JPH05282857A - Memory card device - Google Patents
Memory card deviceInfo
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- JPH05282857A JPH05282857A JP8093192A JP8093192A JPH05282857A JP H05282857 A JPH05282857 A JP H05282857A JP 8093192 A JP8093192 A JP 8093192A JP 8093192 A JP8093192 A JP 8093192A JP H05282857 A JPH05282857 A JP H05282857A
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
EEPROM(エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ)を使
用したメモリカード装置に係り、特にその内部状況を標
準化の規定を損なうことなくモニターすることができる
ようにしたものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory card device using an EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) as a semiconductor memory, and in particular, the internal condition thereof impairs standardization regulations. For things that can be monitored without.
【0002】[0002]
【従来の技術】周知のように、EEPROMは、現在、
磁気ディスクに代わるデータ記録媒体として注目を浴び
ているもので、データ保持のためのバックアップ電池が
不要であるとともに、チップ自体のコストを安くするこ
とができる等、SRAM(スタティック・ランダム・ア
クセス・メモリ)やD(ダイナミック)RAMの持たな
い特有な利点を有することから、特にメモリカード用と
して使用するための開発が盛んに行なわれている。As is well known, EEPROMs are currently
It has attracted attention as a data recording medium that replaces magnetic disks, and it does not require a backup battery for holding data and can reduce the cost of the chip itself. SRAM (static random access memory) ) Or D (dynamic) RAM has a unique advantage that it does not have, and therefore, development for use as a memory card has been actively conducted.
【0003】そして、このメモリカードは、例えば撮影
した被写体の光学像を固体撮像素子を用いて電気的な画
像信号に変換し、この画像信号をデジタル画像データに
変換して半導体メモリに記録する電子スチルカメラ等に
使用して好適するもので、EEPROMをカード状のケ
ースに内蔵してなるメモリカードを、カメラ本体に着脱
自在となるように構成することによって、通常のカメラ
におけるフィルムと等価な取り扱いができるようにして
いるものである。In this memory card, for example, an optical image of a photographed subject is converted into an electric image signal by using a solid-state image pickup device, the image signal is converted into digital image data, and recorded in a semiconductor memory. A memory card that is suitable for use in still cameras, etc., and has an EEPROM built into a card-shaped case that can be attached to and detached from the camera body, so that it can be handled equivalent to a film in a normal camera. It is designed to be able to.
【0004】ところで、EEPROMは、SRAMやD
RAMと違って、データ書き込み回数やデータ保持期間
等に制限がある。すなわち、通常、EEPROMのデー
タ書き込み回数は104 回まで保証され、データ保持期
間は10年まで保証されている。このため、この保証回
数や保証期間を過ぎたEEPROMには、メモリセル自
体に不良が発生しやすくなり、データを正常に書き込ん
で保持することができない不良記憶領域が生じることに
なる。By the way, the EEPROM is an SRAM or a D
Unlike RAM, there are limits to the number of times data can be written, the data retention period, and the like. That is, normally, the number of times of writing data in the EEPROM is 10 4 It is guaranteed up to 10 times and the data retention period is guaranteed up to 10 years. For this reason, in the EEPROM whose guaranteed number of times or guaranteed period has passed, the memory cell itself is apt to have a defect, and a defective storage region in which data cannot be normally written and held occurs.
【0005】そこで、従来では、このようなEEPRO
Mの不良記憶領域にデータの書き込みが要求されること
によるデータの消失を救済するために、メモリカードの
外部からデータ書き込みのために指定したアドレスが、
EEPROMの不良記憶領域であった場合、メモリカー
ド内部でそのデータを他の正常な記憶領域に記憶し、そ
のデータ記憶領域のアドレスと外部指定アドレスとをリ
ンクテーブルによって対応付けるようにした処置が取ら
れている。Therefore, in the past, such EEPRO has been used.
In order to relieve the loss of data due to the request to write data to the defective storage area of M, the address specified for writing data from outside the memory card is
If the defective storage area of the EEPROM, the data is stored in another normal storage area inside the memory card, and the address of the data storage area and the external designated address are associated with each other by the link table. ing.
