JPH05237694A - 金系ろう材の製造方法 - Google Patents
金系ろう材の製造方法Info
- Publication number
- JPH05237694A JPH05237694A JP32314991A JP32314991A JPH05237694A JP H05237694 A JPH05237694 A JP H05237694A JP 32314991 A JP32314991 A JP 32314991A JP 32314991 A JP32314991 A JP 32314991A JP H05237694 A JPH05237694 A JP H05237694A
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- Japan
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- rapid solidification
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 急冷凝固法で製造した金系共晶合金を、打ち
抜き或いは切断等の加工ができるように変形能を改善す
る。 【構成】 急冷凝固法により製造した非結晶質または多
結晶質のAu−Si系共晶合金の箔を、不活性雰囲気下
で、箔内に生じた金属間化合物が消滅する温度以上、金
系共晶合金の融点以下の温度で熱処理する。 【効果】 急冷凝固法により製造した金系共晶合金の変
形能を改善し、機械加工(せん断、打ち抜き等)を可能
とする。
抜き或いは切断等の加工ができるように変形能を改善す
る。 【構成】 急冷凝固法により製造した非結晶質または多
結晶質のAu−Si系共晶合金の箔を、不活性雰囲気下
で、箔内に生じた金属間化合物が消滅する温度以上、金
系共晶合金の融点以下の温度で熱処理する。 【効果】 急冷凝固法により製造した金系共晶合金の変
形能を改善し、機械加工(せん断、打ち抜き等)を可能
とする。
Description
【0001】
【発明の利用分野】この発明は、電子機器を構成する半
導体素子部品の組立及び部品を相互に接続する技術の1
つである、ろう付けに使用する金系共晶合金のろう材の
製造方法に関するものである。
導体素子部品の組立及び部品を相互に接続する技術の1
つである、ろう付けに使用する金系共晶合金のろう材の
製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的に、上記ろう材は、合金を溶解後
特殊な方法で熱間圧延、冷間圧延し、箔を製造してこの
箔を打ち抜き、あるいは切断して所定のサイズに加工し
て使用する。
特殊な方法で熱間圧延、冷間圧延し、箔を製造してこの
箔を打ち抜き、あるいは切断して所定のサイズに加工し
て使用する。
【0003】これに対し特開昭60−199593号公
報に示されているように、経済性の良い方法として、急
冷凝固法よりAu,Ag,Pb,Bi,Si,Sn,S
b,In,Geから選ばれた2種以上からなる合金の箔
を製造する方法が提案されている。この内の金系ろう材
は、流動性、ぬれ性、熱伝導性、耐熱性、耐食性に優
れ、半導体シリコンチップと共晶接合しやすく、IC用
ろう材としては非常に重要なものである。
報に示されているように、経済性の良い方法として、急
冷凝固法よりAu,Ag,Pb,Bi,Si,Sn,S
b,In,Geから選ばれた2種以上からなる合金の箔
を製造する方法が提案されている。この内の金系ろう材
は、流動性、ぬれ性、熱伝導性、耐熱性、耐食性に優
れ、半導体シリコンチップと共晶接合しやすく、IC用
ろう材としては非常に重要なものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法で製造した箔の内金系のものには、下記の問題があ
る。 (1)金系共晶多結晶箔は、金属間化合物を生成し、圧
延方式で製造した箔に比べて変形能が小さく、機械加工
すると箔が飛散した状態となり、加工性の面で全く実用
化できない。 (2)金系共晶非結晶箔は、製造当初は非常に変形能が
良いが、常温で放置すると、硬くて脆い箔に変化して、
多結晶箔と同じ性質となる(ここで非結晶箔とは、18
0℃曲げに耐えられる箔、多結晶箔とは180℃曲げに
耐えられない箔ということで区別した。)。
法で製造した箔の内金系のものには、下記の問題があ
る。 (1)金系共晶多結晶箔は、金属間化合物を生成し、圧
延方式で製造した箔に比べて変形能が小さく、機械加工
すると箔が飛散した状態となり、加工性の面で全く実用
化できない。 (2)金系共晶非結晶箔は、製造当初は非常に変形能が
良いが、常温で放置すると、硬くて脆い箔に変化して、
多結晶箔と同じ性質となる(ここで非結晶箔とは、18
0℃曲げに耐えられる箔、多結晶箔とは180℃曲げに
耐えられない箔ということで区別した。)。
【0005】これら急冷凝固後の金系の箔が、加工性に
おいて問題があるのは、主として金属組織に起因するも
のと想定し、何らかの後処理によって改善できないかと
の観点で、発明者等は種々の試験を行った。その結果、
特定の条件下で熱処理すれば、加工性を飛躍的に改善で
きるとの知見を得た。
おいて問題があるのは、主として金属組織に起因するも
のと想定し、何らかの後処理によって改善できないかと
の観点で、発明者等は種々の試験を行った。その結果、
特定の条件下で熱処理すれば、加工性を飛躍的に改善で
きるとの知見を得た。
【0006】すなわち本発明は、急冷凝固法で製造した
金系共晶合金を、打ち抜き或いは切断等の加工ができる
ように変形能を改善する方法を提供することを目的とす
る。
金系共晶合金を、打ち抜き或いは切断等の加工ができる
ように変形能を改善する方法を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、金系共晶合金の箔の変形能を改善する方法
として、該箔を金属間化合物を消滅させる温度以上、融
点以下の温度で熱処理することを特徴とするものであ
る。より具体的には金系共晶合金箔は、非結晶質または
多結晶質であり、Au−Si系共晶合金の箔では不活性
雰囲気下で200℃〜360℃の温度で熱処理すること
が好ましい。
するために、金系共晶合金の箔の変形能を改善する方法
として、該箔を金属間化合物を消滅させる温度以上、融
点以下の温度で熱処理することを特徴とするものであ
る。より具体的には金系共晶合金箔は、非結晶質または
多結晶質であり、Au−Si系共晶合金の箔では不活性
雰囲気下で200℃〜360℃の温度で熱処理すること
が好ましい。
【0008】本発明は、金系の共晶合金(Au−Si
系、Au−Sn系、Au−Ge系、Au−Sb系、Au
−Ga系等)の全体に適用できるものであるが、以下A
u−Si系合金の実例をもとに本発明を説明する。図1
は、溶鋼を急冷して箔とする装置である。1は、金属を
溶解する、溶解容器である。共晶成分に調整した合金
(Au−3.15wt%)4を、この容器1中で溶解
し、ノズル2より回転ロール3上に噴射して冷却し、箔
5を形成してコイルに巻取る。図2は、この箔を熱処理
する装置である。6は炉殻であり、7は発熱体である。
急冷凝固後の箔5は、この炉の中で、不活性雰囲気下で
熱処理される。8は、不活性ガスの入口、9は不活性ガ
スの出口である。炉温は熱電対10により、制御され
る。
系、Au−Sn系、Au−Ge系、Au−Sb系、Au
−Ga系等)の全体に適用できるものであるが、以下A
u−Si系合金の実例をもとに本発明を説明する。図1
は、溶鋼を急冷して箔とする装置である。1は、金属を
溶解する、溶解容器である。共晶成分に調整した合金
(Au−3.15wt%)4を、この容器1中で溶解
し、ノズル2より回転ロール3上に噴射して冷却し、箔
5を形成してコイルに巻取る。図2は、この箔を熱処理
する装置である。6は炉殻であり、7は発熱体である。
急冷凝固後の箔5は、この炉の中で、不活性雰囲気下で
熱処理される。8は、不活性ガスの入口、9は不活性ガ
スの出口である。炉温は熱電対10により、制御され
る。
【0009】
【作用】図1の急冷凝固装置により製造したAu−Si
系合金箔は、図2に示す熱処理装置によって、不活性ガ
ス雰囲気下で所定の温度に制御され熱処理される。この
工程において、重要なことは、非酸化性雰囲気で行うこ
とである。すなわち、酸化性雰囲気で熱処理すると、酸
化して粉状となるためである。又、熱処理は200℃〜
363℃の範囲で行われることが好ましい。表1に熱処
理温度と曲げ試験の関係を示したが、熱処理温度の下限
値は、表1に示す実験結果に基づくものである。すなわ
ち、200℃より下の温度では、曲げ試験で容易に割れ
てしまう。これは後述するような金属間化合物が存在し
ているためと推定される。一方、363℃を超えると融
けてしまう。従って熱処理温度は200℃〜363℃と
するのがよい。なお、表1においては、加工性を示す指
標を曲げ性能で評価をしており、180℃曲げが可能で
あるならば、切断及び打ち抜きが可能であるのでこれを
目標とした。
系合金箔は、図2に示す熱処理装置によって、不活性ガ
ス雰囲気下で所定の温度に制御され熱処理される。この
工程において、重要なことは、非酸化性雰囲気で行うこ
とである。すなわち、酸化性雰囲気で熱処理すると、酸
化して粉状となるためである。又、熱処理は200℃〜
363℃の範囲で行われることが好ましい。表1に熱処
理温度と曲げ試験の関係を示したが、熱処理温度の下限
値は、表1に示す実験結果に基づくものである。すなわ
ち、200℃より下の温度では、曲げ試験で容易に割れ
てしまう。これは後述するような金属間化合物が存在し
ているためと推定される。一方、363℃を超えると融
けてしまう。従って熱処理温度は200℃〜363℃と
するのがよい。なお、表1においては、加工性を示す指
標を曲げ性能で評価をしており、180℃曲げが可能で
あるならば、切断及び打ち抜きが可能であるのでこれを
目標とした。
【0010】
【表1】 図1の装置により製造したままの箔体5は、このままで
は変形能が小さく使用に耐えない。これは下記の理由に
よるものと推定される。図3に急冷凝固後熱処理前の箔
を顕微鏡で観察したの断面組織写真を示す(中央部の白
地状帯が箔断面)。急冷凝固後熱処理前の箔には、Au
81Si19、Au7 Si1 、Au5 Si1 等の金属間化合
物が析出しており、このために変形能が悪いと推定して
いる。表層は、内部とは、別の金属間化合物が析出して
おり、これが図3に示すやや黒っぽい非連続線状部分で
あろうと考えられる。この箔は色彩上銀色を呈している
が、これは金属間化合物によるものと推定している。図
4は急冷凝固後に熱処理を実施した箔の断面顕微鏡組織
写真である。この写真から明らかなように、図3にみら
れた表面の黒っぽい非連続線状部分が消失している。す
なわち熱処理後この箔は金色をしており、これは金属間
化合物が消失して、Auが晶出したためであると考えら
れる。急冷凝固法により製造された箔においては、冷却
速度が早過ぎる為、Auの晶出が起こる前に金属間化合
物が析出してしまう。この箔を200℃以上363℃以
下の温度で熱処理を行うと、金属間化合物が分解すると
ともにAuとSiの原子が拡散移動して、AuとSiの
共晶組織となる。
は変形能が小さく使用に耐えない。これは下記の理由に
よるものと推定される。図3に急冷凝固後熱処理前の箔
を顕微鏡で観察したの断面組織写真を示す(中央部の白
地状帯が箔断面)。急冷凝固後熱処理前の箔には、Au
81Si19、Au7 Si1 、Au5 Si1 等の金属間化合
物が析出しており、このために変形能が悪いと推定して
いる。表層は、内部とは、別の金属間化合物が析出して
おり、これが図3に示すやや黒っぽい非連続線状部分で
あろうと考えられる。この箔は色彩上銀色を呈している
が、これは金属間化合物によるものと推定している。図
4は急冷凝固後に熱処理を実施した箔の断面顕微鏡組織
写真である。この写真から明らかなように、図3にみら
れた表面の黒っぽい非連続線状部分が消失している。す
なわち熱処理後この箔は金色をしており、これは金属間
化合物が消失して、Auが晶出したためであると考えら
れる。急冷凝固法により製造された箔においては、冷却
速度が早過ぎる為、Auの晶出が起こる前に金属間化合
物が析出してしまう。この箔を200℃以上363℃以
下の温度で熱処理を行うと、金属間化合物が分解すると
ともにAuとSiの原子が拡散移動して、AuとSiの
共晶組織となる。
【0011】このようなメカニズムで箔の変形能が改善
されるものと考えられるが、このメカニズムは他の金系
ろう材にも適用でき、それぞれの成分系に応じた熱処理
温度を箔内に生じた金属間化合物が生ずる温度以上とす
ることにより、加工性が飛躍的に改善できることを確認
している。
されるものと考えられるが、このメカニズムは他の金系
ろう材にも適用でき、それぞれの成分系に応じた熱処理
温度を箔内に生じた金属間化合物が生ずる温度以上とす
ることにより、加工性が飛躍的に改善できることを確認
している。
【0012】
【実施例】下記組成(イ)の溶鋼をCu製ロールにて急
冷凝固条件(ロ)にて急冷凝固を行い、サイズ(ハ)の
箔を得た。得られた箔は銀色を呈しており、急冷凝固直
後では、180℃曲げ試験において全く割れは認められ
なかった。しかし、該箔を常温で大気中に3時間放置す
ると硬くて脆い箔に変化し、180℃曲げ試験において
容易に割れた。この箔を熱処理条件(ニ)にて熱処理を
行った。熱処理後の箔の色は金色であり、180℃曲げ
試験において割れは認められなかった。また、熱処理後
の箔を打ち抜き試験を行ったところ、打ち抜き性に全く
問題は無かった。 (イ)金系合金の組成 Si:3.15wt% 残部:
Au (ロ)急冷凝固条件 溶解温度 400℃ 鋳造量 200g 雰囲気 He (ハ)箔のサイズ 幅6mm、厚み50μm (ニ)熱処理条件 温度 250℃ 時間 5分 雰囲気 He
冷凝固条件(ロ)にて急冷凝固を行い、サイズ(ハ)の
箔を得た。得られた箔は銀色を呈しており、急冷凝固直
後では、180℃曲げ試験において全く割れは認められ
なかった。しかし、該箔を常温で大気中に3時間放置す
ると硬くて脆い箔に変化し、180℃曲げ試験において
容易に割れた。この箔を熱処理条件(ニ)にて熱処理を
行った。熱処理後の箔の色は金色であり、180℃曲げ
試験において割れは認められなかった。また、熱処理後
の箔を打ち抜き試験を行ったところ、打ち抜き性に全く
問題は無かった。 (イ)金系合金の組成 Si:3.15wt% 残部:
Au (ロ)急冷凝固条件 溶解温度 400℃ 鋳造量 200g 雰囲気 He (ハ)箔のサイズ 幅6mm、厚み50μm (ニ)熱処理条件 温度 250℃ 時間 5分 雰囲気 He
【0013】
【発明の効果】急冷凝固により製造した金系共晶合金は
変形能が悪く、機械加工(せん断、打ち抜き等)が不可
能(歩留0%)であるが、本発明の熱処理によりこれを
可能とすることができる。
変形能が悪く、機械加工(せん断、打ち抜き等)が不可
能(歩留0%)であるが、本発明の熱処理によりこれを
可能とすることができる。
【0014】また、圧延法に対し、経済的に有利な急冷
凝固法により製造した箔がろう材の素材として適用でき
るに至った工業的効果は極めて大きい。
凝固法により製造した箔がろう材の素材として適用でき
るに至った工業的効果は極めて大きい。
【図1】本発明の急冷凝固装置の概要を示す。
【図2】本発明の熱処理装置の概要を示す。
【図3】本発明による急冷凝固後熱処理前の箔を顕微鏡
で観察した断面金属組織写真を示す。
で観察した断面金属組織写真を示す。
【図4】本発明による急冷凝固後熱処理後の箔を顕微鏡
で観察した断面金属組織写真を示す。
で観察した断面金属組織写真を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 新 福岡県北九州市戸畑区飛幡町1番1号 新 日本製鐵株式会社八幡製鐵所内
Claims (2)
- 【請求項1】 急冷凝固法により製造した非結晶質また
は多結晶質の金系共晶合金箔を、不活性雰囲気下で箔内
に生じた金属間化合物が消滅する温度以上金系共晶合金
の融点以下の温度で熱処理することを特徴とする金系ろ
う材の製造方法。 - 【請求項2】 急冷凝固法により製造した非結晶質また
は多結晶質のAu−Si系共晶合金の箔を、不活性雰囲
気下で200℃〜363℃の温度で熱処理することを特
徴とする金系ろう材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32314991A JPH05237694A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 金系ろう材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32314991A JPH05237694A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 金系ろう材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05237694A true JPH05237694A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=18151634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32314991A Withdrawn JPH05237694A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 金系ろう材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05237694A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7851910B2 (en) | 2003-04-01 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Diffusion soldered semiconductor device |
-
1991
- 1991-12-06 JP JP32314991A patent/JPH05237694A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7851910B2 (en) | 2003-04-01 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Diffusion soldered semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |