JPH05262696A - アセト酢酸誘導体の製造法 - Google Patents
アセト酢酸誘導体の製造法Info
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- JPH05262696A JPH05262696A JP4070160A JP7016092A JPH05262696A JP H05262696 A JPH05262696 A JP H05262696A JP 4070160 A JP4070160 A JP 4070160A JP 7016092 A JP7016092 A JP 7016092A JP H05262696 A JPH05262696 A JP H05262696A
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- acetoacetic acid
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Hydrogenated Pyridines (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 医薬品や農薬品の有用な中間体であるアセト
酢酸誘導体の新規な製造法を提供する。 【構成】 ３−ヒドロキシプロピオニトリルとジケテン
とを、イミダゾールの存在下に反応させて２−シアノエ
チルアセトアセテートを得た。
酢酸誘導体の新規な製造法を提供する。 【構成】 ３−ヒドロキシプロピオニトリルとジケテン
とを、イミダゾールの存在下に反応させて２−シアノエ
チルアセトアセテートを得た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は種々の医薬品や農薬品の
合成中間体として有用なアセト酢酸誘導体の新規な製造
法に関する。
合成中間体として有用なアセト酢酸誘導体の新規な製造
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アセト酢酸誘導体は医薬品や農薬品の合
成中間体として有用であり、ジケテンはその出発原料と
して一般的に用いられる。アセト酢酸誘導体の製造にお
いては塩基あるいは酸を触媒として用いるのが反応の円
滑な進行や制御に役立つことが知られている。例えば、
脂肪族アルコールのアセト酢酸エステルを製造する場合
には、トリエチルアミン、ピリジンあるいは酢酸ナトリ
ウムを触媒として用いるのが最も一般的である。
成中間体として有用であり、ジケテンはその出発原料と
して一般的に用いられる。アセト酢酸誘導体の製造にお
いては塩基あるいは酸を触媒として用いるのが反応の円
滑な進行や制御に役立つことが知られている。例えば、
脂肪族アルコールのアセト酢酸エステルを製造する場合
には、トリエチルアミン、ピリジンあるいは酢酸ナトリ
ウムを触媒として用いるのが最も一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、酸ある
いは塩基に不安定な官能基を有する化合物を出発原料と
する場合、これら酸あるいは塩基を触媒として用いるの
は好ましいこととはいえない。従って、より中性条件に
近い温和な反応条件で効率良く実施できる製造法の出現
が期待されている。本発明の目的は、まさにこの点にあ
り、種々の医薬品や農薬品の有用な合成中間体であるア
セト酢酸誘導体の新規な製造法を提供することにある。
いは塩基に不安定な官能基を有する化合物を出発原料と
する場合、これら酸あるいは塩基を触媒として用いるの
は好ましいこととはいえない。従って、より中性条件に
近い温和な反応条件で効率良く実施できる製造法の出現
が期待されている。本発明の目的は、まさにこの点にあ
り、種々の医薬品や農薬品の有用な合成中間体であるア
セト酢酸誘導体の新規な製造法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、中性条件
に近い温和な反応条件で実施可能でありまた、操作が容
易でかつ効率の良いアセト酢酸誘導体の新しい製造法を
開発すべく鋭意研究を重ねた結果、ジケテンと活性水素
を含む化合物とをアゾール類の存在下反応させることに
より、目的を達しうることを見出し、本発明を完成する
に至った。以下、本発明方法を詳細に説明する。本発明
方法は、アゾール類の存在下、無溶媒または不活性溶媒
中、ジケテンと活性水素を含む化合物とを反応させ、ア
セト酢酸誘導体を得る方法である。
に近い温和な反応条件で実施可能でありまた、操作が容
易でかつ効率の良いアセト酢酸誘導体の新しい製造法を
開発すべく鋭意研究を重ねた結果、ジケテンと活性水素
を含む化合物とをアゾール類の存在下反応させることに
より、目的を達しうることを見出し、本発明を完成する
に至った。以下、本発明方法を詳細に説明する。本発明
方法は、アゾール類の存在下、無溶媒または不活性溶媒
中、ジケテンと活性水素を含む化合物とを反応させ、ア
セト酢酸誘導体を得る方法である。
【０００５】本発明において、活性水素を含む化合物と
しては、各種の置換基を持つ化合物を用いることが可能
であり、その結果対応する種々のアセト酢酸誘導体を製
造することができる。例えば、本発明方法によれば一般
式〔Ｉ〕 Ｈ−Ｘ 〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは有機残基を示す。〕で表される活性水素を
含む化合物とジケテンを反応させることにより、一般式
〔ＩＩ〕 ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｘ 〔ＩＩ〕 〔式中、Ｘは前述と同じ意味を示す。〕で表されるアセ
ト酢酸誘導体を得ることができる。
しては、各種の置換基を持つ化合物を用いることが可能
であり、その結果対応する種々のアセト酢酸誘導体を製
造することができる。例えば、本発明方法によれば一般
式〔Ｉ〕 Ｈ−Ｘ 〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは有機残基を示す。〕で表される活性水素を
含む化合物とジケテンを反応させることにより、一般式
〔ＩＩ〕 ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｘ 〔ＩＩ〕 〔式中、Ｘは前述と同じ意味を示す。〕で表されるアセ
ト酢酸誘導体を得ることができる。
【０００６】次に前記一般式〔Ｉ〕について詳細に述べ
る。Ｈ−Ｘで表される化合物としては、例えばアルコー
ル類、チオール類、アミン類、オキシム類あるいはヒド
ロキシルアミン類を挙げることができる。より具体的に
は例えば次の一般式ａ）〜ｅ）で表される化合物を挙げ
ることができる。 ａ） Ｈ−ＯＲ1 〔式中、Ｒ1 は置換されていてもよいアルキル基、置換
されていてもよいシクロアルキル基、置換されていても
よいアルケニル基、置換されていてもよいシクロアルケ
ニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換され
ていてもよいヘテロ環基あるいは置換されていてもよい
アリール基を示す。〕 ｂ） Ｈ−ＳＲ2 〔式中、Ｒ2 は置換されていてもよいアルキル基、置換
されていてもよいシクロアルキル基、置換されていても
よいアルケニル基、置換されていてもよいシクロアルケ
ニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換され
ていてもよいヘテロ環基あるいは置換されていてもよい
アリール基を示す。〕
る。Ｈ−Ｘで表される化合物としては、例えばアルコー
ル類、チオール類、アミン類、オキシム類あるいはヒド
ロキシルアミン類を挙げることができる。より具体的に
は例えば次の一般式ａ）〜ｅ）で表される化合物を挙げ
ることができる。 ａ） Ｈ−ＯＲ1 〔式中、Ｒ1 は置換されていてもよいアルキル基、置換
されていてもよいシクロアルキル基、置換されていても
よいアルケニル基、置換されていてもよいシクロアルケ
ニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換され
ていてもよいヘテロ環基あるいは置換されていてもよい
アリール基を示す。〕 ｂ） Ｈ−ＳＲ2 〔式中、Ｒ2 は置換されていてもよいアルキル基、置換
されていてもよいシクロアルキル基、置換されていても
よいアルケニル基、置換されていてもよいシクロアルケ
ニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換され
ていてもよいヘテロ環基あるいは置換されていてもよい
アリール基を示す。〕
【０００７】ｃ） Ｈ−ＮＲ3 Ｒ4 〔式中、Ｒ3 とＲ4 はそれぞれ独立して水素原子、置換
されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシ
クロアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、
置換されていてもよいシクロアルケニル基、置換されて
いてもよいアルキニル基、置換されていてもよいヘテロ
環基あるいは置換されていてもよいアリール基を示す
か、または、ＮＲ3 Ｒ4 が一緒になって３〜９員環を意
味する。〕 ｄ） Ｈ−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ5 Ｒ6 〔式中、Ｒ5 とＲ6 はそれぞれ独立して水素原子、置換
されていてもよいアミノ基、置換されていてもよいアル
キル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換
されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよい
シクロアルケニル基、置換されていてもよいアルキニル
基、置換されていてもよいヘテロ環基、あるいは置換さ
れていてもよいアリール基を示すか、または、ＣＲ5 Ｒ
6 が一緒になって４〜９員環を意味する。〕 ｅ） Ｈ−Ｏ−ＮＲ7 Ｒ8 〔式中、Ｒ7 とＲ8 はそれぞれ独立して置換されていて
もよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキ
ル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されて
いてもよいシクロアルケニル基、置換されていてもよい
アルキニル基、置換されていてもよいヘテロ環基あるい
は置換されていてもよいアリール基を示すか、または、
ＮＲ7 Ｒ8 が一緒になって３〜９員環を意味する。〕
されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシ
クロアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、
置換されていてもよいシクロアルケニル基、置換されて
いてもよいアルキニル基、置換されていてもよいヘテロ
環基あるいは置換されていてもよいアリール基を示す
か、または、ＮＲ3 Ｒ4 が一緒になって３〜９員環を意
味する。〕 ｄ） Ｈ−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ5 Ｒ6 〔式中、Ｒ5 とＲ6 はそれぞれ独立して水素原子、置換
されていてもよいアミノ基、置換されていてもよいアル
キル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換
されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよい
シクロアルケニル基、置換されていてもよいアルキニル
基、置換されていてもよいヘテロ環基、あるいは置換さ
れていてもよいアリール基を示すか、または、ＣＲ5 Ｒ
6 が一緒になって４〜９員環を意味する。〕 ｅ） Ｈ−Ｏ−ＮＲ7 Ｒ8 〔式中、Ｒ7 とＲ8 はそれぞれ独立して置換されていて
もよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキ
ル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されて
いてもよいシクロアルケニル基、置換されていてもよい
アルキニル基、置換されていてもよいヘテロ環基あるい
は置換されていてもよいアリール基を示すか、または、
ＮＲ7 Ｒ8 が一緒になって３〜９員環を意味する。〕
【０００８】前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるアルキル基としては例
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｔ−ブチルのような炭素数１〜５の直鎖状も
しくは分枝状の低級アルキル基が挙げられる。前記
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ
8 におけるシクロアルキル基としては例えばシクロプロ
ピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、シクロヘプチルのような炭素数３〜９のシクロアル
キル基が挙げられる。前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ
5 、Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるアルケニル基とし
てはビニル、アリル、３，３−ジメチルアリルのような
炭素数２〜６の直鎖状もしくは分枝状の低級アルケニル
基が挙げられる。前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるシクロアルケニル基と
しては例えばシクロペンテニル、シクロペンタジエニ
ル、シクロヘキセニル、シクロヘキサジエニル、シクロ
ヘプテニルのような炭素数５〜９のシクロアルケニル基
が挙げられる。
Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるアルキル基としては例
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｔ−ブチルのような炭素数１〜５の直鎖状も
しくは分枝状の低級アルキル基が挙げられる。前記
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ
8 におけるシクロアルキル基としては例えばシクロプロ
ピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、シクロヘプチルのような炭素数３〜９のシクロアル
キル基が挙げられる。前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ
5 、Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるアルケニル基とし
てはビニル、アリル、３，３−ジメチルアリルのような
炭素数２〜６の直鎖状もしくは分枝状の低級アルケニル
基が挙げられる。前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるシクロアルケニル基と
しては例えばシクロペンテニル、シクロペンタジエニ
ル、シクロヘキセニル、シクロヘキサジエニル、シクロ
ヘプテニルのような炭素数５〜９のシクロアルケニル基
が挙げられる。
【０００９】前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるアルキニル基としては
例えばエチニル、１−プロピニル、２−プロピニルのよ
うな炭素数２〜６の直鎖状もしくは分枝状の低級アルキ
ニル基が挙げられる。前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ
5 、Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるヘテロ環基として
は、例えばオキシラニル、テトラヒドロフラニル、ジヒ
ドロピラニル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロチ
オフェニル、ジヒドロチオピラニル、テトラヒドロチオ
ピラニル、コハク酸イミドイル、フタルイミドイル、ピ
リジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、ピ
ラニル、イミダゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、
テトラゾリル、トリアゾリル、フリル、ベンゾチアゾリ
ル等のような１個または複数個の酸素原子、窒素原子あ
るいは硫黄原子等をその環内に含む飽和あるいは不飽和
のヘテロ３〜９員環基が挙げられる。前記Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるア
リール基としては、例えばフェニル、ナフチル、アント
ニル等が挙げられる。
Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるアルキニル基としては
例えばエチニル、１−プロピニル、２−プロピニルのよ
うな炭素数２〜６の直鎖状もしくは分枝状の低級アルキ
ニル基が挙げられる。前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ
5 、Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるヘテロ環基として
は、例えばオキシラニル、テトラヒドロフラニル、ジヒ
ドロピラニル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロチ
オフェニル、ジヒドロチオピラニル、テトラヒドロチオ
ピラニル、コハク酸イミドイル、フタルイミドイル、ピ
リジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、ピ
ラニル、イミダゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、
テトラゾリル、トリアゾリル、フリル、ベンゾチアゾリ
ル等のような１個または複数個の酸素原子、窒素原子あ
るいは硫黄原子等をその環内に含む飽和あるいは不飽和
のヘテロ３〜９員環基が挙げられる。前記Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 あるいはＲ8 におけるア
リール基としては、例えばフェニル、ナフチル、アント
ニル等が挙げられる。
【００１０】前記Ｒ5 あるいはＲ6 における置換されて
いてもよいアミノ基としては、例えばメチルアミノ、メ
チルエチルアミノ、ジメチルアミノ、メチルアリルアミ
ノ、エチル−ｔ−ブチルアミノ、ジイソプロピルアミ
ノ、ジアリルアミノのような無置換あるいは前述の低級
アルキル基、低級アルケニル基あるいは低級アルキニル
基で置換されたアミノ基等が挙げられる。前述のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケ
ニル基、アルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基
が有していてもよい置換基としては、例えばメチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−
ブチルのような炭素数１〜５の直鎖状もしくは分枝状の
低級アルキル基、例えばシクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル
のような炭素数３〜１０のシクロアルキル基、ビニル、
アリル、３，３−ジメチルアリルのような炭素数２〜６
の直鎖状もしくは分枝状の低級アルケニル基、例えばシ
クロペンテニル、シクロペンタジエニル、シクロヘキセ
ニル、シクロヘキサジエニル、シクロヘプテニルのよう
な炭素数４〜１０のシクロアルケニル基、例えばエチニ
ル、１−プロピニル、２−プロピニルのような炭素数２
〜６の直鎖状もしくは分枝状の低級アルキニル基、例え
ばオキシラニル、テトラヒドロフ
いてもよいアミノ基としては、例えばメチルアミノ、メ
チルエチルアミノ、ジメチルアミノ、メチルアリルアミ
ノ、エチル−ｔ−ブチルアミノ、ジイソプロピルアミ
ノ、ジアリルアミノのような無置換あるいは前述の低級
アルキル基、低級アルケニル基あるいは低級アルキニル
基で置換されたアミノ基等が挙げられる。前述のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケ
ニル基、アルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基
が有していてもよい置換基としては、例えばメチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−
ブチルのような炭素数１〜５の直鎖状もしくは分枝状の
低級アルキル基、例えばシクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル
のような炭素数３〜１０のシクロアルキル基、ビニル、
アリル、３，３−ジメチルアリルのような炭素数２〜６
の直鎖状もしくは分枝状の低級アルケニル基、例えばシ
クロペンテニル、シクロペンタジエニル、シクロヘキセ
ニル、シクロヘキサジエニル、シクロヘプテニルのよう
な炭素数４〜１０のシクロアルケニル基、例えばエチニ
ル、１−プロピニル、２−プロピニルのような炭素数２
〜６の直鎖状もしくは分枝状の低級アルキニル基、例え
ばオキシラニル、テトラヒドロフ
【００１１】ラニル、ジヒドロピラニル、テトラヒドロ
ピラニル、テトラヒドロチオフェニル、ジヒドロチオピ
ラニル、テトラヒドロチオピラニル、コハク酸イミドイ
ル、フタルイミドイル、ピリジル、ピリミジニル、ピラ
ジニル、ピリダジニル、ピラニル、イミダゾリル、チア
ゾリル、イソキサゾリル、テトラゾリル、トリアゾリ
ル、フリル、ベンゾチアゾリルのような飽和あるいは不
飽和のヘテロ３〜９員環基、例えばフェニル、ナフチ
ル、アントニルのようなアリール基、フッ素、塩素、臭
素あるいはヨウ素のようなハロゲン、例えばメトキシ、
エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシのような炭
素数１〜５の低級アルコキシ基、例えばメトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニルのような炭素数２〜６の
低級アルコキシカルボニル基、例えばメトキシカルボニ
ルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｎ−プロポキシ
カルボニルアミノ、イソプロポキシカルボニルアミノの
ような炭素数２〜６の低級アルコキシカルボニルアミノ
基、例えばアセチル、プロピオニルのような炭素数２〜
６の低級アシル基、例えばアセトキシ、プロピオニルオ
キシのような炭素数２〜６の低級アシルオキシ基、例え
ばアセチルチオ、プロピオニルチオのような炭素数２〜
６の低級アシルチオ基、例えばアセチルアミノ、プロピ
オニルアミノのような炭素数２〜６の低級アシルアミノ
基、例えばカルバモイル、Ｎ−メチルアミノカ
ピラニル、テトラヒドロチオフェニル、ジヒドロチオピ
ラニル、テトラヒドロチオピラニル、コハク酸イミドイ
ル、フタルイミドイル、ピリジル、ピリミジニル、ピラ
ジニル、ピリダジニル、ピラニル、イミダゾリル、チア
ゾリル、イソキサゾリル、テトラゾリル、トリアゾリ
ル、フリル、ベンゾチアゾリルのような飽和あるいは不
飽和のヘテロ３〜９員環基、例えばフェニル、ナフチ
ル、アントニルのようなアリール基、フッ素、塩素、臭
素あるいはヨウ素のようなハロゲン、例えばメトキシ、
エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシのような炭
素数１〜５の低級アルコキシ基、例えばメトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニルのような炭素数２〜６の
低級アルコキシカルボニル基、例えばメトキシカルボニ
ルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｎ−プロポキシ
カルボニルアミノ、イソプロポキシカルボニルアミノの
ような炭素数２〜６の低級アルコキシカルボニルアミノ
基、例えばアセチル、プロピオニルのような炭素数２〜
６の低級アシル基、例えばアセトキシ、プロピオニルオ
キシのような炭素数２〜６の低級アシルオキシ基、例え
ばアセチルチオ、プロピオニルチオのような炭素数２〜
６の低級アシルチオ基、例えばアセチルアミノ、プロピ
オニルアミノのような炭素数２〜６の低級アシルアミノ
基、例えばカルバモイル、Ｎ−メチルアミノカ
【００１２】ルボニル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボ
ニル、Ｎ−シクロヘキシルアミノカルボニル、Ｎ−アリ
ルアミノカルボニル、Ｎ−シクロヘプテニルアミノカル
ボニル、Ｎ−プロパルギルアミノカルボニル、Ｎ−ピリ
ジルアミノカルボニル、Ｎ−フェニルアミノカルボニル
のような無置換あるいは前述の低級アルキル基、シクロ
アルキル基、低級アルケニル基、シクロアルケニル基、
低級アルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基で置
換されたアミノカルボニル基、例えばカルバモイルオキ
シ、Ｎ−メチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−シクロヘキシルアミ
ノカルボニルオキシ、Ｎ−アリルアミノカルボニルオキ
シ、Ｎ−シクロヘプテニルアミノカルボニルオキシ、Ｎ
−プロパルギルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ピリジル
アミノカルボニルオキシ、Ｎ−フェニルアミノカルボニ
ルオキシのような無置換あるいは前述の低級アルキル
基、シクロアルキル基、低級アルケニル基、シクロアル
ケニル基、低級アルキニル基、
ニル、Ｎ−シクロヘキシルアミノカルボニル、Ｎ−アリ
ルアミノカルボニル、Ｎ−シクロヘプテニルアミノカル
ボニル、Ｎ−プロパルギルアミノカルボニル、Ｎ−ピリ
ジルアミノカルボニル、Ｎ−フェニルアミノカルボニル
のような無置換あるいは前述の低級アルキル基、シクロ
アルキル基、低級アルケニル基、シクロアルケニル基、
低級アルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基で置
換されたアミノカルボニル基、例えばカルバモイルオキ
シ、Ｎ−メチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−シクロヘキシルアミ
ノカルボニルオキシ、Ｎ−アリルアミノカルボニルオキ
シ、Ｎ−シクロヘプテニルアミノカルボニルオキシ、Ｎ
−プロパルギルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ピリジル
アミノカルボニルオキシ、Ｎ−フェニルアミノカルボニ
ルオキシのような無置換あるいは前述の低級アルキル
基、シクロアルキル基、低級アルケニル基、シクロアル
ケニル基、低級アルキニル基、
【００１３】ヘテロ環基あるいはアリール基で置換され
たアミノカルボニルオキシ基、例えばカルバモイルアミ
ノ、Ｎ−メチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノカルボニルアミノ、Ｎ−シクロヘキシルアミ
ノカルボニルアミノ、Ｎ−アリルアミノカルボニルアミ
ノ、Ｎ−シクロヘプテニルアミノカルボニルアミノ、Ｎ
−プロパルギルアミノカルボニルアミノ、Ｎ−ピリジル
アミノカルボニルアミノ、Ｎ−フェニルアミノカルボニ
ルアミノのような無置換あるいは前述の低級アルキル
基、シクロアルキル基、低級アルケニル基、シクロアル
ケニル基、低級アルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリ
ール基で置換されたアミノカルボニルアミノ基、例えば
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ、メチルエチルアミノ、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ、Ｎ
−シクロヘキシルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジアリルアミノ、Ｎ
−シクロヘプテニルアミノ、Ｎ−プロパルギルアミノ、
Ｎ−ピリジルアミノ、Ｎ−フェニルアミノのような前述
の低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルケニル
基、シクロアルケニル基、低級アルキニル基、ヘテロ環
基あるいはアリール基で置換されたアミノ基、例えばメ
チルチオ、エチルチオ、
たアミノカルボニルオキシ基、例えばカルバモイルアミ
ノ、Ｎ−メチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノカルボニルアミノ、Ｎ−シクロヘキシルアミ
ノカルボニルアミノ、Ｎ−アリルアミノカルボニルアミ
ノ、Ｎ−シクロヘプテニルアミノカルボニルアミノ、Ｎ
−プロパルギルアミノカルボニルアミノ、Ｎ−ピリジル
アミノカルボニルアミノ、Ｎ−フェニルアミノカルボニ
ルアミノのような無置換あるいは前述の低級アルキル
基、シクロアルキル基、低級アルケニル基、シクロアル
ケニル基、低級アルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリ
ール基で置換されたアミノカルボニルアミノ基、例えば
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ、メチルエチルアミノ、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ、Ｎ
−シクロヘキシルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジアリルアミノ、Ｎ
−シクロヘプテニルアミノ、Ｎ−プロパルギルアミノ、
Ｎ−ピリジルアミノ、Ｎ−フェニルアミノのような前述
の低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルケニル
基、シクロアルケニル基、低級アルキニル基、ヘテロ環
基あるいはアリール基で置換されたアミノ基、例えばメ
チルチオ、エチルチオ、
【００１４】シクロヘキシルチオ、ビニルチオ、アリル
チオ、シクロヘプテニルチオ、エチニルチオ、ピリジル
チオ、フェニルチオのような前述の低級アルキル基、シ
クロアルキル基、低級アルケニル基、シクロアルケニル
基、低級アルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基
で置換されたチオエーテル基、例えばメチルスルフィニ
ル、エチルスルフィニル、シクロヘキシルスルフィニ
ル、ビニルスルフィニル、アリルスルフィニル、シクロ
ヘプテニルスルフィニル、エチニルスルフィニル、ピリ
ジルスルフィニル、フェニルスルフィニルのような前述
の低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルケニル
基、シクロアルケニル基、低級アルキニル基、ヘテロ環
基あるいはアリール基で置換されたスルフィニル基、例
えばメチルスルホニル、エチルスルホニル、シクロヘキ
シルスルホニル、ビニルスルホニル、アリルスルホニ
ル、シクロヘプテニルスルホニル、エチニルスルホニ
ル、ピリジルスルホニル、フェニルスルホニルのような
前述の低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルケ
ニル基、シクロアルケニル基、低級アルキニル基、ヘテ
ロ環基あるいはアリール基で置換されたスルホニル基、
例えばメチルスルホニルオキシ、エチルスルホニルオキ
シ、シクロヘキシルスルホニルオキシ、ビニルスルホ
チオ、シクロヘプテニルチオ、エチニルチオ、ピリジル
チオ、フェニルチオのような前述の低級アルキル基、シ
クロアルキル基、低級アルケニル基、シクロアルケニル
基、低級アルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基
で置換されたチオエーテル基、例えばメチルスルフィニ
ル、エチルスルフィニル、シクロヘキシルスルフィニ
ル、ビニルスルフィニル、アリルスルフィニル、シクロ
ヘプテニルスルフィニル、エチニルスルフィニル、ピリ
ジルスルフィニル、フェニルスルフィニルのような前述
の低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルケニル
基、シクロアルケニル基、低級アルキニル基、ヘテロ環
基あるいはアリール基で置換されたスルフィニル基、例
えばメチルスルホニル、エチルスルホニル、シクロヘキ
シルスルホニル、ビニルスルホニル、アリルスルホニ
ル、シクロヘプテニルスルホニル、エチニルスルホニ
ル、ピリジルスルホニル、フェニルスルホニルのような
前述の低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルケ
ニル基、シクロアルケニル基、低級アルキニル基、ヘテ
ロ環基あるいはアリール基で置換されたスルホニル基、
例えばメチルスルホニルオキシ、エチルスルホニルオキ
シ、シクロヘキシルスルホニルオキシ、ビニルスルホ
【００１５】ニルオキシ、アリルスルホニルオキシ、シ
クロヘプテニルスルホニルオキシ、エチニルスルホニル
オキシ、ピリジルスルホニルオキシ、フェニルスルホニ
ルオキシのような前述の低級アルキル基、シクロアルキ
ル基、低級アルケニル基、シクロアルケニル基、低級ア
ルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基で置換され
たスルホニルオキシ基、例えばスルファモイル、Ｎ−メ
チルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイ
ル、Ｎ−シクロヘキシルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジア
リルスルファモイル、Ｎ−シクロヘプテニルスルファモ
イル、Ｎ−プロパルギルスルファモイル、Ｎ−ピリジル
スルファモイル、Ｎ−フェニルスルファモイルのような
無置換あるいは前述の低級アルキル基、シクロアルキル
基、低級アルケニル基、シクロアルケニル基、低級アル
キニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基で置換された
スルファモイル基、例えばホスホロアミド、Ｎ−，Ｎ−
ジメチルホスホロアミド、Ｎ−，Ｎ−，Ｎ’−，Ｎ’−
テトラメチルホスホロアミドのような無置換あるいは前
述の低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルケニ
ル基、シクロアルケニル基、低級アルキニル基、ヘテロ
環基あるいはアリール基で置換されたホスホロアミド
基、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔ−
ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリル、
ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリルのような
前述の低級アルキル基、シクロアルキル基、
クロヘプテニルスルホニルオキシ、エチニルスルホニル
オキシ、ピリジルスルホニルオキシ、フェニルスルホニ
ルオキシのような前述の低級アルキル基、シクロアルキ
ル基、低級アルケニル基、シクロアルケニル基、低級ア
ルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基で置換され
たスルホニルオキシ基、例えばスルファモイル、Ｎ−メ
チルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイ
ル、Ｎ−シクロヘキシルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジア
リルスルファモイル、Ｎ−シクロヘプテニルスルファモ
イル、Ｎ−プロパルギルスルファモイル、Ｎ−ピリジル
スルファモイル、Ｎ−フェニルスルファモイルのような
無置換あるいは前述の低級アルキル基、シクロアルキル
基、低級アルケニル基、シクロアルケニル基、低級アル
キニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基で置換された
スルファモイル基、例えばホスホロアミド、Ｎ−，Ｎ−
ジメチルホスホロアミド、Ｎ−，Ｎ−，Ｎ’−，Ｎ’−
テトラメチルホスホロアミドのような無置換あるいは前
述の低級アルキル基、シクロアルキル基、低級アルケニ
ル基、シクロアルケニル基、低級アルキニル基、ヘテロ
環基あるいはアリール基で置換されたホスホロアミド
基、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔ−
ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリル、
ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリルのような
前述の低級アルキル基、シクロアルキル基、
【００１６】低級アルケニル基、シクロアルケニル基、
低級アルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基でト
リ置換されたシリル基、例えばトリメチルシリルオキ
シ、トリエチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ、ジフェ
ニルメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシの
ような前述の低級アルキル基、シクロアルキル基、低級
アルケニル基、シクロアルケニル基、低級アルキニル
基、ヘテロ環基あるいはアリール基でトリ置換されたシ
リルオキシ基、ホルミル、ホルミルアミノ、ホルミルオ
キシ、シアノ、ニトロ、ニトロソ、アジド等が挙げられ
る。また、これら置換基はさらに上記から独立に選ばれ
る１個または複数個の置換基を有することができる。
低級アルキニル基、ヘテロ環基あるいはアリール基でト
リ置換されたシリル基、例えばトリメチルシリルオキ
シ、トリエチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ、ジフェ
ニルメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシの
ような前述の低級アルキル基、シクロアルキル基、低級
アルケニル基、シクロアルケニル基、低級アルキニル
基、ヘテロ環基あるいはアリール基でトリ置換されたシ
リルオキシ基、ホルミル、ホルミルアミノ、ホルミルオ
キシ、シアノ、ニトロ、ニトロソ、アジド等が挙げられ
る。また、これら置換基はさらに上記から独立に選ばれ
る１個または複数個の置換基を有することができる。
【００１７】前記ＮＲ3 Ｒ4 あるいはＮＲ7 Ｒ8 が一緒
になって３〜９員環を形成する場合の環としては、窒素
原子、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい飽
和もしくは不飽和の環が挙げられ、例えばピロリジン、
ピペリジン、ホモピペリジン、ピペラジン、ホモピペラ
ジン、モルホリン、チオモルホリン、オキサゾリジン、
チアゾリジン、オキサゾリジノン、チアゾリジノン、チ
アゾリジンチオン等が挙げられる。これらの環は置換基
を有していてもよく、例えば上記に置換基として例示し
たもの等が挙げられる。
になって３〜９員環を形成する場合の環としては、窒素
原子、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい飽
和もしくは不飽和の環が挙げられ、例えばピロリジン、
ピペリジン、ホモピペリジン、ピペラジン、ホモピペラ
ジン、モルホリン、チオモルホリン、オキサゾリジン、
チアゾリジン、オキサゾリジノン、チアゾリジノン、チ
アゾリジンチオン等が挙げられる。これらの環は置換基
を有していてもよく、例えば上記に置換基として例示し
たもの等が挙げられる。
【００１８】前記ＣＲ5 Ｒ6 が一緒になって４〜９員環
を形成する場合の環としては、窒素原子、酸素原子もし
くは硫黄原子を含んでいてもよい飽和もしくは不飽和の
環が挙げられ、例えばシクロブタン、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロヘプタンのような炭素数３〜１
０のシクロアルカン、例えばシクロペンテン、シクロペ
ンタジエン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエン、シ
クロヘプテンのような炭素数４〜９のシクロアルケン、
例えばテトラヒドロフラン、ジヒドロピラン、テトラヒ
ドロピラン、テトラヒドロチオフェン、ジヒドロチオピ
ラン、テトラヒドロチオピラン、ピロリジン、ピペリジ
ン、ホモピペリジン、ピペラジン、ホモピペラジン、モ
ルホリン、チオモルホリン、オキサゾリジン、チアゾリ
ジン、オキサゾリジノン、チアゾリジノン、チアゾリジ
ンチオン等のような１個または複数個の酸素原子、窒素
原子あるいは硫黄原子等をその環内に含む飽和あるいは
不飽和のヘテロ環等が挙げられる。これら環は置換基を
有していてもよく、例えば上記に置換基として例示した
もの等が挙げられる。
を形成する場合の環としては、窒素原子、酸素原子もし
くは硫黄原子を含んでいてもよい飽和もしくは不飽和の
環が挙げられ、例えばシクロブタン、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロヘプタンのような炭素数３〜１
０のシクロアルカン、例えばシクロペンテン、シクロペ
ンタジエン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエン、シ
クロヘプテンのような炭素数４〜９のシクロアルケン、
例えばテトラヒドロフラン、ジヒドロピラン、テトラヒ
ドロピラン、テトラヒドロチオフェン、ジヒドロチオピ
ラン、テトラヒドロチオピラン、ピロリジン、ピペリジ
ン、ホモピペリジン、ピペラジン、ホモピペラジン、モ
ルホリン、チオモルホリン、オキサゾリジン、チアゾリ
ジン、オキサゾリジノン、チアゾリジノン、チアゾリジ
ンチオン等のような１個または複数個の酸素原子、窒素
原子あるいは硫黄原子等をその環内に含む飽和あるいは
不飽和のヘテロ環等が挙げられる。これら環は置換基を
有していてもよく、例えば上記に置換基として例示した
もの等が挙げられる。
【００１９】本発明に使用されるアゾール類としては、
イミダゾール類、ピラゾール類、トリアゾール類あるい
はテトラゾール類が挙げられる。イミダゾール類として
は、イミダゾールまたは２−メチルイミダゾール、４−
メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール等
の２位あるいは４位の炭素数１〜６の低級アルキル置換
イミダゾール類等各種のイミダゾール類を挙げることが
できるが、イミダゾールまたは４−メチルイミダゾール
が好適である。ピラゾール類としては、ピラゾールまた
は３−メチルピラゾール、４−メチルピラゾール、３，
４−ジメチルピラゾール等の３位あるいは４位の炭素数
１〜６の低級アルキル置換ピラゾール類等各種のピラゾ
ール類を挙げることができるが、ピラゾールが好適であ
る。トリアゾール類としては、１，２，４−トリアゾー
ル、１，２，３−トリアゾールまたは３−メチル−１，
２，４−トリアゾール、４−メチル−１，２，３−トリ
アゾール等の３位（１，２，４−トリアゾール誘導体の
場合）あるいは４位（１，２，３−トリアゾール誘導体
の場合）の炭素数１〜６の低級アルキル置換トリアゾー
ル類等各種のトリアゾール類を挙げることができるが、
１，２，４−トリアゾールが好適である。テトラゾール
類としては、１Ｈ−テトラゾールまたは５−メチル−１
Ｈ−テトラゾール等の５位の炭素数１〜６の低級アルキ
ル置換１Ｈ−テトラゾール類等各種の１Ｈ−テトラゾー
ル類を挙げることができるが、１Ｈ−テトラゾールが好
適である。これらのアゾール類のうち好適なものとして
イミダゾール類を挙げることができる。さらに特に好適
なものとしてイミダゾールまたは４−メチルイミダゾー
ルを挙げることができる。アゾール類の使用量は、触媒
量から大過剰量までの使用が可能であるが、ジケテン１
モルに対して０．００１倍モル量から１．５倍モル量を
用いることが望ましい。
イミダゾール類、ピラゾール類、トリアゾール類あるい
はテトラゾール類が挙げられる。イミダゾール類として
は、イミダゾールまたは２−メチルイミダゾール、４−
メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール等
の２位あるいは４位の炭素数１〜６の低級アルキル置換
イミダゾール類等各種のイミダゾール類を挙げることが
できるが、イミダゾールまたは４−メチルイミダゾール
が好適である。ピラゾール類としては、ピラゾールまた
は３−メチルピラゾール、４−メチルピラゾール、３，
４−ジメチルピラゾール等の３位あるいは４位の炭素数
１〜６の低級アルキル置換ピラゾール類等各種のピラゾ
ール類を挙げることができるが、ピラゾールが好適であ
る。トリアゾール類としては、１，２，４−トリアゾー
ル、１，２，３−トリアゾールまたは３−メチル−１，
２，４−トリアゾール、４−メチル−１，２，３−トリ
アゾール等の３位（１，２，４−トリアゾール誘導体の
場合）あるいは４位（１，２，３−トリアゾール誘導体
の場合）の炭素数１〜６の低級アルキル置換トリアゾー
ル類等各種のトリアゾール類を挙げることができるが、
１，２，４−トリアゾールが好適である。テトラゾール
類としては、１Ｈ−テトラゾールまたは５−メチル−１
Ｈ−テトラゾール等の５位の炭素数１〜６の低級アルキ
ル置換１Ｈ−テトラゾール類等各種の１Ｈ−テトラゾー
ル類を挙げることができるが、１Ｈ−テトラゾールが好
適である。これらのアゾール類のうち好適なものとして
イミダゾール類を挙げることができる。さらに特に好適
なものとしてイミダゾールまたは４−メチルイミダゾー
ルを挙げることができる。アゾール類の使用量は、触媒
量から大過剰量までの使用が可能であるが、ジケテン１
モルに対して０．００１倍モル量から１．５倍モル量を
用いることが望ましい。
【００２０】不活性溶媒としては、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、
クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化
炭化水素類またはそれらの混合物が好適である。ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレ
ングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、アセト
ニトリル等のニトリル類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、シクロヘキサン等の鎖状もしくは環状の脂肪族炭化
水素類、酢酸メチル、酢酸エチル等の酢酸エステル類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等各種溶
媒またはそれらの混合物も用いることができる。
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、
クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化
炭化水素類またはそれらの混合物が好適である。ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレ
ングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、アセト
ニトリル等のニトリル類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、シクロヘキサン等の鎖状もしくは環状の脂肪族炭化
水素類、酢酸メチル、酢酸エチル等の酢酸エステル類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等各種溶
媒またはそれらの混合物も用いることができる。
【００２１】反応は冷却または加熱することにより、抑
制または促進することができるが、イミダゾール類を用
いた場合の反応温度は−５０°Ｃから１２０°Ｃが望ま
しく、−３０°Ｃから４０°Ｃが特に望ましい。その他
のアゾール類を用いた場合の反応温度は−３０°Ｃから
１２０°Ｃが望ましく、０°Ｃから８０°Ｃが特に望ま
しい。反応終了後、本反応の目的化合物は、通常の有機
化学的手法によって取り出すことができる。
制または促進することができるが、イミダゾール類を用
いた場合の反応温度は−５０°Ｃから１２０°Ｃが望ま
しく、−３０°Ｃから４０°Ｃが特に望ましい。その他
のアゾール類を用いた場合の反応温度は−３０°Ｃから
１２０°Ｃが望ましく、０°Ｃから８０°Ｃが特に望ま
しい。反応終了後、本反応の目的化合物は、通常の有機
化学的手法によって取り出すことができる。
【００２２】本発明により、具体的には例えば、フェニ
ルチオメチル アセトアセテート；２，２，２−トリク
ロロエチル アセトアセテート；２−ニトロエチル ア
セトアセテート；２−メトキシエチル アセトアセテー
ト；ｔ−ブチル アセトアセテート；３−ホルミルオキ
シプロピル アセトアセテート；２−トリメチルシリル
エチル アセトアセテート；２−トリメチルシリルオキ
シエチル アセトアセテート；ビニル アセトアセテー
ト；プロパルギル アセトアセテート；ベンジル アセ
トアセテート；シクロヘキシル アセトアセテート；４
−アセトアセトキシ−１−メチルピペリジン；０−メチ
ルベンジル アセトアセテート；０−ニトロベンジル
アセトアセテート；ｐ−ニトロベンジル アセトアセテ
ート；ｐ−ブロモベンジル アセトアセテート；ｐ−メ
トキシベンジル アセトアセテート；ｐ−ニトロフェニ
ル アセトアセテート；２，４，５−トリクロロフェニ
ル アセトアセテート；２−アセトアセチルチオ−４，
６−ジメチルピリミジン；２−アセトアセチルチオベン
ゾチアゾール；２−アセトアセチルチオベンズオキサゾ
ール；２−アセトアセチルチオピリジン；４−アセトア
セチルチオピリジン；Ｓ−エチル チオアセトアセテー
ト；Ｓ−ｔ−ブチル チオアセトアセテート；Ｓ−アリ
ル チオアセトアセテート；Ｓ−ビニル チオアセトア
セテート；Ｓ−プロパルギル チオアセトアセテート；
Ｓ−ｐ−クロロフェニル チオアセトアセテート；Ｎ−
ｔ−ブチルアセトアセトアミド；１−アセトアセトアゼ
チジン；アセトアセト（ジ−ｐ−アニシルメチル）アミ
ド；アセトアルドキシム アセトアセテート；アセトン
オキシム アセトアセテート；ベンズアルデヒドオキシ
ム アセトアセテート；アセトアセトキシアミノシクロ
ヘキサン；Ｎ−アセトアセトキシコハク酸イミド；Ｎ−
アセトアセトキシフタルイミド；等が得られる。
ルチオメチル アセトアセテート；２，２，２−トリク
ロロエチル アセトアセテート；２−ニトロエチル ア
セトアセテート；２−メトキシエチル アセトアセテー
ト；ｔ−ブチル アセトアセテート；３−ホルミルオキ
シプロピル アセトアセテート；２−トリメチルシリル
エチル アセトアセテート；２−トリメチルシリルオキ
シエチル アセトアセテート；ビニル アセトアセテー
ト；プロパルギル アセトアセテート；ベンジル アセ
トアセテート；シクロヘキシル アセトアセテート；４
−アセトアセトキシ−１−メチルピペリジン；０−メチ
ルベンジル アセトアセテート；０−ニトロベンジル
アセトアセテート；ｐ−ニトロベンジル アセトアセテ
ート；ｐ−ブロモベンジル アセトアセテート；ｐ−メ
トキシベンジル アセトアセテート；ｐ−ニトロフェニ
ル アセトアセテート；２，４，５−トリクロロフェニ
ル アセトアセテート；２−アセトアセチルチオ−４，
６−ジメチルピリミジン；２−アセトアセチルチオベン
ゾチアゾール；２−アセトアセチルチオベンズオキサゾ
ール；２−アセトアセチルチオピリジン；４−アセトア
セチルチオピリジン；Ｓ−エチル チオアセトアセテー
ト；Ｓ−ｔ−ブチル チオアセトアセテート；Ｓ−アリ
ル チオアセトアセテート；Ｓ−ビニル チオアセトア
セテート；Ｓ−プロパルギル チオアセトアセテート；
Ｓ−ｐ−クロロフェニル チオアセトアセテート；Ｎ−
ｔ−ブチルアセトアセトアミド；１−アセトアセトアゼ
チジン；アセトアセト（ジ−ｐ−アニシルメチル）アミ
ド；アセトアルドキシム アセトアセテート；アセトン
オキシム アセトアセテート；ベンズアルデヒドオキシ
ム アセトアセテート；アセトアセトキシアミノシクロ
ヘキサン；Ｎ−アセトアセトキシコハク酸イミド；Ｎ−
アセトアセトキシフタルイミド；等が得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明方法により、
アセト酢酸誘導体の有効な製造法の提供が可能になっ
た。
アセト酢酸誘導体の有効な製造法の提供が可能になっ
た。
【００２４】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はもちろんこれらによってなんら限定
されるものではない。
明するが、本発明はもちろんこれらによってなんら限定
されるものではない。
【００２５】実施例１ ２−シアノエチル アセトアセテート （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｏ- ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＮ） ３−ヒドロキシプロピオニトリル（１０．６ｇ）、イミ
ダゾール（０．０９２ｇ）の混合液に２０−３５°Ｃで
ジケテン（１０．６ｍｌ）を滴下した。同温度で２時間
攪拌し、２−シアノエチル アセトアセテート（２２．
０ｇ，定量的収率）を得た。
ダゾール（０．０９２ｇ）の混合液に２０−３５°Ｃで
ジケテン（１０．６ｍｌ）を滴下した。同温度で２時間
攪拌し、２−シアノエチル アセトアセテート（２２．
０ｇ，定量的収率）を得た。
【００２６】ＩＲmax （ｎｅａｔ）： ２２４０，１
７４０，１７１０ｃｍ-1
７４０，１７１０ｃｍ-1
【００２７】ＮＭＲδ（ＣＤＣｌ3 ）： １．９８（エ
ノール体）および２．２８（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），２．７４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．２Ｈ
ｚ），３．５３（ケト体）（約１．９Ｈ，ｓ），４．３
５（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ），５．０５（エノール
体）（約０．０５Ｈ，ｓ）ｐ．ｐ．ｍ．
ノール体）および２．２８（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），２．７４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．２Ｈ
ｚ），３．５３（ケト体）（約１．９Ｈ，ｓ），４．３
５（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ），５．０５（エノール
体）（約０．０５Ｈ，ｓ）ｐ．ｐ．ｍ．
【００２８】実施例２−（１） アリル アセトアセテート （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｏ- ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 ） アリルアルコール（５．８０８ｇ）、イミダゾール
（１．３６２ｇ）の塩化メチレン（２００ｍｌ）溶液に
０−５°Ｃでジケテン（８．４０７ｇ）の塩化メチレン
（１００ｍｌ）溶液を滴下した。同温度で１時間攪拌
し、１Ｎ−ＨＣｌおよび食塩水で洗浄し、硫酸マグネシ
ウム乾燥後、減圧溶媒留去してアリル アセトアセテー
ト（１２．９７ｇ，９１％）を得た。
（１．３６２ｇ）の塩化メチレン（２００ｍｌ）溶液に
０−５°Ｃでジケテン（８．４０７ｇ）の塩化メチレン
（１００ｍｌ）溶液を滴下した。同温度で１時間攪拌
し、１Ｎ−ＨＣｌおよび食塩水で洗浄し、硫酸マグネシ
ウム乾燥後、減圧溶媒留去してアリル アセトアセテー
ト（１２．９７ｇ，９１％）を得た。
【００２９】ＩＲmax （ｎｅａｔ）： １７３８，１
７１２ｃｍ-1
７１２ｃｍ-1
【００３０】ＮＭＲδ（ＣＤＣｌ3 ）： １．９７（エ
ノール体）および２．２８（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），３．４９（ケト体）（約１．８Ｈ，
ｓ），４．６６（２Ｈ，ｍ），５．０３（エノール体）
（約０．１Ｈ，ｓ），５．２−５．５（２Ｈ，ｍ），
５．８−６．１（１Ｈ，ｍ）ｐ．ｐ．ｍ．
ノール体）および２．２８（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），３．４９（ケト体）（約１．８Ｈ，
ｓ），４．６６（２Ｈ，ｍ），５．０３（エノール体）
（約０．１Ｈ，ｓ），５．２−５．５（２Ｈ，ｍ），
５．８−６．１（１Ｈ，ｍ）ｐ．ｐ．ｍ．
【００３１】実施例２−（２） アリル アセトアセテート （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｏ- ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 ） アリルアルコール（５８ｍｇ）、４−メチルイミダゾー
ル（１６ｍｇ）の塩化メチレン（２ｍｌ）溶液に０−５
°Ｃでジケテン（８４ｍｇ）の塩化メチレン（１ｍｌ）
溶液を滴下した。同温度で１時間攪拌し、１Ｎ−ＨＣｌ
および食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム乾燥後、減圧
溶媒留去してアリル アセトアセテート（１３３ｍｇ，
９４％）を得た。ＩＲ、ＮＭＲは、実施例２−（１）で
得られたものと同一であった。
ル（１６ｍｇ）の塩化メチレン（２ｍｌ）溶液に０−５
°Ｃでジケテン（８４ｍｇ）の塩化メチレン（１ｍｌ）
溶液を滴下した。同温度で１時間攪拌し、１Ｎ−ＨＣｌ
および食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム乾燥後、減圧
溶媒留去してアリル アセトアセテート（１３３ｍｇ，
９４％）を得た。ＩＲ、ＮＭＲは、実施例２−（１）で
得られたものと同一であった。
【００３２】実施例２−（３） アリル アセトアセテート （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｏ- ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 ） アリルアルコール（５８ｍｇ）、ピラゾール（１４ｍ
ｇ）の１，２−ジクロロエタン（２ｍｌ）溶液に２０−
２５°Ｃでジケテン（８４ｍｇ）の１，２−ジクロロエ
タン（１ｍｌ）溶液を滴下した。７０°Ｃで５．５時間
加熱攪拌し、１Ｎ−ＨＣｌおよび食塩水で洗浄し、硫酸
マグネシウム乾燥後、減圧溶媒留去して得た粗製物をシ
リカゲル薄層クロマトグラフィーで分離精製してアリル
アセトアセテート（１０５ｍｇ，７４％）を得た。Ｉ
Ｒ、ＮＭＲは、実施例２−（１）で得られたものと同一
であった。
ｇ）の１，２−ジクロロエタン（２ｍｌ）溶液に２０−
２５°Ｃでジケテン（８４ｍｇ）の１，２−ジクロロエ
タン（１ｍｌ）溶液を滴下した。７０°Ｃで５．５時間
加熱攪拌し、１Ｎ−ＨＣｌおよび食塩水で洗浄し、硫酸
マグネシウム乾燥後、減圧溶媒留去して得た粗製物をシ
リカゲル薄層クロマトグラフィーで分離精製してアリル
アセトアセテート（１０５ｍｇ，７４％）を得た。Ｉ
Ｒ、ＮＭＲは、実施例２−（１）で得られたものと同一
であった。
【００３３】実施例２−（４） アリル アセトアセテート （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｏ- ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 ） アリルアルコール（５８ｍｇ）、１，２，４−トリアゾ
ール（１４ｍｇ）の塩化メチレン（２ｍｌ）溶液に０−
５°Ｃでジケテン（８４ｍｇ）の塩化メチレン（１ｍ
ｌ）溶液を滴下した。同温度で２時間、２０−２５°Ｃ
で一夜、４０°Ｃで４時間攪拌し、１Ｎ−ＨＣｌおよび
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム乾燥後、減圧溶媒留
去して得た粗製物をシリカゲル薄層クロマトグラフィー
で分離精製してアリル アセトアセテート（８９ｍｇ，
６３％）を得た。ＩＲ、ＮＭＲは、実施例２−（１）で
得られたものと同一であった。
ール（１４ｍｇ）の塩化メチレン（２ｍｌ）溶液に０−
５°Ｃでジケテン（８４ｍｇ）の塩化メチレン（１ｍ
ｌ）溶液を滴下した。同温度で２時間、２０−２５°Ｃ
で一夜、４０°Ｃで４時間攪拌し、１Ｎ−ＨＣｌおよび
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム乾燥後、減圧溶媒留
去して得た粗製物をシリカゲル薄層クロマトグラフィー
で分離精製してアリル アセトアセテート（８９ｍｇ，
６３％）を得た。ＩＲ、ＮＭＲは、実施例２−（１）で
得られたものと同一であった。
【００３４】実施例３ ベンジルオキシカルボニルメチル アセトアセテート （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｏ- ＣＨ2 ＣＯＯＣＨ2-
Ｃ6 Ｈ5 ） グリコール酸ベンジルエステル（４．９８ｇ）、イミダ
ゾール（２．４５ｇ）の塩化メチレン（３０ｍｌ）溶液
に０−５°Ｃでジケテン（３．０２ｇ）の塩化メチレン
（６ｍｌ）溶液を滴下した。同温度で３時間攪拌し、１
Ｎ−ＨＣｌおよび食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム乾
燥後、減圧溶媒留去して得た粗製物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで分離精製することにより、ベンジ
ルオキシカルボニルメチル アセトアセテート（５．０
７ｇ，６８％）を得た。
Ｃ6 Ｈ5 ） グリコール酸ベンジルエステル（４．９８ｇ）、イミダ
ゾール（２．４５ｇ）の塩化メチレン（３０ｍｌ）溶液
に０−５°Ｃでジケテン（３．０２ｇ）の塩化メチレン
（６ｍｌ）溶液を滴下した。同温度で３時間攪拌し、１
Ｎ−ＨＣｌおよび食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム乾
燥後、減圧溶媒留去して得た粗製物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで分離精製することにより、ベンジ
ルオキシカルボニルメチル アセトアセテート（５．０
７ｇ，６８％）を得た。
【００３５】ＩＲmax （ｎｅａｔ）： １７５２，１
７２０，７３７，７００ｃｍ-1
７２０，７３７，７００ｃｍ-1
【００３６】ＮＭＲδ（ＣＤＣｌ3 ）： １．９８（エ
ノール体）および２．２９（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），３．５４（ケト体）（約１．８Ｈ，
ｓ），４．７１（２Ｈ，ｓ），５．１３（エノール体）
（約０．１Ｈ，ｓ），５．２０（２Ｈ，ｓ），７．３６
（５Ｈ，ｓ）ｐ．ｐ．ｍ．
ノール体）および２．２９（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），３．５４（ケト体）（約１．８Ｈ，
ｓ），４．７１（２Ｈ，ｓ），５．１３（エノール体）
（約０．１Ｈ，ｓ），５．２０（２Ｈ，ｓ），７．３６
（５Ｈ，ｓ）ｐ．ｐ．ｍ．
【００３７】実施例４ フェニル アセトアセテート （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｏ- Ｃ6 Ｈ5 ） フェノール（１８８ｍｇ）、イミダゾール（６．８ｍ
ｇ）のトルエン（２ｍｌ）溶液に−３０°Ｃで、ジケテ
ン（１６８ｍｇ）のトルエン（１ｍｌ）溶液を滴下し
た。−３０から−１０°Ｃで２．５時間、０から５°Ｃ
で３．７５時間攪拌し、ジケテン（８４ｍｇ）のトルエ
ン（０．５ｍｌ）溶液を追加してさらに２時間攪拌し、
１Ｎ−ＨＣｌおよび食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
乾燥後、減圧溶媒留去して得た粗製物をシリカゲル薄層
クロマトグラフィーで分離精製することにより、フェニ
ル アセトアセテート（３１７ｍｇ，８９％）を得た。
ｇ）のトルエン（２ｍｌ）溶液に−３０°Ｃで、ジケテ
ン（１６８ｍｇ）のトルエン（１ｍｌ）溶液を滴下し
た。−３０から−１０°Ｃで２．５時間、０から５°Ｃ
で３．７５時間攪拌し、ジケテン（８４ｍｇ）のトルエ
ン（０．５ｍｌ）溶液を追加してさらに２時間攪拌し、
１Ｎ−ＨＣｌおよび食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
乾燥後、減圧溶媒留去して得た粗製物をシリカゲル薄層
クロマトグラフィーで分離精製することにより、フェニ
ル アセトアセテート（３１７ｍｇ，８９％）を得た。
【００３８】ＩＲmax （ｎｅａｔ）： １７６０，１
７２１，７５７，７３０，６９１ｃｍ-1
７２１，７５７，７３０，６９１ｃｍ-1
【００３９】ＮＭＲδ（ＣＤＣｌ3 ）： ２．０４（エ
ノール体）および２．３５（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），３．６９（ケト体）（約１．６Ｈ，
ｓ），５．２４（エノール体）（約０．２Ｈ，ｓ），
７．０−７．５（５Ｈ，ｍ）ｐ．ｐ．ｍ．
ノール体）および２．３５（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），３．６９（ケト体）（約１．６Ｈ，
ｓ），５．２４（エノール体）（約０．２Ｈ，ｓ），
７．０−７．５（５Ｈ，ｍ）ｐ．ｐ．ｍ．
【００４０】実施例５ Ｓ−フェニル チオアセトアセテート （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｓ- Ｃ6 Ｈ5 ） チオフェノール（２．６４ｇ）、イミダゾール（２７２
ｍｇ）の塩化メチレン（２０ｍｌ）溶液に０−５°Ｃで
ジケテン（１．６８ｇ）の塩化メチレン（１０ｍｌ）溶
液を滴下した。２０−３０°Ｃで１時間攪拌し、１Ｎ−
ＨＣｌおよび食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム乾燥
後、減圧溶媒留去してＳ−フェニル チオアセトアセテ
ート（４．３０ｇ，９９％）を得た。
ｍｇ）の塩化メチレン（２０ｍｌ）溶液に０−５°Ｃで
ジケテン（１．６８ｇ）の塩化メチレン（１０ｍｌ）溶
液を滴下した。２０−３０°Ｃで１時間攪拌し、１Ｎ−
ＨＣｌおよび食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム乾燥
後、減圧溶媒留去してＳ−フェニル チオアセトアセテ
ート（４．３０ｇ，９９％）を得た。
【００４１】ＩＲmax （ｎｅａｔ）： １７２６，１
６９４，１６２１，７４８，６９０ｃｍ-1
６９４，１６２１，７４８，６９０ｃｍ-1
【００４２】ＮＭＲδ（ＣＤＣｌ3 ）： １．９６（エ
ノール体）および２．２９（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），３．７６（ケト体）（約１．２Ｈ，
ｓ），５．４９（エノール体）（約０．４Ｈ，ｓ），
７．４４（５Ｈ，ｓ）ｐ．ｐ．ｍ．
ノール体）および２．２９（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），３．７６（ケト体）（約１．２Ｈ，
ｓ），５．４９（エノール体）（約０．４Ｈ，ｓ），
７．４４（５Ｈ，ｓ）ｐ．ｐ．ｍ．
【００４３】実施例６ アセトアセトアニリド （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- ＮＨ- Ｃ6 Ｈ5 ） アニリン（９３０ｍｇ）、イミダゾール（１３６ｍｇ）
のトルエン（１０ｍｌ）溶液に２０°Ｃで、ジケテン
（８４０ｍｇ）のトルエン（５ｍｌ）溶液を滴下した。
同温度で１時間攪拌し、１Ｎ−ＨＣｌ、水および食塩水
で洗浄し、硫酸マグネシウム乾燥後、減圧溶媒留去して
アセトアセトアニリド（１．０７ｇ，６０％）を得た。
のトルエン（１０ｍｌ）溶液に２０°Ｃで、ジケテン
（８４０ｍｇ）のトルエン（５ｍｌ）溶液を滴下した。
同温度で１時間攪拌し、１Ｎ−ＨＣｌ、水および食塩水
で洗浄し、硫酸マグネシウム乾燥後、減圧溶媒留去して
アセトアセトアニリド（１．０７ｇ，６０％）を得た。
【００４４】ＩＲmax （ＫＢｒ）： ３４４２（ｂ
ｒ．），１７１６，１６６３，１６００，７５４，６９
３ｃｍ-1
ｒ．），１７１６，１６６３，１６００，７５４，６９
３ｃｍ-1
【００４５】ＮＭＲδ（ＣＤＣｌ3 ）： １．９６（エ
ノール体）および２．３３（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），３．５９（ケト体）（約１．９Ｈ，
ｓ），４．９６（エノール体）（約０．０５Ｈ，ｓ），
７．０５−７．２５（１Ｈ，ｍ），７．３０−７．４５
（２Ｈ，ｍ），７．５０−７．７０（２Ｈ，ｍ），９．
０９（１Ｈ，ｂｒ．ｓ）ｐ．ｐ．ｍ．
ノール体）および２．３３（ケト体）（合わせて３Ｈ，
それぞれｓ），３．５９（ケト体）（約１．９Ｈ，
ｓ），４．９６（エノール体）（約０．０５Ｈ，ｓ），
７．０５−７．２５（１Ｈ，ｍ），７．３０−７．４５
（２Ｈ，ｍ），７．５０−７．７０（２Ｈ，ｍ），９．
０９（１Ｈ，ｂｒ．ｓ）ｐ．ｐ．ｍ．
【００４６】実施例７ １−アセトアセチル−４−ベンジルピペリジン ４−ベンジルピペリジン（３５ｍｇ）、イミダゾール
（１６ｍｇ）のトルエン（０．５ｍｌ）溶液に０−５°
Ｃでジケテン（２０ｍｇ）を滴下した。同温度で０．５
時間攪拌し、食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム乾燥
後、減圧溶媒留去して１−アセトアセチル−４−ベンジ
ルピペリジン（５１ｍｇ，９９％）を得た。
（１６ｍｇ）のトルエン（０．５ｍｌ）溶液に０−５°
Ｃでジケテン（２０ｍｇ）を滴下した。同温度で０．５
時間攪拌し、食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム乾燥
後、減圧溶媒留去して１−アセトアセチル−４−ベンジ
ルピペリジン（５１ｍｇ，９９％）を得た。
【００４７】ＩＲmax （ｎｅａｔ）： １７２２，１
６４０，１５８５，７４９，７０２ｃｍ-1
６４０，１５８５，７４９，７０２ｃｍ-1
【００４８】ＮＭＲδ（ＣＤＣｌ3 ）： １．００−
１．３０（２Ｈ，ｍ），１．６０−１．９０（３Ｈ，
ｍ），１．９４（エノール体）および２．２５（ケト
体）（合わせて３Ｈ，それぞれｓ），２．４０−２．７
０（３Ｈ，ｍ），２．９５（１Ｈ，ｍ），３．５３（ケ
ト体）（約１．８Ｈ，ｓ），３．６０−３．８０（１
Ｈ，ｍ），４．５０−４．７０（１Ｈ，ｍ），５．１４
（エノール体）（約０．１Ｈ，ｓ），７．１０−７．４
０（５Ｈ，ｍ）ｐ．ｐ．ｍ．
１．３０（２Ｈ，ｍ），１．６０−１．９０（３Ｈ，
ｍ），１．９４（エノール体）および２．２５（ケト
体）（合わせて３Ｈ，それぞれｓ），２．４０−２．７
０（３Ｈ，ｍ），２．９５（１Ｈ，ｍ），３．５３（ケ
ト体）（約１．８Ｈ，ｓ），３．６０−３．８０（１
Ｈ，ｍ），４．５０−４．７０（１Ｈ，ｍ），５．１４
（エノール体）（約０．１Ｈ，ｓ），７．１０−７．４
０（５Ｈ，ｍ）ｐ．ｐ．ｍ．
【００４９】実施例８ １−アミノ−１−（アセトアセトキシイミノ）−２−
（ベンジルメチルアミノ）エタン （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｏ- Ｎ＝Ｃ（ＮＨ2 ）ＣＨ
2-Ｎ（ＣＨ3 ）-ＣＨ2-Ｃ6 Ｈ5 ） １−アミノ−１−（ヒドロキシイミノ）−２−（ベンジ
ルメチルアミノ）エタン（３．０ｇ）、イミダゾール
（７．４ｍｇ）のトルエン（３０ｍｌ）溶液に３７−４
０°Ｃでジケテン（１．２１ｇ）を滴下した。滴下後２
２−４０°Ｃで１時間攪拌し、減圧溶媒留去して１−ア
ミノ−１−（アセトアセトキシイミノ）−２−（ベンジ
ルメチルアミノ）エタン（４．２１ｇ，定量的収率）を
得た。
（ベンジルメチルアミノ）エタン （ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｏ- Ｎ＝Ｃ（ＮＨ2 ）ＣＨ
2-Ｎ（ＣＨ3 ）-ＣＨ2-Ｃ6 Ｈ5 ） １−アミノ−１−（ヒドロキシイミノ）−２−（ベンジ
ルメチルアミノ）エタン（３．０ｇ）、イミダゾール
（７．４ｍｇ）のトルエン（３０ｍｌ）溶液に３７−４
０°Ｃでジケテン（１．２１ｇ）を滴下した。滴下後２
２−４０°Ｃで１時間攪拌し、減圧溶媒留去して１−ア
ミノ−１−（アセトアセトキシイミノ）−２−（ベンジ
ルメチルアミノ）エタン（４．２１ｇ，定量的収率）を
得た。
【００５０】ＩＲmax （ｎｅａｔ）： ３４６０，３
３４０，１７４５，１７１０，１６３５，７４０，６９
５ｃｍ-1
３４０，１７４５，１７１０，１６３５，７４０，６９
５ｃｍ-1
【００５１】ＮＭＲδ（ＣＤＣｌ3 ）： ２．００（エ
ノール体）と２．２４および２．３０（合わせて６Ｈ，
それぞれｓ），３．１４（２Ｈ，ｓ），３．５５および
３．５９（合わせて約３．８Ｈ，それぞれｓ），５．２
０（エノール体）（約０．１Ｈ，ｓ），５．５５（２
Ｈ，ｂｒ．ｓ），７．２８−７．３７（５Ｈ，ｍ）ｐ．
ｐ．ｍ．
ノール体）と２．２４および２．３０（合わせて６Ｈ，
それぞれｓ），３．１４（２Ｈ，ｓ），３．５５および
３．５９（合わせて約３．８Ｈ，それぞれｓ），５．２
０（エノール体）（約０．１Ｈ，ｓ），５．５５（２
Ｈ，ｂｒ．ｓ），７．２８−７．３７（５Ｈ，ｍ）ｐ．
ｐ．ｍ．
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 259/14 8318−4Ｈ Ｃ０７Ｄ 211/10 9165−4Ｃ 521/00 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (6)
- 【請求項１】 ジケテンと一般式〔Ｉ〕 Ｈ−Ｘ 〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは有機残基を示す。〕で表される活性水素を
含む化合物とをアゾール類の存在下反応させることを特
徴とする一般式〔ＩＩ〕 ＣＨ3-ＣＯ- ＣＨ2-ＣＯ- Ｘ 〔ＩＩ〕 〔式中、Ｘは前述と同じ意味を示す。〕で表されるアセ
ト酢酸誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 一般式〔Ｉ〕で表される活性水素を含む
化合物がアルコール類である請求項１記載のアセト酢酸
誘導体の製造方法。 - 【請求項３】 一般式〔Ｉ〕で表される活性水素を含む
化合物がチオール類である請求項１記載のアセト酢酸誘
導体の製造方法。 - 【請求項４】 一般式〔Ｉ〕で表される活性水素を含む
化合物がアミン類である請求項１記載のアセト酢酸誘導
体の製造方法。 - 【請求項５】 一般式〔Ｉ〕で表される活性水素を含む
化合物がオキシム類である請求項１記載のアセト酢酸誘
導体の製造方法。 - 【請求項６】 一般式〔Ｉ〕で表される活性水素を含む
化合物がヒドロキシルアミン類である請求項１記載のア
セト酢酸誘導体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255892 | 1992-01-22 | ||
| JP4-32558 | 1992-05-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05262696A true JPH05262696A (ja) | 1993-10-12 |
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ID=12362243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4070160A Pending JPH05262696A (ja) | 1992-01-22 | 1992-02-19 | アセト酢酸誘導体の製造法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05262696A (ja) |
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| CN113979883A (zh) * | 2021-12-08 | 2022-01-28 | 新华制药（寿光）有限公司 | 一种乙酰乙酰苯胺高效精制工艺及其设备 |
| CN115286500A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-04 | 山东新和成氨基酸有限公司 | 一种乙酰乙酸、6-乙硫基-3-庚烯-2-酮及其中间体的制备方法和组合物 |
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