JPH05259370A - ハイブリッドｉｃ - Google Patents
ハイブリッドｉｃInfo
- Publication number
- JPH05259370A JPH05259370A JP4089637A JP8963792A JPH05259370A JP H05259370 A JPH05259370 A JP H05259370A JP 4089637 A JP4089637 A JP 4089637A JP 8963792 A JP8963792 A JP 8963792A JP H05259370 A JPH05259370 A JP H05259370A
- Authority
- JP
- Japan
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- conductor layer
- heat
- hybrid
- substrate
- electronic components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 冷却効果を低下させることなく、かつ実装密
度を向上できるハイブリッドＩＣを提供すること。 【構成】 基板１１の上面全体に導体層１２を形成し、
この導体層１２に発熱の多い電子部品（例えば半導体素
子３）を接続する。また、導体層１２の上面で、少なく
とも半導体素子３の接続部分以外に絶縁層１４を設け、
この絶縁層１４の上面に形成した配線パターン４に、発
熱の少ない電子部品（例えばチップ部品２）を接続す
る。さらに、導体層１２と一体に設けられた放熱部１３
にヒートシンク５を設ける。
度を向上できるハイブリッドＩＣを提供すること。 【構成】 基板１１の上面全体に導体層１２を形成し、
この導体層１２に発熱の多い電子部品（例えば半導体素
子３）を接続する。また、導体層１２の上面で、少なく
とも半導体素子３の接続部分以外に絶縁層１４を設け、
この絶縁層１４の上面に形成した配線パターン４に、発
熱の少ない電子部品（例えばチップ部品２）を接続す
る。さらに、導体層１２と一体に設けられた放熱部１３
にヒートシンク５を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子やチップ部
品等の電子部品が搭載され、このうち少なくとも一つ
が、放熱部の設けられた導体層と接続されているハイブ
リッドＩＣに関するものである。
品等の電子部品が搭載され、このうち少なくとも一つ
が、放熱部の設けられた導体層と接続されているハイブ
リッドＩＣに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガラスエポキシ板やセラミックス等を用
いた基板に半導体素子やチップ部品等の複数の電子部品
を搭載し、所定の電気回路を構成したハイブリッドＩＣ
では、電子部品の実装密度が特に高いため、発熱量が多
くなりやすくなっている。発熱量が多いと、電気回路の
誤動作を起こす可能性が高くなるため、基板に放熱部を
設けて熱を放出したり、さらにはこの放熱部にヒートシ
ンク等の放熱板を取り付ける場合もある。
いた基板に半導体素子やチップ部品等の複数の電子部品
を搭載し、所定の電気回路を構成したハイブリッドＩＣ
では、電子部品の実装密度が特に高いため、発熱量が多
くなりやすくなっている。発熱量が多いと、電気回路の
誤動作を起こす可能性が高くなるため、基板に放熱部を
設けて熱を放出したり、さらにはこの放熱部にヒートシ
ンク等の放熱板を取り付ける場合もある。
【０００３】このようなハイブリッドＩＣを図面に基づ
いて説明する。図３は、従来のハイブリッドＩＣを説明
する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線
矢視断面図である。すなわち、このハイブリッドＩＣ１
は、基板１１上に形成された配線パターン４にチップ部
品２（抵抗器やコンデンサ等）や半導体素子３等の電子
部品が接続されたものである。この電子部品のうち、例
えば半導体素子３のように、とくに発熱しやすいものは
導体層１２と接続されており、この導体層１２と一体に
設けられた放熱部１３から熱を放射できるようになって
いる。したがって、発熱の多い電子部品が搭載されたハ
イブリッドＩＣ１では、放熱部１３の面積を大きくする
ことで冷却効果を高めている。なお、この放熱部１３に
よる熱の放射だけでは不十分な場合、放熱部１３にヒー
トシンク５が取り付けられる。
いて説明する。図３は、従来のハイブリッドＩＣを説明
する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線
矢視断面図である。すなわち、このハイブリッドＩＣ１
は、基板１１上に形成された配線パターン４にチップ部
品２（抵抗器やコンデンサ等）や半導体素子３等の電子
部品が接続されたものである。この電子部品のうち、例
えば半導体素子３のように、とくに発熱しやすいものは
導体層１２と接続されており、この導体層１２と一体に
設けられた放熱部１３から熱を放射できるようになって
いる。したがって、発熱の多い電子部品が搭載されたハ
イブリッドＩＣ１では、放熱部１３の面積を大きくする
ことで冷却効果を高めている。なお、この放熱部１３に
よる熱の放射だけでは不十分な場合、放熱部１３にヒー
トシンク５が取り付けられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなハイブリッドＩＣには次のような問題がある。すな
わち、冷却効果の観点から、基板に設けられた導体層お
よび放熱部の上面には、半導体素子やチップ部品等の電
子部品を搭載することができない。したがって、基板上
では、電子部品を搭載する領域と放熱のための領域とを
区別しなければならない。このため、放熱部の面積を大
きくして冷却効果を高めようとした場合、基板の面積を
大きくしなければならず、電子部品の実装密度の低下を
招いてしまう。よって、本発明は冷却効果を低下させる
ことなく、かつ電子部品の実装密度を向上できるハイブ
リッドＩＣを提供することを目的とする。
うなハイブリッドＩＣには次のような問題がある。すな
わち、冷却効果の観点から、基板に設けられた導体層お
よび放熱部の上面には、半導体素子やチップ部品等の電
子部品を搭載することができない。したがって、基板上
では、電子部品を搭載する領域と放熱のための領域とを
区別しなければならない。このため、放熱部の面積を大
きくして冷却効果を高めようとした場合、基板の面積を
大きくしなければならず、電子部品の実装密度の低下を
招いてしまう。よって、本発明は冷却効果を低下させる
ことなく、かつ電子部品の実装密度を向上できるハイブ
リッドＩＣを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためになされたハイブリッドＩＣである。すな
わち、基板上に複数の電子部品を搭載し、この電子部品
のうち少なくとも一つを、放熱部の設けられた導体層と
接続したもので、この導体層を基板の上面全体に形成す
るとともに、導体層の上面で、少なくともこの導体層と
接続された電子部品の接続部分以外に絶縁層を設け、こ
の絶縁層の上面に形成した配線パターンに、導体層と接
続された電子部品以外の電子部品を接続したものであ
る。しかも、この放熱部に放熱板を取り付けたハイブリ
ッドＩＣである。
解決するためになされたハイブリッドＩＣである。すな
わち、基板上に複数の電子部品を搭載し、この電子部品
のうち少なくとも一つを、放熱部の設けられた導体層と
接続したもので、この導体層を基板の上面全体に形成す
るとともに、導体層の上面で、少なくともこの導体層と
接続された電子部品の接続部分以外に絶縁層を設け、こ
の絶縁層の上面に形成した配線パターンに、導体層と接
続された電子部品以外の電子部品を接続したものであ
る。しかも、この放熱部に放熱板を取り付けたハイブリ
ッドＩＣである。
【０００６】
【作用】放熱部と一体となった導体層を基板の上面全体
に形成し、この導体層に発熱の多い電子部品を接続して
いるため、この電子部品から発生した熱が、この導体層
を介して放熱部および放熱板から放出することになる。
また、導体層の上面で、少なくとも導体層と接続した電
子部品の接続部分以外に絶縁層を設け、この絶縁層上に
形成した配線パターンに他の電子部品を接続しているた
め、導体層上であっても、導体層と接触することなく電
子部品を搭載することができる。また、導体層上で絶縁
層が設けられていない部分、すなわち導体層の露出部分
が全て放熱のための領域となるため、冷却効果が向上す
る。
に形成し、この導体層に発熱の多い電子部品を接続して
いるため、この電子部品から発生した熱が、この導体層
を介して放熱部および放熱板から放出することになる。
また、導体層の上面で、少なくとも導体層と接続した電
子部品の接続部分以外に絶縁層を設け、この絶縁層上に
形成した配線パターンに他の電子部品を接続しているた
め、導体層上であっても、導体層と接触することなく電
子部品を搭載することができる。また、導体層上で絶縁
層が設けられていない部分、すなわち導体層の露出部分
が全て放熱のための領域となるため、冷却効果が向上す
る。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明のハイブリッドＩＣを図面に
基づいて説明する。図１は本発明のハイブリッドＩＣを
説明する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ線矢視断面図である。すなわち、本発明のハイブリッ
ドＩＣ１は、ガラスエポキシ板やセラミックス等を用い
た基板１１上に、抵抗器やコンデンサ等から成るチップ
部品２、および半導体素子３を搭載して、所定の電気回
路を構成したものである。
基づいて説明する。図１は本発明のハイブリッドＩＣを
説明する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ線矢視断面図である。すなわち、本発明のハイブリッ
ドＩＣ１は、ガラスエポキシ板やセラミックス等を用い
た基板１１上に、抵抗器やコンデンサ等から成るチップ
部品２、および半導体素子３を搭載して、所定の電気回
路を構成したものである。
【０００８】基板１１の上面全体には、例えば金属から
成る導体層１２が形成されており、この導体層１２の略
中央部には、発熱の多い電子部品である、例えば半導体
素子３が接続されている。また、導体層１２の端部に
は、この導体層１２と一体となった放熱部１３が設けら
れている。
成る導体層１２が形成されており、この導体層１２の略
中央部には、発熱の多い電子部品である、例えば半導体
素子３が接続されている。また、導体層１２の端部に
は、この導体層１２と一体となった放熱部１３が設けら
れている。
【０００９】この導体層１２の上面で、半導体素子３の
接続部分以外には、絶縁層１４が設けられている。ま
た、この絶縁層１４の上面には所定の配線パターン４が
形成されており、この配線パターン４にチップ部品２が
接続されている。これにより、導電層１２の上方にチッ
プ部品２が搭載された状態となる。また、この絶縁層１
４は、配線パターン４およびチップ部品２を導体層１２
から電気的に絶縁するためもので、絶縁性の高い樹脂や
基板１１と同様の材質から成る。このため、少なくとも
配線パターン４およびチップ部品２の下面の面積より大
きく形成されていればよい。
接続部分以外には、絶縁層１４が設けられている。ま
た、この絶縁層１４の上面には所定の配線パターン４が
形成されており、この配線パターン４にチップ部品２が
接続されている。これにより、導電層１２の上方にチッ
プ部品２が搭載された状態となる。また、この絶縁層１
４は、配線パターン４およびチップ部品２を導体層１２
から電気的に絶縁するためもので、絶縁性の高い樹脂や
基板１１と同様の材質から成る。このため、少なくとも
配線パターン４およびチップ部品２の下面の面積より大
きく形成されていればよい。
【００１０】また、発熱の多い半導体素子３が複数個搭
載されている場合等、とくに発熱量が多いハイブリッド
ＩＣ１においては、放熱部１３に放熱板としてヒートシ
ンク５が取り付けられており、さらに冷却効果が高めら
れる。ヒートシンク５は、放熱量に応じて、基板１１の
一端、または両端に取り付けられている。さらに必要な
場合には、露出している導体層１２のどの位置にでも取
り付けることが可能である。
載されている場合等、とくに発熱量が多いハイブリッド
ＩＣ１においては、放熱部１３に放熱板としてヒートシ
ンク５が取り付けられており、さらに冷却効果が高めら
れる。ヒートシンク５は、放熱量に応じて、基板１１の
一端、または両端に取り付けられている。さらに必要な
場合には、露出している導体層１２のどの位置にでも取
り付けることが可能である。
【００１１】このハイブリッドＩＣ１に搭載された半導
体素子３から発生した熱は、導体層１２を介して放熱部
１３およびヒートシンク５から放出される。また、この
熱は、放熱部１３およびヒートシンク５から放出される
以外に、絶縁体１４が形成されていない部分、すなわち
導体層１２が露出する部分からも放出される。したがっ
て、絶縁層１４の面積を小さくすればするほど、露出す
る導体層１２の面積が大きくなるとともに、放熱部１３
の面積も大きくすることができるため、冷却効果を高め
ることが可能となる。
体素子３から発生した熱は、導体層１２を介して放熱部
１３およびヒートシンク５から放出される。また、この
熱は、放熱部１３およびヒートシンク５から放出される
以外に、絶縁体１４が形成されていない部分、すなわち
導体層１２が露出する部分からも放出される。したがっ
て、絶縁層１４の面積を小さくすればするほど、露出す
る導体層１２の面積が大きくなるとともに、放熱部１３
の面積も大きくすることができるため、冷却効果を高め
ることが可能となる。
【００１２】このように、基板１１に上面全体に導体層
１２を設け、配線パターン４の形成に必要な部分に絶縁
層１４を設ければ、この絶縁層１４以外の全てを放熱部
１３とすることができる。さらに、基板１１上で、チッ
プ部品２や半導体素子３等の電子部品を接続するための
領域と、導体層１２や放熱部１３等の放熱のための領域
を区別して設ける必要がないため、基板１１の縮小や、
電子部品の実装密度の向上を図ることができる。また、
発熱の多い半導体素子３の周辺部にも配線パターン４を
設けることができるため、配線パターン４のレイアウト
設計の自由度を高めることができる。
１２を設け、配線パターン４の形成に必要な部分に絶縁
層１４を設ければ、この絶縁層１４以外の全てを放熱部
１３とすることができる。さらに、基板１１上で、チッ
プ部品２や半導体素子３等の電子部品を接続するための
領域と、導体層１２や放熱部１３等の放熱のための領域
を区別して設ける必要がないため、基板１１の縮小や、
電子部品の実装密度の向上を図ることができる。また、
発熱の多い半導体素子３の周辺部にも配線パターン４を
設けることができるため、配線パターン４のレイアウト
設計の自由度を高めることができる。
【００１３】次に、本発明の他の実施例を図面に基づい
て説明する。図２は、本発明の他の実施例を説明する断
面図で、（ａ）はその１、（ｂ）はその２である。すな
わち、図２（ａ）に示すようなハイブリッドＩＣ１は基
板１１の下面に配線パターン４が形成されており、この
配線パターン４にチップ部品２が接続された両面実装型
のものである。
て説明する。図２は、本発明の他の実施例を説明する断
面図で、（ａ）はその１、（ｂ）はその２である。すな
わち、図２（ａ）に示すようなハイブリッドＩＣ１は基
板１１の下面に配線パターン４が形成されており、この
配線パターン４にチップ部品２が接続された両面実装型
のものである。
【００１４】また、図２（ｂ）に示すようなハイブリッ
ドＩＣ１は、基板１１の下面側にも導体層１２が設けら
れており、上面側と同様、この導体層１２に半導体素子
３が接続されたものである。さらに、この導体層１２の
半導体素子３の接続部分以外に絶縁層１４が設けられて
おり、この絶縁層１４に設けられた配線パターン４にチ
ップ部品２が接続されている。また、必要に応じてヒー
トシンク５を設け、冷却効果を高めてもよい。これらの
ような両面実装型のハイブリッドＩＣ１により、冷却効
果を損なうことなく、電子部品の実装密度を向上させる
ことが可能となる。
ドＩＣ１は、基板１１の下面側にも導体層１２が設けら
れており、上面側と同様、この導体層１２に半導体素子
３が接続されたものである。さらに、この導体層１２の
半導体素子３の接続部分以外に絶縁層１４が設けられて
おり、この絶縁層１４に設けられた配線パターン４にチ
ップ部品２が接続されている。また、必要に応じてヒー
トシンク５を設け、冷却効果を高めてもよい。これらの
ような両面実装型のハイブリッドＩＣ１により、冷却効
果を損なうことなく、電子部品の実装密度を向上させる
ことが可能となる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のハイブリ
ッドＩＣによれば次のような効果がある。すなわち、基
板の上面全体に導体層が形成されており、この導体層上
に設けられた絶縁層以外の部分、すなわち導体層が露出
した部分全てを放熱部とすることができる。したがっ
て、導体層の上方に電子部品が搭載されていても、冷却
効果が低下しない。また、放熱部および露出した導体層
のどの位置にも放熱板を設けることができるため、発熱
量に応じた冷却手段を容易に選択することが可能とな
る。さらに、基板上の電子部品の搭載領域と、導体層お
よび放熱部の領域とを区別する必要がないため、電子部
品の実装密度の向上を図ることが可能となる。また、配
線パターンのレイアウト設計の自由度を高めることがで
きるため、ハイブリッドＩＣの設計や仕様の変更等に容
易に対処することが可能となる。
ッドＩＣによれば次のような効果がある。すなわち、基
板の上面全体に導体層が形成されており、この導体層上
に設けられた絶縁層以外の部分、すなわち導体層が露出
した部分全てを放熱部とすることができる。したがっ
て、導体層の上方に電子部品が搭載されていても、冷却
効果が低下しない。また、放熱部および露出した導体層
のどの位置にも放熱板を設けることができるため、発熱
量に応じた冷却手段を容易に選択することが可能とな
る。さらに、基板上の電子部品の搭載領域と、導体層お
よび放熱部の領域とを区別する必要がないため、電子部
品の実装密度の向上を図ることが可能となる。また、配
線パターンのレイアウト設計の自由度を高めることがで
きるため、ハイブリッドＩＣの設計や仕様の変更等に容
易に対処することが可能となる。
【図１】本発明のハイブリッドＩＣを説明する図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図
である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図
である。
【図２】本発明の他の実施例を説明する断面図で、
（ａ）はその１、（ｂ）はその２である。
（ａ）はその１、（ｂ）はその２である。
【図３】従来のハイブリッドＩＣを説明する図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図
である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図
である。
１ ハイブリッドＩＣ ２ チップ部品 ３ 半導体素子 ４ 配線パターン ５ ヒートシンク １１ 基板 １２ 導体層 １３ 放熱部 １４ 絶縁層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に複数の電子部品が搭載され、前
記電子部品のうち少なくとも一つが、放熱部の設けられ
た導体層と接続されているハイブリッドＩＣにおいて、 前記導体層は前記基板の上面全体に形成されているとと
もに、 前記導体層上面で、少なくとも前記導体層と接続された
電子部品の接続部分以外に絶縁層が設けられ、 前記絶縁層の上面に形成された配線パターンに、前記導
体層と接続された電子部品以外の電子部品が接続されて
いることを特徴とするハイブリッドＩＣ。 - 【請求項２】 前記放熱部に放熱板を取り付けたことを
特徴とする請求項１記載のハイブリッドＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089637A JPH05259370A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | ハイブリッドｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089637A JPH05259370A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | ハイブリッドｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259370A true JPH05259370A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13976288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4089637A Pending JPH05259370A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | ハイブリッドｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259370A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010096191A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 変速制御装置および電子回路封入装置 |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP4089637A patent/JPH05259370A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010096191A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 変速制御装置および電子回路封入装置 |
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