JPH05241033A - 光合分岐器 - Google Patents
光合分岐器Info
- Publication number
- JPH05241033A JPH05241033A JP4127292A JP4127292A JPH05241033A JP H05241033 A JPH05241033 A JP H05241033A JP 4127292 A JP4127292 A JP 4127292A JP 4127292 A JP4127292 A JP 4127292A JP H05241033 A JPH05241033 A JP H05241033A
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- Japan
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- optical
- optical waveguide
- electric field
- waveguide
- total reflection
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分岐した各光のパワーを均一にする。
【構成】 上下・左右の２方向の光閉じこめ構造を有す
る光導波路７により入力された光信号は、左右方向の光
閉じこめ構造のみを有する光導波路１０中で拡散しつつ
伝搬し、上下・左右の２方向の光閉じこめ構造を有する
複数の光導波路１１から分岐して出力される。全反射ミ
ラー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄにより電界分布を整形し
て、光導波路１０中の電界分布をフラットにし、分岐光
のパワーを均一にする。
る光導波路７により入力された光信号は、左右方向の光
閉じこめ構造のみを有する光導波路１０中で拡散しつつ
伝搬し、上下・左右の２方向の光閉じこめ構造を有する
複数の光導波路１１から分岐して出力される。全反射ミ
ラー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄにより電界分布を整形し
て、光導波路１０中の電界分布をフラットにし、分岐光
のパワーを均一にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は分岐した各光のパワーが
均一化するよう工夫した光合分岐器に関するものであ
る。
均一化するよう工夫した光合分岐器に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光回路の小型化、高集積化を行なうため
にはコンパクトな光合分岐器が必要である。従来、小型
の光合分岐器としては図７に示す構成のものがある。図
７において、１は上下・左右の２方向の光閉じこめ構造
を有する光導波路、２は上下方向のみの光閉じこめ構造
を有する光導波路（２次元伝搬領域）、３は上下・左右
２方向の光閉じこめ構造を有する光導波路を示してい
る。図８は図７におけるＡ−Ａ断面における断面図で、
４はAl0.6 Ga0.4 Asクラッド層、５はAl 0.2 Ga0.8 Asコ
ア、６はGaAs基板である。図７のＢ−Ｂ断面における断
面図も導波路幅が異なることを除けば図８に示したもの
と同様である。
にはコンパクトな光合分岐器が必要である。従来、小型
の光合分岐器としては図７に示す構成のものがある。図
７において、１は上下・左右の２方向の光閉じこめ構造
を有する光導波路、２は上下方向のみの光閉じこめ構造
を有する光導波路（２次元伝搬領域）、３は上下・左右
２方向の光閉じこめ構造を有する光導波路を示してい
る。図８は図７におけるＡ−Ａ断面における断面図で、
４はAl0.6 Ga0.4 Asクラッド層、５はAl 0.2 Ga0.8 Asコ
ア、６はGaAs基板である。図７のＢ−Ｂ断面における断
面図も導波路幅が異なることを除けば図８に示したもの
と同様である。
【０００３】ここで、この光合分岐器の動作原理につい
て説明する。光導波路１を伝搬する信号光の電界は、ほ
ぼガウシアンとなっている。光導波路１から２次元伝搬
領域となっている光導波路２に入射した信号光は、光導
波路２に左右方向の光閉じこめ構造が存在しないため、
横方向に広がりながら伝搬する。このときの電界分布
は、入射電界のフーリエ変換で表わされるため、やはり
ガウシアンとなる。このときのビームの広がり角θは θ＝tan -1（λ／πω0 ） で与えられる。ここでλは光導波路中での信号光波長、
ω0 は光導波路１と光導波路２の界面におけるビームウ
ェストの半径である。いまω0 ＝１μｍ、λ＝０．４μ
ｍとするとθは約７．３度となる。したがって、空間伝
搬領域の長さがＬ（μｍ）とすると空間伝搬領域の終端
におけるビーム直径は２１・tan θ＝0.256 Ｌ（μｍ）
となり、この範囲にある出力側の光導波路３には信号光
が分岐して行くことになる。もし光導波路３の導波路幅
をｄ（μｍ）、導波路本数をｎ本とすると、必要な２次
元伝搬領域の長さＬは、 Ｌ＝ｄ×ｎ／２／tan θ＝３．９ｎｄ（μｍ） で与えられる。ｎ＝７本、ｄ＝２μｍの場合Ｌ＝５５μ
ｍ必要となる。
て説明する。光導波路１を伝搬する信号光の電界は、ほ
ぼガウシアンとなっている。光導波路１から２次元伝搬
領域となっている光導波路２に入射した信号光は、光導
波路２に左右方向の光閉じこめ構造が存在しないため、
横方向に広がりながら伝搬する。このときの電界分布
は、入射電界のフーリエ変換で表わされるため、やはり
ガウシアンとなる。このときのビームの広がり角θは θ＝tan -1（λ／πω0 ） で与えられる。ここでλは光導波路中での信号光波長、
ω0 は光導波路１と光導波路２の界面におけるビームウ
ェストの半径である。いまω0 ＝１μｍ、λ＝０．４μ
ｍとするとθは約７．３度となる。したがって、空間伝
搬領域の長さがＬ（μｍ）とすると空間伝搬領域の終端
におけるビーム直径は２１・tan θ＝0.256 Ｌ（μｍ）
となり、この範囲にある出力側の光導波路３には信号光
が分岐して行くことになる。もし光導波路３の導波路幅
をｄ（μｍ）、導波路本数をｎ本とすると、必要な２次
元伝搬領域の長さＬは、 Ｌ＝ｄ×ｎ／２／tan θ＝３．９ｎｄ（μｍ） で与えられる。ｎ＝７本、ｄ＝２μｍの場合Ｌ＝５５μ
ｍ必要となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光合分
岐器では、２次元伝搬領域の信号光の電界分布がガウシ
アンなため、出力側の光導波路に分岐された光のパワー
比がガウシアンになってしまい、分岐された各光のパワ
ーが不均一になってしまう。
岐器では、２次元伝搬領域の信号光の電界分布がガウシ
アンなため、出力側の光導波路に分岐された光のパワー
比がガウシアンになってしまい、分岐された各光のパワ
ーが不均一になってしまう。
【０００５】本発明は、上記従来技術に鑑み、光分岐を
均一に行なうことのできる光合分岐器を提供することを
目的とする。
均一に行なうことのできる光合分岐器を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の構成は、上下・左右の２方向の光閉じこめ構造を有
する第１の光導波路と、上下方向の光閉じこめ構造を有
する一方、左右方向の光閉じこめ構造を有しておらず２
次元伝搬領域として機能する第２の光導波路と、上下・
左右の２方向の光閉じこめ構造を有する複数の光導波路
と、を順次接続してなる１入力多出力タイプの光合分岐
器において、第１の光導波路と第２の光導波路の接続
部、あるいは第２の光導波路の少なくとも一部で、入射
電界の一部を反射する位置に全反射ミラーを形成したこ
とを特徴とする。
明の構成は、上下・左右の２方向の光閉じこめ構造を有
する第１の光導波路と、上下方向の光閉じこめ構造を有
する一方、左右方向の光閉じこめ構造を有しておらず２
次元伝搬領域として機能する第２の光導波路と、上下・
左右の２方向の光閉じこめ構造を有する複数の光導波路
と、を順次接続してなる１入力多出力タイプの光合分岐
器において、第１の光導波路と第２の光導波路の接続
部、あるいは第２の光導波路の少なくとも一部で、入射
電界の一部を反射する位置に全反射ミラーを形成したこ
とを特徴とする。
【０００７】
【作用】入力側の第１の光導波路により導かれた光信号
は、その一部が全反射ミラーで反射されて電界分布が整
形され、その後２次元伝搬領域として機能する第２の光
導波路の中でフラットな電界分布状態となって広がりな
がら伝搬し、出力側の複数の第３の光導波路に分岐す
る。
は、その一部が全反射ミラーで反射されて電界分布が整
形され、その後２次元伝搬領域として機能する第２の光
導波路の中でフラットな電界分布状態となって広がりな
がら伝搬し、出力側の複数の第３の光導波路に分岐す
る。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づき詳細に
説明する。
説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例を示した図で
あって、１×７の分岐回路を示している。７は上下・左
右の２方向の光閉じこめ構造を有する光導波路、８ａ〜
８ｄは全反射ミラー、９は電界分布整形領域、１０は上
下方向のみの光閉じこめ構造を有する光導波路（２次元
伝搬領域）、１１は上下・左右の２方向の光閉じこめ構
造を有する光導波路を示している。光導波路７、１１と
も導波路幅が２μｍの基本モードのみが伝搬可能なシン
グルモード導波路で、そのＣ−Ｃ断面及びＦ−Ｆ断面で
の断面構造は図８に示したものと同一である。またＥ−
Ｅ断面での断面構造も導波路幅が３０μｍであることを
除けば図８と同様である。
あって、１×７の分岐回路を示している。７は上下・左
右の２方向の光閉じこめ構造を有する光導波路、８ａ〜
８ｄは全反射ミラー、９は電界分布整形領域、１０は上
下方向のみの光閉じこめ構造を有する光導波路（２次元
伝搬領域）、１１は上下・左右の２方向の光閉じこめ構
造を有する光導波路を示している。光導波路７、１１と
も導波路幅が２μｍの基本モードのみが伝搬可能なシン
グルモード導波路で、そのＣ−Ｃ断面及びＦ−Ｆ断面で
の断面構造は図８に示したものと同一である。またＥ−
Ｅ断面での断面構造も導波路幅が３０μｍであることを
除けば図８と同様である。
【００１０】全反射ミラー８ａ〜８ｄは、図２に示した
ように光導波路の側壁をコアよりも深くエッチングする
ことにより形成する。全反射ミラー８ａ〜８ｄのミラー
面の法線と信号光の光軸とのなす角は７８度であり、全
反射の条件約１８度を越えているため、信号光の一部は
ミラーで全反射され伝搬方向が２４度変化する。なお図
２において、１２はAl0.6 Ga0.4 Asクラッド層、１３は
Al0.2 Ga0.8 Asコア、１４はGaAs基板である。
ように光導波路の側壁をコアよりも深くエッチングする
ことにより形成する。全反射ミラー８ａ〜８ｄのミラー
面の法線と信号光の光軸とのなす角は７８度であり、全
反射の条件約１８度を越えているため、信号光の一部は
ミラーで全反射され伝搬方向が２４度変化する。なお図
２において、１２はAl0.6 Ga0.4 Asクラッド層、１３は
Al0.2 Ga0.8 Asコア、１４はGaAs基板である。
【００１１】ここで図１の構成における光分岐動作につ
いて説明する。信号光は光導波路７から電界分布整形領
域９に入射する。ここで信号光の一部は全反射ミラー８
ａ，８ｂにより伝搬方向が２４度変化する。この信号光
は全反射ミラー８ａ，８ｂと対向している全反射ミラー
８ｃ，８ｄにより伝搬方向が再び変化し、入射時と同一
になり、２次元伝搬領域である光導波路１０に入射す
る。
いて説明する。信号光は光導波路７から電界分布整形領
域９に入射する。ここで信号光の一部は全反射ミラー８
ａ，８ｂにより伝搬方向が２４度変化する。この信号光
は全反射ミラー８ａ，８ｂと対向している全反射ミラー
８ｃ，８ｄにより伝搬方向が再び変化し、入射時と同一
になり、２次元伝搬領域である光導波路１０に入射す
る。
【００１２】この時の電界分布の変化の様子は図３に示
すようになる。電界分布整形領域９に入射した時の電界
分布は図３(a) に示すようにほぼガウシアンになってい
る。図３(a) において、斜線で示される部分は全反射ミ
ラーにより反射される部分を示している。全反射ミラー
で２回反射された信号光の電界分布は図３(b) のように
なる。これは図３(a) で示される入射電界の斜線部を左
右入れ換えたことを示している。図３(b) で示される電
界分布を持った信号光は２次元伝搬領域である光導波路
１０で広がりながら伝搬する。このときの電界分布は入
射電界のフーリエ変換で表わされるために今度は図３
(c) で示されるようなフラットな分布となる。したがっ
て、７本の出力側の導波路１１に分岐された信号光のパ
ワー分布の均一性は向上する。
すようになる。電界分布整形領域９に入射した時の電界
分布は図３(a) に示すようにほぼガウシアンになってい
る。図３(a) において、斜線で示される部分は全反射ミ
ラーにより反射される部分を示している。全反射ミラー
で２回反射された信号光の電界分布は図３(b) のように
なる。これは図３(a) で示される入射電界の斜線部を左
右入れ換えたことを示している。図３(b) で示される電
界分布を持った信号光は２次元伝搬領域である光導波路
１０で広がりながら伝搬する。このときの電界分布は入
射電界のフーリエ変換で表わされるために今度は図３
(c) で示されるようなフラットな分布となる。したがっ
て、７本の出力側の導波路１１に分岐された信号光のパ
ワー分布の均一性は向上する。
【００１３】この構成の光合分岐器に波長１．３μｍの
信号光を光導波路７から入射したところ、光導波路１１
から信号光が取り出され、光信号を７本に分岐する事が
出来た。この時、分岐された信号光強度のばらつきは２
ｄＢ程度で、均一性は良好であった。
信号光を光導波路７から入射したところ、光導波路１１
から信号光が取り出され、光信号を７本に分岐する事が
出来た。この時、分岐された信号光強度のばらつきは２
ｄＢ程度で、均一性は良好であった。
【００１４】以上１×７の光合分岐器について説明して
きたが、これが１×Ｎ（Ｎ＝２、３、４・・・）の場合
についても同様な効果が得られることは言うまでもな
い。また、ここではシングルモード導波路を用いた光合
分岐器について説明したが、この構造がマルチモード導
波路に対して導入されても同様な効果が期待できること
は言うまでもない。
きたが、これが１×Ｎ（Ｎ＝２、３、４・・・）の場合
についても同様な効果が得られることは言うまでもな
い。また、ここではシングルモード導波路を用いた光合
分岐器について説明したが、この構造がマルチモード導
波路に対して導入されても同様な効果が期待できること
は言うまでもない。
【００１５】さらにここでは電界整形領域の構成法とし
て２組の対向する全反射ミラー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ
を用いた場合について説明したが、電界の一部を空間的
に左右入れ換える構造であれば、全反射ミラーの配置は
いかなるものであっても同様な効果が期待できる。例え
ば、図４に示すように、対向する１組の全反射ミラー８
ａ，８ｂを用いたものでも同様な効果が期待できる。ま
た、ここでは電界分布整形領域を入力側の光導波路７と
２次元伝搬領域となる光導波路１０の接続部に形成した
場合について説明したが、電界分布整形領域を２次元伝
搬領域１０の内部に形成した場合についても同様な効果
が期待できることは言うまでもない。
て２組の対向する全反射ミラー８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ
を用いた場合について説明したが、電界の一部を空間的
に左右入れ換える構造であれば、全反射ミラーの配置は
いかなるものであっても同様な効果が期待できる。例え
ば、図４に示すように、対向する１組の全反射ミラー８
ａ，８ｂを用いたものでも同様な効果が期待できる。ま
た、ここでは電界分布整形領域を入力側の光導波路７と
２次元伝搬領域となる光導波路１０の接続部に形成した
場合について説明したが、電界分布整形領域を２次元伝
搬領域１０の内部に形成した場合についても同様な効果
が期待できることは言うまでもない。
【００１６】図５は本発明の第２の実施例を示した図で
あって、１×７の分岐回路を示している。図中１５は上
下・左右の２方向の光閉じこめ構造を有する光導波路、
１６は上下方向のみの光閉じこめ構造を有する光導波路
（２次元伝搬領域）、１７ａ，１７ｂは全反射ミラー、
１８は電界分布整形領域、１９は上下・左右の２方向の
光閉じこめ構造を有する光導波路を示している。光導波
路１５、１９とも光導波路幅が２μｍの基本モードのみ
が伝搬可能なシングルモード導波路で、そのＧ−Ｇ断面
およびＩ−Ｉ断面での断面構造は図８に示したものと同
一である。またＨ−Ｈ断面での断面構造も導波路幅が３
０μｍであることを除けば図８と同様である。
あって、１×７の分岐回路を示している。図中１５は上
下・左右の２方向の光閉じこめ構造を有する光導波路、
１６は上下方向のみの光閉じこめ構造を有する光導波路
（２次元伝搬領域）、１７ａ，１７ｂは全反射ミラー、
１８は電界分布整形領域、１９は上下・左右の２方向の
光閉じこめ構造を有する光導波路を示している。光導波
路１５、１９とも光導波路幅が２μｍの基本モードのみ
が伝搬可能なシングルモード導波路で、そのＧ−Ｇ断面
およびＩ−Ｉ断面での断面構造は図８に示したものと同
一である。またＨ−Ｈ断面での断面構造も導波路幅が３
０μｍであることを除けば図８と同様である。
【００１７】図６は図５のＪ−Ｊ断面における断面構造
を示す図であり、全反射ミラー１７ａ，１７ｂは図６に
示したように光導波路の側壁をコアよりも深くエッチン
グすることにより形成する。全反射ミラー１７ａ，１７
ｂのミラー面の法線と信号光の光軸とのなす角は、それ
ぞれ４７．５度、４２．５度であり、全反射の条件約１
８度を越えているため、信号光の左右半分ずつがミラー
で全反射され伝搬方向がそれぞれ８５度、９５度変化す
る。なお図６において、１９はAl0.6 Ga0.4 Asクラッド
層、２０はAl0.2 Ga0.8 Asコア、２１はGaAs基板であ
る。
を示す図であり、全反射ミラー１７ａ，１７ｂは図６に
示したように光導波路の側壁をコアよりも深くエッチン
グすることにより形成する。全反射ミラー１７ａ，１７
ｂのミラー面の法線と信号光の光軸とのなす角は、それ
ぞれ４７．５度、４２．５度であり、全反射の条件約１
８度を越えているため、信号光の左右半分ずつがミラー
で全反射され伝搬方向がそれぞれ８５度、９５度変化す
る。なお図６において、１９はAl0.6 Ga0.4 Asクラッド
層、２０はAl0.2 Ga0.8 Asコア、２１はGaAs基板であ
る。
【００１８】図５に示す構造によれば、入射信号光の左
右半分ずつがそれぞれ全反射ミラー１７ａ，１７ｂで反
射され、かつ伝搬方向が互いに１０度ずれているため、
特定の距離を伝搬した後には入射電界の左右が入れ換え
られた状態になる。そのため図１の構成の場合と同様
に、７本の出力側の光導波路１９に分岐された信号光の
パワー分布の均一性が向上する。
右半分ずつがそれぞれ全反射ミラー１７ａ，１７ｂで反
射され、かつ伝搬方向が互いに１０度ずれているため、
特定の距離を伝搬した後には入射電界の左右が入れ換え
られた状態になる。そのため図１の構成の場合と同様
に、７本の出力側の光導波路１９に分岐された信号光の
パワー分布の均一性が向上する。
【００１９】なお、ここでは２枚の全反射ミラー１７
ａ，１７ｂを用いた場合について説明したが、３枚以上
の全反射ミラーを用いた場合についても同様の効果が期
待できる。また図５では電界分布整形領域を２次元伝搬
領域１６の内部に形成した例を示しているが、電界分布
領域を入力側光導波路１５と２次元伝搬領域１６の接続
部に形成した場合についても同様の効果が期待できるこ
とは言うまでもない。
ａ，１７ｂを用いた場合について説明したが、３枚以上
の全反射ミラーを用いた場合についても同様の効果が期
待できる。また図５では電界分布整形領域を２次元伝搬
領域１６の内部に形成した例を示しているが、電界分布
領域を入力側光導波路１５と２次元伝搬領域１６の接続
部に形成した場合についても同様の効果が期待できるこ
とは言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】以上実施例とともに、具体的に説明した
ように本発明によれば、光信号の一部を反射して電界分
布を整形する全反射ミラーを形成することにより、２次
元伝搬領域として機能する第２の光導波路中を拡散しつ
つ伝搬する信号光の電界分布がフラットとなるようにし
たので、出力側の各光導波路に分岐された各光のパワー
がほぼ均一になる。
ように本発明によれば、光信号の一部を反射して電界分
布を整形する全反射ミラーを形成することにより、２次
元伝搬領域として機能する第２の光導波路中を拡散しつ
つ伝搬する信号光の電界分布がフラットとなるようにし
たので、出力側の各光導波路に分岐された各光のパワー
がほぼ均一になる。
【図１】本発明の第１実施例に係る光分岐器を示す構成
図。
図。
【図２】図１のＤ−Ｄ断面を示す断面図。
【図３】実施例の光合分岐器における光電界分布を示す
特性図。
特性図。
【図４】第１実施例の変形例を示す構成図。
【図５】本発明の第２実施例に係る光合分岐器を示す構
成図。
成図。
【図６】図５のＪ−Ｊ断面を示す断面図。
【図７】従来の光合分岐器を示す構成図。
【図８】図７のＡ−Ａ断面を示す断面図。
１ 光導波路 ２ 光導波路（２次元伝搬領域） ３ 光導波路 ４ クラッド ５ コア ６ 基板 ７ 光導波路 ８ａ〜８ｄ 全反射ミラー ９ 電界分布整形領域 １０ 光導波路（２次元伝搬領域） １１ 光導波路 １２ クラッド １３ コア １４ 基板 １５ 光導波路 １６ 光導波路（２次元伝搬領域） １７ａ，１７ｂ 全反射ミラー １８ 電界分布整形領域 １９ クラッド ２０ コア ２１ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 上下・左右の２方向の光閉じこめ構造を
有する第１の光導波路と、上下方向の光閉じこめ構造を
有する一方、左右方向の光閉じこめ構造を有しておらず
２次元伝搬領域として機能する第２の光導波路と、上下
・左右の２方向の光閉じこめ構造を有する複数の光導波
路と、を順次接続してなる１入力多出力タイプの光合分
岐器において、 第１の光導波路と第２の光導波路の接続部、あるいは第
２の光導波路の少なくとも一部で、入射電界の一部を反
射する位置に全反射ミラーを形成したことを特徴とする
光合分岐器。 - 【請求項２】 全反射ミラーをほぼ平行に対向させ、導
波路幅を狭くすることを特徴とする請求項１記載の光合
分岐器。 - 【請求項３】 複数の全反射ミラーを、互いに隣りあう
ミラーとなす角が鈍角となるようにつなぎ合わせ、導波
路の光軸上に配置したことを特徴とする請求項１記載の
光合分岐器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4127292A JPH05241033A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 光合分岐器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4127292A JPH05241033A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 光合分岐器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05241033A true JPH05241033A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12603808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4127292A Withdrawn JPH05241033A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 光合分岐器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05241033A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06273629A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Hitachi Cable Ltd | 光スターカップラ |
| JP2001042146A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | アレイ導波路回折格子 |
| JP2007279240A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光回路 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4127292A patent/JPH05241033A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06273629A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Hitachi Cable Ltd | 光スターカップラ |
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