JPH0525725U

JPH0525725U - インナリードボンダ

Info

Publication number: JPH0525725U
Application number: JP1923091U
Authority: JP
Inventors: 智後藤
Original assignee: 関西日本電気株式会社
Priority date: 1991-03-28
Filing date: 1991-03-28
Publication date: 1993-04-02

Abstract

(57)【要約】【目的】構造が簡単で多品種に対応でき、安定したボ
ンディングが可能なインナリードボンダの実現を目的と
する。【構成】ＴＡＢフィルム上にインナリードと接離する
耐圧ブロックを配置し、ＴＡＢフィルムの透孔下方に半
導体ペレットを支持して加熱しつつ上下動し、耐圧ブロ
ックに当接したインナリードに半導体ペレット上の電極
を押圧させる支持テーブルを配置したインナリードボン
ダ。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案はＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）方式の半導体集積回路装置（ＴＡＢＩＣ）の製造に用いられるインナリードボンダに関する。

【０００２】

【従来の技術】

ＴＡＢＩＣの一例を図２及び図３に示す。図において、１は長尺の絶縁フィルムで、両側に沿って送り用のスプロケットホール１ａ，１ｂを一定間隔で穿設し、スプロケットホール１ａ，１ｂ間で、長手方向に一定間隔で方形のデバイスホール１ｃを穿設し、さらに各デバイスホール１ｃの各周に沿って矩形状のアウタリードホール１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇを穿設している。２は絶縁フィルム１に積層したエッチングにより形成した導電パターンで、デバイスホール１ｃ内に突出するインナリード２ａ，アウタリードホール１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇを橋絡するアウタリード２ｂを含む。この絶縁フィルム１に導電パターン２を形成したＴＡＢフィルム３のデバイスホール１ｃ位置に半導体ペレット４を配置し、その電極４ａとインナリード２ａとを熱圧着している。この半導体装置はアウタリードホール１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ部分でアウタリード２ｂを切断し、各ホール１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ間を切断して、外部の配線基板などに実装される。

【０００３】ここで、インナリード２ａと半導体ペレット４の電極４ａを接続するインナリードボンダの一例を図４から説明する。図において、５は半導体ペレット４を支持する支持テーブルで、ＴＡＢフィルム３の移動経路下方で、定位置で停止した透孔１ｃの下方に配置されている。６は支持テーブル５の上方で上下動するボンディングツールで、ヒータチップ７により加熱されている。ＴＡＢフィルム３は図示しないが、ガイド体により透孔１ｃ周辺を水平に保って上下動する。

【０００４】以下にこの装置の動作を説明する。先ず支持テーブル５上に半導体ペレット４を載置し、電極４ａとインナリード２ａとが重合するように位置決めする。

【０００５】次にＴＡＢフィルム３を降下させ電極４ａとインナリード２ａとを重合させ、さらにボンディングツール６で重合部を押圧して熱圧着する。ボンディングが完了すると、ボンディングツール６とＴＡＢフィルム３とを順次上昇させて、ＴＡＢフィルム３を半導体ペレット４を保持した状態でピッチ送りし、次の透孔１ｃを支持テーブル５上に位置させ、支持テーブル５上に新しい半導体ペレット４を載置して上記動作を繰返す。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

ところでＴＡＢＩＣは機種によって半導体ペレット４の寸法や電極数、電極位置が異なり、それに合わせて透孔１ｃの寸法やリードの寸法，リード本数なども異なる。

【０００７】そのため適正なボンディングが行われるように機種毎にボンディングツール６を用意し、機種切替毎に最適なボンディングツールに交換しなければならないという問題があった。

【０００８】上記インナリードボンダは支持テーブル５とボンディングツール６の間隔が平行でない場合にはインナリード２ａと電極４ａの押圧状態でばらつき、押圧力が過大な場合には電極部分に応力が集中し半導体ペレット４を破損する虞があり、押圧力が過小であると圧着力が不十分になるという問題があるため、支持テーブル５とボンディングツール６の平行度を厳密に設定しなければならないが、ボンディングツール６は連続動作によって摩耗し、圧着状態が不均一となるため、新品と交換しなければならないが、交換毎に、上記平行度の調整が必要で、煩雑な作業を長時間行わなければならないという問題があった。

【０００９】また、リード２ａが変形していたり、ＴＡＢフィルム３が半導体ペレット４と非平行に配置されることなどによって、図５に示すようにリード２ａが電極４ａから浮いていると、ボンディングツール６が降下して浮いたリード２ａを押し下げる際に、図６に示すようにリード２ａに押圧力Ｆ１がかかり、リード基部に向かう分力Ｆ２を受ける。またリード２ａは押下によって円弧動するが、リード２ａの先端はボンディングツール６の下面上の点６ａまで移動し、分力Ｆ２に摩擦力が加わることになり、この力が過大になるとリード２ａは変形する。この変形がリード２ａの延在方向に生じると撓み変形となり、電極４ａとボンディングされた後、リード２ａに応力が残留し、ペレット４を傾ける虞を生じる。

【００１０】また、変形がリード２ａの延在方向に対し側方に生じると、リード２ａと電極４ａの中心がずれた状態でボンディングが行われるため、ボンディング強度が低下したり、隣り合うリードを近接して耐電圧低下や短絡の虞もあった。

【００１１】

【課題を解決するための手段】

本考案は上記課題の解決を目的として提案されたもので、透孔内にインナーリードを延在させたＴＡＢフィルムのインナリードと透孔内に配置させた半導体ペレットの電極とを重合させ、重合部を加熱加圧して接続するインナリードボンダであって、ＴＡＢフィルムの上方に配置され、下面がインナリードに接離する耐圧ブロックと、半導体ペレットを支持し加熱するとともにＴＡＢフィルムの透孔下方で上下動し耐圧ブロックに当接したインナリードに半導体ペレットの電極を押圧させる支持テーブルを含むことを特徴とするインナリードボンダを提供する。

【００１２】

【作用】

本考案によれば、耐圧ブロックによって係止されたインナリードに半導体ペレットの電極が押圧されるため、耐圧ブロックの摩耗がなく、リードと電極の位置ずれも生じにくくインナリードボンダを実現できる。

【００１３】

【実施例】

本考案の実施例を図１から説明する。図において、図２と同一符号は同一物を示し説明を省略する。

【００１４】図中、８は水平方向に移動するＴＡＢフィルム３の上方に配置され、下面８ａがＴＡＢフィルム３の透孔１ｃ部分を覆いインナリード２ａと接離する耐圧ブロック、９はＴＡＢフィルム３の下方で、透孔１ｃの周縁部を耐圧ブロック８の下面８ａに押圧して位置決めする保持フレーム，１０は半導体ペレット４を支持する支持テーブルで、ヒータ１１を有し半導体ペレット４を適温に加熱する。この支持テーブル１０は耐圧ブロック８の下方で上下動し、ＴＡＢフィルム３の透孔１ｃに半導体ペレット４を、その電極４ａとインナリード２ａが重合するように位置させる。

【００１５】以下に、この装置の動作を説明する。先ずＴＡＢフィルム３の透孔１ｃを定位置で停止させ、耐圧ブロック８を降下させ、さらに保持フレーム９を上昇させて、インナリード２ａを耐圧ブロック８の下面に当接させて位置決めする。

【００１６】この時、インナリード２ａが図６に示すように変形していると、押下時に、リード２ａには撓ませる方向の分力が作用するが、水平状態に矯正された時には、突起電極もなく、リード先端は自由であるため撓み分力から解放され、また耐圧ブロック８は導電パターン２の上面より下方には沈み込まないため、リード２ａの変形が最小に抑えられる。

【００１７】次に加熱状態の半導体ペレット４を支持テーブル１０の上昇により透孔１ｃ内に位置させ、その電極４ａをインナリード２ａに重合させ、さらに加圧してボンディングを行う。この時、リード２ａにはボンディング部分のみに圧力が加えられ、従来ボンディングツールがインナリードの遊端部が電極４ａと圧着した状態で、リード遊端乃至中間部をツール下面で押圧することにより生じるリードの延びも発生せず、ボンディング後、インナリード２ａに応力が残留しない。ボンディング後は、支持テーブル１０を降下させ、保持フレーム９を解放し、耐圧ブロック８を上昇させて、ＴＡＢフィルム３を定ピッチ送り、上記動作を繰返す。

【００１８】上記の構成，作用により、耐圧ブロック８はペレットサイズ，電極数に関係なく共用でき、機種毎に交換する必要がない。そのため、耐圧ブロック８と支持テーブル１０の平行度調整も一度だけでよく、多品種少量生産にも迅速に対応できる。

【００１９】また、インナリードの変形に基づく、残留応力やボンディング位置ずれなどを軽減乃至なくすことができ、ボンディング強度も十分にでき、耐電圧低下や短絡事故を防止できる。

【００２０】尚、本考案は上記実施例にのみ限定されるものではなく、例えば、耐圧ブロック８はインナリード２ａと単に接触しているだけでよく、耐圧ブロック８の下面は透孔１ｃより小さくてもよい。

【００２１】また、耐圧ブロック８に加熱手段（ヒータ）を組み込むことによってボンディング性を向上できる。

【００２２】さらには、耐圧ブロック８の下面に開口する透光部、具体的には貫通孔を設け、この透光部を介してペレット位置、即ち電極位置とリードの位置を観察するようにしてもよいし、耐圧ブロック８全体を透明な人工宝石などの透明体で構成してもよい。

【００２３】

【考案の効果】

以上のように、本考案によれば、簡単な構造で多品種少量生産にも迅速に対応でき、品質の安定したインナリードボンダを実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例を示す側断面図

【図２】ＴＡＢＩＣの一例を示す斜視図

【図３】図２に示すＴＡＢＩＣの側断面図

【図４】インナリードボンダの従来例を示す側断面図

【図５】図４に示すインナリードボンダの問題を説明
するための部分拡大側面図

【図６】図５に示す装置の動作状態を示す部分拡大側
断面図

【符号の説明】

１絶縁フィルム１ｃ透孔２ａインナリード３ＴＡＢフィルム４半導体ペレット４ａ電極８耐圧ブロック１０支持テーブル

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】透孔内にインナーリードを延在させたＴＡ
Ｂフィルムのインナリードと透孔内に配置させた半導体
ペレットの電極とを重合させ、重合部を加熱加圧して接
続するインナリードボンダであって、ＴＡＢフィルムの
上方に配置され、下面がインナリードに接離する耐圧ブ
ロックと、半導体ペレットを支持し加熱するとともにＴ
ＡＢフィルムの透孔下方で上下動し耐圧ブロックに当接
したインナリードに半導体ペレットの電極を押圧させる
支持テーブルを含むことを特徴とするインナリードボン
ダ。
【請求項２】耐圧ブロックのインナリードと当接する面
がＴＡＢフィルムの透孔より大きいことを特徴とする請
求項１記載のインナリードボンダ。
【請求項３】耐圧ブロックに加熱手段を付加したことを
特徴とする請求項１記載のインナリードボンダ。
【請求項４】耐圧ブロックにインナリードと半導体ペレ
ットの位置決め確認用の透光部を設けたことを特徴とす
る請求項１記載のインナリードボンダ。
【請求項５】耐圧ブロックが透明体であることを特徴と
する請求項４記載のインナリードボンダ。