JPH05267158A - 三層レジスト法によるパターン形成方法 - Google Patents
三層レジスト法によるパターン形成方法Info
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- JPH05267158A JPH05267158A JP6262292A JP6262292A JPH05267158A JP H05267158 A JPH05267158 A JP H05267158A JP 6262292 A JP6262292 A JP 6262292A JP 6262292 A JP6262292 A JP 6262292A JP H05267158 A JPH05267158 A JP H05267158A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡便な三層レジスト法によるパターン形成方
法を提供する。 【構成】 シリコン基板１１上に、下層レジスト層１３
を形成する。この下層１３上に、アルコキシ基を有する
ポリ（シロキサン）誘導体例えばポリ（ジ−ｔ−ブトキ
シシロキサン）と加熱によって酸を発生する酸発生剤例
えばビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヘキサフロロアン
チモネートとを含有する樹脂組成物をスピンコートして
から加熱処理して中間層としてのＳｉＯ2 膜１５を形成
する。この中間層１５上に、上層レジスト層１７を形成
する。この層１７に、電子線による露光、さらに現像を
行なってパターニングをし、次に中間層に対してＣＨＦ
3 −ＲＩＥを行なった後、下層に対してＯ2 −ＲＩＥを
行なう。
法を提供する。 【構成】 シリコン基板１１上に、下層レジスト層１３
を形成する。この下層１３上に、アルコキシ基を有する
ポリ（シロキサン）誘導体例えばポリ（ジ−ｔ−ブトキ
シシロキサン）と加熱によって酸を発生する酸発生剤例
えばビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヘキサフロロアン
チモネートとを含有する樹脂組成物をスピンコートして
から加熱処理して中間層としてのＳｉＯ2 膜１５を形成
する。この中間層１５上に、上層レジスト層１７を形成
する。この層１７に、電子線による露光、さらに現像を
行なってパターニングをし、次に中間層に対してＣＨＦ
3 −ＲＩＥを行なった後、下層に対してＯ2 −ＲＩＥを
行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置などの製
造、特に能動素子、配線パターンの形成に用いられる三
層レジスト法によるパターン形成方法に関するものであ
る。
造、特に能動素子、配線パターンの形成に用いられる三
層レジスト法によるパターン形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣ）の高集積化と高
速化を図るため、ＩＣの製造に当たっては配線の微細
化、多層化が進められている。しかし、微細化による配
線抵抗の増加を防止するため配線のアスペクト比は高く
される傾向にありそしてこのような配線が多層化される
ので、被加工基板上の段差はますます大きくなる。した
がって、このような段差を有する被加工基板上に例えば
縮小投影露光装置を用いてレジストパターンを形成する
場合、上記段差が露光装置の焦点深度の範囲を越えるよ
うになるので、従来のような一層のレジストを用いたパ
ターニング方法では所望のパターンを形成できなくなる
恐れがある。特に、サブミクロンの領域においては、開
口数の大きいレンズを装備した縮小投影露光装置が用い
られる傾向があり焦点深度がますます浅くなるため、こ
の問題はさらに顕著になる。
速化を図るため、ＩＣの製造に当たっては配線の微細
化、多層化が進められている。しかし、微細化による配
線抵抗の増加を防止するため配線のアスペクト比は高く
される傾向にありそしてこのような配線が多層化される
ので、被加工基板上の段差はますます大きくなる。した
がって、このような段差を有する被加工基板上に例えば
縮小投影露光装置を用いてレジストパターンを形成する
場合、上記段差が露光装置の焦点深度の範囲を越えるよ
うになるので、従来のような一層のレジストを用いたパ
ターニング方法では所望のパターンを形成できなくなる
恐れがある。特に、サブミクロンの領域においては、開
口数の大きいレンズを装備した縮小投影露光装置が用い
られる傾向があり焦点深度がますます浅くなるため、こ
の問題はさらに顕著になる。
【０００３】そこで、これを解決する技術として、例え
ば文献ａ「ジャーナル オブ バキューム サイエンス
テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｖａｃｕｕｍ
Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、第１６
巻、第６号、１６２０〜１６２４頁、１９７９年１１月
／１２月」に開示の、三層レジスト法と称される技術が
あった。
ば文献ａ「ジャーナル オブ バキューム サイエンス
テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｖａｃｕｕｍ
Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、第１６
巻、第６号、１６２０〜１６２４頁、１９７９年１１月
／１２月」に開示の、三層レジスト法と称される技術が
あった。
【０００４】この三層レジスト法では、例えば、段差を
有する被加工基板上に形成された金属層から配線パター
ンを形成する場合次のような手順がとられる。
有する被加工基板上に形成された金属層から配線パター
ンを形成する場合次のような手順がとられる。
【０００５】まず、被加工基板上の金属層上に熱硬化性
樹脂が厚く（１．５〜３μｍ厚）塗布される。次に、こ
れが熱硬化されて下層とされる。この下層により被加工
基板の段差が平坦化される。次に、この下層上に、中間
層として、酸素プラズマによるエッチングに対し高い耐
性を有するＳｉＯ2 の薄層（０．１μｍ厚）が、２００
℃の加熱によりスパッタ法により形成される。次にこの
中間層上に、上層としての感光性樹脂層が形成され、こ
れが露光及び現像されて感光性樹脂層のパターンが得ら
れる。次に、このパターンをマスクとして、ＣＨＦ3 ガ
スを用いた反応性イオンエッチングにより、中間層がパ
ターニングされる。その後、この中間層のパターンをマ
スクとして、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング
（Ｏ2 −ＲＩＥ）により下層のエッチングが行なわれ
る。これにより高アスペクト比の三層レジストパターン
が得られる。そして、これをマスクとして被加工基板上
の下地金属層がエッチングされて所望の配線パターンが
形成される。
樹脂が厚く（１．５〜３μｍ厚）塗布される。次に、こ
れが熱硬化されて下層とされる。この下層により被加工
基板の段差が平坦化される。次に、この下層上に、中間
層として、酸素プラズマによるエッチングに対し高い耐
性を有するＳｉＯ2 の薄層（０．１μｍ厚）が、２００
℃の加熱によりスパッタ法により形成される。次にこの
中間層上に、上層としての感光性樹脂層が形成され、こ
れが露光及び現像されて感光性樹脂層のパターンが得ら
れる。次に、このパターンをマスクとして、ＣＨＦ3 ガ
スを用いた反応性イオンエッチングにより、中間層がパ
ターニングされる。その後、この中間層のパターンをマ
スクとして、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング
（Ｏ2 −ＲＩＥ）により下層のエッチングが行なわれ
る。これにより高アスペクト比の三層レジストパターン
が得られる。そして、これをマスクとして被加工基板上
の下地金属層がエッチングされて所望の配線パターンが
形成される。
【０００６】三層レジスト法の利点は、厚い平坦化層
（下層）の上に感光性樹脂層のパターンを形成するた
め、感光性樹脂層のパターニングの際に基板上の段差の
影響を受けることがなく、従って、寸法変動なしに高ア
スペクト比の微細パターンを形成できることである。
（下層）の上に感光性樹脂層のパターンを形成するた
め、感光性樹脂層のパターニングの際に基板上の段差の
影響を受けることがなく、従って、寸法変動なしに高ア
スペクト比の微細パターンを形成できることである。
【０００７】なお、中間層としては、例えばＯＣＤ（東
京応化工業（株）製）なる名称で市販されているＳｉＯ
2 系被膜形成用塗布液を用いることもできる。文献ａに
記載の方法では中間層を形成するためスパッタ装置が必
要でありまたそのために工程が複雑であったが、ＯＣＤ
を用いる場合はスピンコートによって膜の形成ができる
ため極めて簡便である。
京応化工業（株）製）なる名称で市販されているＳｉＯ
2 系被膜形成用塗布液を用いることもできる。文献ａに
記載の方法では中間層を形成するためスパッタ装置が必
要でありまたそのために工程が複雑であったが、ＯＣＤ
を用いる場合はスピンコートによって膜の形成ができる
ため極めて簡便である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ＯＣＤを用いて膜形成を行なう場合、４５０℃という高
温（カタログ記載の推奨温度）が必要なため下地への影
響がある。また、成膜時に当該膜にクラックが生じ易い
という問題点があった。
ＯＣＤを用いて膜形成を行なう場合、４５０℃という高
温（カタログ記載の推奨温度）が必要なため下地への影
響がある。また、成膜時に当該膜にクラックが生じ易い
という問題点があった。
【０００９】この発明はこのような点に鑑みなされたも
のであり、従って、この発明の目的は、中間層の形成を
スピンコート法により行なえ然も下地への熱による影響
を従来より低減できる三層レジスト法によるパターン形
成方法を提供することにある。
のであり、従って、この発明の目的は、中間層の形成を
スピンコート法により行なえ然も下地への熱による影響
を従来より低減できる三層レジスト法によるパターン形
成方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の三層レジスト法によるパターン形成方法
によれば、中間層形成材として、アルコキシ基を有する
ポリ（シロキサン）誘導体と、加熱により酸を発生する
酸発生剤とを含有する組成物を用いる。さらに下層上に
前述の組成物の層を形成する工程と、該組成物の層に対
して熱処理をする工程と、該熱処理済みの組成物の層上
に上層を形成する工程とを含むことを特徴とする。な
お、下層及び上層各々の構成材料は特に限定されない。
め、この発明の三層レジスト法によるパターン形成方法
によれば、中間層形成材として、アルコキシ基を有する
ポリ（シロキサン）誘導体と、加熱により酸を発生する
酸発生剤とを含有する組成物を用いる。さらに下層上に
前述の組成物の層を形成する工程と、該組成物の層に対
して熱処理をする工程と、該熱処理済みの組成物の層上
に上層を形成する工程とを含むことを特徴とする。な
お、下層及び上層各々の構成材料は特に限定されない。
【００１１】この発明の実施に当たり、前述のポリ（シ
ロキサン）誘導体を、式（３）で示される重合体、式
（４）で示される重合体、および前記式（３）で示され
る重合体と前記式（４）で示される重合体との共重合体
よりなる群から選択される一つまたは複数のものとする
のがよい（ただし、式（３）中および式（４）中、
Ｒ1、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、アルキル基を表わし、
これらは同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ5 は、
主に溶剤中での当該ポリ（シロキサン）誘導体の保存安
定性を確保できるあらゆる基を表わし、例えばトリメチ
ルシリル（ＴＭＳ）基などであり、また、ｍおよびｎは
正の整数を表わす。）。
ロキサン）誘導体を、式（３）で示される重合体、式
（４）で示される重合体、および前記式（３）で示され
る重合体と前記式（４）で示される重合体との共重合体
よりなる群から選択される一つまたは複数のものとする
のがよい（ただし、式（３）中および式（４）中、
Ｒ1、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、アルキル基を表わし、
これらは同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ5 は、
主に溶剤中での当該ポリ（シロキサン）誘導体の保存安
定性を確保できるあらゆる基を表わし、例えばトリメチ
ルシリル（ＴＭＳ）基などであり、また、ｍおよびｎは
正の整数を表わす。）。
【００１２】
【化２】
【００１３】また、この発明の実施に当たり、ポリ（シ
ロキサン）誘導体の重量平均分子量を、５００〜１００
０００の範囲とするのが好ましい。重量平均分子量が５
００より小さいと、皮膜（ＳｉＯ2 ）の形成時間が長く
必要であり実用的でなく、重量平均分子量が１００００
０より大きいものはその合成を分子量の制御性よく行な
うことが難しいからである。
ロキサン）誘導体の重量平均分子量を、５００〜１００
０００の範囲とするのが好ましい。重量平均分子量が５
００より小さいと、皮膜（ＳｉＯ2 ）の形成時間が長く
必要であり実用的でなく、重量平均分子量が１００００
０より大きいものはその合成を分子量の制御性よく行な
うことが難しいからである。
【００１４】このようなポリ（シロキサン）誘導体の一
部については、この出願に係る出願人による特願平４−
１７５８８号公報に記載の化合物である。また、このよ
うなポリ（シロキサン誘導体）の一部のものの合成方法
についてもこの出願に係る出願人による特願平４−０２
０８８９号公報に記載されている。
部については、この出願に係る出願人による特願平４−
１７５８８号公報に記載の化合物である。また、このよ
うなポリ（シロキサン誘導体）の一部のものの合成方法
についてもこの出願に係る出願人による特願平４−０２
０８８９号公報に記載されている。
【００１５】一方、酸発生剤として、次に挙げるような
ものを使用することができる。例えば、下記の式（Ｉ）
〜（ＩＶ）で示されるスルホニウム塩、下記の式（Ｖ）
および（ＶＩ）で示されるヨードニウム塩、下記の式
（ＶＩＩ）で示されるアンモニウム塩、下記の式（ＶＩ
ＩＩ）および（ＩＸ）で示されるピリジニウム塩、下記
の式（Ｘ）で示されるｐ−トルエンスルホナート、下記
の式（ＸＩ）で示されるトリクロロメチル置換トリアジ
ン、並びに、下記の式（ＸＩＩ）で示される、トリクロ
ロメチル基を少なくとも１個有するトリクロロメチル置
換ベンゼンなどである。これらは、塩酸より強い酸を発
生するので好適である。
ものを使用することができる。例えば、下記の式（Ｉ）
〜（ＩＶ）で示されるスルホニウム塩、下記の式（Ｖ）
および（ＶＩ）で示されるヨードニウム塩、下記の式
（ＶＩＩ）で示されるアンモニウム塩、下記の式（ＶＩ
ＩＩ）および（ＩＸ）で示されるピリジニウム塩、下記
の式（Ｘ）で示されるｐ−トルエンスルホナート、下記
の式（ＸＩ）で示されるトリクロロメチル置換トリアジ
ン、並びに、下記の式（ＸＩＩ）で示される、トリクロ
ロメチル基を少なくとも１個有するトリクロロメチル置
換ベンゼンなどである。これらは、塩酸より強い酸を発
生するので好適である。
【００１６】
【化３】
【００１７】
【化４】
【００１８】
【化５】
【００１９】
【化６】
【００２０】ただし、式（Ｉ）〜（ＶＩ）中、Ｘ- は、
ＢＦ4 、ＡｓＦ6 、ＳｂＦ6 、ＣｌＯ4 、またはＣＦ3
ＳＯ3 を表わし、また、式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ
ＩＩ）および（ＶＩＩ）中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 お
よびＲ10は、それぞれアルキル基を表わす。また、式
（Ｘ）中、Ｒは、下記の式（Ａ）または（Ｂ）で示され
る基を表わし、式（ＸＩ）中、Ｒは、ＣＣｌ3 、または
下記の式（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）あるいは
（Ｇ）で示される基を表わし、式（ＸＩＩ）中、Ｒ1は
ＣｌまたはＨを表わし、かつＲ2 はＣｌまたはＣＣｌ3
を表わす。
ＢＦ4 、ＡｓＦ6 、ＳｂＦ6 、ＣｌＯ4 、またはＣＦ3
ＳＯ3 を表わし、また、式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ
ＩＩ）および（ＶＩＩ）中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 お
よびＲ10は、それぞれアルキル基を表わす。また、式
（Ｘ）中、Ｒは、下記の式（Ａ）または（Ｂ）で示され
る基を表わし、式（ＸＩ）中、Ｒは、ＣＣｌ3 、または
下記の式（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）あるいは
（Ｇ）で示される基を表わし、式（ＸＩＩ）中、Ｒ1は
ＣｌまたはＨを表わし、かつＲ2 はＣｌまたはＣＣｌ3
を表わす。
【００２１】
【化７】
【００２２】上述の酸発生剤は、市販されているか、ま
たは、例えばジェイ・ブイ・クリベロ（Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉ
ｖｅｌｌｏ）等による方法［ジャーナル オブ ポリマ
ーサイエンス、ポリマー ケミストリー エディション
（Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃ
ｈｅｍ． Ｅｄ．） １８，２６７７頁（１９８０）］
や、ティー エンドー（Ｔ．Ｅｎｄｏ）等による方法
［ジャーナル オブポリマー サイエンス、ポリマー
ケミストリー エディション ２３．３５９頁（１９８
５）］により合成することができる。
たは、例えばジェイ・ブイ・クリベロ（Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉ
ｖｅｌｌｏ）等による方法［ジャーナル オブ ポリマ
ーサイエンス、ポリマー ケミストリー エディション
（Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃ
ｈｅｍ． Ｅｄ．） １８，２６７７頁（１９８０）］
や、ティー エンドー（Ｔ．Ｅｎｄｏ）等による方法
［ジャーナル オブポリマー サイエンス、ポリマー
ケミストリー エディション ２３．３５９頁（１９８
５）］により合成することができる。
【００２３】これらの酸発生剤は、用いる組成物の重量
に対し０．０１〜５０重量％の範囲、好ましくは０．０
５〜３０重量％の範囲の量で添加するのがよい。この範
囲より少ないと成膜に高温を必要とし、この範囲より多
いと中間層が脆弱になるからである。
に対し０．０１〜５０重量％の範囲、好ましくは０．０
５〜３０重量％の範囲の量で添加するのがよい。この範
囲より少ないと成膜に高温を必要とし、この範囲より多
いと中間層が脆弱になるからである。
【００２４】更に、この発明の実施に当たり、中間層形
成過程における加熱温度を、４０〜４００℃の範囲、好
ましくは６０〜２５０℃の範囲とする。４０℃以下では
加熱による反応が進まず、また４０℃以下の低い温度で
反応する酸発生剤の系のものは、保存性の悪いものがで
きることがある。一方、４００℃以上の高い温度では、
下地基板に対して影響がでる可能性がある。加熱手段
は、特に限定されない。加熱手段としては、例えばオー
