JPH05243556A - ショットキーダイオード - Google Patents
ショットキーダイオードInfo
- Publication number
- JPH05243556A JPH05243556A JP4041587A JP4158792A JPH05243556A JP H05243556 A JPH05243556 A JP H05243556A JP 4041587 A JP4041587 A JP 4041587A JP 4158792 A JP4158792 A JP 4158792A JP H05243556 A JPH05243556 A JP H05243556A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- schottky
- metal
- cathode
- schottky diode
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- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一主面上でオーミック接合およびショットキ
ー接合を有するショットキーダイオードにおいて、ショ
ットキー金属のドライエッチングによるコンタクト開口
部への付着物およびダメージにより発生するコンタクト
不良を解決する。 【構成】 オーミックコンタクト開口部であるカソード
コンタクト窓６を形成し、Ｎ+ 型拡散層７を形成し、次
にショットキーコンタクト窓８を形成し、次にショット
キー金属（９ａ、９ｂ）を蒸着またはスパッタ法にて形
成し、このショットキー金属９ａおよび９ｂを介してそ
れぞれアノード電極１０ａおよびカソード電極１０ｂを
形成する。 【効果】 ショットキー金属のドライエッチング時に
は、カソードコンタクト窓にはショットキー金属９ｂが
存在し、基板表面への付着物およびダメージが無くな
る。
ー接合を有するショットキーダイオードにおいて、ショ
ットキー金属のドライエッチングによるコンタクト開口
部への付着物およびダメージにより発生するコンタクト
不良を解決する。 【構成】 オーミックコンタクト開口部であるカソード
コンタクト窓６を形成し、Ｎ+ 型拡散層７を形成し、次
にショットキーコンタクト窓８を形成し、次にショット
キー金属（９ａ、９ｂ）を蒸着またはスパッタ法にて形
成し、このショットキー金属９ａおよび９ｂを介してそ
れぞれアノード電極１０ａおよびカソード電極１０ｂを
形成する。 【効果】 ショットキー金属のドライエッチング時に
は、カソードコンタクト窓にはショットキー金属９ｂが
存在し、基板表面への付着物およびダメージが無くな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に利用さ
れ、特に、ショットキーダイオードに関する。
れ、特に、ショットキーダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のショットキーダイオードで、一表
面に陽極電極（以下、アノード電極という。）および陰
極電極（以下、カソード電極という。）を有するショッ
トキーダイオードの製造方法を図３（ａ）〜（ｆ）に示
す工程断面図に従って説明する。
面に陽極電極（以下、アノード電極という。）および陰
極電極（以下、カソード電極という。）を有するショッ
トキーダイオードの製造方法を図３（ａ）〜（ｆ）に示
す工程断面図に従って説明する。
【０００３】まず図３（ａ）に示すように、Ｐ型シリコ
ン基板１にＮ+ 型埋込層２を形成し、Ｎ型エピタキシャ
ル層３を形成する。次に図３（ｂ）に示すように、厚い
シリコン酸化膜４で素子間分離を行い、続いて図３
（ｃ）に示すように、シリコン酸化膜５にカソードコン
タクト窓６を形成し、この開口部を通してリン拡散等に
よりＮ+ 型拡散層７を形成する。次に図３（ｄ）に示す
ように、ショットキーコンタクト窓８を形成した後、図
３（ｅ）に示すように、全面にショットキー金属を蒸着
またはスパッタ法により被着する。この後、ホトレジス
トをマスタにショットキー金属をドライエッチング法に
てエッチング除去しショットキー金属９ａを形成する。
このとき、ショットキー金属がチタニウムの場合ＣＦ4
系ガスを、またモリブデンの場合塩素系ガスのドライエ
ッチングにより除去する。このあと図３（ｆ）に示すよ
うに、アルミニウム等の金属によりアノード電極１０ａ
およびカソード電極１０ｂを形成して、ショットキーダ
イオードが形成される。
ン基板１にＮ+ 型埋込層２を形成し、Ｎ型エピタキシャ
ル層３を形成する。次に図３（ｂ）に示すように、厚い
シリコン酸化膜４で素子間分離を行い、続いて図３
（ｃ）に示すように、シリコン酸化膜５にカソードコン
タクト窓６を形成し、この開口部を通してリン拡散等に
よりＮ+ 型拡散層７を形成する。次に図３（ｄ）に示す
ように、ショットキーコンタクト窓８を形成した後、図
３（ｅ）に示すように、全面にショットキー金属を蒸着
またはスパッタ法により被着する。この後、ホトレジス
トをマスタにショットキー金属をドライエッチング法に
てエッチング除去しショットキー金属９ａを形成する。
このとき、ショットキー金属がチタニウムの場合ＣＦ4
系ガスを、またモリブデンの場合塩素系ガスのドライエ
ッチングにより除去する。このあと図３（ｆ）に示すよ
うに、アルミニウム等の金属によりアノード電極１０ａ
およびカソード電極１０ｂを形成して、ショットキーダ
イオードが形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のショットキ
ーダイオードの製造方法によると、ショットキー金属を
エッチング除去する際、カソードコンタクト窓が開いた
状態でドライエッチング処理をするため、ドライエッチ
ングによりカソードコンタクト窓の表面のシリコン基板
上に、ドライエッチングの結果発生したショットキー金
属の反応生成物が付着するため、カソード電極のオーミ
ック接触がとれず、順方向電流が流れにくくなる欠点が
あった。
ーダイオードの製造方法によると、ショットキー金属を
エッチング除去する際、カソードコンタクト窓が開いた
状態でドライエッチング処理をするため、ドライエッチ
ングによりカソードコンタクト窓の表面のシリコン基板
上に、ドライエッチングの結果発生したショットキー金
属の反応生成物が付着するため、カソード電極のオーミ
ック接触がとれず、順方向電流が流れにくくなる欠点が
あった。
【０００５】本発明の目的は、カソード電極のオーミッ
ク接触を確実にとれる構造を有するショットキーダイオ
ードを提供することにある。
ク接触を確実にとれる構造を有するショットキーダイオ
ードを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板の
一主面上からショットキー接合を介して取り出された陽
極電極を有するショットキーダイオードにおいて、前記
半導体基板の一主面上からショットキー接合を介して取
り出された陰極電極を有することを特徴とする。
一主面上からショットキー接合を介して取り出された陽
極電極を有するショットキーダイオードにおいて、前記
半導体基板の一主面上からショットキー接合を介して取
り出された陰極電極を有することを特徴とする。
【０００７】
【作用】カソード電極はアノード電極と同様にショット
キー接合を介して設けられるので、ショットキー金属を
ドライエッチングする際には、カソードコンタクト窓の
シリコン基板表面にはショットキー金属が存在し、ドラ
イエッチングの結果発生したショットキー金属の反応生
成物がシリコン基板表面に付着したり基板表面にダメー
ジを与えることがない。そして、このショットキー金属
とアルミニウム等の電極金属とはよいオーミック接触を
とることができ、カソード電極についてのオーミック接
触を確実にとることが可能となる。ここで、カソード電
極に形成されたショットキー接合は、動作時には順方向
となり僅かの等価抵抗が挿入された形となり、オーミッ
ク接触となる。
キー接合を介して設けられるので、ショットキー金属を
ドライエッチングする際には、カソードコンタクト窓の
シリコン基板表面にはショットキー金属が存在し、ドラ
イエッチングの結果発生したショットキー金属の反応生
成物がシリコン基板表面に付着したり基板表面にダメー
ジを与えることがない。そして、このショットキー金属
とアルミニウム等の電極金属とはよいオーミック接触を
とることができ、カソード電極についてのオーミック接
触を確実にとることが可能となる。ここで、カソード電
極に形成されたショットキー接合は、動作時には順方向
となり僅かの等価抵抗が挿入された形となり、オーミッ
ク接触となる。
【０００８】なお、オーミック接合部に白金硅化物等を
形成し、オーミック特性を高めるようにしてもよい。
形成し、オーミック特性を高めるようにしてもよい。
【０００９】また、基板としてはシリコンのほかにＧａ
Ａｓ等の化合物半導体を用いることができる。
Ａｓ等の化合物半導体を用いることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例
のショットキーダイオードについての製造方法の一例を
示す工程断面図である。
のショットキーダイオードについての製造方法の一例を
示す工程断面図である。
【００１２】本発明の一実施例のショットキーダイオー
ドは、図１（ｆ）に示すように、半導体基板としてのＰ
型シリコン基板１の一主面上からショットキー接合を形
成するショットキー金属９ａを介して取り出されたアノ
ード電極１０ａを有するショットキーダイオードにおい
て、本発明の特徴とするところの、ショットキー金属９
ｂを介して取り出されたカソード電極１０ｂを有してい
る。
ドは、図１（ｆ）に示すように、半導体基板としてのＰ
型シリコン基板１の一主面上からショットキー接合を形
成するショットキー金属９ａを介して取り出されたアノ
ード電極１０ａを有するショットキーダイオードにおい
て、本発明の特徴とするところの、ショットキー金属９
ｂを介して取り出されたカソード電極１０ｂを有してい
る。
【００１３】次に、この実施例の製造方法の一例につい
て説明する。
て説明する。
【００１４】まず、図１（ａ）に示すように、Ｐ型シリ
コン基板１上にＮ+ 型埋込層２を形成し、Ｎ型エピタキ
シャル層３を成長させる。次に図１（ｂ）に示すよう
に、厚いシリコン酸化膜４で素子分離を行う。次に図１
（ｃ）に示すように、シリコン酸化膜５を形成した後、
カソードコンタクト窓６を形成し、この開口部を通して
リン拡散等によりＮ+ 型拡散層７を形成する。
コン基板１上にＮ+ 型埋込層２を形成し、Ｎ型エピタキ
シャル層３を成長させる。次に図１（ｂ）に示すよう
に、厚いシリコン酸化膜４で素子分離を行う。次に図１
（ｃ）に示すように、シリコン酸化膜５を形成した後、
カソードコンタクト窓６を形成し、この開口部を通して
リン拡散等によりＮ+ 型拡散層７を形成する。
【００１５】続いて図１（ｄ）に示すように、ショット
キーコンタクト窓８を開口し、全面にショットキー金属
を蒸着またはスパッタ法により付着し、そして図１
（ｅ）に示すように、カソードコンタクト窓６およびシ
ョットキーコンタクト窓８の両方のショットキー金属９
ａおよび９ｂを残すように、ショットキー金属をパター
ニングする。その後図１（ｆ）に示すように、配線用の
アノード電極１０ａおよびカソード電極１０ｂを形成
し、ショットキーダイオードが形成される。
キーコンタクト窓８を開口し、全面にショットキー金属
を蒸着またはスパッタ法により付着し、そして図１
（ｅ）に示すように、カソードコンタクト窓６およびシ
ョットキーコンタクト窓８の両方のショットキー金属９
ａおよび９ｂを残すように、ショットキー金属をパター
ニングする。その後図１（ｆ）に示すように、配線用の
アノード電極１０ａおよびカソード電極１０ｂを形成
し、ショットキーダイオードが形成される。
【００１６】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の
ショットキーダイオードについての製造方法の他の例の
要部を示す工程断面図である。
ショットキーダイオードについての製造方法の他の例の
要部を示す工程断面図である。
【００１７】まず図１（ａ）〜（ｃ）で示す工程断面図
に従って、図２（ａ）の構造を得るが、これは図１
（ｄ）と同一の製造により形成する。
に従って、図２（ａ）の構造を得るが、これは図１
（ｄ）と同一の製造により形成する。
【００１８】次に図２（ｂ）に示すように、全面にショ
ットキー金属９および配線用金属１０を連続してこの順
で蒸着又はスパッタ法により付着する。続いて図２
（ｃ）に示すように、ホトレジストをマスクに不要の金
属をエッチング除去し、ショットキー金属９ａおよび９
ｂならびにアノード電極１０ａおよびカソード電極１０
ｂを形成する。
ットキー金属９および配線用金属１０を連続してこの順
で蒸着又はスパッタ法により付着する。続いて図２
（ｃ）に示すように、ホトレジストをマスクに不要の金
属をエッチング除去し、ショットキー金属９ａおよび９
ｂならびにアノード電極１０ａおよびカソード電極１０
ｂを形成する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ショッ
トキー金属であるモリブデンやチタニウム、タンタル等
の金属をドライエッチングでエッチングする際、オーミ
ックコンタクト部であるコンタクト開口部にもショット
キー金属を残すため、ドライエッチングによる付着物や
ダメージが無く、安定したオーミック接合を得ることが
できる効果がある。
トキー金属であるモリブデンやチタニウム、タンタル等
の金属をドライエッチングでエッチングする際、オーミ
ックコンタクト部であるコンタクト開口部にもショット
キー金属を残すため、ドライエッチングによる付着物や
ダメージが無く、安定したオーミック接合を得ることが
できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例のショットキーダイオードに
ついての製造方法の一例を示す工程断面図。
ついての製造方法の一例を示す工程断面図。
【図２】本発明の一実施例のショットキーダイオードに
ついての製造方法の他の例の要部を示す工程断面図。
ついての製造方法の他の例の要部を示す工程断面図。
【図３】従来例のショットキーダイオードについての製
造方法の一例を示す工程断面図。
造方法の一例を示す工程断面図。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ+ 型埋込層 ３ Ｎ型エピタキシャル層 ４、５ シリコン酸化膜 ６ カソードコンタクト窓 ７ Ｎ+ 型拡散層 ８ ショットキーコンタクト窓 ９、９ａ、９ｂ ショットキー金属 １０ａ アノード電極 １０ｂ カソード電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の一主面上からショットキー
接合を介して取り出された陽極電極を有するショットキ
ーダイオードにおいて、 前記半導体基板の一主面上からショットキー接合を介し
て取り出された陰極電極を有することを特徴とするショ
ットキーダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041587A JPH05243556A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | ショットキーダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041587A JPH05243556A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | ショットキーダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243556A true JPH05243556A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12612562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4041587A Pending JPH05243556A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | ショットキーダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243556A (ja) |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4041587A patent/JPH05243556A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |