力が全て回転運動として伝達されるら、伝達系が小
体積になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例にかかるクランプ機構を有する
真空チャンバの概略断面図。

【図２】実施例に係るクランプ機構において押え板、揺
動棒、ロ−ラ、軸の部分の平面図。

【図３】実施例に係るクランプ機構においてロ−ラが最
下位置にあり、基板が上台と押え板によって保持されて
いる状態を示す断面図。

【図４】実施例に係るクランプ機構においてロ−ラが中
間位置にあり、押え板が引下げ棒によって持ち上げられ
ている状態を示す断面図。

【図５】実施例に係るクランプ機構においてロ−ラが最
上位置にあり、基板が副棒によって持ち上げられている
状態を示す断面図。

【図６】回転棒、回転ブロックを回転することによりク
ランプ機構を９０度回転させた状態を示す正面図。

【図７】ラックが最右位置にある時のタンデムシリンダ
−の内部のピストンの位置を示す断面図。

【図８】ラックが中間位置にあるときのタンデムシリン
ダ−の内部のピストンを位置を示す断面図。

【図９】ラックが最左位置にある時のタンデムシリンダ
−の内部のピストンの位置を示す断面図。

【図１０】従来のＳｉウエハを扱うイオン注入装置にお
いて用いられるクランプ機構であって押え板が基板を押
さえている状態の断面図。

【図１１】従来のＳｉウエハを扱うイオン注入装置にお
いて用いられるクランプ機構であって押え板が基板から
離れている状態の断面図。

【図１２】従来のＳｉウエハを扱うイオン注入装置にお
いて用いられるクランプ機構であって押え板がさらに持
ち上げられ副棒が基板を持ち上げている状態の断面図。

【図１３】イオン注入装置において基板を９０度回転し
てイオン源に向けることを示す概略図。

【符号の説明】

１ 真空チャンバ ２ 回転ブロック ３ 回転棒 ５ 下台 ６ 上台 ７ 基板 ８ 押え板 ９ 引下げ棒 １０ バネ １１ 副棒 １５ 内穴 １６ 外穴 １７ ロ−ラ １８ 揺動棒 １９ 軸 ２０ ベベルギヤ ２１ ベベルギヤ ２２ 軸 ２４ ベベルギヤ ２５ ベベルギヤ ２６ 伝達軸 ２７ ピニオン ２８ ラック ３１ タンデムシリンダ− ３２ 第１ピストン ３３ 第２ピストン ３４ 第１軸 ３５ 第２軸

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空チャンバの内部において基板を搬送
   機構によって搬送し、内部の台に基板を支持し台を回転
   して基板を横向きにし、基板に対して処理を行う装置
   の、基板の台に対するクランプ機構であって、真空チャ
   ンバの外部から操作できる回転棒３と、回転棒３の先端
   に固着された回転ブロック２と、回転ブロック２の上に
   設けられる下台５と、この上に設けられ基板を戴置すべ
   き上台６と、基板を押さえるために上台６の上に設けら
   れる押え板８と、押え板８の下面に固着され上台６と下
   台５の穴に挿通された複数の引下げ棒９と、引下げ棒９
   と一体に結合され上台６の穴から上へ突出して基板を持
   ち上げることができる副棒１１と、引下げ棒９を押し下
   げるバネ１０と、押え板８の左右側方に設けられる揺動
   棒１８と、揺動棒１８の先端に取り付けられ押え板８を
   下から持ち上げるべきロ−ラ１７と、真空チャンバの外
   部に設けられ３つの停止点を有する駆動装置と、駆動装
   置の動力を前記の揺動棒１８にまで伝達する動力伝達機
   構を有し、揺動棒１８が最下位置にあるときは、押え板
   ８によって基板７が上台６に対して押し付けられ、揺動
   棒１８が中間位置にあるときは、押え板８がロ−ラ１７
   によって持ち上げられ、揺動棒１８が最上位置にあると
   きは、ロ−ラ１７によって押え板８がさらに持ち上げら
   れ副棒１１によって基板７が持ち上げられるようにした
   ことを特徴とするクランプ機構。