JPH05243442A - 表面実装型ダイオード - Google Patents
表面実装型ダイオードInfo
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- JPH05243442A JPH05243442A JP4039986A JP3998692A JPH05243442A JP H05243442 A JPH05243442 A JP H05243442A JP 4039986 A JP4039986 A JP 4039986A JP 3998692 A JP3998692 A JP 3998692A JP H05243442 A JPH05243442 A JP H05243442A
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- cathode
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】実装機にて部品立ち、背面吸着不良が検出され
ないものでもプリント基板に装着された場合、半田付を
可能にし、接続不良をなくす。 【構成】アノード端子またはカソード端子をパッケージ
を構成するエポキシ樹脂1の少くとも4面に沿って形成
し、その先端又は側面をパッケージの稜線から±0.2
mmの距離にする。
ないものでもプリント基板に装着された場合、半田付を
可能にし、接続不良をなくす。 【構成】アノード端子またはカソード端子をパッケージ
を構成するエポキシ樹脂1の少くとも4面に沿って形成
し、その先端又は側面をパッケージの稜線から±0.2
mmの距離にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は表面実装型ダイオードに
関し、特にアノード及びカソード電極の構造に関する。
関し、特にアノード及びカソード電極の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】近来の電子回路の小型化に伴ない、プリ
ント基板への高密度実装の要求が強まる中、プリント基
板に端子を挿入しない、いわゆる表面実装型部品の使用
比率が高まっている。また、実装密度を上げるために、
表面実装型部品は、外形の小型化へ移行が顕著である。
表面実装型部品を搭載したプリント基板は、外形の小さ
い部品の比率が高く、かつ部品点数が多いため、プリン
ト基板への実装時の不良があると基板の検査や修正に多
大な工数を必要とするので、表面実装型部品の実装不良
をいかになくすかが重要な課題である。
ント基板への高密度実装の要求が強まる中、プリント基
板に端子を挿入しない、いわゆる表面実装型部品の使用
比率が高まっている。また、実装密度を上げるために、
表面実装型部品は、外形の小型化へ移行が顕著である。
表面実装型部品を搭載したプリント基板は、外形の小さ
い部品の比率が高く、かつ部品点数が多いため、プリン
ト基板への実装時の不良があると基板の検査や修正に多
大な工数を必要とするので、表面実装型部品の実装不良
をいかになくすかが重要な課題である。
【0003】従来の表面実装型ダイオードの構造を図面
を用いて説明する。図15は従来の表面実装型ダイオー
ドの斜視図、図16はその内部の構造を示す展開図であ
る。
を用いて説明する。図15は従来の表面実装型ダイオー
ドの斜視図、図16はその内部の構造を示す展開図であ
る。
【0004】図15及び図16において、表面実装型ダ
イオードは、ダイオードペレット6をカソード端子3へ
金−シリコン共晶によりダイボンディングし、アノード
端子4とAl電極7をAuワイヤ5でワイヤボンディン
グし、その周囲をエポキシ樹脂1で覆って構成される。
そして、エポキシ樹脂1より導出したアノード端子4と
カソード端子3は、ガルウィング形状に曲げられてお
り、その底面部でプリント基板と接続するように構成さ
れている。
イオードは、ダイオードペレット6をカソード端子3へ
金−シリコン共晶によりダイボンディングし、アノード
端子4とAl電極7をAuワイヤ5でワイヤボンディン
グし、その周囲をエポキシ樹脂1で覆って構成される。
そして、エポキシ樹脂1より導出したアノード端子4と
カソード端子3は、ガルウィング形状に曲げられてお
り、その底面部でプリント基板と接続するように構成さ
れている。
【0005】一方、この従来の表面実装型ダイオードを
プリント基板に実装する実装機は図11に示すように構
成されている。以下動作と共に説明する。部品供給(吸
着)部21にて、主としてエンボステーピングに収納さ
れた表面実装型ダイオードを吸着ノズルにより吸着す
る。次に部品厚み検出部22及び画像認識部23にて吸
着時の不良を認識し、吸着不良排出部26で排出を行な
う。部品姿勢補正部24では吸着時のθ方向のズレをノ
ズルの微小回転により補正し、部品装着部25でプリン
ト基板への実装を行なう。吸着ノズル選択部27では、
次に吸着する表面実装型部品の形状に合わせた吸着ノズ
ルを通常3〜5種類の中から選択を行ない、ノズル原点
出し部28で原点に戻し、再び部品吸着から次の表面実
装型部品について動作をくり返す。
プリント基板に実装する実装機は図11に示すように構
成されている。以下動作と共に説明する。部品供給(吸
着)部21にて、主としてエンボステーピングに収納さ
れた表面実装型ダイオードを吸着ノズルにより吸着す
る。次に部品厚み検出部22及び画像認識部23にて吸
着時の不良を認識し、吸着不良排出部26で排出を行な
う。部品姿勢補正部24では吸着時のθ方向のズレをノ
ズルの微小回転により補正し、部品装着部25でプリン
ト基板への実装を行なう。吸着ノズル選択部27では、
次に吸着する表面実装型部品の形状に合わせた吸着ノズ
ルを通常3〜5種類の中から選択を行ない、ノズル原点
出し部28で原点に戻し、再び部品吸着から次の表面実
装型部品について動作をくり返す。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の表面実
装型ダイオードでは、プリント板への実装に関して以下
の様な問題があった。
装型ダイオードでは、プリント板への実装に関して以下
の様な問題があった。
【0007】図11に示した部品厚み検出部22では、
図12(a)〜(c)の吸着のうち(b)の不良吸着を
検出するためのものである。すなわち図12(a)に示
すように、一方より投光し、部品吸着が正常であれば受
光部に光がとどくが、図12(b)の様な部品立ちがあ
ると、受光部に光がとどかないため、部品立ち不良と判
定される。ところが、センサの精度は0.2mmである
ため、表面実装型ダイオードの高さhと幅wの差が|h
−W|≦0.2であると不良検出が出来ない場合があ
る。また図12(c)の様に背面吸着不良の場合は、
(a)の正常吸着時と部品厚みが同じであるため検出が
できなかった。
図12(a)〜(c)の吸着のうち(b)の不良吸着を
検出するためのものである。すなわち図12(a)に示
すように、一方より投光し、部品吸着が正常であれば受
光部に光がとどくが、図12(b)の様な部品立ちがあ
ると、受光部に光がとどかないため、部品立ち不良と判
定される。ところが、センサの精度は0.2mmである
ため、表面実装型ダイオードの高さhと幅wの差が|h
−W|≦0.2であると不良検出が出来ない場合があ
る。また図12(c)の様に背面吸着不良の場合は、
(a)の正常吸着時と部品厚みが同じであるため検出が
できなかった。
【0008】次に、図11の画像認識部23での機構を
図13(a)〜(f)により説明する。画像の認識方向
は、エポキシ樹脂1の下面から行なうため、図13
(a)の正常吸着の場合、その2値化画像は図13
(b)の様になる。図13(c)の部品立ちがある場
合、その2値化画像は図13(d)の様になり、図13
(b)と異なるため不良と認識される。また、図13
(e)の背面吸着があった場合は、その2値化画像は図
13(f)の様になるが、正常吸着の図13(a)と同
じであるため、不良検出はできない。
図13(a)〜(f)により説明する。画像の認識方向
は、エポキシ樹脂1の下面から行なうため、図13
(a)の正常吸着の場合、その2値化画像は図13
(b)の様になる。図13(c)の部品立ちがある場
合、その2値化画像は図13(d)の様になり、図13
(b)と異なるため不良と認識される。また、図13
(e)の背面吸着があった場合は、その2値化画像は図
13(f)の様になるが、正常吸着の図13(a)と同
じであるため、不良検出はできない。
【0009】図12(a)〜(c)の様に吸着された表
面実装型ダイオードをプリント基板に実装した場合は、
図14(a)〜(c)の様になる。図14(a)の正常
吸着の場合は問題なくプリント基板に半田付されるが、
図14(b)の部品立ち吸着や図14(c)の背面吸着
不良では、半田付ができないため接続不良となってしま
う。図14(b)の部品立ち吸着は、図13の画像認識
において不良と判定できるが、画像認識機構のない実装
機も少なくなく、また画像認識機構が付いていても、カ
ソード及びアノード端子3,4の形状も認識できないも
のがあるため、必ずしも不良を除去できるとは限らな
い。
面実装型ダイオードをプリント基板に実装した場合は、
図14(a)〜(c)の様になる。図14(a)の正常
吸着の場合は問題なくプリント基板に半田付されるが、
図14(b)の部品立ち吸着や図14(c)の背面吸着
不良では、半田付ができないため接続不良となってしま
う。図14(b)の部品立ち吸着は、図13の画像認識
において不良と判定できるが、画像認識機構のない実装
機も少なくなく、また画像認識機構が付いていても、カ
ソード及びアノード端子3,4の形状も認識できないも
のがあるため、必ずしも不良を除去できるとは限らな
い。
【0010】この様にプリント基板11への実装不良と
なったものについては、後工程での外観チェックや修正
を加えなければならないため、生産性の低下を招いてい
た。更に、部品形状が小さいため、外観チェックや電気
的特性チェックで検出できないこともあり、その流出に
より品質の低下を招くといった欠点もあった。
なったものについては、後工程での外観チェックや修正
を加えなければならないため、生産性の低下を招いてい
た。更に、部品形状が小さいため、外観チェックや電気
的特性チェックで検出できないこともあり、その流出に
より品質の低下を招くといった欠点もあった。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の表面実装型ダイ
オードは、ダイオードペレットと、このダイオードペレ
ットに接続されたアノード端子とカソード端子と、前記
ダイオードペレットと前記アノード端子及びカソード端
子の一部を封止する樹脂からなる直方体のパッケージと
を有する表面実装型ダイオードにおいて、前記アノード
端子または前記カソード端子は、前記パッケージの少く
とも4面にパッケージの表面に沿って形成されているも
のである。
オードは、ダイオードペレットと、このダイオードペレ
ットに接続されたアノード端子とカソード端子と、前記
ダイオードペレットと前記アノード端子及びカソード端
子の一部を封止する樹脂からなる直方体のパッケージと
を有する表面実装型ダイオードにおいて、前記アノード
端子または前記カソード端子は、前記パッケージの少く
とも4面にパッケージの表面に沿って形成されているも
のである。
【0012】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1の実施例の斜視図であり、図2
は6面から見た内部構造を示す展開図である。以下製造
方法と共に説明する。
る。図1は本発明の第1の実施例の斜視図であり、図2
は6面から見た内部構造を示す展開図である。以下製造
方法と共に説明する。
【0013】カソード端子上にダイオードペレット6
を、主として金−シリコンの共晶によりダイボンディン
グした後、ダイオードペレット6の表面のAl電極7と
アノード端子をAuワイヤ5でワイヤボンディングす
る。その後、エポキシ樹脂1で周囲を覆い封止しパッケ
ージを構成する。エポキシ樹脂1の1面の大きさは約
1.4×0.8mm2 で、2面の大きさは約0.8×
0.7mm2 である。2面側にはカソード端子3a,4
面側にはアノード端子4aを幅約0.6mmで導出さ
せ、2面及び4面に沿って曲げ、先端は6面と2面及び
6面と4面の交わる辺(稜線)より±0.1mmの位置
で切断する。3面側にはアノード端子4bとカソード端
子3bを幅約0.2mmで導出させ、3面に沿って曲
げ、先端は6面と3面の交わる辺より±0.1mmの位
置で切断する。同様に5面側にもアノード端子4cとカ
ソード端子3cを形成する。これにより、2面,3面,
4面,5面の4つの面とアノード又はカソード又はアノ
ードとカソード双方の端子が形成されたことになる。
を、主として金−シリコンの共晶によりダイボンディン
グした後、ダイオードペレット6の表面のAl電極7と
アノード端子をAuワイヤ5でワイヤボンディングす
る。その後、エポキシ樹脂1で周囲を覆い封止しパッケ
ージを構成する。エポキシ樹脂1の1面の大きさは約
1.4×0.8mm2 で、2面の大きさは約0.8×
0.7mm2 である。2面側にはカソード端子3a,4
面側にはアノード端子4aを幅約0.6mmで導出さ
せ、2面及び4面に沿って曲げ、先端は6面と2面及び
6面と4面の交わる辺(稜線)より±0.1mmの位置
で切断する。3面側にはアノード端子4bとカソード端
子3bを幅約0.2mmで導出させ、3面に沿って曲
げ、先端は6面と3面の交わる辺より±0.1mmの位
置で切断する。同様に5面側にもアノード端子4cとカ
ソード端子3cを形成する。これにより、2面,3面,
4面,5面の4つの面とアノード又はカソード又はアノ
ードとカソード双方の端子が形成されたことになる。
【0014】次に図5(a),(b)を用いてプリント
基板への実装時の様子について説明する。図5(a)は
図12及び図13において正常吸着されたものの、フロ
ーデップ法による半田付後の状態を示す斜視図である。
基板への実装時の様子について説明する。図5(a)は
図12及び図13において正常吸着されたものの、フロ
ーデップ法による半田付後の状態を示す斜視図である。
【0015】カソード側のプリント基板とはカソード端
子3a,3b,3cにより半田付され、アノード側のプ
リント基板とはアノード端子4a,4b,4cが半田付
される。この時、カソード端子3a,3b,3cとアノ
ード端子4a,4b,4cの先端部がエポキシ樹脂1の
6面の端部(稜線)より±0.2mm以内にないと、実
装された部品の平行度が悪くなったり、半田が付かない
といった問題が生ずる。図5(b)は図12及び図13
において部品立ち吸着されたものの半田付後の状態を示
す斜視図である。カソード側のプリント基板とは、カソ
ード端子3a,3bにより半田付され、アノード側のプ
リント基板とはアノード端子4a,4bが半田付され
る。カソード端子3a,アノード端子4aは、その側面
が2面と3面及び5面の交わる辺と、4面と3面及び5
面の交わる辺と0.1mmの距離にあるため、半田付で
きる。
子3a,3b,3cにより半田付され、アノード側のプ
リント基板とはアノード端子4a,4b,4cが半田付
される。この時、カソード端子3a,3b,3cとアノ
ード端子4a,4b,4cの先端部がエポキシ樹脂1の
6面の端部(稜線)より±0.2mm以内にないと、実
装された部品の平行度が悪くなったり、半田が付かない
といった問題が生ずる。図5(b)は図12及び図13
において部品立ち吸着されたものの半田付後の状態を示
す斜視図である。カソード側のプリント基板とは、カソ
ード端子3a,3bにより半田付され、アノード側のプ
リント基板とはアノード端子4a,4bが半田付され
る。カソード端子3a,アノード端子4aは、その側面
が2面と3面及び5面の交わる辺と、4面と3面及び5
面の交わる辺と0.1mmの距離にあるため、半田付で
きる。
【0016】図3は本発明の第2の実施例の斜視図、図
4は6面から見た内部構造を示す展開図である。
4は6面から見た内部構造を示す展開図である。
【0017】本第2の実施例では、図3及び図4に示し
たように、図1に示したカソード端子3aとアノード端
子4aをエポキシ樹脂1内で2分割し、導出する位置を
エポキシ樹脂1の厚さ方向で1/2の点とし、更に各端
子の曲げ方向を同一面内で千鳥状としている。このよう
な形状にすることにより図1に示した第1の実施例の欠
点である、背面吸着時の半田付不良を改善することがで
きる。以下図6により説明する。
たように、図1に示したカソード端子3aとアノード端
子4aをエポキシ樹脂1内で2分割し、導出する位置を
エポキシ樹脂1の厚さ方向で1/2の点とし、更に各端
子の曲げ方向を同一面内で千鳥状としている。このよう
な形状にすることにより図1に示した第1の実施例の欠
点である、背面吸着時の半田付不良を改善することがで
きる。以下図6により説明する。
【0018】図6(a)は図12及び図13において正
常吸着されたものの半田付後の状態を示す斜視図であ
る。カソード側のプリント基板とはカソード端子3b,
3dにより半田付され、アノード側のプリント基板とは
アノード端子4c,4aが半田付される。図6(b)は
部品立ち吸着された場合の半田付後の状態を示す斜視図
である。カソード側のプリント基板とは、カソード端子
3a,3cにより半田付され、アノード側のプリント基
板とは、アノード端子4a,4cが半田付される。図6
(c)は背面吸着された場合の半田付後の状態を示す斜
視図である。カソード側のプリント基板とは、カソード
端子3a,3cにより半田付され、アノード側のプリン
ト基板とは、アノード端子4b,4dが半田付される。
図3に示した第2の実施例では、図6(c)の様にプリ
ント基板に装着されることがあるため、エポキシ樹脂の
6面にも、カソードマークを付加し、極性判別を容易と
することも可能である。
常吸着されたものの半田付後の状態を示す斜視図であ
る。カソード側のプリント基板とはカソード端子3b,
3dにより半田付され、アノード側のプリント基板とは
アノード端子4c,4aが半田付される。図6(b)は
部品立ち吸着された場合の半田付後の状態を示す斜視図
である。カソード側のプリント基板とは、カソード端子
3a,3cにより半田付され、アノード側のプリント基
板とは、アノード端子4a,4cが半田付される。図6
(c)は背面吸着された場合の半田付後の状態を示す斜
視図である。カソード側のプリント基板とは、カソード
端子3a,3cにより半田付され、アノード側のプリン
ト基板とは、アノード端子4b,4dが半田付される。
図3に示した第2の実施例では、図6(c)の様にプリ
ント基板に装着されることがあるため、エポキシ樹脂の
6面にも、カソードマークを付加し、極性判別を容易と
することも可能である。
【0019】図7は本発明の第3の実施例の斜視図、図
8は6面から見た内部構造を示す展開図である。
8は6面から見た内部構造を示す展開図である。
【0020】この第3の実施例の場合、カソード端子3
は、2面のみから導出させ、5面,6面とも端子を延長
している。また、アノード端子4も、4面のみから導出
させ、5面,6面にも端子を延長している。この第3の
実施例では、図1に示した第1の実施例と同様、部品立
ち吸着の場合は半田付可能であるが、背面吸着の場合は
半田付ができない。
は、2面のみから導出させ、5面,6面とも端子を延長
している。また、アノード端子4も、4面のみから導出
させ、5面,6面にも端子を延長している。この第3の
実施例では、図1に示した第1の実施例と同様、部品立
ち吸着の場合は半田付可能であるが、背面吸着の場合は
半田付ができない。
【0021】図9は本発明の第4の実施例の斜視図、図
10は6面からみた内部構造を示す展開図である。この
第4の実施例は第3の実施例の欠点を改善したものであ
る。
10は6面からみた内部構造を示す展開図である。この
第4の実施例は第3の実施例の欠点を改善したものであ
る。
【0022】この場合、カソード端子3a,3b、アノ
ード端子4a,4bはそれぞれ2面,4面のみから導出
させているが、3面,5面にも端子を延長させ、かつ各
端子の曲げ方向は、同一面内で千鳥状にしている。ま
た、カソード端子3a,3b、アノード端子4a,4b
の導出する位置は、エポキシ樹脂1の厚さ方向の1/2
の位置としている。第3の実施例のプリント基板への半
田付の状態は図6と同様で、部品立ち吸着時、背面吸着
時でも問題なくプリント基板への半田の接続性を確保す
ることができる。尚、図9に示した第4の実施例の場合
も、図3に示した第2の実施例の場合と同様に、背面吸
着によってプリント基板へ装着されることがあるため、
エポキシ樹脂1の6面にもカソードマークを付加し、極
性判別を容易とすることもできる。
ード端子4a,4bはそれぞれ2面,4面のみから導出
させているが、3面,5面にも端子を延長させ、かつ各
端子の曲げ方向は、同一面内で千鳥状にしている。ま
た、カソード端子3a,3b、アノード端子4a,4b
の導出する位置は、エポキシ樹脂1の厚さ方向の1/2
の位置としている。第3の実施例のプリント基板への半
田付の状態は図6と同様で、部品立ち吸着時、背面吸着
時でも問題なくプリント基板への半田の接続性を確保す
ることができる。尚、図9に示した第4の実施例の場合
も、図3に示した第2の実施例の場合と同様に、背面吸
着によってプリント基板へ装着されることがあるため、
エポキシ樹脂1の6面にもカソードマークを付加し、極
性判別を容易とすることもできる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による表面
実装型ダイオードは、アノード及びカソード端子をエポ
キシ樹脂表面の6つの面のうち、少なくとも4つの面で
エポキシ樹脂表面に沿って曲げ、アノード及びカソード
の各端子の少なくとも一辺をエポキシ樹脂の任意の稜線
に対し±0.2mm以内に位置させることにより、実装
機での部品立ち吸着や背面吸着が、実装機内で検出され
ずにプリント基板に実装されても、アノード端子及びカ
ソード端子のいずれかの各端子は、プリント基板と半田
付される。このため、半田の接続不良をなくし、実装後
の外観チェックや修正の工数が削減でき、更に、外観チ
ェック,電気的特性チェックで検出できない半田付不良
が流出して品質の低下を招くといった欠点をも解消でき
るという効果を有する。
実装型ダイオードは、アノード及びカソード端子をエポ
キシ樹脂表面の6つの面のうち、少なくとも4つの面で
エポキシ樹脂表面に沿って曲げ、アノード及びカソード
の各端子の少なくとも一辺をエポキシ樹脂の任意の稜線
に対し±0.2mm以内に位置させることにより、実装
機での部品立ち吸着や背面吸着が、実装機内で検出され
ずにプリント基板に実装されても、アノード端子及びカ
ソード端子のいずれかの各端子は、プリント基板と半田
付される。このため、半田の接続不良をなくし、実装後
の外観チェックや修正の工数が削減でき、更に、外観チ
ェック,電気的特性チェックで検出できない半田付不良
が流出して品質の低下を招くといった欠点をも解消でき
るという効果を有する。
【図1】本発明の第1の実施例の斜視図。
【図2】第1の実施例の内部構造を示す展開図。
【図3】本発明の第2の実施例の斜視図。
【図4】第2の実施例の内部構造を示す展開図。
【図5】第1の実施例をプリント基板に半田付した場合
の斜視図。
の斜視図。
【図6】第2の実施例をプリント基板に半田付した場合
の斜視図。
の斜視図。
【図7】本発明の第3の実施例の斜視図。
【図8】第3の実施例の内部構造を示す展開図。
【図9】本発明の第4の実施例の斜視図。
【図10】第4の実施例の内部構造を示す展開図。
【図11】実装機の部品装着の動作を説明するための
図。
図。
【図12】部品厚み検出部における部品吸着を示す正面
図。
図。
【図13】画像認識部における部品吸着の正面図と2値
化画像を示す図。
化画像を示す図。
【図14】プリント基板へのダイオード装着後の正面
図。
図。
【図15】従来の表面実装型ダイオードの斜視図。
【図16】従来の表面実装型ダイオードの内部構造を示
す展開図。
す展開図。
1 エポキシ樹脂 2 カソードマーク 3 カソード端子 4 アノード端子 5 Auワイヤ 6 ダイオードペレット 7 Al電極 8 半田付パターン 9 吸着ノズル 10 半田 11 プリント基板
Claims (2)
- 【請求項1】 ダイオードペレットと、このダイオード
ペレットに接続されたアノード端子とカソード端子と、
前記ダイオードペレットと前記アノード端子及びカソー
ド端子の一部を封止する樹脂からなる直方体のパッケー
ジとを有する表面実装型ダイオードにおいて、前記アノ
ード端子または前記カソード端子は、前記パッケージの
少くとも4面にパッケージの表面に沿って形成されてい
ることを特徴とする表面実装型ダイオード。 - 【請求項2】 パッケージの表面に沿って形成されるア
ノード端子及びカソード端子の先端又は側面は、パッケ
ージの稜線に対し±0.2mm以内に位置している請求
項1記載の表面実装型ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4039986A JPH05243442A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 表面実装型ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4039986A JPH05243442A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 表面実装型ダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05243442A true JPH05243442A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12568267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4039986A Withdrawn JPH05243442A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 表面実装型ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05243442A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999060626A1 (en) * | 1998-05-20 | 1999-11-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2007300117A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd | 真っ直ぐなリードフレーム放熱部を備えた発光ダイオードパッケージ |
JP2009141370A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ |
WO2014050422A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | ローム株式会社 | チップダイオードおよびその製造方法 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4039986A patent/JPH05243442A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999060626A1 (en) * | 1998-05-20 | 1999-11-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US6486543B1 (en) | 1998-05-20 | 2002-11-26 | Rohm Co., Ltd. | Packaged semiconductor device having bent leads |
JP2007300117A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd | 真っ直ぐなリードフレーム放熱部を備えた発光ダイオードパッケージ |
JP2009141370A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ |
US8138517B2 (en) | 2007-12-10 | 2012-03-20 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode package |
WO2014050422A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | ローム株式会社 | チップダイオードおよびその製造方法 |
US9653619B2 (en) | 2012-09-27 | 2017-05-16 | Rohm Co., Ltd. | Chip diode and method for manufacturing same |
US10903373B2 (en) | 2012-09-27 | 2021-01-26 | Rohm Co., Ltd. | Chip diode and method for manufacturing same |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |