JPH0526812Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、ブートストラツプコンデンサの電
源側への放電を防止したブートストラツプ回路に
関する。

〔従来の技術〕

従来、オーデイオ用電力増幅器に設置されるブ
ートストラツプ回路では、第２図に示すように、
電力増幅器２の最終段にSEPP（Single Ended
Push−Pull）回路を成す直列に接続されたNPN
型トランジスタ２１，２２が設置され、各トラン
ジスタ２１，２２のべースには共通なドライブ回
路２３からドライブ入力が加えられている。ドラ
イブ回路２３には、ドライブ回路２３へ電源を供
給するトランジスタ２４，２５、ダイオード２６
および抵抗２７，２８が設置されている。抵抗２
８の一端には、ブートストラツプ端子４が設けら
れ、このブートストラツプ端子４と出力端子６と
の間にはブートストラツプコンデンサ８が接続さ
れている。

そして、出力端子６と接地端子（GND）１０
との間には、カツプリングコンデンサ１２を介し
て負荷としてのスピーカ１４が接続されている。
接地端子１０と電源端子１６との間には、電源か
ら所定の電圧V_CCが加えられている。

したがつて、このようなブートストラツプ回路
を付加した増幅器では、入力信号の極性に応じて
トランジスタ２５が導通、不導通を繰り返すこと
から、その導通時、ブートストラツプコンデンサ
８が直流的に電圧V_CCと出力電圧V_OUTとの電位差
分だけ充電されるので、その充電電圧に応じて出
力信号振幅が増強されて取り出され、出力端子６
および接地端子１０からスピーカ１４に供給され
る。

〔考案が解決しようとする課題〕

ところで、このようなブートストラツプ回路で
は、ダイオード２６およびトランジスタ２５のべ
ース・コレクタが放電経路１８を成すため、ブー
トストラツプコンデンサ８が放電経路１８を通じ
て電源ライン側に放電される。このような放電が
生じると、第３図に示すように、低周波波形に破
線部分ｍで示す欠けが生じ、これを防止するため
には、ブートストラツプコンデンサ８の容量を大
きくしなければならない不都合を生じる。

そこで、この考案は、ブートストラツプコンデ
ンサに対する不要な放電経路を遮断し、ブートス
トラツプコンデンサの容量を適性化したブートス
トラツプ回路の提供を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この考案のブートストラツプ回路は、第１図に
例示するように、出力信号を取り出すべき出力端
子６とブートストラツプ端子４との間にコンデン
サ（ブートストラツプコンデンサ８）を接続する
ブートストラツプ回路であつて、増幅器の出力段
に設置されて取り出すべき前記出力信号の正振幅
側で導通する第１のトランジスタ２１に、前記出
力信号の負振幅側で導通する第２のトランジスタ
２２を接続した出力回路と、この出力回路の前記
第１及び第２のトランジスタのべース側に設置さ
れて前記第１及び第２のトランジスタを駆動する
ドライブ回路２３と、電源から正電圧が加えられ
る電源端子１６と、この電源端子と基準電位点と
の間に前記基準電位点側に第１の抵抗２７を介し
て直列に接続された第３のトランジスタ２４と、
この第３のトランジスタと前記第１の抵抗との接
続点にべースが接続され、コレクタを前記正電圧
側にしてエミツタが第２の抵抗２８を介して前記
ブートストラツプ端子に接続された第４のトラン
ジスタ２５と、この第４のトランジスタのべース
とエミツタとの間にそのエミツタ側ら前記べース
側に順方向を成して接続された第１のダイオード
２６と、前記電源端子と前記第４のトランジスタ
のコレクタとの間に正電源側から前記第４のトラ
ンジスタ側に順方向を成して接続された第２のダ
イオード３０とを備えたことを特徴とする。

〔作用〕

このように構成すると、ブートストラツプコン
デンサの放電による低周波波形の欠けを防止で
き、しかも、ブートストラツプコンデンサの容量
を小さくすることが可能である。

〔実施例〕

第１図は、この考案のブートストラツプ回路の
実施例を示す。

音声入力を増幅して取り出す電力増幅器２の最
終段には、出力信号を取り出す出力回路が設置さ
れており、この出力回路には出力信号の正振幅側
で導通する第１のトランジスタ、負振幅側で導通
する第２のトランジスタを直列に接続してなる
SEPP回路として直列に接続されたNPN型トラ
ンジスタ２１，２２が設置され、各トランジスタ
２１，２２のべースには共通なドライブ回路２３
からドライブ入力が加えられている。ドライブ回
路２３には、このドライブ回路２３に電源を供給
する第３及び第４のトランジスタ２４，２５、第
１のダイオード２６、第１及び第２の抵抗２７，
２８が設置されているとともに、ブートストラツ
プコンデンサ８に対する放電経路１８を遮断する
第２のダイオード３０が付加されている。ダイオ
ード３０は、電力増幅器２がICによつて構成さ
れる場合には、逆方向耐圧が十分なダイオード、
たとえば、P⁺型導電領域と、N^-型導電領域（エ
ピタキシヤル層）によつて構成される。

そして、抵抗２８の一端に形成されたブートス
トラツプ端子４と電力増幅器２の出力端子６との
間にはブートストラツプコンデンサ８が接続され
ている。

また、出力端子６と接地端子１０との間には、
カツプリングコンデンサ１２を介して負荷として
のスピーカ１４が接続されており、接地端子１０
と電源端子１６との間には、電源から所定の電圧
V_CCが加えられている。

したがつて、このようなブートストラツプ回路
を付加した電力増幅器２では、入力信号の極性に
応じてトランジスタ２５が導通、不導通を繰り返
すことから、その導通時、ブートストラツプコン
デンサ８が直流的に電圧V_CCと出力電圧V_OUTとの
電位差分だけ充電されるので、その充電電圧に応
じて出力信号の振幅が増強されて取り出され、出
力端子６および接地端子１０間からスピーカ１４
に供給される。接地端子１０は接地等、即ち、基
準電位点に接続される。

そして、従来回路で生じたダイオード２６およ
びトランジスタ２５のべース・コレクタから電源
に至る放電経路１８が、ダイオード３０の挿入に
より、その放電ルートでは逆方向接続になるため
に確実に遮断される結果、ブートストラツプコン
デンサ８は無駄に放電されることなく、その充電
電荷をドライブ回路２３にのみ供給することがで
きる。このため、ブートストラツプコンデンサ８
の容量が小さくても、低周波波形の欠けを生じる
ことがなく、忠実度が高くなる。

〔考案の効果〕

以上説明したように、この考案によれば、ブー
トストラツプコンデンサに対する放電経路をダイ
オードの挿入によつて遮断したので、低周波波形
の欠けの発生を防止できるとともに、欠けを防止
するための補償容量を考慮することなく、ブート
ストラツプコンデンサを適性容量に設定でき、小
容量化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案のブートストラツプ回路の実
施例を示す回路図、第２図は従来のブートストラ
ツプ回路を示す回路図、第３図は従来のブートス
トラツプ回路における低周波波形の欠けを示す図
である。 ２……電力増幅器、４……ブートストラツプ端
子、６……出力端子、８……ブートストラツプコ
ンデンサ、１６……電源端子、２１……第１のト
ランジスタ、２２……第２のトランジスタ、２３
……ドライブ回路、２４……第３のトランジス
タ、２５……第４のトランジスタ、２６……第１
のダイオード、２７……第１の抵抗、２８……第
２の抵抗、３０……第２のダイオード。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 出力信号を取り出すべき出力端子とブートスト
   ラツプ端子との間にコンデンサを接続するブート
   ストラツプ回路であつて、 増幅器の出力段に設置されて取り出すべき前記
   出力信号の正振幅側で導通する第１のトランジス
   タに、前記出力信号の負振幅側で導通する第２の
   トランジスタを接続した出力回路と、 この出力回路の前記第１及び第２のトランジス
   タのべース側に設置されて前記第１及び第２のト
   ランジスタを駆動するドライブ回路と、 電源から正電圧が加えられる電源端子と、 この電源端子と基準電位点との間に前記基準電
   位点側に第１の抵抗を介して直列に接続された第
   ３のトランジスタと、 この第３のトランジスタと前記第１の抵抗との
   接続点にべースが接続され、コレクタを前記正電
   圧側にしてエミツタが第２の抵抗を介して前記ブ
   ートストラツプ端子に接続された第４のトランジ
   スタと、 この第４のトランジスタのべースとエミツタと
   の間にそのエミツタ側から前記べース側に順方向
   を成して接続された第１のダイオードと、 前記電源端子と前記第４のトランジスタのコレ
   クタとの間に正電源側から前記第４のトランジス
   タ側に順方向を成して接続された第２のダイオー
   ドと、 を備えたことを特徴とするブートストラツプ回
   路。