【0006】このように半導体メモリとしてEEPRO
Mを用いたメモリカードでは、SRAMやDRAMを用
いたメモリカードと異なりシステムが複雑になりがち
で、その複雑になった分、カード内の内部状況をメモリ
カードの外部からモニターしたいという要求が高くな
る。現在のEEPROMを用いたメモリカードでは、カ
ードの検知ビットや何バイトアドレスを入力するか等の
カードステータス情報を外部に出力するモードを備える
ことしか標準化されていない。しかしながら、上記のカ
ードステータス情報だけでは、まだまだカードの内部状
況を十分に把握することができないという問題がある。As described above, EEPRO is used as a semiconductor memory.
A memory card using M tends to have a complicated system, unlike a memory card using SRAM or DRAM, and due to the complexity, there is a strong demand for monitoring the internal state of the card from outside the memory card. Become. The current memory card using the EEPROM is standardized only to have a mode of outputting card status information such as a detection bit of the card and how many byte addresses are input to the outside. However, there is a problem that the internal status of the card cannot be sufficiently grasped only by the above card status information.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】以上のように、半導体
メモリとしてEEPROMを用いた従来のメモリカード
では、カードの内部状況をカード外部から十分にモニタ
ーすることができないという問題を有している。As described above, the conventional memory card using the EEPROM as the semiconductor memory has a problem that the internal condition of the card cannot be sufficiently monitored from the outside of the card.
【0008】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、標準化の規定を損なうことなく内部状況
をカード外部から十分にモニターすることができる極め
て良好なメモリカード装置を提供することを目的とす
る。Therefore, the present invention has been made in consideration of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a very good memory card device capable of sufficiently monitoring the internal condition from the outside of the card without impairing the standardization standard. To aim.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、バスラインに供給されるデータがアドレス
かデータかを指定するアドレス/データ切替信号がアド
レス入力を表わし、データの書き込みか読み出しかを指
定するリード/ライト切替信号がデータ読み出し状態に
設定されたとき、カードステータス情報を出力するもの
を対象としている。そして、カードステータス情報の出
力状態で外部からバスクロックを与えることにより、カ
ードステータス情報に代えてカードの内部状況を表わす
フラグバイトを出力するように構成したものである。In the memory card device according to the present invention, an address / data switching signal designating whether the data supplied to the bus line is an address or data indicates an address input, and whether the data is written or read. When the read / write switching signal designating "1" is set to the data read state, it is intended for outputting the card status information. Then, by applying a bus clock from the outside in the output state of the card status information, a flag byte representing the internal status of the card is output instead of the card status information.
【0010】[0010]
【作用】上記のような構成によれば、カードステータス
情報の出力状態で外部からバスクロックを与えることに
より、カードステータス情報に代えてカードの内部状況
を表わすフラグバイトを出力するようにしたので、標準
化の規定を損なうことなく内部状況をカード外部から十
分にモニターすることができるようになる。According to the above configuration, the bus byte is externally applied in the output state of the card status information so that the flag byte representing the internal status of the card is output instead of the card status information. The internal condition can be sufficiently monitored from the outside of the card without impairing the standardization regulations.
【0011】[0011]
【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラのメモリ
カードに適用した場合の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図1において、符号11はメモリカ
ード本体であり、その一端部に設置されたコネクタ12
を介して、図示しない電子スチルカメラ本体に接続され
るようになされている。このコネクタ12には、電子ス
チルカメラ本体側から、メモリカード本体11に書き込
むべきデジタルデータDAと、その書き込み場所を示す
アドレスデータADとが供給される。これらデジタルデ
ータDA及びアドレスデータADは、バスラインD0〜
D7を介してCPUを内蔵するデータ入出力制御回路1
3に供給されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a memory card of an electronic still camera will be described in detail below with reference to the drawings. In FIG. 1, reference numeral 11 is a memory card main body, and a connector 12 installed at one end thereof.
Via an electronic still camera body (not shown). The connector 12 is supplied with digital data DA to be written in the memory card body 11 and address data AD indicating the writing location from the electronic still camera body side. The digital data DA and the address data AD are transferred to the bus lines D0 to D0.
Data input / output control circuit 1 having a built-in CPU via D7
3 is being supplied.
【0012】また、電子スチルカメラ本体からは、コネ
クタ12に対して、メモリカード本体11を選択したと
きH(ハイ)レベルとなるカードイネーブル信号CE
と、バスラインD0〜D7に供給されたデータがアドレ
スデータADのときL(ロー)レベルとなり、デジタル
データDAのときHレベルとなるアドレス/データ切替
信号A/Dと、EEPROMに対するデータ書き込み要
求のときLレベルとなり、データ読み出し要求のときH
レベルとなるリード/ライト切替信号R/Wと、アドレ
スデータADに同期したバスクロックBCKとが供給さ
れるようになっている。Also, from the electronic still camera body, to the connector 12, a card enable signal CE which becomes H (high) level when the memory card body 11 is selected.
When the data supplied to the bus lines D0 to D7 is the address data AD, it is at the L (low) level, and when it is the digital data DA, it is at the H level and the address / data switching signal A / D and the data write request to the EEPROM When it is L level, when data read request is H
A level read / write switching signal R / W and a bus clock BCK synchronized with the address data AD are supplied.
【0013】これらカードイネーブル信号CE,アドレ
ス/データ切替信号A/D,リード/ライト切替信号R
/W及びバスクロックBCKも、データ入出力制御回路
13に供給されている。また、電子スチルカメラ本体か
らは、コネクタ12を介してEEPROMに対するデー
タのイレースを要求する命令も、データ入出力制御回路
13に供給されるようになっている。そして、このデー
タ入出力制御回路13からは、電子スチルカメラ本体か
らのデジタルデータDAの入力許可時にHレベルとな
り、入力拒否時にLレベルとなるレディ/ビジィ切替信
号RDY/BSYが発生されるようになっている。These card enable signal CE, address / data switching signal A / D, read / write switching signal R
/ W and the bus clock BCK are also supplied to the data input / output control circuit 13. Further, from the electronic still camera body, a command for requesting data erase to the EEPROM is also supplied to the data input / output control circuit 13 via the connector 12. Then, the data input / output control circuit 13 generates a ready / busy switching signal RDY / BSY which becomes H level when the input of the digital data DA from the electronic still camera body is permitted and becomes L level when the input is rejected. Is becoming
【0014】ここで、概略的な動作について説明する
と、上記コネクタ12に供給されたデジタルデータDA
は、データ入出力制御回路13の制御により、一旦バッ
ファメモリ14に取り込まれ記録される。このときのバ
ッファメモリ14のデジタルデータDAの取り込みタイ
ミングは、アドレス発生回路15から出力されるアドレ
スデータによってコントロールされる。また、このアド
レス発生回路15は、セレクタ16によって選択された
クロックCKをカウントして、バッファメモリ14への
アドレスデータを生成している。このセレクタ16に
は、上記バスクロックBCKとデータ入出力制御回路1
3から出力されるクロックYCKとが供給されるように
なっている。Here, the schematic operation will be described. The digital data DA supplied to the connector 12 is described.
Under the control of the data input / output control circuit 13, is temporarily stored in the buffer memory 14 and recorded. At this time, the fetch timing of the digital data DA of the buffer memory 14 is controlled by the address data output from the address generation circuit 15. The address generation circuit 15 also counts the clock CK selected by the selector 16 to generate address data for the buffer memory 14. The selector 16 includes the bus clock BCK and the data input / output control circuit 1
The clock YCK output from the circuit 3 is supplied.
【0015】そして、バッファメモリ14へのデジタル
データDAの取り込み時には、セレクタ16が、データ
入出力制御回路13から出力されるセレクト信号SEL
によってバスクロックBCKを選択し、クロックCKと
してアドレス発生回路15に導出している。このため、
電子スチルカメラ本体からコネクタ12に送出されたデ
ジタルデータDAは、バスクロックBCKに基づいて生
成されるアドレスデータにしたがって、バッファメモリ
14に書き込まれることになる。When the digital data DA is taken into the buffer memory 14, the selector 16 outputs the select signal SEL output from the data input / output control circuit 13.
The bus clock BCK is selected by and is derived to the address generation circuit 15 as the clock CK. For this reason,
The digital data DA sent from the electronic still camera body to the connector 12 is written in the buffer memory 14 according to the address data generated based on the bus clock BCK.
【0016】その後、データ入出力制御回路13は、バ
ッファメモリ14に対するデジタルデータDAの書き込
みが終了すると、セレクト信号SELを制御して、自己
の生成するクロックYCKが、アドレス発生回路15に
導出されるようにセレクタ16を切り替える。このた
め、クロックYCKに基づいてアドレス発生回路15で
生成されるアドレスデータによって、バッファメモリ1
4からデジタルデータDAが読み出される。After that, when the writing of the digital data DA into the buffer memory 14 is completed, the data input / output control circuit 13 controls the select signal SEL to output the clock YCK generated by itself to the address generation circuit 15. The selector 16 is switched as follows. Therefore, the buffer memory 1 is generated by the address data generated by the address generation circuit 15 based on the clock YCK.
The digital data DA is read from 4.
【0017】このとき、データ入出力制御回路13は、
複数のチップでなるEEPROM17に対してチップイ
ネーブル信号CEN及びライトイネーブル信号WEを出
力するとともに、アドレスデータADを出力し、バッフ
ァメモリ14から読み出されたデジタルデータDAを、
EEPROM17に例えば512バイトのページ単位で
書き込むように制御する。そして、EEPROM17に
デジタルデータDAが書き込まれた状態で、データ入出
力制御回路13は、EEPROM17に対して、アウト
イネーブルデータOE及び先にデータの書き込みを指定
したアドレスデータADを出力して、EERPOM17
から書き込んだデジタルデータDAを読み出させ、バッ
ファメモリ14に記録されたデジタルデータDAと一致
しているか否かを判別する、書き込みベリファイを実行
する。At this time, the data input / output control circuit 13 is
The chip enable signal CEN and the write enable signal WE are output to the EEPROM 17 formed of a plurality of chips, the address data AD is output, and the digital data DA read from the buffer memory 14 is output.
Control is performed so that the data is written in the EEPROM 17, for example, in 512-byte page units. Then, in a state where the digital data DA is written in the EEPROM 17, the data input / output control circuit 13 outputs the out enable data OE and the address data AD that previously specifies the writing of data to the EEPROM 17, and the EEPROM 17
The write verify is executed to read the written digital data DA from, and determine whether the digital data DA matches the digital data DA recorded in the buffer memory 14.
【0018】そして、EERPOM17から読み出した
デジタルデータDAと、バッファメモリ14に記録され
たデジタルデータDAとが一致していないと、データ入
出力制御回路13は、再度、バッファメモリ14からE
EPROM17にデジタルデータDAを転送して書き込
みを行ない、この動作が、EERPOM17から読み出
したデジタルデータDAと、バッファメモリ14に記録
されたデジタルデータDAとが完全に一致するまで繰り
返され、ここにデジタルデータDAのEEPROM17
への書き込みが行なわれる。If the digital data DA read from the EERPOM 17 and the digital data DA recorded in the buffer memory 14 do not match, the data input / output control circuit 13 again outputs the data from the buffer memory 14 to E.
The digital data DA is transferred to and written in the EPROM 17, and this operation is repeated until the digital data DA read from the EERPOM 17 and the digital data DA recorded in the buffer memory 14 completely match. DA EEPROM 17
Is written to.
【0019】また、電子スチルカメラ本体からEEPR
OM17に記録されたデータをイレース(消去)する命
令が発生されると、データ入出力制御回路13は、その
消去命令に基づいて消去回路18を駆動する。この消去
回路18は、データ入出力制御回路13の制御に基づい
て、EEPROM17のアドレスライン及びデータライ
ンに消去用の信号を出力することにより、EEPROM
17を電気的にチップイレースまたはページイレースす
る。なお、この消去回路18は、EEPROM17内に
組み込まれているものもある。この場合には、データ入
出力制御回路13からEEPROM7に消去命令を発生
することにより、この命令をEEPROM17内の消去
回路が受けて消去動作が行なわれる。In addition, from the electronic still camera body to the EEPR
When an instruction to erase (erase) the data recorded in the OM 17 is generated, the data input / output control circuit 13 drives the erasing circuit 18 based on the erasing instruction. The erasing circuit 18 outputs an erasing signal to the address line and the data line of the EEPROM 17 under the control of the data input / output control circuit 13, thereby the EEPROM
17 is electrically chip-erased or page-erased. The erase circuit 18 may be incorporated in the EEPROM 17. In this case, by issuing an erase command from the data input / output control circuit 13 to the EEPROM 7, the erase circuit in the EEPROM 17 receives this command and the erase operation is performed.
【0020】次に、EEPROM17から、デジタルデ
ータDAをメモリカード本体11の外部に読み出す動作
について説明する。まず、電子スチルカメラ本体側から
コネクタ12を介して読み出し要求と読み出すべきデー
タの記録されたアドレスとが指定される。すると、デー
タ入出力制御回路13は、EEPROM17に対してチ
ップイネーブル信号CEN,アウトイネーブルデータO
E及びアドレスデータADを出力し、EEPROM17
からページ単位でデジタルデータDAを読み出すととも
に、自己の生成するクロックYCKがアドレス発生回路
15に導出されるようにセレクタ16を切り替え、バッ
ファメモリ14に書き込ませる。Next, the operation of reading the digital data DA from the EEPROM 17 to the outside of the memory card body 11 will be described. First, a read request and a recorded address of data to be read are specified from the electronic still camera body side via the connector 12. Then, the data input / output control circuit 13 sends the chip enable signal CEN and the out enable data O to the EEPROM 17.
E and address data AD are output, and the EEPROM 17
The digital data DA is read in page units from, and the selector 16 is switched so that the clock YCK generated by itself is derived to the address generation circuit 15 and written in the buffer memory 14.
【0021】その後、データ入出力制御回路13は、コ
ネクタ12を介して電子スチルカメラ本体側から供給さ
れるバスクロックBCKが、アドレス発生回路15に導
出されるようにセレクタ16を切り替え、バスクロック
BCKに基づいてアドレス発生回路15で発生されるア
ドレスデータで、バッファメモリ14からデータを読み
出し、コネクタ12を介して電子スチルカメラ本体に導
出させ、ここにデジタルデータDAの読み出しが行なわ
れる。Thereafter, the data input / output control circuit 13 switches the selector 16 so that the bus clock BCK supplied from the electronic still camera main body side via the connector 12 is led to the address generation circuit 15, and the bus clock BCK. Based on the address data generated by the address generation circuit 15, the data is read from the buffer memory 14 and led out to the electronic still camera body through the connector 12, and the digital data DA is read there.
【0022】ここで、カードステータス情報を読み出す
標準化されたモードについて説明する。すなわち、以上
に述べたEEPROM17に対するデジタルデータDA
の書き込み及び読み出し動作をメモリカード本体11の
外部から見ると、つまり、コネクタ12を介して入出力
される信号で見ると、メモリカード本体11に対してデ
ジタルデータDAの書き込み及び読み出しを行なう場合
には、まず、カードイネーブル信号CEをHレベルとし
てメモリカード本体11を選択し、アドレス/データ切
替信号A/D及びリード/ライト切替信号R/Wを共に
Lレベル(アドレス入力で書き込み状態)とし、バスラ
インD0〜D7にアドレスデータADを供給しアドレス
設定する。その後、アドレス/データ切替信号A/Dを
Hレベル(データ入力)とすることにより、メモリカー
ド本体11に対するデジタルデータDAの書き込み及び
読み出しが行なわれる。Here, the standardized mode for reading the card status information will be described. That is, the digital data DA for the EEPROM 17 described above
Seen from the outside of the memory card body 11, that is, the signals input and output through the connector 12, when writing and reading the digital data DA to and from the memory card body 11. First, the card enable signal CE is set to H level to select the memory card main body 11, and both the address / data switching signal A / D and the read / write switching signal R / W are set to L level (write state by address input), The address data AD is supplied to the bus lines D0 to D7 to set the address. After that, by setting the address / data switching signal A / D to the H level (data input), writing and reading of the digital data DA to / from the memory card body 11 are performed.
【0023】このため、通常の書き込み及び読み出し動
作において、アドレス設定時には、アドレス/データ切
替信号A/D及びリード/ライト切替信号R/Wは共に
Lレベルとなっている。そこで、図3に示すように、通
常の書き込み及び読み出し動作のアドレス設定時におい
ては絶対に存在しない、アドレス/データ切替信号A/
DがLレベルでリード/ライト切替信号R/WがHレベ
ルに設定されたとき、データ入出力制御回路13は、デ
ジタルデータDAとしてカードステータス情報をバスラ
インD0〜D7に送出するように設計されている。な
お、このようなカードステータス情報の標準化された出
力モードでは、バスクロックBCKは使用していない。Therefore, in the normal write and read operations, both the address / data switching signal A / D and the read / write switching signal R / W are at the L level when the address is set. Therefore, as shown in FIG. 3, the address / data switching signal A /
When the D / L level and the read / write switching signal R / W are set to the H level, the data input / output control circuit 13 is designed to send the card status information as digital data DA to the bus lines D0 to D7. ing. The bus clock BCK is not used in the standardized output mode of the card status information.
【0024】ここで、上記のようなカードステータス情
報の出力状態において、図2に示すように、バスクロッ
クBCKが供給されると、データ入出力制御回路13
は、1回目のバスクロックBCKに同期してバスライン
D0〜D7へのカードステータス情報の送出を停止し、
2回目以降のバスクロックBCKに同期してフラグバイ
ト1,2,……をバスラインD0〜D7に送出するよう
に動作する。このフラグバイト1,2,……は、例えば
“10000000”でエラー発生を示し、“11000000”でカー
ドが寿命になったことを示し、“10100000”で不良が発
生したことを示し、“10010000”で活線抜去(メモリカ
ード本体11が電子スチルカメラ本体とデータ転送中に
引き抜かれた)が生じたことを示し、“10001000”でカ
ード内部で何らかのエラーが起きサービスマンを呼ぶこ
とを示し、“10000100”でアドレス指定が違うことを示
し、“10000010”で書き込み保護(ライトプロテクト)
がかかっていることを示している。Here, in the output state of the card status information as described above, when the bus clock BCK is supplied as shown in FIG. 2, the data input / output control circuit 13 is provided.
Stops sending card status information to the bus lines D0 to D7 in synchronization with the first bus clock BCK,
It operates so as to send flag bytes 1, 2, ... To the bus lines D0 to D7 in synchronization with the second and subsequent bus clocks BCK. For example, "10000000" indicates that an error has occurred, "11000000" indicates that the card has reached the end of its life, "10100000" indicates that a defect has occurred, and "10010000" indicates the flag bytes 1, 2, ... Indicates that hot-line removal has occurred (the memory card body 11 was pulled out during data transfer with the electronic still camera body), and "10001000" indicates that some error occurred inside the card and calls a service person. "10000100" indicates that the addressing is different, and "10000010" indicates write protection.
Indicates that it is hanging.
【0025】この場合、カードステータス情報の出力状
態でバスクロックBCKが供給されると、データ入出力
制御回路13は、1回目のバスクロックBCKに同期し
てレディ/ビジィ切替信号RDY/BSYをLレベルに
設定して外部からの入力拒否状態となり、フラグバイト
1,2,……をカード内の図示しない出力用レジスタに
セットする。そして、フラグバイト1,2,……を出力
用レジスタにセットし終わると、データ入出力制御回路
13は、レディ/ビジィ切替信号RDY/BSYをHレ
ベルに設定して、2回目以降のバスクロックBCKに同
期してフラグバイト1,2,……をバスラインD0〜D
7に送出する。In this case, when the bus clock BCK is supplied in the output state of the card status information, the data input / output control circuit 13 outputs the ready / busy switching signal RDY / BSY to L in synchronization with the first bus clock BCK. When the level is set, the external input is rejected, and flag bytes 1, 2, ... Are set in an output register (not shown) in the card. When the flag bytes 1, 2, ... Are set in the output register, the data input / output control circuit 13 sets the ready / busy switching signal RDY / BSY to the H level to set the bus clock for the second and subsequent times. In synchronization with BCK, flag bytes 1, 2, ...
Send to 7.
【0026】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、カードステータス情報の出力状態でバスクロック
BCKが供給されたとき、メモリカード本体11の内部
状況を示すフラグバイト1,2,……を出力するように
したので、カードステータス情報を出力する標準化の規
定を損なうことなく、メモリカード本体11の内部状況
をフラグバイト1,2,……によりカード外部から十分
にモニターすることができるようになる。なお、この発
明は上記実施例に限定されるものではなく、この外その
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。Therefore, according to the configuration of the above embodiment, when the bus clock BCK is supplied in the output state of the card status information, the flag bytes 1, 2, ... Since the data is output, the internal status of the memory card body 11 can be sufficiently monitored from the outside of the card by the flag bytes 1, 2, ... without impairing the standardization for outputting the card status information. Become. The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be variously modified and implemented without departing from the scope of the invention.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
標準化の規定を損なうことなく内部状況をカード外部か
ら十分にモニターすることができる極めて良好なメモリ
カード装置を提供することができる。As described in detail above, according to the present invention,
It is possible to provide an extremely good memory card device capable of sufficiently monitoring the internal condition from the outside of the card without impairing the standardization standard.
【図1】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a memory card device according to the present invention.
【図2】同実施例の動作を説明するために示すタイミン
グ図。FIG. 2 is a timing chart shown for explaining the operation of the embodiment.
【図3】カードステータス情報の出力動作を説明するた
めに示すタイミング図。FIG. 3 is a timing chart shown for explaining an output operation of card status information.
11…メモリカード本体、12…コネクタ、13…デー
タ入出力制御回路、14…バッファメモリ、15…アド
レス発生回路、16…セレクタ、17…EEPROM、
18…消去回路。11 ... Memory card main body, 12 ... Connector, 13 ... Data input / output control circuit, 14 ... Buffer memory, 15 ... Address generation circuit, 16 ... Selector, 17 ... EEPROM,
18 ... Erase circuit.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11C 16/06 (72)発明者 丸山 晃司 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 前川 智之 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 佐藤 聡明 東京都港区新橋3丁目3番9号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Reference number within the agency FI Technical display location G11C 16/06 (72) Inventor Koji Maruyama 8 Shinsita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba Corporation Video Media Technology Laboratory (72) Inventor Tomoyuki Maekawa 8 Shinsita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Ltd. Video Media Technology Laboratory (72) Inventor Satoshi Sato 3-9 Shinbashi, Minato-ku, Tokyo Toshiba Abu E Co., Ltd.
Claims (1)
スかデータかを指定するアドレス/データ切替信号がア
ドレス入力を表わし、データの書き込みか読み出しかを
指定するリード/ライト切替信号がデータ読み出し状態
に設定されたとき、カードステータス情報を出力するメ
モリカード装置において、前記カードステータス情報の
出力状態で外部からバスクロックを与えることにより、
前記カードステータス情報に代えてカードの内部状況を
表わすフラグバイトを出力するように構成してなること
を特徴とするメモリカード装置。1. An address / data switching signal designating whether the data supplied to the bus line is an address or data represents an address input, and a read / write switching signal designating data writing or reading is in a data read state. When set, in a memory card device that outputs card status information, by applying a bus clock from the outside in the output state of the card status information,
A memory card device characterized in that a flag byte representing the internal status of the card is output instead of the card status information.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8093192A JPH05282857A (en) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | Memory card device |
DE69334149T DE69334149T2 (en) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | memory card |
EP93105535A EP0563997A1 (en) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | Memory card apparatus |
KR1019930005571A KR970001201B1 (en) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | Memory card device |
EP98123766A EP0907142B1 (en) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | Memory card apparatus |
US08/704,354 US5745912A (en) | 1992-04-02 | 1996-08-28 | Memory card apparatus including a link table for managing the correspondency between the recorded contents in the memory card and that in the link table |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8093192A JPH05282857A (en) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | Memory card device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05282857A true JPH05282857A (en) | 1993-10-29 |
Family
ID=13732194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8093192A Pending JPH05282857A (en) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | Memory card device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05282857A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7306140B2 (en) | 2004-05-29 | 2007-12-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit card system and method thereof |
JP2008176606A (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Tdk Corp | Memory controller and flash memory system equipped with memory controller and control method of flash memory |
-
1992
- 1992-04-02 JP JP8093192A patent/JPH05282857A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7306140B2 (en) | 2004-05-29 | 2007-12-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit card system and method thereof |
JP2008176606A (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Tdk Corp | Memory controller and flash memory system equipped with memory controller and control method of flash memory |
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