JPH05251313A - Ｘ線マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05251313A JPH05251313A JP4914592A JP4914592A JPH05251313A JP H05251313 A JPH05251313 A JP H05251313A JP 4914592 A JP4914592 A JP 4914592A JP 4914592 A JP4914592 A JP 4914592A JP H05251313 A JPH05251313 A JP H05251313A
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- Japan
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- ray
- film
- mask
- pattern
- substrate
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線マスクに関し，吸収体パターンと透過膜
との間の応力歪みがなく，かつ吸収体パターンの修正を
容易に行えるマスクを得ることを目的とする。 【構成】 １）下層膜(SiC) の組織が上層膜(SiO2)より
稠密である材質で構成された２層構造のＸ線透過膜と,
該上層膜に形成されたトレンチパターンに埋め込まれた
Ｘ線吸収体パターンとを有する，あるいは２）基板１上
に下層Ｘ線透過膜２，上層Ｘ線透過膜９を順に被着する
工程と，基板１の裏面にマスク支持枠３を接着し，マス
ク支持枠３内の基板１を背面よりエッチング除去する工
程と, 上層Ｘ線透過膜９をパターニングしてトレンチパ
ターン８を形成する工程と，該トレンチパターン８にＸ
線吸収体を埋め込んでＸ線吸収体パターン5Aを形成する
工程とを有するように構成する。
との間の応力歪みがなく，かつ吸収体パターンの修正を
容易に行えるマスクを得ることを目的とする。 【構成】 １）下層膜(SiC) の組織が上層膜(SiO2)より
稠密である材質で構成された２層構造のＸ線透過膜と,
該上層膜に形成されたトレンチパターンに埋め込まれた
Ｘ線吸収体パターンとを有する，あるいは２）基板１上
に下層Ｘ線透過膜２，上層Ｘ線透過膜９を順に被着する
工程と，基板１の裏面にマスク支持枠３を接着し，マス
ク支持枠３内の基板１を背面よりエッチング除去する工
程と, 上層Ｘ線透過膜９をパターニングしてトレンチパ
ターン８を形成する工程と，該トレンチパターン８にＸ
線吸収体を埋め込んでＸ線吸収体パターン5Aを形成する
工程とを有するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板上に塗布したレジス
ト膜に素子パターンを転写するためのＸ線マスクとその
製造方法に関する。
ト膜に素子パターンを転写するためのＸ線マスクとその
製造方法に関する。
【０００２】近年, 半導体装置の高密度化に伴い, 素子
パターンの微細かが進み, それを形成するためのレジス
トパターンのサブミクロン化, またはクォータミクロン
化が要求されている。このために, 量産性の高いＸ線リ
ソグラフィ技術の開発，特にSOR 光を用いたＸ線リソグ
ラフィ技術の開発が行われている。
パターンの微細かが進み, それを形成するためのレジス
トパターンのサブミクロン化, またはクォータミクロン
化が要求されている。このために, 量産性の高いＸ線リ
ソグラフィ技術の開発，特にSOR 光を用いたＸ線リソグ
ラフィ技術の開発が行われている。
【０００３】
【従来の技術】従来のＸ線マスクはＸ線透過膜上にＸ線
吸収体パターンを形成するか，Ｘ線透過膜をエッチング
してトレンチパターン（凹部）を形成し，そのトレンチ
パターンにＸ線吸収体を埋め込んでＸ線吸収体パターン
を形成している。
吸収体パターンを形成するか，Ｘ線透過膜をエッチング
してトレンチパターン（凹部）を形成し，そのトレンチ
パターンにＸ線吸収体を埋め込んでＸ線吸収体パターン
を形成している。
【０００４】図２(A) 〜(E) は従来例を説明する断面図
である。この例はＸ線吸収体をＸ線透過膜内に埋め込ん
でＸ線吸収体パターンを形成したＸ線マスクの従来例で
ある。
である。この例はＸ線吸収体をＸ線透過膜内に埋め込ん
でＸ線吸収体パターンを形成したＸ線マスクの従来例で
ある。
【０００５】図２(A) において，Si基板１に硼素(B) を
2〜3 μｍの深さに拡散し，その表面に硼素拡散層６を
形成する。次いで，基板表面にレジスト膜７を塗布し，
電子線露光装置で素子パターンを描画してレジストパタ
ーン7Aを形成する。
2〜3 μｍの深さに拡散し，その表面に硼素拡散層６を
形成する。次いで，基板表面にレジスト膜７を塗布し，
電子線露光装置で素子パターンを描画してレジストパタ
ーン7Aを形成する。
【０００６】図２(B) において，レジストパターンをマ
スクにしてRIE 法等により硼素拡散層６をエッチングし
てトレンチパターン８を形成する。図２(C) において，
トレンチパターン８内にCVD 法によりＸ線吸収体(W, A
u,Ta) 等を選択的に埋め込みＸ線吸収体パターン4Aを形
成する。
スクにしてRIE 法等により硼素拡散層６をエッチングし
てトレンチパターン８を形成する。図２(C) において，
トレンチパターン８内にCVD 法によりＸ線吸収体(W, A
u,Ta) 等を選択的に埋め込みＸ線吸収体パターン4Aを形
成する。
【０００７】図２(D) において，Si基板１をマスク支持
枠３に接着する。図２(E) において，マスク支持枠３内
のSi基板１を背面エッチングして, マスク支持枠３内を
Ｘ線透過膜のみとする。
枠３に接着する。図２(E) において，マスク支持枠３内
のSi基板１を背面エッチングして, マスク支持枠３内を
Ｘ線透過膜のみとする。
【０００８】この例では，トレンチパターン８を形成す
ることで基板の応力状態が変化して，Ｘ線マスクに歪み
を生じていた。
ることで基板の応力状態が変化して，Ｘ線マスクに歪み
を生じていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，Ｘ線吸収体
パターンとＸ線透過膜との間の応力歪みが少ないマスク
を得ることを目的とする。
パターンとＸ線透過膜との間の応力歪みが少ないマスク
を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
下層膜の組織が上層膜より稠密である材質で構成された
２層構造のＸ線透過膜と, 該上層膜に形成されたトレン
チパターンに埋め込まれたＸ線吸収体パターンとを有す
るＸ線マスク，あるいは２）基板１上に下層Ｘ線透過膜
２，上層Ｘ線透過膜９を順に被着する工程と，基板１の
裏面にマスク支持枠３を接着し，マスク支持枠３内の基
板１を背面よりエッチング除去する工程と, 上層Ｘ線透
過膜９をパターニングしてトレンチパターン８を形成す
る工程と，該トレンチパターン８にＸ線吸収体を埋め込
んでＸ線吸収体パターン5Aを形成する工程とを有するＸ
線マスクの製造方法，あるいは３）前記下層膜が酸化シ
リコン(SiO2)膜であり，前記上層膜が炭化珪素(SiC) 膜
であり，前記Ｘ線吸収体パターンが選択成長されたタン
グステンである前記１）記載のＸ線マスクにより達成さ
れる。
下層膜の組織が上層膜より稠密である材質で構成された
２層構造のＸ線透過膜と, 該上層膜に形成されたトレン
チパターンに埋め込まれたＸ線吸収体パターンとを有す
るＸ線マスク，あるいは２）基板１上に下層Ｘ線透過膜
２，上層Ｘ線透過膜９を順に被着する工程と，基板１の
裏面にマスク支持枠３を接着し，マスク支持枠３内の基
板１を背面よりエッチング除去する工程と, 上層Ｘ線透
過膜９をパターニングしてトレンチパターン８を形成す
る工程と，該トレンチパターン８にＸ線吸収体を埋め込
んでＸ線吸収体パターン5Aを形成する工程とを有するＸ
線マスクの製造方法，あるいは３）前記下層膜が酸化シ
リコン(SiO2)膜であり，前記上層膜が炭化珪素(SiC) 膜
であり，前記Ｘ線吸収体パターンが選択成長されたタン
グステンである前記１）記載のＸ線マスクにより達成さ
れる。
【００１１】
【作用】本発明とＸ線透過膜を２層構造にし，上層Ｘ線
透過膜にトレンチパターンを形成し，ここにＸ線吸収体
を埋め込んでＸ線吸収体パターンを形成している。
透過膜にトレンチパターンを形成し，ここにＸ線吸収体
を埋め込んでＸ線吸収体パターンを形成している。
【００１２】この際，上層Ｘ線透過膜にのみエッチング
を行うため，下層Ｘ線透過膜の応力状態に変化を与え
ず，歪みの少ないＸ線マスクを実現できた。また，タン
グステンの選択成長を下層Ｘ線透過膜(SiC) 上に行って
いるが，SiC はヤング率が4.0×1012 dyn/cm2と通常の
Ｘ線透過膜(Si)に比べて 2〜3 倍高いため, より歪みの
少ないＸ線マスクが得られた。
を行うため，下層Ｘ線透過膜の応力状態に変化を与え
ず，歪みの少ないＸ線マスクを実現できた。また，タン
グステンの選択成長を下層Ｘ線透過膜(SiC) 上に行って
いるが，SiC はヤング率が4.0×1012 dyn/cm2と通常の
Ｘ線透過膜(Si)に比べて 2〜3 倍高いため, より歪みの
少ないＸ線マスクが得られた。
【００１３】
【実施例】図１(A) 〜(E) は本発明の実施例を説明する
断面図である。図１(A) において，Si基板１上にCVD 法
を用いて, 下層Ｘ線透過膜として厚さ2μｍのSiC 膜
２，上層Ｘ線透過膜として厚さ 0.6μｍのSiO2膜９を順
に成長する。
断面図である。図１(A) において，Si基板１上にCVD 法
を用いて, 下層Ｘ線透過膜として厚さ2μｍのSiC 膜
２，上層Ｘ線透過膜として厚さ 0.6μｍのSiO2膜９を順
に成長する。
【００１４】図１(B) において，Si基板１をマスク支持
枠３に接着する。次いで，マスク支持枠３内のSi基板１
を背面エッチングして, マスク支持枠３内をＸ線透過膜
のみとする。
枠３に接着する。次いで，マスク支持枠３内のSi基板１
を背面エッチングして, マスク支持枠３内をＸ線透過膜
のみとする。
【００１５】図１(C) において，SiO2膜９上にレジスト
膜７を塗布し，電子線露光装置で素子パターンを描画し
てレジストパターン7Aを形成する。図１(D),(E) におい
て，反応性イオンエッチング(RIE) 法を用い，レジスト
パターン7AををマスクにしてSiO2膜９をエッチングして
トレンチパターン８を形成する。次いで，レジストパタ
ーン7Aを除去する。
膜７を塗布し，電子線露光装置で素子パターンを描画し
てレジストパターン7Aを形成する。図１(D),(E) におい
て，反応性イオンエッチング(RIE) 法を用い，レジスト
パターン7AををマスクにしてSiO2膜９をエッチングして
トレンチパターン８を形成する。次いで，レジストパタ
ーン7Aを除去する。
【００１６】図１(F) において，トレンチパターン８
に，Ｘ線吸収体としてタングステン(W) を選択成長し，
Ｘ線吸収体パターン4Aを形成する。
に，Ｘ線吸収体としてタングステン(W) を選択成長し，
Ｘ線吸収体パターン4Aを形成する。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば，Ｘ線吸収体パターンと
Ｘ線透過膜との間の応力歪みが少ないマスクとその製法
が得られた。
Ｘ線透過膜との間の応力歪みが少ないマスクとその製法
が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例を説明する断面図
【図２】 従来例を説明する断面図
１ Si基板 ２ 下層Ｘ線透過膜でSiC 膜 ３ マスク支持枠 ４ 金属膜 4A Ｘ線吸収体パターン ６ 硼素拡散層 ７ レジスト膜 7A レジストパターン ８ トレンチパターン ９ 上層Ｘ線透過膜でSiO2膜
Claims (3)
- 【請求項１】 下層膜の組織が上層膜より稠密である材
質で構成された２層構造のＸ線透過膜と, 該上層膜に形
成されたトレンチパターンに埋め込まれたＸ線吸収体パ
ターンとを有することを特徴とするＸ線マスク。 - 【請求項２】 基板(1) 上に下層Ｘ線透過膜(2) ，上層
Ｘ線透過膜(9) を順に被着する工程と， 該基板の裏面にマスク支持枠(3）を接着し，該マスク支
持枠内の該基板を背面よりエッチング除去する工程と, 該上層Ｘ線透過膜をパターニングしてトレンチパターン
(8) を形成する工程と， 該トレンチパターンにＸ線吸収体を埋め込んでＸ線吸収
体パターン(5A)を形成する工程とを有することを特徴と
するＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記下層膜が炭化珪素膜であり，前記上
層膜が酸化シリコン膜であり，前記Ｘ線吸収体パターン
が選択成長されたタングステンであることを特徴とする
請求項１記載のＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4914592A JPH05251313A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4914592A JPH05251313A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251313A true JPH05251313A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12822926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4914592A Withdrawn JPH05251313A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372073B1 (ko) * | 1999-09-30 | 2003-02-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 노광 마스크, 노광 마스크 제조 방법, 및 노광 마스크를사용한 반도체 디바이스 제조 방법 |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP4914592A patent/JPH05251313A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372073B1 (ko) * | 1999-09-30 | 2003-02-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 노광 마스크, 노광 마스크 제조 방법, 및 노광 마스크를사용한 반도체 디바이스 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |