JPH05277957A - 帯電防止研磨シート - Google Patents
帯電防止研磨シートInfo
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- JPH05277957A JPH05277957A JP10847592A JP10847592A JPH05277957A JP H05277957 A JPH05277957 A JP H05277957A JP 10847592 A JP10847592 A JP 10847592A JP 10847592 A JP10847592 A JP 10847592A JP H05277957 A JPH05277957 A JP H05277957A
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- antistatic
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Abstract
(57)【要約】
【構成】帯電防止研磨テープは、ポリエチレンテレフタ
レートなどのシートの一面に酸化アルミニウムのような
研磨粒子とポリエステル樹脂系接着剤との混合物を塗布
することで研磨層が形成され、他面に塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合系樹脂と７，７，８，８−テトラシアノキ
ノジメタン錯体とをベンゾニトリルといった有機溶剤に
溶解したものを塗布することで導電層が形成されてい
る。 【効果】帯電防止研磨テープの裏面の電気抵抗率は著し
く低下し、その研磨テープに生じた静電気はテープの裏
面を通って流れ、帯電が防止された。
レートなどのシートの一面に酸化アルミニウムのような
研磨粒子とポリエステル樹脂系接着剤との混合物を塗布
することで研磨層が形成され、他面に塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合系樹脂と７，７，８，８−テトラシアノキ
ノジメタン錯体とをベンゾニトリルといった有機溶剤に
溶解したものを塗布することで導電層が形成されてい
る。 【効果】帯電防止研磨テープの裏面の電気抵抗率は著し
く低下し、その研磨テープに生じた静電気はテープの裏
面を通って流れ、帯電が防止された。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は研磨テープに関し、特に
帯電が小さい研磨テープに関する。
帯電が小さい研磨テープに関する。
【０００２】
【従来技術】磁気ヘッド等を研磨、あるいはそこに付着
した異物等を除去するために研磨テープが使用されてき
た。このような研磨テープは、通常ポリエステルシート
に酸化アルミニウム、シリコンカーバイト、酸化クロム
等の研磨粒子とバインダーとの混合物を塗布して研磨層
を形成して成るものである。
した異物等を除去するために研磨テープが使用されてき
た。このような研磨テープは、通常ポリエステルシート
に酸化アルミニウム、シリコンカーバイト、酸化クロム
等の研磨粒子とバインダーとの混合物を塗布して研磨層
を形成して成るものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の研
磨テープにおいて使用される酸化アルミニウム等の研磨
粒子、シートは電気絶縁性であるため、研磨に際し静電
気が発生する。そのため被研磨体、研磨テープの両方が
帯電し被研磨体に電気的な損傷を与えることがある。
磨テープにおいて使用される酸化アルミニウム等の研磨
粒子、シートは電気絶縁性であるため、研磨に際し静電
気が発生する。そのため被研磨体、研磨テープの両方が
帯電し被研磨体に電気的な損傷を与えることがある。
【０００４】また、被研磨体が帯電しない場合でも、研
磨テープの帯電は研磨くずを帯電させ、研磨テープある
いは被研磨体に付着し、研磨を邪魔したり被研磨体を傷
付けたりしていた。
磨テープの帯電は研磨くずを帯電させ、研磨テープある
いは被研磨体に付着し、研磨を邪魔したり被研磨体を傷
付けたりしていた。
【０００５】そこで、本発明の目的は、研磨テープが帯
電することによる弊害をなくすため、帯電が防止される
研磨テープを提供することである。
電することによる弊害をなくすため、帯電が防止される
研磨テープを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、本発明の帯電防止研磨テープは、基体シートの一面
に研磨粒子とバインダーとの混合物を塗布することで研
磨層が形成され、他面に高分子バインダーと７，７，
８，８−テトラシアノキノジメタン錯体とを有機溶剤に
溶解させたものを塗布することで導電層が形成されてい
る。
め、本発明の帯電防止研磨テープは、基体シートの一面
に研磨粒子とバインダーとの混合物を塗布することで研
磨層が形成され、他面に高分子バインダーと７，７，
８，８−テトラシアノキノジメタン錯体とを有機溶剤に
溶解させたものを塗布することで導電層が形成されてい
る。
【０００７】ここで、バインダーとしてポリエステル
系、ポリビニル系、エポキシ系、またはシアノクリレー
ト系樹脂接着剤が好適で、高分子バインダーとしてポリ
エステル系樹脂、アクリル系樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル−共重合樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂の
１種または２種以上を含んで成る接着剤が好適である。
良溶媒は、アセトニトリル、アセトン、ベンゾニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジ
メチルスルホキシドの１種または２種以上を含んで成る
ものが好適である。
系、ポリビニル系、エポキシ系、またはシアノクリレー
ト系樹脂接着剤が好適で、高分子バインダーとしてポリ
エステル系樹脂、アクリル系樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル−共重合樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂の
１種または２種以上を含んで成る接着剤が好適である。
良溶媒は、アセトニトリル、アセトン、ベンゾニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジ
メチルスルホキシドの１種または２種以上を含んで成る
ものが好適である。
【０００８】さらに、帯電防止研磨テープの導電特性を
安定させるために、導電層が高分子バインダー中に７，
７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯体の微結晶と
有機酸とを分散することにより形成されることが望まし
い。
安定させるために、導電層が高分子バインダー中に７，
７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯体の微結晶と
有機酸とを分散することにより形成されることが望まし
い。
【０００９】ここで、有機酸がカルボン酸である。
【００１０】
【実施例】本発明の帯電防止研磨テープは、合成樹脂シ
ートの一面に研磨層を、他面に伝導層を有するもので、
次のように形成される。
ートの一面に研磨層を、他面に伝導層を有するもので、
次のように形成される。
【００１１】研磨層の形成については、特公昭53-44714
号に記載されているが、まず合成樹脂の基体シートの一
面に研磨粒子とバインダーとの混合物を均等に塗布す
る。
号に記載されているが、まず合成樹脂の基体シートの一
面に研磨粒子とバインダーとの混合物を均等に塗布す
る。
【００１２】合成樹脂シートは、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエステルが好適であるが、この外にポリブ
チレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリカーボネ
イト、ポリアセテート、ポリアミドなどでもよい。
レート、ポリエステルが好適であるが、この外にポリブ
チレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリカーボネ
イト、ポリアセテート、ポリアミドなどでもよい。
【００１３】研磨粒子の材料は酸化アルミニウム、シリ
コンカーバイド、酸化ジルコニウム、酸化クロム、ダイ
ヤモンド等が好適で、その粒度は研磨目的により適宜選
択され得るが、０．３μｍから０．５ｍｍが好適であ
る。この研磨粒子をバインダーに混合させる前に、水分
を除くために１００から１５０℃で１時間程度加熱する
ことが望ましい 接着剤であるバインダーとしては、ポリエステル系、ポ
リビニル系、エポキシ系、シアノアクリレート系接着剤
が好適である。この接着剤は有機溶媒に溶解させて用い
るが、塗膜の均一性、脱粒強度の向上の点から最も好適
な溶媒はトルエン、キシレン、酢酸エチル、メチルエチ
ルケトンの混合溶媒である。
コンカーバイド、酸化ジルコニウム、酸化クロム、ダイ
ヤモンド等が好適で、その粒度は研磨目的により適宜選
択され得るが、０．３μｍから０．５ｍｍが好適であ
る。この研磨粒子をバインダーに混合させる前に、水分
を除くために１００から１５０℃で１時間程度加熱する
ことが望ましい 接着剤であるバインダーとしては、ポリエステル系、ポ
リビニル系、エポキシ系、シアノアクリレート系接着剤
が好適である。この接着剤は有機溶媒に溶解させて用い
るが、塗膜の均一性、脱粒強度の向上の点から最も好適
な溶媒はトルエン、キシレン、酢酸エチル、メチルエチ
ルケトンの混合溶媒である。
【００１４】研磨粒子とバインダーとの混合物は、シー
トに均一な塗布をなすためにその粘度を１０から１，０
００ｃｐとする。この混合物にイソシアネート硬化剤を
添加する。
トに均一な塗布をなすためにその粘度を１０から１，０
００ｃｐとする。この混合物にイソシアネート硬化剤を
添加する。
【００１５】研磨粒子とバインダーとの混合物をシート
に塗布した後、乾燥し、キュアリングする。
に塗布した後、乾燥し、キュアリングする。
【００１６】導電層の形成は、特開昭63-276815、特開
昭1-210470号、特開平1ー275675号、特開平2-106275号、
特開平2-160553号、特開平2ー160873号に記載されている
が、上記のように一面に研磨層が形成されたシートに高
分子バインダーと７，７，８，８−テトラシアノキシジ
メタン錯体（以下ＴＣＮＱという。ＴＣＮＱ錯体を主成
分とする有機半導体は、日本カーリット株式会社より
「ＣＯＳ」として入手可能である）を良溶媒に溶解させた
ものを塗布する。そして、その良溶媒を除去し、ＴＣＮ
Ｑ錯体の針状結晶を網目状に析出させて導電層を形成す
る。この良溶媒は、アセトニトリル、アセトン、ベンゾニ
トリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシドの少なくとも１種または２種以上
から成る。
昭1-210470号、特開平1ー275675号、特開平2-106275号、
特開平2-160553号、特開平2ー160873号に記載されている
が、上記のように一面に研磨層が形成されたシートに高
分子バインダーと７，７，８，８−テトラシアノキシジ
メタン錯体（以下ＴＣＮＱという。ＴＣＮＱ錯体を主成
分とする有機半導体は、日本カーリット株式会社より
「ＣＯＳ」として入手可能である）を良溶媒に溶解させた
ものを塗布する。そして、その良溶媒を除去し、ＴＣＮ
Ｑ錯体の針状結晶を網目状に析出させて導電層を形成す
る。この良溶媒は、アセトニトリル、アセトン、ベンゾニ
トリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシドの少なくとも１種または２種以上
から成る。
【００１７】このＴＣＮＱ錯体は電子移動錯体の一種
で、電子供与体と電子受容体とから構成され、電子受容
体はＴＣＮＱで、電子供与体は、錯体の熱安定性、導電
性を考慮すると、キノリン、イソキノリン、ナフトキノ
リン、２，２−ビピリジル、４，４−ビピリジルまたは
そのＮ位をカーボン数１から８のアルキル基で置換した
化合物が好ましい。
で、電子供与体と電子受容体とから構成され、電子受容
体はＴＣＮＱで、電子供与体は、錯体の熱安定性、導電
性を考慮すると、キノリン、イソキノリン、ナフトキノ
リン、２，２−ビピリジル、４，４−ビピリジルまたは
そのＮ位をカーボン数１から８のアルキル基で置換した
化合物が好ましい。
【００１８】好ましいＴＣＮＱ錯体は、以下のものに限
定するものではないが、Ｎ−メチル（イソ）キノリニウ
ム−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−エチル（イソ）キノリニウム−
ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−プロピル（イソ）キノリニウム
−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｉｓｏ−プロピル（イソ）キノリ
ニウム−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−ブチル−（イソ）キノ
リニウム−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｉｓｏ−ブチル−（イ
ソ）キノリニウム−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−アミル−
（イソ）キノリニウム−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｉｓｏ−ア
ミル−（イソ）キノリニウム−ＴＣＮＱ錯体などがあ
る。ここで、（イソ）キノリニウムはキノリニウムとイ
ソキノリニウムを意味する。
定するものではないが、Ｎ−メチル（イソ）キノリニウ
ム−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−エチル（イソ）キノリニウム−
ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−プロピル（イソ）キノリニウム
−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｉｓｏ−プロピル（イソ）キノリ
ニウム−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−ブチル−（イソ）キノ
リニウム−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｉｓｏ−ブチル−（イ
ソ）キノリニウム−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−アミル−
（イソ）キノリニウム−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｉｓｏ−ア
ミル−（イソ）キノリニウム−ＴＣＮＱ錯体などがあ
る。ここで、（イソ）キノリニウムはキノリニウムとイ
ソキノリニウムを意味する。
【００１９】高分子バインダーとしては、ポリエステル
樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−共重合
樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂の１種または２
種以上から成る混合物が挙げられる。
樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−共重合
樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂の１種または２
種以上から成る混合物が挙げられる。
【００２０】また、導電層の導電特性を安定させるため
に、導電層を高分子バインダー中にＴＣＮＱ錯体の微結
晶と有機酸とを分散することにより形成してもよい。こ
こで、有機酸はカルボン酸であり、ＴＣＮＱ錯体と有機
酸との割合はＴＣＮＱ錯体１００重量部に対して１ない
し５重量部である。
に、導電層を高分子バインダー中にＴＣＮＱ錯体の微結
晶と有機酸とを分散することにより形成してもよい。こ
こで、有機酸はカルボン酸であり、ＴＣＮＱ錯体と有機
酸との割合はＴＣＮＱ錯体１００重量部に対して１ない
し５重量部である。
【００２１】こうして形成された層が伝導特性をもつ理
由は、ＴＣＮＱ錯体の結晶中では、電子供与体とアクセ
プター電子受容体とがそれぞれ分離したスタック構造を
取り、スタック内ではスタック軸方向にπ電子が重なり
合ってスタック全体に広がったエネルギーバンドを形成
することから軸方向への電子の移動に活性化エネルギー
を必要とせず、そのため金属伝導、すなわち導電性とな
ると考えられている。
由は、ＴＣＮＱ錯体の結晶中では、電子供与体とアクセ
プター電子受容体とがそれぞれ分離したスタック構造を
取り、スタック内ではスタック軸方向にπ電子が重なり
合ってスタック全体に広がったエネルギーバンドを形成
することから軸方向への電子の移動に活性化エネルギー
を必要とせず、そのため金属伝導、すなわち導電性とな
ると考えられている。
【００２２】シートにおいて研磨層、導電層のいずれを
先に形成してもよいが、ＴＣＮＱ錯体の分解温度は２０
０℃程度であるから、研磨層の形成に際し、この温度程
度近くで乾燥させる場合があるときは、研磨層を先に形
成する。
先に形成してもよいが、ＴＣＮＱ錯体の分解温度は２０
０℃程度であるから、研磨層の形成に際し、この温度程
度近くで乾燥させる場合があるときは、研磨層を先に形
成する。
【００２３】［実施例］ １．研磨層の形成 酸化アルミニウム１重量部を１００℃で１時間加熱後、
飽和ポリエステル樹脂１．１５重量部をトルエン、キシ
レン、酢酸エチル、メチルエチルケトンの混合溶媒に混
合良く撹拌し（５００ｃｐ）イソシアネート系硬化剤
０．０７５重量部を添加して、ポリエチレンレテレフタ
レートシートの一面に塗布し、９０℃に保たれた乾燥器
に、ついで１１０℃に保たれた乾燥器により溶媒を乾燥
させて研磨層を形成した。
飽和ポリエステル樹脂１．１５重量部をトルエン、キシ
レン、酢酸エチル、メチルエチルケトンの混合溶媒に混
合良く撹拌し（５００ｃｐ）イソシアネート系硬化剤
０．０７５重量部を添加して、ポリエチレンレテレフタ
レートシートの一面に塗布し、９０℃に保たれた乾燥器
に、ついで１１０℃に保たれた乾燥器により溶媒を乾燥
させて研磨層を形成した。
【００２４】２．導電層の形成 Ｎ−ｎ−ブチル−イソキノリニウム−ＴＣＮＱ錯体１重
量部、ＴＣＮＱ０．０５重量部、および塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合系樹脂３重量部をジメチルホルムアミド
３０重量部およびベンゾニトリル２２．９５重量部およ
び酢酸ブチル４５重量部からなる混合溶媒に溶解し、こ
の溶液を上記にしたがって一面に研磨層が形成されたポ
リエチレンレテレフタレートシートの他面に塗布して乾
燥させ、導電層を形成した。
量部、ＴＣＮＱ０．０５重量部、および塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合系樹脂３重量部をジメチルホルムアミド
３０重量部およびベンゾニトリル２２．９５重量部およ
び酢酸ブチル４５重量部からなる混合溶媒に溶解し、こ
の溶液を上記にしたがって一面に研磨層が形成されたポ
リエチレンレテレフタレートシートの他面に塗布して乾
燥させ、導電層を形成した。
【００２５】３．比較 上記にしたがって研磨層および導電層が形成された帯電
防止研磨テープと、研磨層のみを形成し、導電層を形成
しない従来の研磨テープの電気抵抗率は次の通りであ
る。 表面の電気抵抗率(Ω/cm2) 裏面（Ω/cm2) 本発明の帯電防止研磨テープ 1013以上 106 従来の研磨テープ 1013以上 1013以上
防止研磨テープと、研磨層のみを形成し、導電層を形成
しない従来の研磨テープの電気抵抗率は次の通りであ
る。 表面の電気抵抗率(Ω/cm2) 裏面（Ω/cm2) 本発明の帯電防止研磨テープ 1013以上 106 従来の研磨テープ 1013以上 1013以上
【発明の効果】上記の表から明らかなように、本発明の
帯電防止研磨テープの電気抵抗率は、従来の研磨テープ
のものにくらべ著しく低下し、導電性が改良され、テー
プに生じた静電気はテープの裏面を通って流れ、帯電が
防止された。
帯電防止研磨テープの電気抵抗率は、従来の研磨テープ
のものにくらべ著しく低下し、導電性が改良され、テー
プに生じた静電気はテープの裏面を通って流れ、帯電が
防止された。
Claims (6)
- 【請求項１】 基体シートの一面に研磨粒子とバインダ
ーとの混合物を塗布して研磨層を形成し、他面に高分子
バインダーと７，７，８，８−テトラシアノキノジメタ
ン錯体とを良溶媒に溶解したものを塗布して導電層を形
成して成る帯電防止研磨テープ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の帯電防止研磨テープで
あって、 前記基体シートがポリエチレンフタレートシートであ
り、 前記バインダーがポリエステル系、ポリビニル系、エポ
キシ系、またはシアノクリレート系の樹脂接着剤であ
る、ところの帯電防止研磨テープ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の帯電防止研磨テープで
あって、 前記高分子バインダーが、ポリエステル系樹脂、アクリ
ル系樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−共重合樹脂、エチ
レン−酢酸ビニル共重合樹脂の１種または２種以上から
成る接着剤である、ところの帯電防止研磨テープ。 - 【請求項４】 請求項１に記載の帯電防止研磨テープで
あって、 前記良溶媒が、アセトニトリル、アセトン、ベンゾニト
リル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシドの１種または２種以上から成る、
ところの帯電防止研磨テープ。 - 【請求項５】 請求項１に記載の帯電防止研磨テープで
あって、 前記導電層が高分子バインダー中に７，７，８，８−テ
トラシアノキノジメタン錯体の微結晶と有機酸とを分散
することにより形成されることを特徴とする帯電防止テ
ープ。 - 【請求項６】 請求項５に記載の帯電防止研磨テープで
あって、 前記有機酸がカルボン酸である、ところの帯電防止研磨
テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10847592A JPH05277957A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 帯電防止研磨シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10847592A JPH05277957A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 帯電防止研磨シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05277957A true JPH05277957A (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=14485704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10847592A Pending JPH05277957A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 帯電防止研磨シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05277957A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7014538B2 (en) * | 1999-05-03 | 2006-03-21 | Applied Materials, Inc. | Article for polishing semiconductor substrates |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55131472A (en) * | 1979-03-24 | 1980-10-13 | Inoue Japax Res Inc | Grinding and polishing tool |
| JPS6133868A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-17 | Toyamaken | 木材加工用サンデイングベルトの目づまり防止法 |
| JPS63229270A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 研磨テ−プの製造方法 |
| JPS63276815A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-11-15 | Japan Carlit Co Ltd:The | 表面の透明導電化方法 |
| JPH01210470A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Japan Carlit Co Ltd:The | 導電性材料及びその製造方法 |
| JPH01275675A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Japan Carlit Co Ltd:The | 透明導電性付与組成物 |
| JPH02160873A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-20 | Japan Carlit Co Ltd:The | 透明導電性材料 |
| JPH02160553A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-20 | Japan Carlit Co Ltd:The | 耐水性に優れた透明導電性フィルム |
-
1992
- 1992-04-02 JP JP10847592A patent/JPH05277957A/ja active Pending
Patent Citations (8)
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| US7014538B2 (en) * | 1999-05-03 | 2006-03-21 | Applied Materials, Inc. | Article for polishing semiconductor substrates |
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