JPH0524616B2 - - Google Patents
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- JPH0524616B2 JPH0524616B2 JP59226034A JP22603484A JPH0524616B2 JP H0524616 B2 JPH0524616 B2 JP H0524616B2 JP 59226034 A JP59226034 A JP 59226034A JP 22603484 A JP22603484 A JP 22603484A JP H0524616 B2 JPH0524616 B2 JP H0524616B2
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- Japan
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- coil
- deflection
- electron beam
- deflection system
- magnetic field
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
- H01J37/1475—Scanning means magnetic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野:
本発明は電子ビーム発生装置、第1座標軸に沿
うビームの直線偏向のための長く拡がる平行極板
を有する第1磁界偏向系および第1座標軸に対し
垂直の第2座標軸に沿うビーム偏向のための第2
磁界偏向系ならびに蒸発すべき材料を収容するた
めの長く拡がる蒸発ルツボを有する電子ビーム蒸
発装置に関する。
うビームの直線偏向のための長く拡がる平行極板
を有する第1磁界偏向系および第1座標軸に対し
垂直の第2座標軸に沿うビーム偏向のための第2
磁界偏向系ならびに蒸発すべき材料を収容するた
めの長く拡がる蒸発ルツボを有する電子ビーム蒸
発装置に関する。
従来の技術:
電子ビームはほぼ無慣性に偏向することがで
き、電気ビームの衝突点または焦点は平面または
曲面上で一定に動かすことができる。電子ビーム
はX−Y座標軸系内で動かしうるともいえる。テ
レビ装置の映像管はこのようなビーム偏向のもつ
とも顕著な例の1つである。
き、電気ビームの衝突点または焦点は平面または
曲面上で一定に動かすことができる。電子ビーム
はX−Y座標軸系内で動かしうるともいえる。テ
レビ装置の映像管はこのようなビーム偏向のもつ
とも顕著な例の1つである。
しかし偏向した電子ビームを工業的製造過程に
使用することも公知である。たとえばほぼ上位概
念の蒸発装置に相当するもちろん円形の蒸発ルツ
ボを有する電子ビーム蒸発装置が西独特許第
2047138号公報によつて公知である。しかし同じ
文献からビーム偏向によつて電子ビームの集束状
態したがつて衝突位置における出力密度が不所望
に変化されることも公知である。公知手段は偏向
パターンの補正によらずに滞留時間のみによつて
この効果を補償することを目的としている。ビー
ム衝突位置における集束状態の変化はルツボ中心
からの距離の増大とともに大きくなるので、公知
手段は長く拡がる蒸発ルツボすなわち長さが幅よ
り少なくとも3倍大きいルツボには好結果をもつ
て使用することができない。
使用することも公知である。たとえばほぼ上位概
念の蒸発装置に相当するもちろん円形の蒸発ルツ
ボを有する電子ビーム蒸発装置が西独特許第
2047138号公報によつて公知である。しかし同じ
文献からビーム偏向によつて電子ビームの集束状
態したがつて衝突位置における出力密度が不所望
に変化されることも公知である。公知手段は偏向
パターンの補正によらずに滞留時間のみによつて
この効果を補償することを目的としている。ビー
ム衝突位置における集束状態の変化はルツボ中心
からの距離の増大とともに大きくなるので、公知
手段は長く拡がる蒸発ルツボすなわち長さが幅よ
り少なくとも3倍大きいルツボには好結果をもつ
て使用することができない。
西独公開特許第2812285号によつて前記概念の
電子ビーム蒸発装置が公知であり、この場合2つ
の磁界偏向系の協力作用によつて電子ビームを一
定の線形パターン内で長く拡がる蒸発ルツボの表
面にわたつて案内することができる。この場合蒸
発ルツボの全長を加熱しうるように、それぞれ蒸
発ルツボの半分を加熱する2つの電子ビーム発生
装置を備えなければならない。基材はこの場合つ
ねに蒸発ルツボの上にあり、連続的に回転され
る。蒸発ルツボ内の浴表面の走査周波数はこの場
合比較的重要でない。というのは基材が蒸気流中
に十分長く滞在し、基材を多数回回転する場合、
被覆の十分な均一性を達成しうるからである。
電子ビーム蒸発装置が公知であり、この場合2つ
の磁界偏向系の協力作用によつて電子ビームを一
定の線形パターン内で長く拡がる蒸発ルツボの表
面にわたつて案内することができる。この場合蒸
発ルツボの全長を加熱しうるように、それぞれ蒸
発ルツボの半分を加熱する2つの電子ビーム発生
装置を備えなければならない。基材はこの場合つ
ねに蒸発ルツボの上にあり、連続的に回転され
る。蒸発ルツボ内の浴表面の走査周波数はこの場
合比較的重要でない。というのは基材が蒸気流中
に十分長く滞在し、基材を多数回回転する場合、
被覆の十分な均一性を達成しうるからである。
もう1つの問題は現在1通過で被覆する1000mm
までの幅のプラスチツクな帯またはシートを被覆
する際生ずる。ルツボ全長を1つだけの電子ビー
ムで照射するため大きい偏向角が必要である。通
過する帯の長さ方向における層厚変動を避けるた
め、所定の帯速度で電子ビームの最小の偏向周波
数が決定される。公知の電子ビーム蒸発装置によ
ればしかし帯の走行方向と直角方向に十分均一な
層厚分布を達成することはできない。それは電子
ビームの集束状態が大きい偏向角では許容外に変
化するからである。さらに蒸発材料の表面上を電
子ビームを案内する偏向パターンは著しく歪み、
この歪みは同様帯の走行方向と直角の層厚分布の
均一性に有害な影響をおよぼす。
までの幅のプラスチツクな帯またはシートを被覆
する際生ずる。ルツボ全長を1つだけの電子ビー
ムで照射するため大きい偏向角が必要である。通
過する帯の長さ方向における層厚変動を避けるた
め、所定の帯速度で電子ビームの最小の偏向周波
数が決定される。公知の電子ビーム蒸発装置によ
ればしかし帯の走行方向と直角方向に十分均一な
層厚分布を達成することはできない。それは電子
ビームの集束状態が大きい偏向角では許容外に変
化するからである。さらに蒸発材料の表面上を電
子ビームを案内する偏向パターンは著しく歪み、
この歪みは同様帯の走行方向と直角の層厚分布の
均一性に有害な影響をおよぼす。
発明が解決しようとする問題点:
本発明の目的は集束状態が大きい偏向角の場合
にも維持され、偏向パターンが、ルツボ全長にわ
たる均一な蒸気発生に必要な蒸発材料内のエネル
ギー分布を達成しうるように、補正される前記概
念の電子ビーム蒸発装置を得ることである。
にも維持され、偏向パターンが、ルツボ全長にわ
たる均一な蒸気発生に必要な蒸発材料内のエネル
ギー分布を達成しうるように、補正される前記概
念の電子ビーム蒸発装置を得ることである。
問題点を解決するための手段:
この目的は前記電子ビーム蒸発装置において本
発明により (a) 第2磁界偏向系が2つの平行する非金属コイ
ルコアを有し、このコアが第1偏向系の極板と
平行に走り、かつこの系の下に設置され、 (b) 各コイルにコイルコアの単位長さ当り同じ巻
回数の第1コイルおよび (c) コイルコアの単位長さ当りコイルコアの両端
の方向へ増大する巻回数の第2コイルが配置さ
れている ことによつて解決される。
発明により (a) 第2磁界偏向系が2つの平行する非金属コイ
ルコアを有し、このコアが第1偏向系の極板と
平行に走り、かつこの系の下に設置され、 (b) 各コイルにコイルコアの単位長さ当り同じ巻
回数の第1コイルおよび (c) コイルコアの単位長さ当りコイルコアの両端
の方向へ増大する巻回数の第2コイルが配置さ
れている ことによつて解決される。
この場合第2コイルを円錐コイルとして形成す
るのがとくに有利であり、これによつてコイルコ
アの単位長さ当りの巻回数はコアの中心から両端
に向つて直線的に増大する。
るのがとくに有利であり、これによつてコイルコ
アの単位長さ当りの巻回数はコアの中心から両端
に向つて直線的に増大する。
作 用:
本発明による第2磁界偏向系は補正系であり、
これによつて電子ビームの集束状態したがつて偏
向パターンを次のとおり制御することができる: 1 電子ビームの直線偏向はルツボ面内で偏向運
動の中心点を中心に回転することができる。
これによつて電子ビームの集束状態したがつて偏
向パターンを次のとおり制御することができる: 1 電子ビームの直線偏向はルツボ面内で偏向運
動の中心点を中心に回転することができる。
2 電子ビームの偏向は糸巻形またはたる形歪の
際、歪を除去して直線化することができる。
際、歪を除去して直線化することができる。
3 電子ビームは偏向方向に対し垂直にずらすこ
とができ、偏向にワーブリングと称する周期的
横振動を重畳することさえできる。ワーブリン
グによつていわゆるオートフオーカシングによ
り過大になりうる電子ビームのエネルギー密度
を低下することができる。エネルギー密度が過
大な場合蒸発過程の間に不所望の飛散が生ず
る。
とができ、偏向にワーブリングと称する周期的
横振動を重畳することさえできる。ワーブリン
グによつていわゆるオートフオーカシングによ
り過大になりうる電子ビームのエネルギー密度
を低下することができる。エネルギー密度が過
大な場合蒸発過程の間に不所望の飛散が生ず
る。
本発明の他の有利な作用および変化可能性は以
下に説明する第7〜14図により明らかである。
下に説明する第7〜14図により明らかである。
他の有利な実施例は特許請求の範囲第2〜5項
に記載される。
に記載される。
実施例:
本発明の実施例およびその種々の使用可能性を
図面により説明する。
図面により説明する。
第2図にはたとえば西独特許第1248175号明細
書に記載されるような常用電子ビーム発生装置1
の下部が示される。ビーム案内管2の下端にビー
ム出口孔3がある。系の幾何学的軸したがつてビ
ーム通路は鎖線4で示される。ビーム出口孔3の
両側に2つのポールシユー5が面対称に存在し、
このシユーは本発明による偏向系の一部ではな
く、付加的に配置される。このシユーはたとえば
電子ビーム発生装置1を蒸発ルツボ6(第1図)
の上に横にずらして配置しうるように、電子ビー
ムを約25°の角度偏向するためはのみ使用される。
この手段はビーム案内管2へ場合により蒸気が浸
入するのを防ぐために役立つ。この場合動的ビー
ム偏向とは何も関係がないあらかじめ調節した永
久的ビーム偏向であり、本発明は動的ビーム偏向
の制御に関する。ビーム出口孔3の下に長く拡が
る2つの平行の極板8を有する第1磁界偏向系7
が配置され、第2図には前方の極板のみが見え
る。2つの極板は第2図の紙面と平行に走り、す
でにポールシユー5によつて偏向された電子ビー
ムに対し対称的間隔を有する。電子ビームを第1
偏向系7により偏向しうる偏向角αは破線9で示
される。
書に記載されるような常用電子ビーム発生装置1
の下部が示される。ビーム案内管2の下端にビー
ム出口孔3がある。系の幾何学的軸したがつてビ
ーム通路は鎖線4で示される。ビーム出口孔3の
両側に2つのポールシユー5が面対称に存在し、
このシユーは本発明による偏向系の一部ではな
く、付加的に配置される。このシユーはたとえば
電子ビーム発生装置1を蒸発ルツボ6(第1図)
の上に横にずらして配置しうるように、電子ビー
ムを約25°の角度偏向するためはのみ使用される。
この手段はビーム案内管2へ場合により蒸気が浸
入するのを防ぐために役立つ。この場合動的ビー
ム偏向とは何も関係がないあらかじめ調節した永
久的ビーム偏向であり、本発明は動的ビーム偏向
の制御に関する。ビーム出口孔3の下に長く拡が
る2つの平行の極板8を有する第1磁界偏向系7
が配置され、第2図には前方の極板のみが見え
る。2つの極板は第2図の紙面と平行に走り、す
でにポールシユー5によつて偏向された電子ビー
ムに対し対称的間隔を有する。電子ビームを第1
偏向系7により偏向しうる偏向角αは破線9で示
される。
さらに第1偏向系7の下に第2磁界偏向系10
があり、この系は第2図には見えないコイルコア
11を要し、このコアは極板8と平行に2つの極
板8の対称面でもある中心面に対し対称に配置さ
れる。第2図には第2磁界偏向系10のケーシン
グ12の前面のみが見える。他の詳細は第5およ
び6図で説明する。
があり、この系は第2図には見えないコイルコア
11を要し、このコアは極板8と平行に2つの極
板8の対称面でもある中心面に対し対称に配置さ
れる。第2図には第2磁界偏向系10のケーシン
グ12の前面のみが見える。他の詳細は第5およ
び6図で説明する。
第1図には第2図と同じ部分は同じ参照番号で
示される。2つの極板8が互いに平行にかつ紙面
と垂直に、太い鎖線13によつて示した中心ビー
ム通路の両側に対称的に配置されていることが明
らかである。さらに第2磁界偏向系10のケーシ
ング12が同様紙面に対し垂直に走り、またはそ
の縦軸したがつてコイルコアの縦軸が極板8の対
称面でもある対称面と平行に走ることが明らかで
ある。線13もこの対称面内にある。
示される。2つの極板8が互いに平行にかつ紙面
と垂直に、太い鎖線13によつて示した中心ビー
ム通路の両側に対称的に配置されていることが明
らかである。さらに第2磁界偏向系10のケーシ
ング12が同様紙面に対し垂直に走り、またはそ
の縦軸したがつてコイルコアの縦軸が極板8の対
称面でもある対称面と平行に走ることが明らかで
ある。線13もこの対称面内にある。
ビーム通路の端部に長く拡がる蒸発ルツボ6が
あり、その縦軸は紙面に対し垂直に走る。蒸発器
の対称軸E−Eは細い鎖線で示される。
あり、その縦軸は紙面に対し垂直に走る。蒸発器
の対称軸E−Eは細い鎖線で示される。
第1磁界偏向系の構造を第3および4図により
詳細に説明する。
詳細に説明する。
極板8はそれぞれ1つの2重壁14を有し、こ
れによつて2つの接続口16から冷却液(水)を
導くことができる。各壁の外面は扁平な直方体に
相当し、2つの壁14はケーシング15と結合す
る。壁14およびケーシング15内にU形に接合
したフエライトからなる3つの板17または18
が配置される。板18は極板のヨークを形成し、
これに2分割した磁石コイル19が配置される。
れによつて2つの接続口16から冷却液(水)を
導くことができる。各壁の外面は扁平な直方体に
相当し、2つの壁14はケーシング15と結合す
る。壁14およびケーシング15内にU形に接合
したフエライトからなる3つの板17または18
が配置される。板18は極板のヨークを形成し、
これに2分割した磁石コイル19が配置される。
磁石コイル19に交流を送ると、極板8の間に
相当する周波数の交番磁場が発生する。それによ
つて電子ビームは極板と平行に偏向される。ビー
ム通路は理想的場合極板間の対称面内にある破線
20によつて示される。電子ビームの中心位置は
円21で示される。磁化電流の供給は多極プラグ
結合22によつて行われるけれど、これは常用構
造のものなので詳細には説明しない。2つの2重
壁14は磁束線が妨げられず透過するように非磁
性材料(ニツケルクロム銅)からなる。
相当する周波数の交番磁場が発生する。それによ
つて電子ビームは極板と平行に偏向される。ビー
ム通路は理想的場合極板間の対称面内にある破線
20によつて示される。電子ビームの中心位置は
円21で示される。磁化電流の供給は多極プラグ
結合22によつて行われるけれど、これは常用構
造のものなので詳細には説明しない。2つの2重
壁14は磁束線が妨げられず透過するように非磁
性材料(ニツケルクロム銅)からなる。
第5および6図には第2磁界偏向系10の半分
が示される。この第2偏向系の以下に詳述する部
分は既述の中空円筒ケーシング12内に収容さ
れ、このケーシングも冷却液貫流のため同様2重
壁に形成される。接続口23は第6図にのみ示さ
れる。ケーシング12の2重壁は自由端が板24
によつて永久的に閉鎖され、他端に設けたリング
フランジ25に取りはずし可能のふた26がねじ
結合される。板24とふた26の間にコイルコア
11が支持され、このコアにコイルコア11の単
位長さ当り同じ巻回数の第1コイル27で配置さ
れる。このコイルは図面にはX印で明示される。
それぞれのコイルは線形コイルまたは円筒コイル
とも称することができる。ケーシング12は内外
が気密に閉鎖され、すなわちガス、水および水蒸
気または他の液体の通過は阻止される。
が示される。この第2偏向系の以下に詳述する部
分は既述の中空円筒ケーシング12内に収容さ
れ、このケーシングも冷却液貫流のため同様2重
壁に形成される。接続口23は第6図にのみ示さ
れる。ケーシング12の2重壁は自由端が板24
によつて永久的に閉鎖され、他端に設けたリング
フランジ25に取りはずし可能のふた26がねじ
結合される。板24とふた26の間にコイルコア
11が支持され、このコアにコイルコア11の単
位長さ当り同じ巻回数の第1コイル27で配置さ
れる。このコイルは図面にはX印で明示される。
それぞれのコイルは線形コイルまたは円筒コイル
とも称することができる。ケーシング12は内外
が気密に閉鎖され、すなわちガス、水および水蒸
気または他の液体の通過は阻止される。
この第1コイル27上に第2コイル28が配置
され、このコイルは第1コイルの中心からコイル
コア11の両端に向つてコイルコアの単位長さ当
り増大する巻回数を有する。もつもと簡単な場合
第2コイル28は円錐コイルとして形成した2つ
のコイル半分からなり、すなわちこのコイルの外
側巻線の包絡面はそれぞれ円錐面である。
され、このコイルは第1コイルの中心からコイル
コア11の両端に向つてコイルコアの単位長さ当
り増大する巻回数を有する。もつもと簡単な場合
第2コイル28は円錐コイルとして形成した2つ
のコイル半分からなり、すなわちこのコイルの外
側巻線の包絡面はそれぞれ円錐面である。
コイルコア11は織物または紙の挿入体を有す
るロツドまたは管状の絶縁材料からなる。このよ
うな材料はPertinaxの商標で市販される。コイ
ル組合せができるだけ高い限界周波数を達成する
ため鉄心を有しないことが重要である。本発明に
よるコイル装置は全長にわたつて電子ビーム通過
範囲に特定の励磁電流による負荷に応じて円筒軸
と平行に完全に一定の漏洩磁界を発生し、その変
化法および作用は以下に詳細に説明する。第1コ
イル27の端部および第2コイル28の2つのコ
イル半分の内側および外側端部はいずれも多極プ
ラグ結合29に通じるけれど、これは技術水準な
ので詳述しない。
るロツドまたは管状の絶縁材料からなる。このよ
うな材料はPertinaxの商標で市販される。コイ
ル組合せができるだけ高い限界周波数を達成する
ため鉄心を有しないことが重要である。本発明に
よるコイル装置は全長にわたつて電子ビーム通過
範囲に特定の励磁電流による負荷に応じて円筒軸
と平行に完全に一定の漏洩磁界を発生し、その変
化法および作用は以下に詳細に説明する。第1コ
イル27の端部および第2コイル28の2つのコ
イル半分の内側および外側端部はいずれも多極プ
ラグ結合29に通じるけれど、これは技術水準な
ので詳述しない。
コイルコア11の縦軸がケーシング12の軸A
−Aに対し偏心配置されていることが明らかであ
る。第2偏向系10のいつしよになる2つの半分
を組立てる際、2つのコイルコア11がビーム通
路の両側に互いにできるだけ近くにあるように行
われる。ケーシング12の互いに最近接する円筒
母線の距離はビーム運動および直径によつてあら
かじめ与えられる。
−Aに対し偏心配置されていることが明らかであ
る。第2偏向系10のいつしよになる2つの半分
を組立てる際、2つのコイルコア11がビーム通
路の両側に互いにできるだけ近くにあるように行
われる。ケーシング12の互いに最近接する円筒
母線の距離はビーム運動および直径によつてあら
かじめ与えられる。
第7〜14図には長く拡がる蒸発ルツボ6の平
面図が示され、この中に一般に溶解した蒸発材料
が存在し、この材料を電子ビームによつて加熱
し、蒸発させる。
面図が示され、この中に一般に溶解した蒸発材料
が存在し、この材料を電子ビームによつて加熱
し、蒸発させる。
第7図には記入した2重矢印によつて電子銃の
場合に求められる偏向パターンが示される。この
ような偏向パターンを得るため磁石コイル19
(第3および4図)は適当な周波数の交流電圧で
制御される。電子ビームの衝突点(焦点)はこの
場合蒸発器の紙面に対し垂直に走る対称面内の直
線に沿つて動く。
場合に求められる偏向パターンが示される。この
ような偏向パターンを得るため磁石コイル19
(第3および4図)は適当な周波数の交流電圧で
制御される。電子ビームの衝突点(焦点)はこの
場合蒸発器の紙面に対し垂直に走る対称面内の直
線に沿つて動く。
第8図には中央の実線の2重矢印により第7図
と同じ偏向パターンが示される。2つの第1コイ
ル27(線形コイル)に直流電圧を印加すると、
電流方向に応じて破線で示す2重矢印の1つの方
向に偏向パターンが平行摺動する。平行摺動の大
きさはこの場合励磁電流の強さに依存する。
と同じ偏向パターンが示される。2つの第1コイ
ル27(線形コイル)に直流電圧を印加すると、
電流方向に応じて破線で示す2重矢印の1つの方
向に偏向パターンが平行摺動する。平行摺動の大
きさはこの場合励磁電流の強さに依存する。
第9図は第1コイル27(線形コイル)に蒸発
ルツボ6の長さ方向のビーム運動のための偏向周
波数より大きい周波数の交流電圧を印加する際第
7図の偏向パターンの変化を示す。偏向パターン
はこの場合破線で示すサイン曲線に相当する。こ
のような偏向過程は“ワーブリング”と称され
る。
ルツボ6の長さ方向のビーム運動のための偏向周
波数より大きい周波数の交流電圧を印加する際第
7図の偏向パターンの変化を示す。偏向パターン
はこの場合破線で示すサイン曲線に相当する。こ
のような偏向過程は“ワーブリング”と称され
る。
第10図は第2コイル28の互いに隣接する半
分の組ごとに、第2コイル28の互いに隣接する
他の半分の組に反対方向の直流を流す場合、第7
図による初めの偏向パターンの変化を示す。初め
の直線偏向パターンは直線に留まるけれど、蒸発
ルツボ6の中心点Mを中心に一定角度回転する。
このような手段はたとえば偏向パターンが初め蒸
発ルツボ6の側縁と平行に走らず、最適の蒸発の
ため平行方向に調節したい場合有利である。
分の組ごとに、第2コイル28の互いに隣接する
他の半分の組に反対方向の直流を流す場合、第7
図による初めの偏向パターンの変化を示す。初め
の直線偏向パターンは直線に留まるけれど、蒸発
ルツボ6の中心点Mを中心に一定角度回転する。
このような手段はたとえば偏向パターンが初め蒸
発ルツボ6の側縁と平行に走らず、最適の蒸発の
ため平行方向に調節したい場合有利である。
第11図には第2コイルの互いに隣接する半分
の組およびこのコイルの同様互いに隣接する他の
半分の組に同方向の直流を流す場合、第7図の初
めの直線的偏向パターンの変化を示す。このよう
な手段により偏向パターンは蒸発ルツボ6の中心
Mで縦方向に折れる。このような手段はたとえば
偏向パターンが第7図に示すような直線的経過を
