JPH05234161A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05234161A JPH05234161A JP3796592A JP3796592A JPH05234161A JP H05234161 A JPH05234161 A JP H05234161A JP 3796592 A JP3796592 A JP 3796592A JP 3796592 A JP3796592 A JP 3796592A JP H05234161 A JPH05234161 A JP H05234161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic layer
- layer
- temperature
- temp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 転写性が良好な重ね書き可能な光磁気記録媒
体を提供することを目的とする。 【構成】 第１及び第２の磁性層は垂直磁気異方性を有
し、該第２の磁性層は第１の磁性層に比べてキュリー温
度が高く、室温における保磁力が小さい磁性層であり、
室温において第１及び第２の磁性層よりも垂直磁気異方
性が小さいか又は面内磁気異方性を有する磁性層又は非
磁性体を第３層として第１及び第２の磁性層の中間に介
して磁気的に結合してなる積層膜を有する重ね書き可能
な光磁気記録媒体において、該第２の磁性層は室温から
キュリー温度の範囲内で磁気的補償温度を有さない希土
類−遷移金属合金であり、重ね書きを行う時に該第２の
磁性層の磁化が該第１の磁性層に転写される際の温度域
において該第１の磁性層の反転磁界の最大値が３ＫＯｅ
以上であり、かつ第１の磁性層の室温における保磁力以
下であることを特徴とする。
体を提供することを目的とする。 【構成】 第１及び第２の磁性層は垂直磁気異方性を有
し、該第２の磁性層は第１の磁性層に比べてキュリー温
度が高く、室温における保磁力が小さい磁性層であり、
室温において第１及び第２の磁性層よりも垂直磁気異方
性が小さいか又は面内磁気異方性を有する磁性層又は非
磁性体を第３層として第１及び第２の磁性層の中間に介
して磁気的に結合してなる積層膜を有する重ね書き可能
な光磁気記録媒体において、該第２の磁性層は室温から
キュリー温度の範囲内で磁気的補償温度を有さない希土
類−遷移金属合金であり、重ね書きを行う時に該第２の
磁性層の磁化が該第１の磁性層に転写される際の温度域
において該第１の磁性層の反転磁界の最大値が３ＫＯｅ
以上であり、かつ第１の磁性層の室温における保磁力以
下であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光の強度のみを変調して
重ね書きを行うことができる光磁気記録媒体に係わり、
特に重ね書き特性の優れた媒体に関する。
重ね書きを行うことができる光磁気記録媒体に係わり、
特に重ね書き特性の優れた媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気ディスクでは記録された情
報を書き換える際に消去のプロセスが必要であり、この
ためにディスクを余分に１回転させねばならず、記録の
際の情報の転送レートが小さいという問題を有する。こ
れを解決するために、近年、重ね書きの研究が盛んであ
り、浮上磁気ヘッドを用いた磁界変調法による重ね書き
や、光強度変調による重ね書き方法が検討されている。
報を書き換える際に消去のプロセスが必要であり、この
ためにディスクを余分に１回転させねばならず、記録の
際の情報の転送レートが小さいという問題を有する。こ
れを解決するために、近年、重ね書きの研究が盛んであ
り、浮上磁気ヘッドを用いた磁界変調法による重ね書き
や、光強度変調による重ね書き方法が検討されている。
【０００３】この中でも光強度変調による重ね書きは、
両面ディスクを使用することができるので記録容量が大
きく、また磁界変調法では信号に対応して高速で磁界を
変調するための複雑な装置が必要であるのに対して、光
変調ではその必要もなく有利であると言われている。
両面ディスクを使用することができるので記録容量が大
きく、また磁界変調法では信号に対応して高速で磁界を
変調するための複雑な装置が必要であるのに対して、光
変調ではその必要もなく有利であると言われている。
【０００４】光強度変調による重ね書きでは、記録する
信号に対応して光強度を変調するが、この強度に応じて
記録媒体を、室温よりも高い温度ＴL とＴL よりも高い
温度ＴH に加熱し、それぞれを記録情報の「０」と
「１」に対応させて記録を行う。
信号に対応して光強度を変調するが、この強度に応じて
記録媒体を、室温よりも高い温度ＴL とＴL よりも高い
温度ＴH に加熱し、それぞれを記録情報の「０」と
「１」に対応させて記録を行う。
【０００５】ところで、記録媒体を基板側からメモリ層
である第１の磁性層と記録層である第２の磁性層とを、
界面磁壁エネルギーを調節するための中間層である第３
の磁性層を介して磁気的に結合させた３層媒体で構成す
る場合（特開平２−２４８０１号）、温度ＴL におい
て、あらかじめ初期化磁界によって一定の方向に磁化さ
れた第２の磁性層の磁化が第１の磁性層に転写されるプ
ロセスが行われなければならない。
である第１の磁性層と記録層である第２の磁性層とを、
界面磁壁エネルギーを調節するための中間層である第３
の磁性層を介して磁気的に結合させた３層媒体で構成す
る場合（特開平２−２４８０１号）、温度ＴL におい
て、あらかじめ初期化磁界によって一定の方向に磁化さ
れた第２の磁性層の磁化が第１の磁性層に転写されるプ
ロセスが行われなければならない。
【０００６】この転写は、そのプロセスが起こる温度域
において、一般的に下記に示される反転磁界Ｈ12が大き
いほど容易に行われ、良好な特性を示す。 Ｈ12＝Ｈw1−Ｈc1、 Ｈw1＝σｗ／２Ｍs1ｈ1 σｗ：第１磁性層と第２磁性層の界面の磁壁エネルギー
（単位：emu/cm2 ） Ｍs1：第１磁性層の飽和磁化（単位：emu/cm3 ） ｈ1 ：第１磁性層の膜厚（単位：cm） Ｈc1：第１磁性層の保磁力（単位：Oe）
において、一般的に下記に示される反転磁界Ｈ12が大き
いほど容易に行われ、良好な特性を示す。 Ｈ12＝Ｈw1−Ｈc1、 Ｈw1＝σｗ／２Ｍs1ｈ1 σｗ：第１磁性層と第２磁性層の界面の磁壁エネルギー
（単位：emu/cm2 ） Ｍs1：第１磁性層の飽和磁化（単位：emu/cm3 ） ｈ1 ：第１磁性層の膜厚（単位：cm） Ｈc1：第１磁性層の保磁力（単位：Oe）
【０００７】そこで、この転写性を改良するために上記
第３の磁性層である中間層に、特異な磁気特性を有する
ものを用いる（特開平２−１２１１０３号）などの提案
がなされている。
第３の磁性層である中間層に、特異な磁気特性を有する
ものを用いる（特開平２−１２１１０３号）などの提案
がなされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な提案によっても上記の反転磁界Ｈ12の正の値の最大値
は、せいぜい２K0e 程度であり（例えば、第１４回日本
応用磁気学会学術講演概要集（１９９０），１０ｐＦ−
６）、転写の容易な小さな記録ビットの場合はよいが、
今後、記録密度の向上のために採用されると思われるエ
ッジ記録などで用いられるような大きな記録ビットの場
合には転写が不十分になる可能性がある。
な提案によっても上記の反転磁界Ｈ12の正の値の最大値
は、せいぜい２K0e 程度であり（例えば、第１４回日本
応用磁気学会学術講演概要集（１９９０），１０ｐＦ−
６）、転写の容易な小さな記録ビットの場合はよいが、
今後、記録密度の向上のために採用されると思われるエ
ッジ記録などで用いられるような大きな記録ビットの場
合には転写が不十分になる可能性がある。
【０００９】かかる事情に鑑み、本発明者は鋭意検討し
た結果、メモリ層である第１の磁性層と記録層である第
２の磁性層が、上記第１及び第２の磁性層よりも垂直磁
気異方性が小さいかまたは内面磁気異方性を有する第３
の磁性層を介するか、または非磁性体の中間層を介して
積層してなるオーバーライト媒体において、第２の磁性
層を室温からキュリー温度の範囲内で磁気的補償温度を
有さない希土類−遷移金属合金とし、反転磁界Ｈ12の最
大値が３KOe 以上で、第１の磁性層の室温における保磁
力以下である媒体が、転写性が極めて良好な媒体を作成
し得ることを見いだし、本発明を慣性させるに至った。
た結果、メモリ層である第１の磁性層と記録層である第
２の磁性層が、上記第１及び第２の磁性層よりも垂直磁
気異方性が小さいかまたは内面磁気異方性を有する第３
の磁性層を介するか、または非磁性体の中間層を介して
積層してなるオーバーライト媒体において、第２の磁性
層を室温からキュリー温度の範囲内で磁気的補償温度を
有さない希土類−遷移金属合金とし、反転磁界Ｈ12の最
大値が３KOe 以上で、第１の磁性層の室温における保磁
力以下である媒体が、転写性が極めて良好な媒体を作成
し得ることを見いだし、本発明を慣性させるに至った。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、第１
及び第２の磁性層は垂直磁気異方性を有し、該第２の磁
性層は第１の磁性層に比べてキュリー温度が高く、室温
における保磁力が小さい磁性層であり、室温において第
１及び第２の磁性層よりも垂直磁気異方性が小さいか又
は面内磁気異方性を有する磁性層又は非磁性体を第３層
として第１及び第２の磁性層の中間に介して磁気的に結
合してなる積層膜を有する重ね書き可能な光磁気記録媒
体において、該第２の磁性層は室温からキュリー温度の
範囲内で磁気的補償温度を有さない希土類−遷移金属合
金であり、重ね書きを行う時に該第２の磁性層の磁化が
該第１の磁性層に転写される際の温度域において該第１
の磁性層の反転磁界の最大値が３ＫＯｅ以上であり、か
つ第１の磁性層の室温における保磁力以下であることを
特徴とする光磁気記録媒体である。
及び第２の磁性層は垂直磁気異方性を有し、該第２の磁
性層は第１の磁性層に比べてキュリー温度が高く、室温
における保磁力が小さい磁性層であり、室温において第
１及び第２の磁性層よりも垂直磁気異方性が小さいか又
は面内磁気異方性を有する磁性層又は非磁性体を第３層
として第１及び第２の磁性層の中間に介して磁気的に結
合してなる積層膜を有する重ね書き可能な光磁気記録媒
体において、該第２の磁性層は室温からキュリー温度の
範囲内で磁気的補償温度を有さない希土類−遷移金属合
金であり、重ね書きを行う時に該第２の磁性層の磁化が
該第１の磁性層に転写される際の温度域において該第１
の磁性層の反転磁界の最大値が３ＫＯｅ以上であり、か
つ第１の磁性層の室温における保磁力以下であることを
特徴とする光磁気記録媒体である。
【００１１】本発明による記録媒体を用いた光磁気ディ
スクの構成の一例を図１に基づき説明する。ポリカーボ
ネイト、ポリメチルメタクリレートなどの透明樹脂また
はガラスからなる透明基板１の上に、シリコンナイトラ
イド、アルミニウムナイトライドなどの透明誘電体膜２
があり、その上に本発明に係わるメモリ層である第１の
磁性層３、中間層である第３の磁性層４、記録層である
第２の磁性層５が積層してなる記録媒体層があり、さら
にその上に記録媒体層を保護するためのシリコンナイト
ライド、アルミニウムナイトライドなどの透明誘電体膜
６がある。
スクの構成の一例を図１に基づき説明する。ポリカーボ
ネイト、ポリメチルメタクリレートなどの透明樹脂また
はガラスからなる透明基板１の上に、シリコンナイトラ
イド、アルミニウムナイトライドなどの透明誘電体膜２
があり、その上に本発明に係わるメモリ層である第１の
磁性層３、中間層である第３の磁性層４、記録層である
第２の磁性層５が積層してなる記録媒体層があり、さら
にその上に記録媒体層を保護するためのシリコンナイト
ライド、アルミニウムナイトライドなどの透明誘電体膜
６がある。
【００１２】光磁気ディスクの構成は上記に限定される
ものではなく、透明誘電体膜６の上にＡｌ、ＡｌＣｒ、
ＡｌＴｉ等からなる金属層があってもよいし、さらにそ
の上にシリコンナイトライド、アルミニウムナイトライ
ドなどの透明誘電体膜が積層されていてもよい。また、
透明誘電体膜６を介さず、直接Ａｌ、ＡｌＣｒ、ＡｌＴ
ｉ等の金属層があってもよい。
ものではなく、透明誘電体膜６の上にＡｌ、ＡｌＣｒ、
ＡｌＴｉ等からなる金属層があってもよいし、さらにそ
の上にシリコンナイトライド、アルミニウムナイトライ
ドなどの透明誘電体膜が積層されていてもよい。また、
透明誘電体膜６を介さず、直接Ａｌ、ＡｌＣｒ、ＡｌＴ
ｉ等の金属層があってもよい。
【００１３】メモリ層である第１の磁性層３は室温にお
ける保磁力が大きく、キュリー温度の低い磁性体であ
り、一般的に垂直磁気異方性の大きいＴｂＦｅやＴｂＦ
ｅＣｏなどの希土類−遷移金属のアモルファス合金から
選択され、中間層である第３の磁性層４は、上記第１及
び第２の磁性層よりも垂直磁気異方性が小さい磁性体で
あり、一般的にＧｄＦｅＣｏなどの希土類−遷移金属の
アモルファス合金から選択される。
ける保磁力が大きく、キュリー温度の低い磁性体であ
り、一般的に垂直磁気異方性の大きいＴｂＦｅやＴｂＦ
ｅＣｏなどの希土類−遷移金属のアモルファス合金から
選択され、中間層である第３の磁性層４は、上記第１及
び第２の磁性層よりも垂直磁気異方性が小さい磁性体で
あり、一般的にＧｄＦｅＣｏなどの希土類−遷移金属の
アモルファス合金から選択される。
【００１４】なお、第１の磁性層および第３の磁性層共
に必ずしも希土類−遷移金属のアモルファス合金である
必要はなく、上記の保磁力とキュリー温度の条件を満足
するものであればよい。また、中間層はシリコンやシリ
コンナイトライドなどの非磁性体であってもよい。
に必ずしも希土類−遷移金属のアモルファス合金である
必要はなく、上記の保磁力とキュリー温度の条件を満足
するものであればよい。また、中間層はシリコンやシリ
コンナイトライドなどの非磁性体であってもよい。
【００１５】本発明に係わる記録層である第２の磁性層
５は室温における保磁力が第１の磁性層よりも小さく、
キュリー温度が第１の磁性層依りも高く、室温からキュ
リー温度の範囲において磁気的補償温度を有さない希土
類−遷移金属のアモルファス合金であり、重ね書きを行
う時に該第２の磁性層の磁化が該第１の磁性層に転写さ
れる際の温度域において該第１の磁性層の反転磁界の最
大値が３ＫＯｅ以上であり、かつ第１の磁性層の室温に
おける保磁力以下であることを満足するものであり、一
般的に第１の磁性層よりも垂直磁気異方性の小さいＧｄ
ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ等から
選択される。また、上記の第１、第２、第３の磁性層に
は膜の腐食を抑制するためにＣｒ、Ｔｉなどの活性金属
が含有されていてもよい。
５は室温における保磁力が第１の磁性層よりも小さく、
キュリー温度が第１の磁性層依りも高く、室温からキュ
リー温度の範囲において磁気的補償温度を有さない希土
類−遷移金属のアモルファス合金であり、重ね書きを行
う時に該第２の磁性層の磁化が該第１の磁性層に転写さ
れる際の温度域において該第１の磁性層の反転磁界の最
大値が３ＫＯｅ以上であり、かつ第１の磁性層の室温に
おける保磁力以下であることを満足するものであり、一
般的に第１の磁性層よりも垂直磁気異方性の小さいＧｄ
ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ等から
選択される。また、上記の第１、第２、第３の磁性層に
は膜の腐食を抑制するためにＣｒ、Ｔｉなどの活性金属
が含有されていてもよい。
【００１６】このように構成された光磁気ディスクに情
報を重ね書きするには、まず数KOeの初期化磁界ＨINIT
で第２の磁性層の磁化の向きを一定方向に揃える。この
時、第１の磁性層は既に書き込まれている情報に対応す
る記録ビットが消去されないように保持していなければ
ならない。この後、記録に要する強度のバイアス磁界Ｈ
B のもとで、情報の「０」に対応した低レベルのレーザ
ー光または「１」に対応した高レベルのレーザー光を照
射し、それぞれ磁性層を室温より高い温度ＴLとＴL よ
り高い温度ＴH に加熱する。
報を重ね書きするには、まず数KOeの初期化磁界ＨINIT
で第２の磁性層の磁化の向きを一定方向に揃える。この
時、第１の磁性層は既に書き込まれている情報に対応す
る記録ビットが消去されないように保持していなければ
ならない。この後、記録に要する強度のバイアス磁界Ｈ
B のもとで、情報の「０」に対応した低レベルのレーザ
ー光または「１」に対応した高レベルのレーザー光を照
射し、それぞれ磁性層を室温より高い温度ＴLとＴL よ
り高い温度ＴH に加熱する。
【００１７】磁性層が温度ＴL に加熱されたときには第
２磁性層の磁化がバイアス磁界ＨBに抗して第１磁性層
に転写され、温度ＴH に加熱されたときには第１、第２
磁性層共にバイアス磁界ＨB により磁化の反転が生じ
る。温度ＴL と温度ＴH で記録される第１磁性層の磁化
の向きが逆になるように、初期化磁界ＨINITとバイアス
磁界ＨB の向きを設定しておけば、消去動作を行うこと
なく、光の強度変調のみによって情報に対応して「０」
と「１」が記録され、重ね書きが可能となる。
２磁性層の磁化がバイアス磁界ＨBに抗して第１磁性層
に転写され、温度ＴH に加熱されたときには第１、第２
磁性層共にバイアス磁界ＨB により磁化の反転が生じ
る。温度ＴL と温度ＴH で記録される第１磁性層の磁化
の向きが逆になるように、初期化磁界ＨINITとバイアス
磁界ＨB の向きを設定しておけば、消去動作を行うこと
なく、光の強度変調のみによって情報に対応して「０」
と「１」が記録され、重ね書きが可能となる。
【００１８】さらに詳細に磁性層に関して述べる。まず
第１の磁性層は初期化磁界ＨINITによって磁化反転が起
こらないように室温での保磁力が大きくなければならな
い。特に限定されるものではないが通常、第１の磁性層
の室温での保磁力は１５KOe以上が好ましい。キュリー
温度は温度ＴL で保磁力が十分小さくなり第２の磁性層
からの転写が容易に行われるように、ＴL 近傍であるこ
とが好ましい。また膜厚に関しては、情報を再生する時
に光が照射される側の磁性層であり、光が透過しない程
度に厚くなければならないが、一方温度ＴL での転写時
にはあまり厚いと転写が困難になるため、約２００〜５
００Åが適当である。
第１の磁性層は初期化磁界ＨINITによって磁化反転が起
こらないように室温での保磁力が大きくなければならな
い。特に限定されるものではないが通常、第１の磁性層
の室温での保磁力は１５KOe以上が好ましい。キュリー
温度は温度ＴL で保磁力が十分小さくなり第２の磁性層
からの転写が容易に行われるように、ＴL 近傍であるこ
とが好ましい。また膜厚に関しては、情報を再生する時
に光が照射される側の磁性層であり、光が透過しない程
度に厚くなければならないが、一方温度ＴL での転写時
にはあまり厚いと転写が困難になるため、約２００〜５
００Åが適当である。
【００１９】中間層である第３の磁性層は、第１の磁性
層と第２の磁性層の間に作用する交換結合力を調節する
機能を有していなければならない。すなわち、室温にお
いては垂直磁気異方性が小さく、第１の磁性層と第２の
磁性層の間に作用する交換結合力を弱めて第２の磁性層
が初期化磁界によって反転する際に同時に第１の磁性層
が反転することを抑制し、温度ＴL においては比較的大
きな垂直磁気異方性を持ち、第２の磁性層の磁化が第１
の磁性層に転写しやすくする。このためには、第３の磁
性層にはＧｄＦｅＣｏなどの希土類−遷移金属のフェリ
磁性合金で、室温での垂直磁気異方性が小さな組成のも
のが好ましく、膜厚は約１００〜３００Åが好ましい
が、これも特に限定されるものではない。
層と第２の磁性層の間に作用する交換結合力を調節する
機能を有していなければならない。すなわち、室温にお
いては垂直磁気異方性が小さく、第１の磁性層と第２の
磁性層の間に作用する交換結合力を弱めて第２の磁性層
が初期化磁界によって反転する際に同時に第１の磁性層
が反転することを抑制し、温度ＴL においては比較的大
きな垂直磁気異方性を持ち、第２の磁性層の磁化が第１
の磁性層に転写しやすくする。このためには、第３の磁
性層にはＧｄＦｅＣｏなどの希土類−遷移金属のフェリ
磁性合金で、室温での垂直磁気異方性が小さな組成のも
のが好ましく、膜厚は約１００〜３００Åが好ましい
が、これも特に限定されるものではない。
【００２０】また、中間層に非磁性体を用いる場合に
は、上記の中間層の機能の内、室温においては磁性体を
用いる場合と同様であるが、温度ＴL における機能は期
待できない。非磁性体の場合の膜厚は磁性体の時よりも
薄く、限定されるものではないが約５０Å以下が好まし
い。
は、上記の中間層の機能の内、室温においては磁性体を
用いる場合と同様であるが、温度ＴL における機能は期
待できない。非磁性体の場合の膜厚は磁性体の時よりも
薄く、限定されるものではないが約５０Å以下が好まし
い。
【００２１】本発明に係わる第２の磁性層は、室温にお
いて初期化磁界ＨINITによって容易に磁化反転が可能な
ように保磁力が小さくなければならず、特に限定はない
が通常、室温において第１の磁性層の保磁力以下、好ま
しくは５KOe 以下のものである。一方、温度ＴL におい
てはバイアス磁界ＨB によって磁化反転が生じないよう
に十分大きな保磁力を有していなければならず、このた
め従来は、磁気的補償温度近傍にて保磁力が大きくなる
ことを利用して、温度ＴL 近傍に磁気的補償温度を設定
していたが、本発明においては磁気的補償温度を有さな
い磁性層であっても、十分な保磁力を有していることを
見いだすと共に、温度ＴL においても磁化反転が起こら
ず安定であることを見いだした。
いて初期化磁界ＨINITによって容易に磁化反転が可能な
ように保磁力が小さくなければならず、特に限定はない
が通常、室温において第１の磁性層の保磁力以下、好ま
しくは５KOe 以下のものである。一方、温度ＴL におい
てはバイアス磁界ＨB によって磁化反転が生じないよう
に十分大きな保磁力を有していなければならず、このた
め従来は、磁気的補償温度近傍にて保磁力が大きくなる
ことを利用して、温度ＴL 近傍に磁気的補償温度を設定
していたが、本発明においては磁気的補償温度を有さな
い磁性層であっても、十分な保磁力を有していることを
見いだすと共に、温度ＴL においても磁化反転が起こら
ず安定であることを見いだした。
【００２２】さらに、本発明のような積層磁性膜からな
る光変調による重ね書きが可能な光磁気記録媒体の再生
信号品質は、主に上記第２の磁性層によって決定される
が、磁気的補償温度を有する磁性層では、良好な再生信
号品質を示す媒体が得にくいことがあり、本発明に係わ
る第２の磁性層がこの点でも優れていることを見いだし
た。また、キュリー温度は、温度ＴL において磁化が消
失しないように十分高くなければならず、一方、温度Ｔ
H においてバイアス磁界ＨB により磁化反転が起こるよ
うに設定されなければならず、特に限定はないが通常約
２５０〜３５０℃が好ましい。膜厚に関しては、上記の
ように温度ＴL での磁化の安定性およびディスクの記録
感度を考慮して設定され、これも特に限定されないが通
常１０００Å程度が好ましい。
る光変調による重ね書きが可能な光磁気記録媒体の再生
信号品質は、主に上記第２の磁性層によって決定される
が、磁気的補償温度を有する磁性層では、良好な再生信
号品質を示す媒体が得にくいことがあり、本発明に係わ
る第２の磁性層がこの点でも優れていることを見いだし
た。また、キュリー温度は、温度ＴL において磁化が消
失しないように十分高くなければならず、一方、温度Ｔ
H においてバイアス磁界ＨB により磁化反転が起こるよ
うに設定されなければならず、特に限定はないが通常約
２５０〜３５０℃が好ましい。膜厚に関しては、上記の
ように温度ＴL での磁化の安定性およびディスクの記録
感度を考慮して設定され、これも特に限定されないが通
常１０００Å程度が好ましい。
【００２３】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、メモリ層で
ある第１の磁性層と記録層である第２の磁性層が、中間
層を介して磁気的結合した積層膜であって、該第２の磁
性層が室温からキュリー温度の範囲内で磁気的補償温度
を有さない磁性層からなっており、さらに第１の磁性層
の反転磁界Ｈ12の最大値が３KOe 以上であり、かつ第１
の磁性層の室温における保磁力以下のものとすることに
より、温度ＴL での転写が容易に行われ、良好な重ね書
き特性を示す。
ある第１の磁性層と記録層である第２の磁性層が、中間
層を介して磁気的結合した積層膜であって、該第２の磁
性層が室温からキュリー温度の範囲内で磁気的補償温度
を有さない磁性層からなっており、さらに第１の磁性層
の反転磁界Ｈ12の最大値が３KOe 以上であり、かつ第１
の磁性層の室温における保磁力以下のものとすることに
より、温度ＴL での転写が容易に行われ、良好な重ね書
き特性を示す。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００２５】実施例１ ポリカーボネート樹脂からなる透明ディスク基板と反転
磁界測定用のガラス基板にマグネトロンスパッタ装置に
て、シリコンナイトライドの誘電体膜を成膜し、次いで
室温において遷移金属の磁化が優勢（以下、ＴＭリッ
チ）で、保磁力が１５KOe 以上キュリー温度１９０℃の
第１磁性層であるＴｂＦｅＣｏを３００Å成膜し、次に
室温において希土類金属の磁化が優勢（以下、ＲＥリッ
チ）で、飽和磁化３００emu/cm3 の第３磁性層であるＧ
ｄＦｅＣｏを１００Å成膜し、更にＲＥリッチで、飽和
磁化２７８emu/cm3 、保磁力４．０KOe 、キュリー温度
２６０℃で補償温度を持たない第２磁性層であるＧｄＴ
ｂＦｅＣｏを９００Å成膜し、最後に保護層としてシリ
コンナイトライドを８００Å成膜した。ガラス基板に成
膜した媒体サンプルを加熱しながらカー回転角測定装置
にて反転磁界を測定したところ、１７０℃にて３．５KO
e を示した。
磁界測定用のガラス基板にマグネトロンスパッタ装置に
て、シリコンナイトライドの誘電体膜を成膜し、次いで
室温において遷移金属の磁化が優勢（以下、ＴＭリッ
チ）で、保磁力が１５KOe 以上キュリー温度１９０℃の
第１磁性層であるＴｂＦｅＣｏを３００Å成膜し、次に
室温において希土類金属の磁化が優勢（以下、ＲＥリッ
チ）で、飽和磁化３００emu/cm3 の第３磁性層であるＧ
ｄＦｅＣｏを１００Å成膜し、更にＲＥリッチで、飽和
磁化２７８emu/cm3 、保磁力４．０KOe 、キュリー温度
２６０℃で補償温度を持たない第２磁性層であるＧｄＴ
ｂＦｅＣｏを９００Å成膜し、最後に保護層としてシリ
コンナイトライドを８００Å成膜した。ガラス基板に成
膜した媒体サンプルを加熱しながらカー回転角測定装置
にて反転磁界を測定したところ、１７０℃にて３．５KO
e を示した。
【００２６】次にディスクの転写特性をみた。まず、線
速５．６５ｍ／ｓ、バイアス磁界５００Oeにて３．７MH
z および２．０MHz の信号を記録し、次に初期化磁界
７．５KOe で初期化を行なった後、バイアス磁界５００
OeのもとでＤＣ光を照射して転写特性をみたところ、両
周波数の信号とも４〜５mVのパワーで完全に消去され、
良好な特性を示した。
速５．６５ｍ／ｓ、バイアス磁界５００Oeにて３．７MH
z および２．０MHz の信号を記録し、次に初期化磁界
７．５KOe で初期化を行なった後、バイアス磁界５００
OeのもとでＤＣ光を照射して転写特性をみたところ、両
周波数の信号とも４〜５mVのパワーで完全に消去され、
良好な特性を示した。
【００２７】実施例２ 実施例１と同様にポリカーボネート樹脂からなる透明デ
ィスク基板と反転磁界測定用のガラス基板にマグネトロ
ンスパッタ装置にて、シリコンナイトライドの誘電体膜
を成膜し、次いでＴＭリッチで保磁力が１５KOe 以上、
キュリー温度１９０℃の第１磁性層であるＴｂＦｅＣｏ
を２５０Å成膜し、次にＲＥリッチで飽和磁化１８０em
u/cm3 の第３磁性層であるＧｄＦｅＣｏを１５０Å成膜
し、更にＲＥリッチで飽和磁化２８６emu/cm3 、保磁力
２．０KOe 、キュリー温度３００℃で補償温度を持たな
い第２磁性層であるＧｄＴｂＦｅＣｏを９００Å成膜
し、最後に保護層としてシリコンナイトライドを８００
Å成膜した。ガラス基板に成膜した媒体サンプルを加熱
しながらカー回転角測定装置にて反転磁界を測定したと
ころ、１５０℃にて６．６KOe を示した。
ィスク基板と反転磁界測定用のガラス基板にマグネトロ
ンスパッタ装置にて、シリコンナイトライドの誘電体膜
を成膜し、次いでＴＭリッチで保磁力が１５KOe 以上、
キュリー温度１９０℃の第１磁性層であるＴｂＦｅＣｏ
を２５０Å成膜し、次にＲＥリッチで飽和磁化１８０em
u/cm3 の第３磁性層であるＧｄＦｅＣｏを１５０Å成膜
し、更にＲＥリッチで飽和磁化２８６emu/cm3 、保磁力
２．０KOe 、キュリー温度３００℃で補償温度を持たな
い第２磁性層であるＧｄＴｂＦｅＣｏを９００Å成膜
し、最後に保護層としてシリコンナイトライドを８００
Å成膜した。ガラス基板に成膜した媒体サンプルを加熱
しながらカー回転角測定装置にて反転磁界を測定したと
ころ、１５０℃にて６．６KOe を示した。
【００２８】次にディスクの転写特性をみた。まず、線
速５．６５ｍ／ｓ、バイアス磁界５００Oeにて、３．７
MHz および２．０MHz の信号を記録し、次に初期化磁界
５．０KOe で初期化を行なった後、バイアス磁界５００
OeのもとでＤＣ光を照射して転写特性をみたところ、両
周波数の信号とも３．５〜６．０mVのパワーで完全に消
去され、実施例１よりもさらに良好な特性を示した。
速５．６５ｍ／ｓ、バイアス磁界５００Oeにて、３．７
MHz および２．０MHz の信号を記録し、次に初期化磁界
５．０KOe で初期化を行なった後、バイアス磁界５００
OeのもとでＤＣ光を照射して転写特性をみたところ、両
周波数の信号とも３．５〜６．０mVのパワーで完全に消
去され、実施例１よりもさらに良好な特性を示した。
【図１】本発明に係わる光磁気ディスクの構造図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 誘電体膜 ３ 第１の磁性層 ４ 第３の磁性層 ５ 第２の磁性層 ６ 誘電体膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平川 学 兵庫県姫路市網干区新在家1239 ダイセル 化学工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 第１及び第２の磁性層は垂直磁気異方性
を有し、該第２の磁性層は第１の磁性層に比べてキュリ
ー温度が高く、室温における保磁力が小さい磁性層であ
り、室温において第１及び第２の磁性層よりも垂直磁気
異方性が小さいか又は面内磁気異方性を有する磁性層又
は非磁性体を第３層として第１及び第２の磁性層の中間
に介して磁気的に結合してなる積層膜を有する重ね書き
可能な光磁気記録媒体において、該第２の磁性層は室温
からキュリー温度の範囲内で磁気的補償温度を有さない
希土類−遷移金属合金であり、重ね書きを行う時に該第
２の磁性層の磁化が該第１の磁性層に転写される際の温
度域において該第１の磁性層の反転磁界の最大値が３Ｋ
Ｏｅ以上であり、かつ第１の磁性層の室温における保磁
力以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3796592A JPH05234161A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3796592A JPH05234161A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234161A true JPH05234161A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12512280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3796592A Pending JPH05234161A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234161A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3026124A1 (de) * | 1979-07-12 | 1981-01-29 | Exxon Research Engineering Co | Schraubenfeder und verfahren zu ihrer herstellung |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP3796592A patent/JPH05234161A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3026124A1 (de) * | 1979-07-12 | 1981-01-29 | Exxon Research Engineering Co | Schraubenfeder und verfahren zu ihrer herstellung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0492581B1 (en) | Method of reproduction from magneto-optical recording medium | |
| JPH04229432A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5420833A (en) | Magneto-optical recording medium having first and second magnetic layers | |
| JP3078145B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0535499B2 (ja) | ||
| JPH10134435A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05234161A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH056588A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JPH0542062B2 (ja) | ||
| JP3092363B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH06195784A (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報記録方法 | |
| JPH04219642A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JP3218735B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3592399B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05342677A (ja) | 光磁気記録再生方法 | |
| JP3075048B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JPH1125533A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3355759B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JPH06309710A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0676405A (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体の記録方法 | |
| JPH08335341A (ja) | 光磁気記録再生方法およびこれに用いる光磁気記録媒体 | |
| JPH10162440A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH07262632A (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JPH08315437A (ja) | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録方法 | |
| JPH07262631A (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |