JPH05275344A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH05275344A JPH05275344A JP7169292A JP7169292A JPH05275344A JP H05275344 A JPH05275344 A JP H05275344A JP 7169292 A JP7169292 A JP 7169292A JP 7169292 A JP7169292 A JP 7169292A JP H05275344 A JPH05275344 A JP H05275344A
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- substrate
- processing
- chambers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のハンドラ室の全てを真空を基本とする
ことなく、それに接続される処理室に適した雰囲気にす
ることにより、マルチチャンバ型基板処理装置の適用範
囲の拡大に対応できるようにする。 【構成】 処理室９〜１１，１２が接続された複数のハ
ンドラ室４，５を備え、この各ハンドラ室４，５を介し
て各処理室９〜１２に対する基板の出入れを行うように
した基板処理装置において、前記ハンドラ室４，５間を
ロードロック機能を備えた接続室２０で連結したことを
特徴とする。
ことなく、それに接続される処理室に適した雰囲気にす
ることにより、マルチチャンバ型基板処理装置の適用範
囲の拡大に対応できるようにする。 【構成】 処理室９〜１１，１２が接続された複数のハ
ンドラ室４，５を備え、この各ハンドラ室４，５を介し
て各処理室９〜１２に対する基板の出入れを行うように
した基板処理装置において、前記ハンドラ室４，５間を
ロードロック機能を備えた接続室２０で連結したことを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超ＬＳＩ等の半導体デ
バイス等を製造する際に、基板を処理室内に導いて薄膜
成長等の所定の処理を行う基板処理装置に関する。
バイス等を製造する際に、基板を処理室内に導いて薄膜
成長等の所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体ウェハ等の基板の表面に薄
膜を成長させる薄膜成長技術は、半導体デバイスの高性
能化のためのキー・テクノロジーの一つであり、特にＣ
ＶＤ（化学的気相成長）法による薄膜成長は、半導体製
造工程において広く用いられている。
膜を成長させる薄膜成長技術は、半導体デバイスの高性
能化のためのキー・テクノロジーの一つであり、特にＣ
ＶＤ（化学的気相成長）法による薄膜成長は、半導体製
造工程において広く用いられている。
【０００３】従来、この種の薄膜成長装置等の基板処理
装置においては、複数の処理室を備えたマルチチャンバ
型のものの開発が進められ、その適用範囲も徐々に拡大
する傾向にある。これに伴い、複数のハンドラ室を具備
する基板処理装置も見られるようになった。
装置においては、複数の処理室を備えたマルチチャンバ
型のものの開発が進められ、その適用範囲も徐々に拡大
する傾向にある。これに伴い、複数のハンドラ室を具備
する基板処理装置も見られるようになった。
【０００４】ここに、この種のマルチ室型基板処理装置
に備えられている処理室は、プラズマ気相成長やスパッ
タリング等を行うものが大勢を占め、これらの処理室が
真空領域で処理を実施するものであることから、ハンド
ラ室を含め基板処理装置を構成する全ユニットは、圧力
が真空であることを基本としている。ここで真空とは、
大気圧より低い圧力を意味し、減圧から高真空までの圧
力領域を含む。本発明で述べる真空とはこの圧力領域を
示す。
に備えられている処理室は、プラズマ気相成長やスパッ
タリング等を行うものが大勢を占め、これらの処理室が
真空領域で処理を実施するものであることから、ハンド
ラ室を含め基板処理装置を構成する全ユニットは、圧力
が真空であることを基本としている。ここで真空とは、
大気圧より低い圧力を意味し、減圧から高真空までの圧
力領域を含む。本発明で述べる真空とはこの圧力領域を
示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マルチ
室型基板処理装置の適用範囲の拡大は、ハンドラ室に接
続される処理室の種類の増大へと進み、真空対応が不可
能な処理室も構成要素として使用したい場合がある。こ
のような場合、真空対応の処理室と真空を基本としてい
るハンドラ室との間で基板の出入れを行うためには、両
者の間にロードロック室等の別の基板搬送手段を設ける
必要がある。
室型基板処理装置の適用範囲の拡大は、ハンドラ室に接
続される処理室の種類の増大へと進み、真空対応が不可
能な処理室も構成要素として使用したい場合がある。こ
のような場合、真空対応の処理室と真空を基本としてい
るハンドラ室との間で基板の出入れを行うためには、両
者の間にロードロック室等の別の基板搬送手段を設ける
必要がある。
【０００６】また、真空対応が不可能でないにしても、
真空対応とするために新たな設計が必要となったり、処
理時間の増大に繋がるばかりでなく、使用できる材料に
制限が加わってしまうことがあると考えられる。
真空対応とするために新たな設計が必要となったり、処
理時間の増大に繋がるばかりでなく、使用できる材料に
制限が加わってしまうことがあると考えられる。
【０００７】更に、ハンドラ室を含めマルチチャンバ型
基板処理装置を構成する全ユニットの圧力が真空である
ことを基本とすると、構成が硬直化してしまい、例えば
薄膜成長装置においてもこれが当てはまり、処理室の接
続場所が限定されているのが現状であった。
基板処理装置を構成する全ユニットの圧力が真空である
ことを基本とすると、構成が硬直化してしまい、例えば
薄膜成長装置においてもこれが当てはまり、処理室の接
続場所が限定されているのが現状であった。
【０００８】このように、複数のハンドラ室を備えたマ
ルチチャンバ型基板処理装置に関して、様々な問題点が
示されている。
ルチチャンバ型基板処理装置に関して、様々な問題点が
示されている。
【０００９】本発明は上記に鑑み、複数のハンドラ室の
全てを真空を基本とすることなく、それに接続される処
理室に適した雰囲気にすることにより、マルチチャンバ
型基板処理装置の適用範囲の拡大に対応できるようにし
たものを提供することを目的とする。
全てを真空を基本とすることなく、それに接続される処
理室に適した雰囲気にすることにより、マルチチャンバ
型基板処理装置の適用範囲の拡大に対応できるようにし
たものを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る基板処理装置は、処理室が接続された
複数のハンドラ室を備え、この各ハンドラ室を介して各
処理室に対する基板の出入れを行うようにした基板処理
装置において、前記ハンドラ室間をロードロック機能を
備えた接続室で連結したことを特徴とするものであり、
前記接続室で基板の所定の処理を行うようにすることも
できる。
め、本発明に係る基板処理装置は、処理室が接続された
複数のハンドラ室を備え、この各ハンドラ室を介して各
処理室に対する基板の出入れを行うようにした基板処理
装置において、前記ハンドラ室間をロードロック機能を
備えた接続室で連結したことを特徴とするものであり、
前記接続室で基板の所定の処理を行うようにすることも
できる。
【００１１】また、処理室が接続されたハンドラ室を備
え、このハンドラ室を介して処理室に対する基板の出入
れを行うようにした基板処理装置において、前記ハンド
ラ室で基板の所定の処理を行うようにしたことを特徴と
するものである。
え、このハンドラ室を介して処理室に対する基板の出入
れを行うようにした基板処理装置において、前記ハンド
ラ室で基板の所定の処理を行うようにしたことを特徴と
するものである。
【００１２】
【作用】上記のように構成した本発明によれば、例えば
１つのハンドラ室を真空を基本としたものとなして、こ
のハンドラ室に真空領域で処理を実施する処理室を接続
させ、他のハンドラ室を前記ハンドラ室とは独立に大気
圧を基本としたものとなして、このハンドラ室に大気圧
で処理を行う処理室を接続するすることにより、基板処
理の効率を向上させることができる。
１つのハンドラ室を真空を基本としたものとなして、こ
のハンドラ室に真空領域で処理を実施する処理室を接続
させ、他のハンドラ室を前記ハンドラ室とは独立に大気
圧を基本としたものとなして、このハンドラ室に大気圧
で処理を行う処理室を接続するすることにより、基板処
理の効率を向上させることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１４】図１は、薄膜成長装置に適用した本発明の
第１の実施例を示すもので、この薄膜成長装置１には、
内部にハンドラ２，３を備えた第１及び第２ハンドラ室
４，５の２つのハンドラ室が備えられ、この一方の第１
ハンドラ室４には、ゲートバルブ６，７及び８を介して
合計３つの処理室９，１０及び１１が、他方の第２ハン
ドラ室５には、ゲートバルブ１３を介して１つの処理室
１２が夫々接続されている。
第１の実施例を示すもので、この薄膜成長装置１には、
内部にハンドラ２，３を備えた第１及び第２ハンドラ室
４，５の２つのハンドラ室が備えられ、この一方の第１
ハンドラ室４には、ゲートバルブ６，７及び８を介して
合計３つの処理室９，１０及び１１が、他方の第２ハン
ドラ室５には、ゲートバルブ１３を介して１つの処理室
１２が夫々接続されている。
【００１５】前記第２ハンドラ室５には、ロードロック
室１４を介してカセットステーション１５が接続され、
このロードロック室１４の両側のカセットステーション
１５及び第２ハンドラ室５との間には、ゲートバルブ１
６，１７が夫々介装されている。
室１４を介してカセットステーション１５が接続され、
このロードロック室１４の両側のカセットステーション
１５及び第２ハンドラ室５との間には、ゲートバルブ１
６，１７が夫々介装されている。
【００１６】前記第１ハンドラ室４と第２ハンドラ室５
とは、両側にゲートバルブ１８，１９を備えたロードロ
ック機能を有する接続室２０を介して連結され、これに
よって第１及び第２ハンドラ室４，５の雰囲気が該接続
室２０を介して分離されるようなされている。即ち、第
１ハンドラ室４は、通常のシーケンスで基本となる圧力
が真空若しくは減圧であり、第２ハンドラ室は、通常の
シーケンスで基本となる圧力が大気圧となっている。
とは、両側にゲートバルブ１８，１９を備えたロードロ
ック機能を有する接続室２０を介して連結され、これに
よって第１及び第２ハンドラ室４，５の雰囲気が該接続
室２０を介して分離されるようなされている。即ち、第
１ハンドラ室４は、通常のシーケンスで基本となる圧力
が真空若しくは減圧であり、第２ハンドラ室は、通常の
シーケンスで基本となる圧力が大気圧となっている。
【００１７】ここに、前記第１ハンドラ室４に接続され
る処理室９〜１１は、真空若しくは減圧下で基板の所定
の処理または検査を行うものであり、第２ハンドラ室５
に接続される処理室１２は、大気圧下で基板の所定の処
理または検査を行うものである。
る処理室９〜１１は、真空若しくは減圧下で基板の所定
の処理または検査を行うものであり、第２ハンドラ室５
に接続される処理室１２は、大気圧下で基板の所定の処
理または検査を行うものである。
【００１８】具体的には、前記処理室９は、減圧気相成
長により基板の表面にシリコンエピタキシャル膜等の薄
膜を形成するための薄膜形成室であり、処理室１０は、
減圧下で、例えばＨＦ（フッ化水素）ガス等により基板
の表面に付着している自然酸化膜をエッチングにより除
去する除去室であり、処置室１１は、前記酸化膜除去作
業で基板の表面に付着した反応生成物を除去する洗浄室
である。また、処理室１２は、前工程によって基板の表
面にこの表面の保護のために形成した保護膜を大気圧下
で除去したり、薄膜形成後の基板の表面に該薄膜保護の
ために保護膜を形成する処理室である。
長により基板の表面にシリコンエピタキシャル膜等の薄
膜を形成するための薄膜形成室であり、処理室１０は、
減圧下で、例えばＨＦ（フッ化水素）ガス等により基板
の表面に付着している自然酸化膜をエッチングにより除
去する除去室であり、処置室１１は、前記酸化膜除去作
業で基板の表面に付着した反応生成物を除去する洗浄室
である。また、処理室１２は、前工程によって基板の表
面にこの表面の保護のために形成した保護膜を大気圧下
で除去したり、薄膜形成後の基板の表面に該薄膜保護の
ために保護膜を形成する処理室である。
【００１９】そして、前処理されカセット等に収納され
て、例えばクリーンルーム等から搬送されてきた基板
は、カセットステーション１５にセットされ、ゲートバ
ルブ１６の開閉に連動して一枚ずつロードロック室１４
内に搬送され、ゲートバルブ１６を閉じて第２ハンドラ
室５の雰囲気にロードロック室１４の雰囲気を合せる。
て、例えばクリーンルーム等から搬送されてきた基板
は、カセットステーション１５にセットされ、ゲートバ
ルブ１６の開閉に連動して一枚ずつロードロック室１４
内に搬送され、ゲートバルブ１６を閉じて第２ハンドラ
室５の雰囲気にロードロック室１４の雰囲気を合せる。
【００２０】そして、このロードロック室１４内に搬送
された基板は、ゲートバルブ１７，１３の開閉動作に連
動して第２ハンドラ室５内に配置されているハンドラ３
により、このハンドラ室５を通過して処理室１２に搬送
される。この処理室１２内に基板が収容されると、ここ
で基板の表面に形成されている該表面を保護するための
保護膜の除去が行われる。
された基板は、ゲートバルブ１７，１３の開閉動作に連
動して第２ハンドラ室５内に配置されているハンドラ３
により、このハンドラ室５を通過して処理室１２に搬送
される。この処理室１２内に基板が収容されると、ここ
で基板の表面に形成されている該表面を保護するための
保護膜の除去が行われる。
【００２１】この保護膜の除去が行われた基板は、ゲー
トバルブ１３、１８の開閉に連動して接続室２０に搬送
され、ゲートバルブ１８を閉じて減圧若しくは真空雰囲
気になされた後、ゲートバルブ１９，７の開閉に連動し
て、第１ハンドラ室４内のハンドラ２により、処理室
（除去室）１０に搬送され、ここで、例えばＨＦ（フッ
化水素）ガス等により基板の表面に付着している自然酸
化物をエッチングする前処理が施される。
トバルブ１３、１８の開閉に連動して接続室２０に搬送
され、ゲートバルブ１８を閉じて減圧若しくは真空雰囲
気になされた後、ゲートバルブ１９，７の開閉に連動し
て、第１ハンドラ室４内のハンドラ２により、処理室
（除去室）１０に搬送され、ここで、例えばＨＦ（フッ
化水素）ガス等により基板の表面に付着している自然酸
化物をエッチングする前処理が施される。
【００２２】自然酸化物が除去された基板は、ゲートバ
ルブ７，６の開閉動作に連動して第１ハンドラ室４内の
ハンドラ２により、処理室（洗浄室）１１に搬送され、
ここで基板の表面に付着しているＦ（フッ素）等の反応
生成物の洗浄が行われる。
ルブ７，６の開閉動作に連動して第１ハンドラ室４内の
ハンドラ２により、処理室（洗浄室）１１に搬送され、
ここで基板の表面に付着しているＦ（フッ素）等の反応
生成物の洗浄が行われる。
【００２３】そして、この洗浄後の基板は、ゲートバル
ブ８，６の開閉動作に連動して処理室（薄膜形成室）９
内に搬送され、ここで、所定のガスが供給されて所定の
薄膜成長が行われて、基板の表面に薄膜が形成される。
ブ８，６の開閉動作に連動して処理室（薄膜形成室）９
内に搬送され、ここで、所定のガスが供給されて所定の
薄膜成長が行われて、基板の表面に薄膜が形成される。
【００２４】所定の薄膜成長を行った後の基板は、ゲー
トバルブ６，１９の開閉動作に連動して第１ハンドラ室
４のハンドラ２により、接続室２０内へ移動させられ
る。そして、ゲートバルブ１９を閉じて、大気圧雰囲気
にした後、この基板は、第１ハンドラ室５のハンドラ３
により、ゲートバルブ１８，１３の開閉動作に連動して
処理室１２へ搬送され、ここで保護膜の形成が行われた
後、上記と逆の動作でロードロック室１４からカセット
ステーション１５のカセットに収容されて一連のシーケ
ンスが終了する。
トバルブ６，１９の開閉動作に連動して第１ハンドラ室
４のハンドラ２により、接続室２０内へ移動させられ
る。そして、ゲートバルブ１９を閉じて、大気圧雰囲気
にした後、この基板は、第１ハンドラ室５のハンドラ３
により、ゲートバルブ１８，１３の開閉動作に連動して
処理室１２へ搬送され、ここで保護膜の形成が行われた
後、上記と逆の動作でロードロック室１４からカセット
ステーション１５のカセットに収容されて一連のシーケ
ンスが終了する。
【００２５】なお、前記自然酸化膜の除去を、接続室１
２で行うことにより、除去室（処理室）１０を省略した
り、自然酸化膜除去によって基板の表面に付着した反応
生成物の除去を第１ハンドラ室４で行って、処理室（洗
浄室）１１を省略したり、また前工程で形成された保護
膜の除去を、第１ハンドラ室４に接続した処理室（除去
室）１０、接続室２０または第１ハンドラ室４で行い、
処理室（処理室）１２では薄膜の保護のための保護膜の
形成のみを行うようにすることもできる。
２で行うことにより、除去室（処理室）１０を省略した
り、自然酸化膜除去によって基板の表面に付着した反応
生成物の除去を第１ハンドラ室４で行って、処理室（洗
浄室）１１を省略したり、また前工程で形成された保護
膜の除去を、第１ハンドラ室４に接続した処理室（除去
室）１０、接続室２０または第１ハンドラ室４で行い、
処理室（処理室）１２では薄膜の保護のための保護膜の
形成のみを行うようにすることもできる。
【００２６】図２は、薄膜成長装置に適用した第２の実
施例を示すもので、本実施例における薄膜成長装置３０
は、２つのロード・アンロード室３１，３２と、内部に
夫々ハンドラ３３，３４を収納した２個の第１及び第２
ハンドラ室３５，３６と、これらの各ハンドラ室３５，
３６に接続された合計５個の処理室３７〜４１とを備
え、この処理室３７〜４１の内の両ハンドラ室３５，３
６に共通して接続された２つの処理室４０，４１をロー
ドロック機能を有する接続室としたものである。
施例を示すもので、本実施例における薄膜成長装置３０
は、２つのロード・アンロード室３１，３２と、内部に
夫々ハンドラ３３，３４を収納した２個の第１及び第２
ハンドラ室３５，３６と、これらの各ハンドラ室３５，
３６に接続された合計５個の処理室３７〜４１とを備
え、この処理室３７〜４１の内の両ハンドラ室３５，３
６に共通して接続された２つの処理室４０，４１をロー
ドロック機能を有する接続室としたものである。
【００２７】ここに、前記２つのロード・アンロード室
３１，３２には、ロードロック機能が備えられており、
このようにロードロック機能を備えることにより、ロー
ドロック室を省略することができる。
３１，３２には、ロードロック機能が備えられており、
このようにロードロック機能を備えることにより、ロー
ドロック室を省略することができる。
【００２８】即ち、前処理されカセット等に収納され
て、例えばクリーンルーム等から搬送されてきた基板を
収容する第１および第２のロード・アンロード室３１，
３２が設けられ、これらの室３１，３２の扉４２，４３
を開閉操作することにより基板が該室３１，３２内にセ
ットされ、第２ハンドラ室の雰囲気にロード・アンロー
ド室３１、３２の雰囲気を合せる。
て、例えばクリーンルーム等から搬送されてきた基板を
収容する第１および第２のロード・アンロード室３１，
３２が設けられ、これらの室３１，３２の扉４２，４３
を開閉操作することにより基板が該室３１，３２内にセ
ットされ、第２ハンドラ室の雰囲気にロード・アンロー
ド室３１、３２の雰囲気を合せる。
【００２９】第１或いは第２のロード・アンロード室３
１，３２内にセットされた基板は、ゲートバルブ４４，
４５の開閉動作に連動して第２ハンドラ室３６内に配置
されているハンドラ３４により、このハンドラ室３６内
に搬送され、このハンドラ室３６を介して接続室（処置
室）４０内へゲートバルブ４６の開閉動作に連動して移
動させられる。この接続室４０は、基板に前処理を施し
て自然酸化膜を除去する除去室となされ、ここに基板が
収容されると、例えばＨＦ（フッ化水素）ガス等により
基板の表面に付着している自然酸化物をエッチングする
前処理が施される。
１，３２内にセットされた基板は、ゲートバルブ４４，
４５の開閉動作に連動して第２ハンドラ室３６内に配置
されているハンドラ３４により、このハンドラ室３６内
に搬送され、このハンドラ室３６を介して接続室（処置
室）４０内へゲートバルブ４６の開閉動作に連動して移
動させられる。この接続室４０は、基板に前処理を施し
て自然酸化膜を除去する除去室となされ、ここに基板が
収容されると、例えばＨＦ（フッ化水素）ガス等により
基板の表面に付着している自然酸化物をエッチングする
前処理が施される。
【００３０】自然酸化物が除去された基板は、ゲートバ
ルブ４７の開閉動作に連動して第１ハンドラ室３５内に
ハンドラ３３により搬送される。このハンドラ室３５を
通過する基板は、その後ゲートバルブ４８の開閉動作に
連動してハンドラ３３により、オリフラ室とした処理室
３９へと移動させられる。
ルブ４７の開閉動作に連動して第１ハンドラ室３５内に
ハンドラ３３により搬送される。このハンドラ室３５を
通過する基板は、その後ゲートバルブ４８の開閉動作に
連動してハンドラ３３により、オリフラ室とした処理室
３９へと移動させられる。
【００３１】処理室（オリフラ室）３９内では、基板の
オリフラの位置検出がなされ、所定の方向に位置合わせ
される。このオリフラ合わせが必要無い場合、或いは他
の方法でオリフラ合わせを実施する場合には、この処理
室３９を独立して設ける必要がないが、この処理室３９
内で基板の厚さをエピタキシャル成長の前後で各々測定
して、成長薄膜の膜厚を測定したりすることに利用する
こともできる。
オリフラの位置検出がなされ、所定の方向に位置合わせ
される。このオリフラ合わせが必要無い場合、或いは他
の方法でオリフラ合わせを実施する場合には、この処理
室３９を独立して設ける必要がないが、この処理室３９
内で基板の厚さをエピタキシャル成長の前後で各々測定
して、成長薄膜の膜厚を測定したりすることに利用する
こともできる。
【００３２】オリフラ合わせ後、基板は、ハンドラ３３
により、ゲートバルブ４９，５０の開閉動作に連動して
第１或いは第２の薄膜成長室とした処理室３７，３８内
に移動させられる。この各処理室（薄膜成長室）３７，
３８内では、まず先のエッチング（前処理）時にＨＦガ
スを用いている場合には、基板表面に付着しているＦ
（フッ素）を紫外線等を照射することで除去し、その
後、所定のガスを供給しながら所定の薄膜成長を行い、
基板の表面に薄膜を形成する。
により、ゲートバルブ４９，５０の開閉動作に連動して
第１或いは第２の薄膜成長室とした処理室３７，３８内
に移動させられる。この各処理室（薄膜成長室）３７，
３８内では、まず先のエッチング（前処理）時にＨＦガ
スを用いている場合には、基板表面に付着しているＦ
（フッ素）を紫外線等を照射することで除去し、その
後、所定のガスを供給しながら所定の薄膜成長を行い、
基板の表面に薄膜を形成する。
【００３３】所定の薄膜成長を行った後の基板は、第１
或いは第２の処理室３７，３８からゲートバルブ４９，
５０の開閉動作に連動してハンドラ３３により第１ハン
ドラ室３５内へ移動させられる。そして、このハンドラ
室３５を通過した基板は、ハンドラ３３によりゲートバ
ルブ５１の開閉動作に連動して、測定装置５２が配置さ
れた測定室とした処理室（接続室）４１内へと搬送され
る。
或いは第２の処理室３７，３８からゲートバルブ４９，
５０の開閉動作に連動してハンドラ３３により第１ハン
ドラ室３５内へ移動させられる。そして、このハンドラ
室３５を通過した基板は、ハンドラ３３によりゲートバ
ルブ５１の開閉動作に連動して、測定装置５２が配置さ
れた測定室とした処理室（接続室）４１内へと搬送され
る。
【００３４】この処理室（測定室）４１内では、薄膜に
対する種々の測定・検査が行われる。
対する種々の測定・検査が行われる。
【００３５】それらの測定が終了した後、基板は、ゲー
トバルブ５３の開閉動作に連動してハンドラ３４により
第２ハンドラ室３６内へ搬送され、このハンドラ室３６
からハンドラ３４により第１或いは第２のロード・アン
ロード室３１，３２内のカセットに収容されて一連のシ
ーケンスが終了する。
トバルブ５３の開閉動作に連動してハンドラ３４により
第２ハンドラ室３６内へ搬送され、このハンドラ室３６
からハンドラ３４により第１或いは第２のロード・アン
ロード室３１，３２内のカセットに収容されて一連のシ
ーケンスが終了する。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、真
空対応が不可能若しくは困難な処理室も構成要素となす
ことができ、この場合、真空対応が不可能若しくは困難
な処理室と真空室であるハンドラ室との基板の出入れ
に、別の基板搬送装置を準備する必要もなく、かつ真空
対応とするとための新たな設計も不要となる。
空対応が不可能若しくは困難な処理室も構成要素となす
ことができ、この場合、真空対応が不可能若しくは困難
な処理室と真空室であるハンドラ室との基板の出入れ
に、別の基板搬送装置を準備する必要もなく、かつ真空
対応とするとための新たな設計も不要となる。
【００３７】しかも、処理時間の短縮を図るとともに、
コスト面で有利となすことができ、装置としての柔軟性
に富んだものとすることができるといった効果がある。
コスト面で有利となすことができ、装置としての柔軟性
に富んだものとすることができるといった効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の概要構成を示す概要
図。
図。
【図２】同じく第２の実施例の概要構成を示す概要図。
１，３０ 薄膜成長装置 ２，３，３３，３４ ハンドラ ４，５，３５，３６ ハンドラ室 ９〜１２，３７〜３９ 処理室 １４ ロードロック室 ２０ 接続室 ４０，４１ 接続室（処理室）
Claims (3)
- 【請求項１】処理室が接続された複数のハンドラ室を備
え、この各ハンドラ室を介して各処理室に対する基板の
出入れを行うようにした基板処理装置において、前記ハ
ンドラ室間をロードロック機能を備えた接続室で連結し
たことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】前記接続室で基板に対する所定の処理を行
うようにしたことを特徴とする請求項１記載の基板処理
装置。 - 【請求項３】処理室が接続されたハンドラ室を備え、こ
のハンドラ室を介して処理室に対する基板の出入れを行
うようにした基板処理装置において、前記ハンドラ室で
基板に対する所定の処理を行うようにしたことを特徴と
する基板処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07169292A JP3154793B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 基板処理装置 |
| US08/036,894 US5766360A (en) | 1992-03-27 | 1993-03-25 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| GB9306341A GB2265634B (en) | 1992-03-27 | 1993-03-26 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US09/055,996 US5897710A (en) | 1992-03-27 | 1998-04-07 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07169292A JP3154793B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 基板処理装置 |
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|---|---|
| JPH05275344A true JPH05275344A (ja) | 1993-10-22 |
| JP3154793B2 JP3154793B2 (ja) | 2001-04-09 |
Family
ID=13467855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07169292A Expired - Lifetime JP3154793B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3154793B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077039A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-03-23 | Applied Materials Inc | 基板上でエピタキシャルシリコン層をシールするための方法及びシステム |
| US6672819B1 (en) | 1995-07-19 | 2004-01-06 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
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-
1992
- 1992-03-27 JP JP07169292A patent/JP3154793B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6672819B1 (en) | 1995-07-19 | 2004-01-06 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
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| JP4640879B2 (ja) * | 1999-07-09 | 2011-03-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウエハを処理する方法、及び半導体ウエハを処理するためのシステム |
| JP2014529184A (ja) * | 2011-08-02 | 2014-10-30 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3154793B2 (ja) | 2001-04-09 |
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