有さず、歪んでいる場合に使用される。適当な第
2コイル28の回路および電流供給により適当な
歪み除去を実施することができる。
の組およびこのコイルの同様互いに隣接する他の
半分の組に同方向の直流を流す場合、第7図の初
めの直線的偏向パターンの変化を示す。このよう
な手段により偏向パターンは蒸発ルツボ6の中心
Mで縦方向に折れる。このような手段はたとえば
偏向パターンが第7図に示すような直線的経過を
有さず、歪んでいる場合に使用される。適当な第
2コイル28の回路および電流供給により適当な
歪み除去を実施することができる。
状態はさらに第2コイル28の適当な巻線パタ
ーンによつて制御することができる。第12図は
初めの偏向パターンが彎曲した経過(実線の2重
矢印)を有する場合を示す。第11図と同様第2
コイルの適当な電流供給によりコイルコアの単位
長さ当りの巻線密度の適当な分布とともに、第1
2図に破線で示すように偏向パターンの直線化を
達成することができる。この方法で完全な歪除去
が可能である。
ーンによつて制御することができる。第12図は
初めの偏向パターンが彎曲した経過(実線の2重
矢印)を有する場合を示す。第11図と同様第2
コイルの適当な電流供給によりコイルコアの単位
長さ当りの巻線密度の適当な分布とともに、第1
2図に破線で示すように偏向パターンの直線化を
達成することができる。この方法で完全な歪除去
が可能である。
偏向パターンの前記制御法は個々にも組合せで
も使用することができ、すなわち種々の偏向パタ
ーンの重畳によつて蒸発材料の表面にほぼすべて
の偏向パターンをつくることができる。
も使用することができ、すなわち種々の偏向パタ
ーンの重畳によつて蒸発材料の表面にほぼすべて
の偏向パターンをつくることができる。
マイクロプロセツサによる磁石コイル19の制
御と関連して第13図による電子ビームの点状衝
突位置の列をつくることもでき、その際32また
は64までの種々の衝突点を蒸発材料の表面上に
案内することができる。第1コイル27および第
2コイル28による磁界の適当な重畳によつて
個々の点の位置を制御し、または補正することが
できる。電子ビームの位置および個々の位置の滞
留時間もほぼ自由にプログラムすることができ
る。それによつて層厚均一性を制御する一定のエ
ネルギー分布を同様プログラムすることができ
る。
御と関連して第13図による電子ビームの点状衝
突位置の列をつくることもでき、その際32また
は64までの種々の衝突点を蒸発材料の表面上に
案内することができる。第1コイル27および第
2コイル28による磁界の適当な重畳によつて
個々の点の位置を制御し、または補正することが
できる。電子ビームの位置および個々の位置の滞
留時間もほぼ自由にプログラムすることができ
る。それによつて層厚均一性を制御する一定のエ
ネルギー分布を同様プログラムすることができ
る。
第14図はこのような方法を示し、この場合第
1偏向系7の磁石コイル19および第2偏向系1
0の第1コイル27は同期的に制御される。それ
によつて電子ビームの衝突点の位置は2次元的に
決定される。すべての可能な位置の形がこの方法
で達成され、第14図による初めの歪んだビーム
位置を点ごとに歪み除去することは容易に可能で
ある。
1偏向系7の磁石コイル19および第2偏向系1
0の第1コイル27は同期的に制御される。それ
によつて電子ビームの衝突点の位置は2次元的に
決定される。すべての可能な位置の形がこの方法
で達成され、第14図による初めの歪んだビーム
位置を点ごとに歪み除去することは容易に可能で
ある。
第1図は蒸発ルツボを有する電子ビーム発生装
置の縦断面図、第2図は第1および第2偏向系を
有する電子ビーム発生装置の第1図X方向の斜視
図、第3図は第1偏向系の一部の水平断面図、第
4図は第3図偏向系の2つの平行極板の垂直断面
図、第5図は第2偏向系の半分の垂直断面図、第
6図は第5図偏向系の平面図、第7図〜第14図
は電子ビームの種々の偏向パターンの図である。 1……電子ビーム発生装置、2……ビーム案内
管、3……ビーム出口孔、5……ポールシユー、
6……蒸発ルツボ、7……第1磁界偏向系、8…
…極板、10……第2磁界偏向系、17,18…
…ヨーク、19……磁石 コイル、27……線形
コイル、28……円錐コイル。
置の縦断面図、第2図は第1および第2偏向系を
有する電子ビーム発生装置の第1図X方向の斜視
図、第3図は第1偏向系の一部の水平断面図、第
4図は第3図偏向系の2つの平行極板の垂直断面
図、第5図は第2偏向系の半分の垂直断面図、第
6図は第5図偏向系の平面図、第7図〜第14図
は電子ビームの種々の偏向パターンの図である。 1……電子ビーム発生装置、2……ビーム案内
管、3……ビーム出口孔、5……ポールシユー、
6……蒸発ルツボ、7……第1磁界偏向系、8…
…極板、10……第2磁界偏向系、17,18…
…ヨーク、19……磁石 コイル、27……線形
コイル、28……円錐コイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電子ビーム発生装置、第1座標軸に沿うビー
ムの直線偏向のための長く拡がる平行極板を有す
る第1磁界偏向系および第1座標軸に対し垂直の
第2座標軸に沿うビーム偏向のための第2磁界偏
向系ならびに蒸発すべき材料を収容するための長
く拡がる蒸発ルツボを有する電子ビーム蒸発装置
において、 (a) 第2磁界偏向系10が平行する2つの非金属
コイルコア11を有し、このコアが第1偏向系
7の極板8と平行に走り、かつ第1偏向系の下
に配置され、 (b) 各コイルコア11にコイルコアの単位長さ当
り同じ巻回数の第1コイルおよび (c) コイルコアの単位長さ当りコイルコア11の
両端に向つて巻回数が増大する第2コイル28
が配置されている ことを特徴とする電子ビーム蒸発装置。 2 第2コイル28が円錐コイルとして形成され
ている特許請求の範囲第1項記載の装置。 3 第2偏向系10のコイル27,28が2重壁
の閉鎖したケーシング12内に配置され、このケ
ーシングがビーム通路の両側を走つている特許請
求の範囲第1項記載の装置。 4 ケーシング12が円筒形に形成され、その軸
A−Aが第1偏向系7の極板8と平行に走る特許
請求の範囲第3項記載の装置。 5 コイルコア11がケーシング12内に偏心し
て固定されている特許請求の範囲第3項記載の装
置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3339131.9 | 1983-10-28 | ||
DE19833339131 DE3339131A1 (de) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | Elektronenstrahlverdampfer mit mindestens zwei magnetischen ablenksystemen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60175355A JPS60175355A (ja) | 1985-09-09 |
JPH0524616B2 true JPH0524616B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=6212954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59226034A Granted JPS60175355A (ja) | 1983-10-28 | 1984-10-29 | 電子ビ−ム蒸発装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4611330A (ja) |
JP (1) | JPS60175355A (ja) |
CH (1) | CH661288A5 (ja) |
DE (1) | DE3339131A1 (ja) |
FR (1) | FR2554969B1 (ja) |
GB (1) | GB2149201B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4863581A (en) * | 1987-02-12 | 1989-09-05 | Kawasaki Steel Corp. | Hollow cathode gun and deposition device for ion plating process |
NL9001751A (nl) * | 1990-08-02 | 1992-03-02 | Philips Nv | Geladen deeltjesbundelsysteem alsmede een koelinrichting, een spoel voorzien van een koelorgaan en een koelorgaan voor toepassing in een dergelijk geladen deeltjesbundelsysteem. |
DE19745771B4 (de) * | 1997-10-16 | 2005-12-22 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren für den Betrieb eines Hochleistungs-Elektronenstrahls |
CN201864770U (zh) * | 2010-11-22 | 2011-06-15 | 江苏淘镜有限公司 | 电子枪蒸发用坩埚 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1248175B (de) * | 1961-08-31 | 1967-08-24 | Heraeus Gmbh W C | Elektronenstrahlerzeugungssystem |
US3497602A (en) * | 1966-12-16 | 1970-02-24 | Air Reduction | Apparatus for producing and directing an electron beam in an electron beam furnace |
US3535428A (en) * | 1968-07-17 | 1970-10-20 | Air Reduction | Apparatus for producing and directing an electron beam |
US3582529A (en) * | 1969-09-24 | 1971-06-01 | Air Reduction | Electron beam heating apparatus and control system therein |
US3896258A (en) * | 1973-09-04 | 1975-07-22 | Charles W Hanks | Electron beam gun system |
IT1037702B (it) * | 1975-04-29 | 1979-11-20 | Varian Associates | Apparecchiatura di rescaldamento e o di evaporazione a fascio elettronico |
SU705699A2 (ru) * | 1976-05-03 | 1979-12-25 | Орденов Ленина И Трудового Красного Знамени Институт Электросварки Им. Е.О.Патона | Установка дл электроннолучевого нагрева материалов |
DE2812285C2 (de) * | 1978-03-21 | 1986-05-15 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum Verdampfen von Legierungsschmelzen aus Metallen mit voneinander abweichenden Dampfdrücken |
-
1983
- 1983-10-28 DE DE19833339131 patent/DE3339131A1/de active Granted
-
1984
- 1984-09-21 CH CH4536/84A patent/CH661288A5/de not_active IP Right Cessation
- 1984-09-21 GB GB08423997A patent/GB2149201B/en not_active Expired
- 1984-10-26 US US06/665,299 patent/US4611330A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-10-26 FR FR848416435A patent/FR2554969B1/fr not_active Expired
- 1984-10-29 JP JP59226034A patent/JPS60175355A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2554969B1 (fr) | 1989-01-27 |
FR2554969A1 (fr) | 1985-05-17 |
CH661288A5 (de) | 1987-07-15 |
US4611330A (en) | 1986-09-09 |
GB8423997D0 (en) | 1984-10-31 |
GB2149201B (en) | 1987-03-04 |
JPS60175355A (ja) | 1985-09-09 |
GB2149201A (en) | 1985-06-05 |
DE3339131C2 (ja) | 1990-09-06 |
DE3339131A1 (de) | 1985-05-09 |
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