ブン、ホットプレートなどを挙げることができる。
成過程における加熱温度を、４０〜４００℃の範囲、好
ましくは６０〜２５０℃の範囲とする。４０℃以下では
加熱による反応が進まず、また４０℃以下の低い温度で
反応する酸発生剤の系のものは、保存性の悪いものがで
きることがある。一方、４００℃以上の高い温度では、
下地基板に対して影響がでる可能性がある。加熱手段
は、特に限定されない。加熱手段としては、例えばオー
ブン、ホットプレートなどを挙げることができる。
【００２５】
【作用】この発明の構成によれば、アルコキシ基を有す
るポリ（シロキサン）誘導体と酸発生剤とを溶剤に溶か
すことにより中間層形成材の塗布液を調製出来る。用い
得る溶剤としては、例えば、モノクロロベンゼン、２−
メトキシ酢酸エチル、キシレン、ジオキサン、メチルイ
ソブチルケトン、酢酸イソアミルなど、種々のものを挙
げることができる。この塗布液は下層上に例えば回転塗
布法により塗布でき、これにより下層上に、アルコキシ
基を有するポリ（シロキサン）誘導体と酸発生剤とを含
有する組成物の層が形成できる。
るポリ（シロキサン）誘導体と酸発生剤とを溶剤に溶か
すことにより中間層形成材の塗布液を調製出来る。用い
得る溶剤としては、例えば、モノクロロベンゼン、２−
メトキシ酢酸エチル、キシレン、ジオキサン、メチルイ
ソブチルケトン、酢酸イソアミルなど、種々のものを挙
げることができる。この塗布液は下層上に例えば回転塗
布法により塗布でき、これにより下層上に、アルコキシ
基を有するポリ（シロキサン）誘導体と酸発生剤とを含
有する組成物の層が形成できる。
【００２６】次に、この組成物の層が加熱されるので、
この組成物中の酸発生剤より酸が生じる。この酸はポリ
（シロキサン）誘導体のアルコキシ基を脱離させるの
で、ポリ（シロキサン）誘導体ではシラノールが生じ
る。シラノールは縮合し易くまたこのシラノールにはこ
の発明に係る加熱処理の熱が及ぶので、シラノールの縮
合が容易に起こるため、中間層形成材の層はＳｉＯ2 と
なりＯ2 −ＲＩＥ耐性に優れる中間層が得られる。
この組成物中の酸発生剤より酸が生じる。この酸はポリ
（シロキサン）誘導体のアルコキシ基を脱離させるの
で、ポリ（シロキサン）誘導体ではシラノールが生じ
る。シラノールは縮合し易くまたこのシラノールにはこ
の発明に係る加熱処理の熱が及ぶので、シラノールの縮
合が容易に起こるため、中間層形成材の層はＳｉＯ2 と
なりＯ2 −ＲＩＥ耐性に優れる中間層が得られる。
【００２７】次に、この中間層の上に適当なレジストを
回転塗布し、かつ、このレジストを適当な放射線源によ
り露光を行ないさらに現像を行ない、上層のパターンを
得る。この上層のパターンを用いて、例えばＣＨＦ3 −
ＲＩＥにより中間層のエッチングを行ない中間層のパタ
ーンを形成する。その後、この中間層のパターンをマス
クとして、例えばＯ2 −ＲＩＥにより下層のエッチング
を行ない、高アスペクト比の三層レジストパターンが得
られる。
回転塗布し、かつ、このレジストを適当な放射線源によ
り露光を行ないさらに現像を行ない、上層のパターンを
得る。この上層のパターンを用いて、例えばＣＨＦ3 −
ＲＩＥにより中間層のエッチングを行ない中間層のパタ
ーンを形成する。その後、この中間層のパターンをマス
クとして、例えばＯ2 −ＲＩＥにより下層のエッチング
を行ない、高アスペクト比の三層レジストパターンが得
られる。
【００２８】また、中間層形成材中の酸発生剤を適正な
ものとすることにより酸発生が起こる温度を適正化でき
るので、中間層形成材をＳｉＯ2 化するための温度を下
地に影響のない温度（例えば４０〜４００℃好ましくは
６０〜２５０℃）にできる。上述において例示したオニ
ウム塩、ｐ−トルエンスルホナートまたは、トリクロロ
メチル基を少なくとも１個有する芳香族化合物はこのよ
うな酸発生剤として好適である。
ものとすることにより酸発生が起こる温度を適正化でき
るので、中間層形成材をＳｉＯ2 化するための温度を下
地に影響のない温度（例えば４０〜４００℃好ましくは
６０〜２５０℃）にできる。上述において例示したオニ
ウム塩、ｐ−トルエンスルホナートまたは、トリクロロ
メチル基を少なくとも１個有する芳香族化合物はこのよ
うな酸発生剤として好適である。
【００２９】
【実施例】以下、この発明の、三層レジスト法によるパ
ターン形成方法の実施例について説明する。なお、以下
の説明中で述べる、使用材料及びその量、処理時間、温
度、その他の数値的条件は、この発明の範囲内の好適例
にすぎない。従って、この発明は、これら条件にのみ限
定されるものでない。
ターン形成方法の実施例について説明する。なお、以下
の説明中で述べる、使用材料及びその量、処理時間、温
度、その他の数値的条件は、この発明の範囲内の好適例
にすぎない。従って、この発明は、これら条件にのみ限
定されるものでない。
【００３０】１．中間層形成材のＯ2 −ＲＩＥ耐性テス
ト １−１．ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）／トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート（Ｐｈ3 Ｓ+ ＯＴ
ｆ- ） 重量平均分子量が２００００のポリ（ジ−ｔ−ブトキシ
シロキサン）（式（３）中、Ｒ1 およびＲ2 がｔ−ブチ
ル（Ｂｕ）基であり、かつ、Ｒ5 がＴＭＳ基であるも
の。）１９０ｇ（１ｍｏｌ）と、酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレート（Ｐｈ3 Ｓ+ ＯＴｆ
- ）８．２５ｇ（０．０２ｍｏｌ）とを、モノクロロベ
ンゼン１７８０ｇ中に溶解し、それを０．２μｍ孔メン
ブレンフィルターで濾過して、中間層形成材の塗布液を
調製する。
ト １−１．ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）／トリフ
ェニルスルホニウムトリフレート（Ｐｈ3 Ｓ+ ＯＴ
ｆ- ） 重量平均分子量が２００００のポリ（ジ−ｔ−ブトキシ
シロキサン）（式（３）中、Ｒ1 およびＲ2 がｔ−ブチ
ル（Ｂｕ）基であり、かつ、Ｒ5 がＴＭＳ基であるも
の。）１９０ｇ（１ｍｏｌ）と、酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレート（Ｐｈ3 Ｓ+ ＯＴｆ
- ）８．２５ｇ（０．０２ｍｏｌ）とを、モノクロロベ
ンゼン１７８０ｇ中に溶解し、それを０．２μｍ孔メン
ブレンフィルターで濾過して、中間層形成材の塗布液を
調製する。
【００３１】シリコン基板上にフォトレジスト（シプレ
ー社製 ＭＰ２４００（商品名）を使用）を回転塗布
し、オーブン中で２００℃にて、１時間加熱して硬化さ
せ、膜厚１．５μｍの下層レジスト層を形成する。この
上に、上記調製した塗布液を回転塗布して膜厚０．２μ
ｍの中間層形成剤の層を形成し、次に、ホットプレート
上で、１８０℃にて２分間加熱する。この加熱処理によ
り中間層形成材の層はＳｉＯ2 膜になる。なお、中間層
形成材の層がＳｉＯ2 膜になったか否かの確認は、本項
の実験とは別途に、シリコン基板上に中間層形成材の層
を直接形成し、この層の加熱処理前後のＩＲスペクトル
による分析により行なった。
ー社製 ＭＰ２４００（商品名）を使用）を回転塗布
し、オーブン中で２００℃にて、１時間加熱して硬化さ
せ、膜厚１．５μｍの下層レジスト層を形成する。この
上に、上記調製した塗布液を回転塗布して膜厚０．２μ
ｍの中間層形成剤の層を形成し、次に、ホットプレート
上で、１８０℃にて２分間加熱する。この加熱処理によ
り中間層形成材の層はＳｉＯ2 膜になる。なお、中間層
形成材の層がＳｉＯ2 膜になったか否かの確認は、本項
の実験とは別途に、シリコン基板上に中間層形成材の層
を直接形成し、この層の加熱処理前後のＩＲスペクトル
による分析により行なった。
【００３２】次に、この処理済みの基板に対し、ＤＥＭ
４５１平行平板型ドライエッチャー（日電アネルバ社
製）を用いて、Ｏ2 −ＲＩＥを２０分間行なう。エッチ
ング条件は、酸素（Ｏ2 ）ガス圧１．０Ｐａ、Ｏ2 ガス
流量２０ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度０．１２Ｗ／ｃｍ2
であった。
４５１平行平板型ドライエッチャー（日電アネルバ社
製）を用いて、Ｏ2 −ＲＩＥを２０分間行なう。エッチ
ング条件は、酸素（Ｏ2 ）ガス圧１．０Ｐａ、Ｏ2 ガス
流量２０ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度０．１２Ｗ／ｃｍ2
であった。
【００３３】エッチング後のＳｉＯ2 膜（中間層形成材
の層から得たもの）の膜減り量を、膜厚計（タリステッ
プ、テーラーホブソン社製）を用いて測定したところ、
膜減りは観察されなかった。また、クラックも生じてい
なかった。
の層から得たもの）の膜減り量を、膜厚計（タリステッ
プ、テーラーホブソン社製）を用いて測定したところ、
膜減りは観察されなかった。また、クラックも生じてい
なかった。
【００３４】１−２．ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサ
ン）／ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヘキサフロロア
ンチモネート（（４−ｔ−ＢｕＰｈ）2 Ｉ+ Ｓｂ
Ｆ6 - ） １−１項の構成において、ポリ（シロキサン）誘導体と
してポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）（式（３）
中、Ｒ1 およびＲ2 がｔ−Ｂｕ基であり、かつ、Ｒ5 が
ＴＭＳ基であるもの。）を用い、酸発生剤として（４−
ｔ−ＢｕＰｈ）2Ｉ+ ＳｂＦ6 - ）（式（Ｖ）で示され
る化合物のＰｈ基のそれぞれパラの位置に、ｔ−Ｂｕ基
が入り、かつ、Ｘ- がＳｂＦ6 - であるもの。）を用
い、中間層形成材の層の加熱温度を２００℃とした以外
は、１−１項に記載の条件と同様な条件で実験を行な
う。
ン）／ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヘキサフロロア
ンチモネート（（４−ｔ−ＢｕＰｈ）2 Ｉ+ Ｓｂ
Ｆ6 - ） １−１項の構成において、ポリ（シロキサン）誘導体と
してポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）（式（３）
中、Ｒ1 およびＲ2 がｔ−Ｂｕ基であり、かつ、Ｒ5 が
ＴＭＳ基であるもの。）を用い、酸発生剤として（４−
ｔ−ＢｕＰｈ）2Ｉ+ ＳｂＦ6 - ）（式（Ｖ）で示され
る化合物のＰｈ基のそれぞれパラの位置に、ｔ−Ｂｕ基
が入り、かつ、Ｘ- がＳｂＦ6 - であるもの。）を用
い、中間層形成材の層の加熱温度を２００℃とした以外
は、１−１項に記載の条件と同様な条件で実験を行な
う。
【００３５】この実施例において、Ｏ2 −ＲＩＥによる
膜減り及びクラックは、観察されなかった。
膜減り及びクラックは、観察されなかった。
【００３６】１−３．ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサ
ン）／ベンゾイントシレート １−１項の構成において、ポリ（シロキサン）誘導体と
してポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）（式（３）
中、Ｒ1 およびＲ2 がｔ−Ｂｕ基であり、かつ、Ｒ5 が
ＴＭＳ基であるもの。）を用い、酸発生剤としてベンゾ
イントシレート（式（Ｘ）中、Ｒが式（Ａ）で示される
基であるもの。）を用い、中間層形成材の層の加熱温度
を２００℃とした以外は、１−１項に記載の条件と同様
な条件で実験を行なう。
ン）／ベンゾイントシレート １−１項の構成において、ポリ（シロキサン）誘導体と
してポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）（式（３）
中、Ｒ1 およびＲ2 がｔ−Ｂｕ基であり、かつ、Ｒ5 が
ＴＭＳ基であるもの。）を用い、酸発生剤としてベンゾ
イントシレート（式（Ｘ）中、Ｒが式（Ａ）で示される
基であるもの。）を用い、中間層形成材の層の加熱温度
を２００℃とした以外は、１−１項に記載の条件と同様
な条件で実験を行なう。
【００３７】この実施例において、Ｏ2 −ＲＩＥによる
膜減り及びクラックは、観察されなかった。
膜減り及びクラックは、観察されなかった。
【００３８】１−４．ポリ（ジメトキシシロキサン）／
トリフェニルスルホニウムトリフレート（Ｐｈ3 Ｓ+ Ｏ
Ｔｆ- ） １−１項の構成において、ポリ（シロキサン）誘導体と
してポリ（ジメトキシシロキサン）（式（３）中、Ｒ1
およびＲ2 がメチル基であり、かつ、Ｒ5 がＴＭＳ基で
あるもの。）を用い、酸発生剤としてトリフェニルスル
ホニウムトリフレート（式（Ｉ）中、Ｘ- がＣＦ3 ＳＯ
3 - であるもの。）を用い、中間層形成材の層の加熱温
度を２５０℃とした以外は、１−１項に記載の条件と同
様な条件で実験を行なう。
トリフェニルスルホニウムトリフレート（Ｐｈ3 Ｓ+ Ｏ
Ｔｆ- ） １−１項の構成において、ポリ（シロキサン）誘導体と
してポリ（ジメトキシシロキサン）（式（３）中、Ｒ1
およびＲ2 がメチル基であり、かつ、Ｒ5 がＴＭＳ基で
あるもの。）を用い、酸発生剤としてトリフェニルスル
ホニウムトリフレート（式（Ｉ）中、Ｘ- がＣＦ3 ＳＯ
3 - であるもの。）を用い、中間層形成材の層の加熱温
度を２５０℃とした以外は、１−１項に記載の条件と同
様な条件で実験を行なう。
【００３９】この実施例において、Ｏ2 −ＲＩＥによる
膜減り及びクラックは、観察されなかった。
膜減り及びクラックは、観察されなかった。
【００４０】１−５．ポリ（ｔ−ブトキシシルセスキオ
キサン）／トリフェニルスルホニウムトリフレート １−１項の構成において、ポリ（シロキサン）誘導体と
してポリ（ｔ−ブトキシシルセスキオキサン）（式
（４）中、Ｒ3 およびＲ4 がｔ−Ｂｕ基であり、かつ、
Ｒ5 がＴＭＳ基であるもの。）を用い、酸発生剤として
トリフェニルスルホニウムトリフレート（式（Ｉ）中、
Ｘは前と同じ基である。）を用い、中間層形成材の層の
加熱温度を１８０℃とした以外は、１−１項に記載の条
件と同様な条件で実験を行なう。
キサン）／トリフェニルスルホニウムトリフレート １−１項の構成において、ポリ（シロキサン）誘導体と
してポリ（ｔ−ブトキシシルセスキオキサン）（式
（４）中、Ｒ3 およびＲ4 がｔ−Ｂｕ基であり、かつ、
Ｒ5 がＴＭＳ基であるもの。）を用い、酸発生剤として
トリフェニルスルホニウムトリフレート（式（Ｉ）中、
Ｘは前と同じ基である。）を用い、中間層形成材の層の
加熱温度を１８０℃とした以外は、１−１項に記載の条
件と同様な条件で実験を行なう。
【００４１】この実施例において、Ｏ2 −ＲＩＥによる
膜減り及びクラックは、観察されなかった。
膜減り及びクラックは、観察されなかった。
【００４２】２．三層レジスト法によるパターン作成 図１の（Ａ）〜（Ｃ）、および図２の（Ａ）〜（Ｃ）
は、それぞれ、この発明の三層レジストパターン形成方
法の実施例の説明に供する工程図で、各図は、要部断面
図で示してある。なお、説明に用いる各図は、この発明
が理解できる程度に、各構成成分の大きさ、形状及び配
置関係を概略的に示してあるにすぎない。
は、それぞれ、この発明の三層レジストパターン形成方
法の実施例の説明に供する工程図で、各図は、要部断面
図で示してある。なお、説明に用いる各図は、この発明
が理解できる程度に、各構成成分の大きさ、形状及び配
置関係を概略的に示してあるにすぎない。
【００４３】図１の（Ａ）に示すように、シリコン（Ｓ
ｉ）基板１１上に、この場合、フォトレジスト、ＭＰ２
４００（シプレー社製、商品名）を回転塗布し、その後
この試料をオーブン中で２００℃にて、１時間加熱して
硬化させ、膜厚２．０μｍの下層レジスト層１３を形成
する。
ｉ）基板１１上に、この場合、フォトレジスト、ＭＰ２
４００（シプレー社製、商品名）を回転塗布し、その後
この試料をオーブン中で２００℃にて、１時間加熱して
硬化させ、膜厚２．０μｍの下層レジスト層１３を形成
する。
【００４４】次に、図１の（Ｂ）に示すように、この下
層レジスト層１３上に、実施例１−１の項において調製
した塗布液を、膜厚が０．２μｍとなるように回転塗布
し、その後、この試料をホットプレート上で１８０℃に
て、２分間加熱することにより、ＳｉＯ2 膜（中間層）
１５を形成する。
層レジスト層１３上に、実施例１−１の項において調製
した塗布液を、膜厚が０．２μｍとなるように回転塗布
し、その後、この試料をホットプレート上で１８０℃に
て、２分間加熱することにより、ＳｉＯ2 膜（中間層）
１５を形成する。
【００４５】次に、図１の（Ｃ）に示すように、この中
間層１５の上に、この場合ＳＡＬ６０１−ＥＲ７（シプ
レー社製、商品名）による上層レジスト層１７を膜厚が
０．４μｍとなるように形成する。
間層１５の上に、この場合ＳＡＬ６０１−ＥＲ７（シプ
レー社製、商品名）による上層レジスト層１７を膜厚が
０．４μｍとなるように形成する。
【００４６】次に、この上層レジスト層１７を電子線に
より選択的に露光する。その際の露光量を、３μＣ／ｃ
ｍ2 とする。この電子線露光を行なったものに、１１５
℃の温度にて、１分間ポストエクスポージャーベークを
行なう。その後、これを、０．２７ＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド）溶液中に５分間浸漬
し、更に水の中に５分間浸漬してから、ホットプレート
上で６０℃にて、１分間のベークを行なって上層パター
ン１７ａを得た（図２（Ａ））。
より選択的に露光する。その際の露光量を、３μＣ／ｃ
ｍ2 とする。この電子線露光を行なったものに、１１５
℃の温度にて、１分間ポストエクスポージャーベークを
行なう。その後、これを、０．２７ＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド）溶液中に５分間浸漬
し、更に水の中に５分間浸漬してから、ホットプレート
上で６０℃にて、１分間のベークを行なって上層パター
ン１７ａを得た（図２（Ａ））。
【００４７】次に、この上層パターン１７ａをマスクと
し、ドライエッチャーＤＥＭ４５１（日電アネルバ社
製）を用い、中間層１５に対してＣＨＦ3 −ＲＩＥを行
なう。中間層パターン１５ａが形成される（図２の
（Ｂ））。エッチング条件は、ＣＨＦ3 ガス圧を１０Ｐ
ａ、ＣＨＦ3 ガス流量を５０ＳＣＣＭ、ＣＦ4 ガス流量
を５０ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を１００Ｗ／ｃｍ2 と
し、エッチングを５分間行なう。これに引き続き、下層
１３に対してＯ2 −ＲＩＥを３５分間行なう。下層パタ
ーン１３ａが形成される（図２の（Ｃ））。エッチング
条件は、Ｏ2 ガス圧を１．０Ｐａ、Ｏ2 ガス流量を２０
ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を０．１２Ｗ／ｃｍ2 とし
た。
し、ドライエッチャーＤＥＭ４５１（日電アネルバ社
製）を用い、中間層１５に対してＣＨＦ3 −ＲＩＥを行
なう。中間層パターン１５ａが形成される（図２の
（Ｂ））。エッチング条件は、ＣＨＦ3 ガス圧を１０Ｐ
ａ、ＣＨＦ3 ガス流量を５０ＳＣＣＭ、ＣＦ4 ガス流量
を５０ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を１００Ｗ／ｃｍ2 と
し、エッチングを５分間行なう。これに引き続き、下層
１３に対してＯ2 −ＲＩＥを３５分間行なう。下層パタ
ーン１３ａが形成される（図２の（Ｃ））。エッチング
条件は、Ｏ2 ガス圧を１．０Ｐａ、Ｏ2 ガス流量を２０
ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を０．１２Ｗ／ｃｍ2 とし
た。
【００４８】このようにして得られたレジストパターン
（１３ａ，１５ａ，１７ａの積層体部分）の断面を、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した結果、０．５
μｍのラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓ）がアス
ペクト比４で、かつ、矩形の形状に形成されていること
が分かった。
（１３ａ，１５ａ，１７ａの積層体部分）の断面を、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した結果、０．５
μｍのラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓ）がアス
ペクト比４で、かつ、矩形の形状に形成されていること
が分かった。
【００４９】上述においては、この発明の三層レジスト
法によるパターン形成方法の実施例について説明した
が、この発明は、上述の実施例に制約されるものではな
い。
法によるパターン形成方法の実施例について説明した
が、この発明は、上述の実施例に制約されるものではな
い。
【００５０】例えば、上述の実施例では、ポリ（シロキ
サン）誘導体として、ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサ
ン）、ポリ（ジメトキシシロキサン）、およびポリ（ｔ
−ブトキシシルセスキオキサン）を用い、酸発生剤とし
てビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヘキサフロロアンチ
モネート、ベンゾイントシレート、およびトリフェニル
スルホニウムトリフレートを用いていたが、これらは単
なる一例にすぎない。ポリ（シロキサン）誘導体を上記
の式（１）または式（２）で示されるもの等の他の好適
なものとし、かつ、酸発生剤を上記の式（Ｉ）〜式（Ｘ
ＩＩ）で示されるもの等の他の好適なものとした場合
も、実施例と同様の効果を得ることができる。
サン）誘導体として、ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサ
ン）、ポリ（ジメトキシシロキサン）、およびポリ（ｔ
−ブトキシシルセスキオキサン）を用い、酸発生剤とし
てビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヘキサフロロアンチ
モネート、ベンゾイントシレート、およびトリフェニル
スルホニウムトリフレートを用いていたが、これらは単
なる一例にすぎない。ポリ（シロキサン）誘導体を上記
の式（１）または式（２）で示されるもの等の他の好適
なものとし、かつ、酸発生剤を上記の式（Ｉ）〜式（Ｘ
ＩＩ）で示されるもの等の他の好適なものとした場合
も、実施例と同様の効果を得ることができる。
【００５１】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の三層レジスト法によるパターン形成方法によれ
ば、アルコキシ基を有するポリ（シロキサン）誘導体
と、加熱によって酸を発生する酸発生剤とを含有する組
成物を中間層形成材として用いているので、下層上にこ
の組成物の層を回転塗布（スピンコート）法で形成でき
る。さらに、この組成物の層を熱処理するので、中間層
としてのＳｉＯ2 層が得られる。したがって、Ｏ2 −Ｒ
ＩＥ耐性が高い中間層を簡単に形成できる。
の発明の三層レジスト法によるパターン形成方法によれ
ば、アルコキシ基を有するポリ（シロキサン）誘導体
と、加熱によって酸を発生する酸発生剤とを含有する組
成物を中間層形成材として用いているので、下層上にこ
の組成物の層を回転塗布（スピンコート）法で形成でき
る。さらに、この組成物の層を熱処理するので、中間層
としてのＳｉＯ2 層が得られる。したがって、Ｏ2 −Ｒ
ＩＥ耐性が高い中間層を簡単に形成できる。
【００５２】また、組成物に対する熱処理温度は、上述
のＯＣＤ（従来のＳｉＯ2 系被膜形成材）の場合に比べ
低くて済む（実施例の温度でいえば２００℃程度低くて
済む）ので、下地への熱の影響も低減できる。
のＯＣＤ（従来のＳｉＯ2 系被膜形成材）の場合に比べ
低くて済む（実施例の温度でいえば２００℃程度低くて
済む）ので、下地への熱の影響も低減できる。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の三層レジスト法
によるパターン形成方法の実施例の説明に供する工程図
である。
によるパターン形成方法の実施例の説明に供する工程図
である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の三層レジスト法
によるパターン形成方法の実施例の説明に供する図１に
続く工程図である。
によるパターン形成方法の実施例の説明に供する図１に
続く工程図である。
１１：Ｓｉ基板 １３：下層レジスト層 １３ａ：下層パターン １５：中間層（ＳｉＯ2 膜） １５ａ：中間層パターン １７：上層レジスト層 １７ａ：上層パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/075 ５１１ 7/26 ５１１ 7124−2Ｈ
Claims (8)
- 【請求項１】 三層レジスト法によるパターン形成方法
であって、 中間層形成材として、アルコキシ基を有するポリ（シロ
キサン）誘導体と、加熱により酸を発生する酸発生剤と
を含有する組成物を用い、及び、 下層上に前記組成物の層を形成する工程と、 該組成物の層に対して熱処理をする工程と、 該熱処理済みの組成物の層上に上層を形成する工程とを
含むことを特徴とする三層レジスト法によるパターン形
成方法。 - 【請求項２】 ポリ（シロキサン）誘導体を、式（１）
で示される重合体、式（２）で示される重合体、および
式（１）で示される重合体と式（２）で示される重合体
との共重合体よりなる群から選択される一つまたは複数
のものとしたことを特徴とする請求項１記載の三層レジ
スト法によるパターン形成方法（ただし、式（１）およ
び式（２）中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、アルキ
ル基を表わし、これらは同一でも異なっていてもよく、
かつ、ｍおよびｎは正の整数を表わす。）。 【化１】 - 【請求項３】 ポリシロキサン誘導体を、重量平均分子
量が５００〜１０００００の範囲のものとしたことを特
徴とする請求項１または２記載の三層レジスト法による
パターン形成方法。 - 【請求項４】 酸発生剤として、オニウム塩を用いるこ
とを特徴とする請求項１記載の三層レジスト法によるパ
ターン形成方法。 - 【請求項５】 酸発生剤として、ｐ−トルエンスルホナ
ートを用いることを特徴とする請求項１記載の三層レジ
スト法によるパターン形成方法。 - 【請求項６】 酸発生剤として、トリクロロメチル基を
少なくとも１個有する芳香族化合物を用いることを特徴
とする請求項１記載の三層レジスト法によるパターン形
成方法。 - 【請求項７】 酸発生剤の添加量を、使用される組成物
の０．０１〜５０重量％の範囲としたことを特徴とする
請求項１、または４〜６のいずれかに記載の三層レジス
ト法によるパターン形成方法。 - 【請求項８】 熱処理温度を、４０〜４００℃の範囲と
したことを特徴とする請求項１記載の三層レジスト法に
よるパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6262292A JPH05267158A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 三層レジスト法によるパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6262292A JPH05267158A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 三層レジスト法によるパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267158A true JPH05267158A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13205607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6262292A Withdrawn JPH05267158A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 三層レジスト法によるパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267158A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6743885B2 (en) | 2001-07-31 | 2004-06-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin composition for intermediate layer of three-layer resist |
| US7871761B2 (en) | 2006-08-01 | 2011-01-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist lower layer material, resist lower layer substrate comprising the material and method for forming pattern |
| JP2011146535A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Renesas Electronics Corp | 多層レジストのパターン形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| CN102420113A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-04-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种避免光刻机被硅片背面金属沾污的方法 |
| US8349533B2 (en) | 2008-11-07 | 2013-01-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP6262292A patent/JPH05267158A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6743885B2 (en) | 2001-07-31 | 2004-06-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin composition for intermediate layer of three-layer resist |
| US7871761B2 (en) | 2006-08-01 | 2011-01-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist lower layer material, resist lower layer substrate comprising the material and method for forming pattern |
| US8349533B2 (en) | 2008-11-07 | 2013-01-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process |
| JP2011146535A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Renesas Electronics Corp | 多層レジストのパターン形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| CN102420113A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-04-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种避免光刻机被硅片背面金属沾污的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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