JPH05267297A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05267297A JPH05267297A JP5867792A JP5867792A JPH05267297A JP H05267297 A JPH05267297 A JP H05267297A JP 5867792 A JP5867792 A JP 5867792A JP 5867792 A JP5867792 A JP 5867792A JP H05267297 A JPH05267297 A JP H05267297A
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- JP
- Japan
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- film
- metallic wiring
- wiring
- metal wiring
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】多層配線を形成する場合の下地の平坦性を向上
させ、配線の断線などを防ぎ、配線の信頼性を向上させ
る。 【構成】上層配線下の層間絶縁膜を上層配線パターンの
反転マスクを用いてエッチングする。次に上層配線膜を
被着させ、ＳＯＧ膜を塗布した後エッチバックする事に
より層間絶縁膜があらかじめエッチングされていた部分
にのみ金属配線を残しパターニングする。 【効果】上層配線下の平坦性が向上し、配線の信頼性が
向上する。
させ、配線の断線などを防ぎ、配線の信頼性を向上させ
る。 【構成】上層配線下の層間絶縁膜を上層配線パターンの
反転マスクを用いてエッチングする。次に上層配線膜を
被着させ、ＳＯＧ膜を塗布した後エッチバックする事に
より層間絶縁膜があらかじめエッチングされていた部分
にのみ金属配線を残しパターニングする。 【効果】上層配線下の平坦性が向上し、配線の信頼性が
向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係わり、特に、多層配線における上層配線下の平坦性に
関する。
係わり、特に、多層配線における上層配線下の平坦性に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層配線の製造方法は、これを用
いて製造された半導体装置を図５を参照して説明する
と、半導体基板１１上に選択的熱酸化を行ない、拡散層
パターンと素子分離を行うフィールド酸化膜１２のパタ
ーンを形成し、その上にゲート電極１３であるポリシリ
コンのパターンを形成し、拡散層領域１４をイオン注入
により形成し、層間絶縁膜１５にコンタクトホールを形
成し、この層間絶縁膜１５上にその一部がコンタクトホ
ールを通して拡散層領域１４に接続する下層の金属配線
１６を形成する。そしてこの金属配線１６を被覆する層
間絶縁膜２２を形成し、その上にＳＯＧ（スピン・オン
・グラス）膜１７を塗布形成し、ドライエッチングによ
りエッチバックを行った後に、層間絶縁膜１８を形成
し、その上に上層の金属配線１９をパターニング形成し
ている。
いて製造された半導体装置を図５を参照して説明する
と、半導体基板１１上に選択的熱酸化を行ない、拡散層
パターンと素子分離を行うフィールド酸化膜１２のパタ
ーンを形成し、その上にゲート電極１３であるポリシリ
コンのパターンを形成し、拡散層領域１４をイオン注入
により形成し、層間絶縁膜１５にコンタクトホールを形
成し、この層間絶縁膜１５上にその一部がコンタクトホ
ールを通して拡散層領域１４に接続する下層の金属配線
１６を形成する。そしてこの金属配線１６を被覆する層
間絶縁膜２２を形成し、その上にＳＯＧ（スピン・オン
・グラス）膜１７を塗布形成し、ドライエッチングによ
りエッチバックを行った後に、層間絶縁膜１８を形成
し、その上に上層の金属配線１９をパターニング形成し
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多層配
線の製造方法においては、図５に示す様に、上層配線１
９下の平坦性が充分に得られず、上層配線１９をパター
ニングする際に下地段差が大きく、ＰＲ工程，エッチン
グ工程におけるプロセスマージンが狭く、パターンショ
ートをおこすという欠点がある。さらに３層配線，４層
配線と多層化が進むと下地段差がますます大きくなり最
上層の金属配線パターンの形成が困難となるといった問
題点があった。
線の製造方法においては、図５に示す様に、上層配線１
９下の平坦性が充分に得られず、上層配線１９をパター
ニングする際に下地段差が大きく、ＰＲ工程，エッチン
グ工程におけるプロセスマージンが狭く、パターンショ
ートをおこすという欠点がある。さらに３層配線，４層
配線と多層化が進むと下地段差がますます大きくなり最
上層の金属配線パターンの形成が困難となるといった問
題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の多層配線形成製
造方法は、下層の金属配線を形成する領域の下地絶縁膜
を金属配線パターンの反転マスクを用いてＰＲ，エッチ
ング工程を経てあらかじめエッチングする工程と、金属
膜をスパッタしその上にＳＯＧ膜を塗布して、エッチバ
ックする事により不用な金属膜部分を露出させてその露
出した部分の金属膜をエッチングする工程とを有する。
造方法は、下層の金属配線を形成する領域の下地絶縁膜
を金属配線パターンの反転マスクを用いてＰＲ，エッチ
ング工程を経てあらかじめエッチングする工程と、金属
膜をスパッタしその上にＳＯＧ膜を塗布して、エッチバ
ックする事により不用な金属膜部分を露出させてその露
出した部分の金属膜をエッチングする工程とを有する。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１乃至図３は本発明の第１の実施例を示す工程断
面図である。
る。図１乃至図３は本発明の第１の実施例を示す工程断
面図である。
【０００６】まず図１に示すように選択的熱酸化法で半
導体基板１１上にフィールド酸化膜１２を形成してフィ
ールド領域と拡散層領域を区画し、ゲート電極１３をパ
ターンニングし、拡散層１４を形成する為のイオン注入
をほどこし、その上に層間絶縁膜１５を形成し、そこに
コンタクトホールを開孔する。
導体基板１１上にフィールド酸化膜１２を形成してフィ
ールド領域と拡散層領域を区画し、ゲート電極１３をパ
ターンニングし、拡散層１４を形成する為のイオン注入
をほどこし、その上に層間絶縁膜１５を形成し、そこに
コンタクトホールを開孔する。
【０００７】次に図２に示す様に、１層目の金属配線を
形成する部分に１層目の金属配線パターンの反転マスク
を用いＰＲ，エッチング工程を経て層間絶縁膜１５を１
層目の金属配線の厚さ分だけエッチングする。この後、
１層目の金属膜１６をスパッタし、さらにＳＯＧ膜１７
を塗布形成し、ＳＯＧ膜１７をエッチバックする。こう
する事により１層目の金属膜１６の不用な部分が露出す
る。
形成する部分に１層目の金属配線パターンの反転マスク
を用いＰＲ，エッチング工程を経て層間絶縁膜１５を１
層目の金属配線の厚さ分だけエッチングする。この後、
１層目の金属膜１６をスパッタし、さらにＳＯＧ膜１７
を塗布形成し、ＳＯＧ膜１７をエッチバックする。こう
する事により１層目の金属膜１６の不用な部分が露出す
る。
【０００８】次に図３に示すように、露出している金属
膜１６の部分エッチング除去して、１層目の金属配線１
６をパターニング形成する。この後、再度、ＳＯＧ膜１
７をエッチングし、コンタクトホール部の下地が凹にな
っている部分にのみＳＯＧ膜１７を残す事で非常に良好
な平坦性が得られた事になる。そしてこの上に層間絶縁
膜１８を形成し、さらに２層目の金属配線１９を形成す
る。図３から明らかのように平坦性が向上し、特に下地
がコンタクトホール部の平坦性は非常に良好となる。
膜１６の部分エッチング除去して、１層目の金属配線１
６をパターニング形成する。この後、再度、ＳＯＧ膜１
７をエッチングし、コンタクトホール部の下地が凹にな
っている部分にのみＳＯＧ膜１７を残す事で非常に良好
な平坦性が得られた事になる。そしてこの上に層間絶縁
膜１８を形成し、さらに２層目の金属配線１９を形成す
る。図３から明らかのように平坦性が向上し、特に下地
がコンタクトホール部の平坦性は非常に良好となる。
【０００９】次に本発明の第２の実施例によって製造さ
れた半導体装置を図４に示す。３層目の金属配線が必要
の場合は、２層目の金属配線２９を、第１の実施例の１
層目の金属配線１６の形成と同様の方法で、層間絶縁膜
２８の表面から内部に埋込み形成し、そのコンタクト上
のみＳＯＧ膜２７を残余せしめ、層間絶縁膜２０を形成
し、その上に３層目の金属配線２１をパターニング形成
する。
れた半導体装置を図４に示す。３層目の金属配線が必要
の場合は、２層目の金属配線２９を、第１の実施例の１
層目の金属配線１６の形成と同様の方法で、層間絶縁膜
２８の表面から内部に埋込み形成し、そのコンタクト上
のみＳＯＧ膜２７を残余せしめ、層間絶縁膜２０を形成
し、その上に３層目の金属配線２１をパターニング形成
する。
【００１０】又、同様の方法で、４層目あるいはそれよ
りも上層の金属配線を形成することができる。
りも上層の金属配線を形成することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は金属配線下
の層間絶縁膜を金属配線パターンの反転マスクを用いて
エッチングし、その後スパッタするという製造方法を用
いて金属配線を埋め込み、さらにＳＯＧ膜で凹部を埋め
込むことにより配線パターンを形成したので、金属配線
下の平坦性が非常に良好となるという効果を有する。
の層間絶縁膜を金属配線パターンの反転マスクを用いて
エッチングし、その後スパッタするという製造方法を用
いて金属配線を埋め込み、さらにＳＯＧ膜で凹部を埋め
込むことにより配線パターンを形成したので、金属配線
下の平坦性が非常に良好となるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の製造方法における途中
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の製造方法の途中工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例の製造方法により得られ
た２層金属配線構造を示す断面図である。
た２層金属配線構造を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例の製造方法により得られ
た３層金属配線構造を示す断面図である。
た３層金属配線構造を示す断面図である。
【図５】従来技術の製造方法により得られた２層金属配
線構造を示す断面図である。
線構造を示す断面図である。
１１ 半導体基板 １２ フィールド酸化膜 １３ ポリシリコン １４ 拡散層 １５，１８，２０，２２，２８ 層間絶縁膜 １６，１９，２１，２９ 金属配線 １７，２７ ＳＯＧ膜
Claims (1)
- 【請求項１】多層配線における各金属配線下の層間絶縁
膜を金属配線が形成される部分のみ所望の膜厚だけ除去
し、しかるのちに金属配線膜を形成し、さらにＳＯＧ膜
を塗布し、不要な金属膜部分が露出するまでＳＯＧ膜を
除去し、その後露出した金属膜を除去して金属配線パタ
ーンを形成する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5867792A JPH05267297A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5867792A JPH05267297A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267297A true JPH05267297A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13091208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5867792A Pending JPH05267297A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267297A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136336A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP5867792A patent/JPH05267297A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136336A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980818 |