JPH05243129A - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法Info
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- JPH05243129A JPH05243129A JP11586891A JP11586891A JPH05243129A JP H05243129 A JPH05243129 A JP H05243129A JP 11586891 A JP11586891 A JP 11586891A JP 11586891 A JP11586891 A JP 11586891A JP H05243129 A JPH05243129 A JP H05243129A
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- data
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Abstract
(57)【要約】
【目的】簡単に自動的に、最終的な描画パターンに応じ
た近接効果の補正を行うことができる荷電粒子ビーム描
画方法を実現する。 【構成】描画パターンデータに含まれるパターンが図３
（ａ）の４つの図形から成る場合、ｄ／２のプラスサイ
ジングを行うことにより、図３（ｂ）に示すパターンと
なる。プラスサイジングされたパターンデータは、輪郭
化処理が行われ、図３（ｃ）のパターンとなる。輪郭化
処理が行われた描画パターンデータは、ｄだけマイナス
サイジングされて図３（ｄ）のパターンとされ、更に、
ｄ／２だけプラスサイジングされて図３（ｅ）のパター
ンとされる。この図３（ｅ）のパターンは、図３（ａ）
に示す最初のパターンデータの内の図形が密な部分を表
している。この蜜な部分のパターンについては荷電粒子
ビームのショット時間が短くされる。
た近接効果の補正を行うことができる荷電粒子ビーム描
画方法を実現する。 【構成】描画パターンデータに含まれるパターンが図３
（ａ）の４つの図形から成る場合、ｄ／２のプラスサイ
ジングを行うことにより、図３（ｂ）に示すパターンと
なる。プラスサイジングされたパターンデータは、輪郭
化処理が行われ、図３（ｃ）のパターンとなる。輪郭化
処理が行われた描画パターンデータは、ｄだけマイナス
サイジングされて図３（ｄ）のパターンとされ、更に、
ｄ／２だけプラスサイジングされて図３（ｅ）のパター
ンとされる。この図３（ｅ）のパターンは、図３（ａ）
に示す最初のパターンデータの内の図形が密な部分を表
している。この蜜な部分のパターンについては荷電粒子
ビームのショット時間が短くされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ームの如き荷電粒子ビームを用いて材料上に所定パター
ンの描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法に関
する。
ームの如き荷電粒子ビームを用いて材料上に所定パター
ンの描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画装置では、予め用意され
たパターンデータに基づいて被描画材料上への電子ビー
ムの照射を行い、所定のパターンの描画を電子ビームに
よって行うようにしている。このような電子ビーム描画
装置において注意すべきは、描画パターンデータ中にパ
ターンが密に存在している部分では、電子ビームにより
材料面上にパターンを描画すると、パターン相互の近接
効果により、設計通りのパターンが形成されないことが
ある。その一例を図４を用いて説明する。図４の（ａ）
は設計パターンであり、この設計パターンにはＰ1 〜Ｐ
4 までの４つのパターンが含まれている。この設計パタ
ーンに対し、電子ビームの描画時に同じショット時間で
描画を行うと、Ｐ1 〜Ｐ3 までのパターンは接近してい
るために、図４（ｂ）に示すように、近接効果によりパ
ターンの大きさが変化してしまい、精度の高い描画がで
きない。そのため、最初のパターンデータを作成する際
に、この近接効果による影響を考慮して各パターン毎に
ショット時間（電子ビームのドーズ量）を変えるように
していた。
たパターンデータに基づいて被描画材料上への電子ビー
ムの照射を行い、所定のパターンの描画を電子ビームに
よって行うようにしている。このような電子ビーム描画
装置において注意すべきは、描画パターンデータ中にパ
ターンが密に存在している部分では、電子ビームにより
材料面上にパターンを描画すると、パターン相互の近接
効果により、設計通りのパターンが形成されないことが
ある。その一例を図４を用いて説明する。図４の（ａ）
は設計パターンであり、この設計パターンにはＰ1 〜Ｐ
4 までの４つのパターンが含まれている。この設計パタ
ーンに対し、電子ビームの描画時に同じショット時間で
描画を行うと、Ｐ1 〜Ｐ3 までのパターンは接近してい
るために、図４（ｂ）に示すように、近接効果によりパ
ターンの大きさが変化してしまい、精度の高い描画がで
きない。そのため、最初のパターンデータを作成する際
に、この近接効果による影響を考慮して各パターン毎に
ショット時間（電子ビームのドーズ量）を変えるように
していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した近接効果の補
正は、ＣＡＤなどで描画データを作成する際に行わねば
ならない。しかしながら、描画データ作成の初期段階で
各パターン毎に近接効果の程度を予測することは不可能
である。すなわち、通常、ＣＡＤで作成されたデータ
は、各描画装置ごとに決められたフォーマットに変換さ
れ、様々な処理が行われる。例えば、各個別のパターン
の大きさがサイジング（一定の割合でパターンの大きさ
を変えること）されたり、重なり合ったパターンが存在
する場合には単一のパターンデータとする輪郭化処理が
行われたりする。その結果、近接効果の程度に最も影響
のある各パターン間の距離が描画データの変換の過程で
変化してしまい、初期の段階で決定した近接効果の補正
のための電子ビームのドーズ量に関するデータは、実際
の描画データに即したものとならなくなってしまう。こ
のような問題は、電子ビーム描画のみならず、イオンビ
ーム描画においても同様に発生する。
正は、ＣＡＤなどで描画データを作成する際に行わねば
ならない。しかしながら、描画データ作成の初期段階で
各パターン毎に近接効果の程度を予測することは不可能
である。すなわち、通常、ＣＡＤで作成されたデータ
は、各描画装置ごとに決められたフォーマットに変換さ
れ、様々な処理が行われる。例えば、各個別のパターン
の大きさがサイジング（一定の割合でパターンの大きさ
を変えること）されたり、重なり合ったパターンが存在
する場合には単一のパターンデータとする輪郭化処理が
行われたりする。その結果、近接効果の程度に最も影響
のある各パターン間の距離が描画データの変換の過程で
変化してしまい、初期の段階で決定した近接効果の補正
のための電子ビームのドーズ量に関するデータは、実際
の描画データに即したものとならなくなってしまう。こ
のような問題は、電子ビーム描画のみならず、イオンビ
ーム描画においても同様に発生する。
【０００４】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、簡単に自動的に、最終的な描画パ
ターンに応じた近接効果の補正を行うことができる荷電
粒子ビーム描画方法を実現するにある。
もので、その目的は、簡単に自動的に、最終的な描画パ
ターンに応じた近接効果の補正を行うことができる荷電
粒子ビーム描画方法を実現するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく荷電粒子
ビーム描画方法は、特定のパターン間の距離ｄを設定
し、初期パターンデータに含まれる各パターンの大きさ
をｄ／２だけプラスサイジングする第１ステップ、該第
１ステップでプラスサイジングされたパターンデータに
対し、各パターンの大きさをｄだけマイナスサイジング
する第２ステップ、該第２ステップでマイナスサイジン
グされたパターンデータに対し、各パターンの大きさを
ｄ／２だけプラスサイジングする第３ステップ、該第３
ステップでプラスサイジングされたパターンデータと、
前記初期パターンデータとを比較する第４ステップとを
有し、前記第４ステップにおける比較の結果、重なり合
ったパターンの描画時と重なり合わないパターンの描画
時とで、被描画材料への荷電粒子ビームのショット時間
を異ならしたことを特徴としている。
ビーム描画方法は、特定のパターン間の距離ｄを設定
し、初期パターンデータに含まれる各パターンの大きさ
をｄ／２だけプラスサイジングする第１ステップ、該第
１ステップでプラスサイジングされたパターンデータに
対し、各パターンの大きさをｄだけマイナスサイジング
する第２ステップ、該第２ステップでマイナスサイジン
グされたパターンデータに対し、各パターンの大きさを
ｄ／２だけプラスサイジングする第３ステップ、該第３
ステップでプラスサイジングされたパターンデータと、
前記初期パターンデータとを比較する第４ステップとを
有し、前記第４ステップにおける比較の結果、重なり合
ったパターンの描画時と重なり合わないパターンの描画
時とで、被描画材料への荷電粒子ビームのショット時間
を異ならしたことを特徴としている。
【０００６】
【作用】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方法は、描
画パターンのサイジングを複数回行い、図形が密に存在
する部分のパターンのみを残し、サイジングされたパタ
ーンデータとサイジング以前のパターンデータとの比較
を行い、図形が密に存在する部分のパターンと他のパタ
ーンとの描画時におけるショット時間を別に設定し、近
接効果による図形の膨らみを防止する。
画パターンのサイジングを複数回行い、図形が密に存在
する部分のパターンのみを残し、サイジングされたパタ
ーンデータとサイジング以前のパターンデータとの比較
を行い、図形が密に存在する部分のパターンと他のパタ
ーンとの描画時におけるショット時間を別に設定し、近
接効果による図形の膨らみを防止する。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明方法を詳細に説
明する。図１は、本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方
法を実施するための電子ビーム描画システムの一例を示
しており、１は電子ビームカラムである。カラム１の上
部には電子銃２が設けられ、この電子銃２から発生した
電子ビームは、図示していない集束レンズ系により、被
描画材料３上に集束される。このカラム１の電子銃２の
下部には、ブランキング電極４が設けられ、また、材料
３上部には、電子ビームを偏向するための偏向器５が設
けられている。６は制御用のコンピュータであり、７は
その操作端末機、８はスケジュールデータファイル、９
はスケジュールオブジェクトデータファイル、１０は描
画データファイルである。１１はデータプロセッシング
ユニット、１２はデータメモリであり、これらの詳細は
後述する。データプロセッシングユニット１１から発生
するブランキング信号はブランキング増幅器１３を介し
て前記ブランキング電極に供給され、また、偏向信号
は、偏向増幅器１４を介して偏向器５に供給される。
明する。図１は、本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方
法を実施するための電子ビーム描画システムの一例を示
しており、１は電子ビームカラムである。カラム１の上
部には電子銃２が設けられ、この電子銃２から発生した
電子ビームは、図示していない集束レンズ系により、被
描画材料３上に集束される。このカラム１の電子銃２の
下部には、ブランキング電極４が設けられ、また、材料
３上部には、電子ビームを偏向するための偏向器５が設
けられている。６は制御用のコンピュータであり、７は
その操作端末機、８はスケジュールデータファイル、９
はスケジュールオブジェクトデータファイル、１０は描
画データファイルである。１１はデータプロセッシング
ユニット、１２はデータメモリであり、これらの詳細は
後述する。データプロセッシングユニット１１から発生
するブランキング信号はブランキング増幅器１３を介し
て前記ブランキング電極に供給され、また、偏向信号
は、偏向増幅器１４を介して偏向器５に供給される。
【０００８】図２は前記データプロセッシングユニット
１１とデータメモリ１２の詳細を示しており、描画デー
タはまずデータプロセッシングユニット６のデータメモ
リコントローラ１５に供給される。データメモリコント
ローラ１５に供給された描画データは、メモリ１２内の
メモリ領域１６に転送されて記憶されると共に、図形演
算ユニット１７に供給される。図形演算ユニット１７か
らのデータは、輪郭化処理用演算ユニット１８に供給さ
れ、この演算ユニット１８からのデータは、データメモ
リコントローラ１９を介してメモリ領域２０と図形演算
ユニット２１に供給される。図形演算ユニット２１から
のデータは、引き続く図形演算ユニット２２に供給され
て所定の処理をされた後、データメモリコントローラ２
３に供給される。このコントローラ２３は、供給された
データをメモリ領域２４と図形比較用演算ユニット２５
に供給する。図形比較用演算ユニット２５の出力データ
は、ショット時間設定ユニット２６と偏向増幅器１４に
供給される。なお、２７は、コントロール信号プロセッ
サである。なお、図１，図２における信号ラインの太線
は、描画パターンデータの流れを、細線はコントロール
信号の流れを示している。
１１とデータメモリ１２の詳細を示しており、描画デー
タはまずデータプロセッシングユニット６のデータメモ
リコントローラ１５に供給される。データメモリコント
ローラ１５に供給された描画データは、メモリ１２内の
メモリ領域１６に転送されて記憶されると共に、図形演
算ユニット１７に供給される。図形演算ユニット１７か
らのデータは、輪郭化処理用演算ユニット１８に供給さ
れ、この演算ユニット１８からのデータは、データメモ
リコントローラ１９を介してメモリ領域２０と図形演算
ユニット２１に供給される。図形演算ユニット２１から
のデータは、引き続く図形演算ユニット２２に供給され
て所定の処理をされた後、データメモリコントローラ２
３に供給される。このコントローラ２３は、供給された
データをメモリ領域２４と図形比較用演算ユニット２５
に供給する。図形比較用演算ユニット２５の出力データ
は、ショット時間設定ユニット２６と偏向増幅器１４に
供給される。なお、２７は、コントロール信号プロセッ
サである。なお、図１，図２における信号ラインの太線
は、描画パターンデータの流れを、細線はコントロール
信号の流れを示している。
【０００９】上記した構成のシステムにおいて、描画す
べきデータが描画パターンデータファイル１０に格納さ
れる。そして、端末機７を操作し、スケジュールデータ
を作成し、スケジュールデータファイル８に記憶させ
る。このスケジュールデータの作成時に、パターンが密
に存在することを判定するための基準となるパターン間
の距離ｄと、密に存在するパターンに対して与える電子
ビームのショット時間変調量Ｖの２つのパラメータをス
ケジュールデータに合わせて与えておく。このスケジュ
ールデータは、ソフトウェアにより翻訳され、スケジュ
ールオブジェクトデータファイル９に格納される。ソフ
トウェアにより描画が開始されると、初期設定としてこ
れら２つのパラメータ（ｄ，Ｖ）は、データプロセッシ
ングユニット１１のコントロール信号プロセッサ２７へ
と転送される。同時に描画パターンデータファイル１０
に記憶されている描画パターンデータは、データプロセ
ッシングユニット１１内のデータメモリコントローラ１
５へと転送される。描画パターンデータは、データメモ
リコントローラ１５を介してデータメモリ１２内のメモ
リ領域２６に送られて記憶されると共に、プラスサイジ
ング用図形演算ユニット１７へ送られる。プラスサイジ
ング用図形演算ユニット１７においては、各パターン毎
にプラスサイジングが行われる。この時のサイジング量
は、前記パラメータｄの１／２の量である。例えば、描
画パターンデータに含まれるパターンが図３（ａ）の４
つのパターンＰ1 〜Ｐ4 から成る場合、ｄ／２のプラス
サイジングを行うことにより、図３（ｂ）に示すパター
ンとなる。この図３において、点線は処理前のパターン
を実線は処理後のパターンを示している。また、この図
３では、実際には重なり合っている線を理解しやすいよ
うに若干離して描いている。プラスサイジング用図形演
算ユニット１７においてプラスサイジングされたパター
ンデータは、輪郭化処理用演算ユニット１８に供給され
て輪郭化処理が行われる。図３（ｃ）は、輪郭化処理後
のパターンを示している。この輪郭化処理に当たって
は、パターンデータはデータメモリコントローラ１９を
介してメモリ領域２０に供給されて一時的に記憶され
る。輪郭化処理が行われた描画パターンデータは、マイ
ナスサイジング用図形演算ユニット２１でｄだけマイナ
スサイジングされて図３（ｄ）のパターンとされ、更
に、プラスサイジング用図形演算ユニット２２でｄ／２
だけプラスサイジングされて図３（ｅ）のパターンとさ
れる。プラスサイジング用図形演算ユニット２２でプラ
スサイジングされた図３（ｅ）のパターンデータは、デ
ータメモリコントローラ２３を介してメモリ領域２４に
送られて記憶される。このメモリ領域２４に記憶された
データは、図３（ｅ）のパターンに基づくものである
が、この図３（ｅ）のパターンは、図３（ａ）に示す最
初のパターンデータの図形が密な部分を表している。す
なわち、図形が粗な部分のパターンＰ4 は、ｄ／２プラ
スサイジング、ｄマイナスサイジング、ｄ／２プラスサ
イジングのデータ処理過程で消滅してしまい、図形が密
な部分のパターンＰ1 〜Ｐ3 （夫々の隣り合ったパター
ン間の距離がｄ以下）に基づくパターンのみが残ること
になる。
べきデータが描画パターンデータファイル１０に格納さ
れる。そして、端末機７を操作し、スケジュールデータ
を作成し、スケジュールデータファイル８に記憶させ
る。このスケジュールデータの作成時に、パターンが密
に存在することを判定するための基準となるパターン間
の距離ｄと、密に存在するパターンに対して与える電子
ビームのショット時間変調量Ｖの２つのパラメータをス
ケジュールデータに合わせて与えておく。このスケジュ
ールデータは、ソフトウェアにより翻訳され、スケジュ
ールオブジェクトデータファイル９に格納される。ソフ
トウェアにより描画が開始されると、初期設定としてこ
れら２つのパラメータ（ｄ，Ｖ）は、データプロセッシ
ングユニット１１のコントロール信号プロセッサ２７へ
と転送される。同時に描画パターンデータファイル１０
に記憶されている描画パターンデータは、データプロセ
ッシングユニット１１内のデータメモリコントローラ１
５へと転送される。描画パターンデータは、データメモ
リコントローラ１５を介してデータメモリ１２内のメモ
リ領域２６に送られて記憶されると共に、プラスサイジ
ング用図形演算ユニット１７へ送られる。プラスサイジ
ング用図形演算ユニット１７においては、各パターン毎
にプラスサイジングが行われる。この時のサイジング量
は、前記パラメータｄの１／２の量である。例えば、描
画パターンデータに含まれるパターンが図３（ａ）の４
つのパターンＰ1 〜Ｐ4 から成る場合、ｄ／２のプラス
サイジングを行うことにより、図３（ｂ）に示すパター
ンとなる。この図３において、点線は処理前のパターン
を実線は処理後のパターンを示している。また、この図
３では、実際には重なり合っている線を理解しやすいよ
うに若干離して描いている。プラスサイジング用図形演
算ユニット１７においてプラスサイジングされたパター
ンデータは、輪郭化処理用演算ユニット１８に供給され
て輪郭化処理が行われる。図３（ｃ）は、輪郭化処理後
のパターンを示している。この輪郭化処理に当たって
は、パターンデータはデータメモリコントローラ１９を
介してメモリ領域２０に供給されて一時的に記憶され
る。輪郭化処理が行われた描画パターンデータは、マイ
ナスサイジング用図形演算ユニット２１でｄだけマイナ
スサイジングされて図３（ｄ）のパターンとされ、更
に、プラスサイジング用図形演算ユニット２２でｄ／２
だけプラスサイジングされて図３（ｅ）のパターンとさ
れる。プラスサイジング用図形演算ユニット２２でプラ
スサイジングされた図３（ｅ）のパターンデータは、デ
ータメモリコントローラ２３を介してメモリ領域２４に
送られて記憶される。このメモリ領域２４に記憶された
データは、図３（ｅ）のパターンに基づくものである
が、この図３（ｅ）のパターンは、図３（ａ）に示す最
初のパターンデータの図形が密な部分を表している。す
なわち、図形が粗な部分のパターンＰ4 は、ｄ／２プラ
スサイジング、ｄマイナスサイジング、ｄ／２プラスサ
イジングのデータ処理過程で消滅してしまい、図形が密
な部分のパターンＰ1 〜Ｐ3 （夫々の隣り合ったパター
ン間の距離がｄ以下）に基づくパターンのみが残ること
になる。
【００１０】以上の動作は、実際に電子ビームを用いて
材料３上に描画を行う以前の段階で描画に必要な全ての
描画パターンデータ、又は、描画パターンデータの１フ
ィールド毎に行われる。この動作をデータメモリ格納と
称す。データメモリ格納終了後、実際の描画の段階で
は、メモリ領域１６に格納されている描画パターンデー
タをデータメモリコントローラ１５を介して読みだし、
図形比較演算ユニット２５へ入力する。この図形比較演
算ユニット２５において比較対象となるのはメモリ領域
２４へ格納されている図形データで、データメモリコン
トローラ２３を介して図形比較演算ユニット２５へ入力
される。ここでは、メモリ領域１６から入力された図３
（ａ）のパターンがメモリ領域２４へ入力された図３
（ｅ）のパターンと重なることを判定して、重なる場合
はその図形のショット時間を設定する際に変調量を与え
る処理を行う。すなわち、図３（ｅ）の例では、重なっ
た図形はＰ1 〜Ｐ3 であり、このパターンについてはシ
ョット時間の変調量Ｖによってショット時間が短くされ
る。また、重なっていないパターンＰ4 については、通
常のショット時間が設定される。ショット時間は、ショ
ット時間設定ユニット２６によって決定され、ブランキ
ング増幅器１３を介してブランキング電極４による電子
ビームのオン／オフのタイミングを制御する。更にメモ
リ領域１６からのパターンデータは、図形比較演算ユニ
ット２５，偏向増幅器１４を介して偏向器５に供給さ
れ、電子ビームの偏向量を制御し、材料３上で電子ビー
ムによる任意のパターンの描画を行う。
材料３上に描画を行う以前の段階で描画に必要な全ての
描画パターンデータ、又は、描画パターンデータの１フ
ィールド毎に行われる。この動作をデータメモリ格納と
称す。データメモリ格納終了後、実際の描画の段階で
は、メモリ領域１６に格納されている描画パターンデー
タをデータメモリコントローラ１５を介して読みだし、
図形比較演算ユニット２５へ入力する。この図形比較演
算ユニット２５において比較対象となるのはメモリ領域
２４へ格納されている図形データで、データメモリコン
トローラ２３を介して図形比較演算ユニット２５へ入力
される。ここでは、メモリ領域１６から入力された図３
（ａ）のパターンがメモリ領域２４へ入力された図３
（ｅ）のパターンと重なることを判定して、重なる場合
はその図形のショット時間を設定する際に変調量を与え
る処理を行う。すなわち、図３（ｅ）の例では、重なっ
た図形はＰ1 〜Ｐ3 であり、このパターンについてはシ
ョット時間の変調量Ｖによってショット時間が短くされ
る。また、重なっていないパターンＰ4 については、通
常のショット時間が設定される。ショット時間は、ショ
ット時間設定ユニット２６によって決定され、ブランキ
ング増幅器１３を介してブランキング電極４による電子
ビームのオン／オフのタイミングを制御する。更にメモ
リ領域１６からのパターンデータは、図形比較演算ユニ
ット２５，偏向増幅器１４を介して偏向器５に供給さ
れ、電子ビームの偏向量を制御し、材料３上で電子ビー
ムによる任意のパターンの描画を行う。
【００１１】以上のステップによって各パターンＰ1 〜
Ｐ4 が描画され、その結果、図形が密に存在しているパ
ターンＰ1 〜Ｐ3 については、電子ビームのショット時
間が短くされ、材料への電子ビームのドーズ量が基準値
より少なくされるため、近接効果による最終的に形成さ
れるパターンの膨らみが防止される。
Ｐ4 が描画され、その結果、図形が密に存在しているパ
ターンＰ1 〜Ｐ3 については、電子ビームのショット時
間が短くされ、材料への電子ビームのドーズ量が基準値
より少なくされるため、近接効果による最終的に形成さ
れるパターンの膨らみが防止される。
【００１２】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、上記実施例で
はハードウェアによって本発明の方法を実施したが、ソ
フトウェアによって行うこともできる。また、電子ビー
ム描画を例に説明したが、イオンビームによってパター
ンを描画する場合にも本発明を適用することができる。
明はこの実施例に限定されない。例えば、上記実施例で
はハードウェアによって本発明の方法を実施したが、ソ
フトウェアによって行うこともできる。また、電子ビー
ム描画を例に説明したが、イオンビームによってパター
ンを描画する場合にも本発明を適用することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく荷
電粒子ビーム描画方法は、描画パターンのサイジングを
複数回行い、図形が密に存在する部分のパターンのみを
残し、サイジングされたパターンデータとサイジング以
前のパターンデータとの比較を行い、図形が密に存在す
る部分のパターンと他のパターンとの描画時におけるシ
ョット時間を別に設定するようにしたので、簡単に自動
的に近接効果による図形の膨らみを防止することができ
る。また、本発明によれば、ＣＡＤによるパターンデー
タ作成時において近接効果を予測する事なく作業を行う
ことが可能となる。更に、実際に描画に用いられるパタ
ーンデータ中の各々の図形について、近接効果補正を行
うため、描画に即した補正を行うことができる。更にま
た、近接効果補正のためのパラメータは、描画パターン
データとは独立してスケジュールデータとして指定され
るため、描画条件（電流量，レジスト，ビームサイズ）
を変えた場合でも描画パターンデータを作り直す必要が
なくなる。この結果、データの準備に要する時間を飛躍
的に短縮することができる。
電粒子ビーム描画方法は、描画パターンのサイジングを
複数回行い、図形が密に存在する部分のパターンのみを
残し、サイジングされたパターンデータとサイジング以
前のパターンデータとの比較を行い、図形が密に存在す
る部分のパターンと他のパターンとの描画時におけるシ
ョット時間を別に設定するようにしたので、簡単に自動
的に近接効果による図形の膨らみを防止することができ
る。また、本発明によれば、ＣＡＤによるパターンデー
タ作成時において近接効果を予測する事なく作業を行う
ことが可能となる。更に、実際に描画に用いられるパタ
ーンデータ中の各々の図形について、近接効果補正を行
うため、描画に即した補正を行うことができる。更にま
た、近接効果補正のためのパラメータは、描画パターン
データとは独立してスケジュールデータとして指定され
るため、描画条件（電流量，レジスト，ビームサイズ）
を変えた場合でも描画パターンデータを作り直す必要が
なくなる。この結果、データの準備に要する時間を飛躍
的に短縮することができる。
【図１】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方法を実施
するための電子ビーム描画システムの一例を示す図であ
る。
するための電子ビーム描画システムの一例を示す図であ
る。
【図２】図１のシステム中のデータプロセッシングユニ
ット１１とデータメモリ１２の詳細を示す図である。
ット１１とデータメモリ１２の詳細を示す図である。
【図３】本発明の一実施例における描画パターンのサイ
ジングの様子を示す図である。
ジングの様子を示す図である。
【図４】近接効果による影響を説明するための図であ
る。
る。
１…電子ビームカラム ２…電子銃 ３…被描画材料 ４…ブランキング電極 ５…偏向器 ６…コンピュータ ７…操作端末機 ８…スケジュールデータファイル ９…スケジュールオブジェクトデータファイル １０…描画データファイル １１…データブランキングユニット １２…データメモリ １３…ブランキング増幅器 １４…偏向増幅器 １５…データメモリコントローラ １６，２０，２４…メモリ領域 １７…図形演算ユニット １８…輪郭化処理用演算ユニット １９…データメモリコントローラ１９ ２１，２２…図形演算ユニット ２３…データメモリコントローラ ２４…図形比較用演算ユニット２５ ２６…ショット時間設定ユニット２６ ２７…コントロール信号プロセッサ
Claims (1)
- 【請求項１】 特定のパターン間の距離ｄを設定し、初
期パターンデータに含まれる各パターンの大きさをｄ／
２だけプラスサイジングする第１ステップ、 該第１ステップでプラスサイジングされたパターンデー
タに対し、各パターンの大きさをｄだけマイナスサイジ
ングする第２ステップ、 該第２ステップでマイナスサイジングされたパターンデ
ータに対し、各パターンの大きさをｄ／２だけプラスサ
イジングする第３ステップ、 該第３ステップでプラスサイジングされたパターンデー
タと、前記初期パターンデータとを比較する第４ステッ
プとを有し、 前記第４ステップにおける比較の結果、重なり合ったパ
ターンの描画時と重なり合わないパターンの描画時と
で、被描画材料への荷電粒子ビームのショット時間を異
ならしたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11586891A JPH05243129A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11586891A JPH05243129A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243129A true JPH05243129A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=14673148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11586891A Withdrawn JPH05243129A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243129A (ja) |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP11586891A patent/JPH05243129A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |