JPH08315437A - 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板上に、光の入射側から記録層、それより
キュリー温度が高く室温での保磁力の小さい書き込み
層、書き込み層と同種の元素の副格子磁気モーメントが
逆に配向しているカー回転角キャンセル層がその順に積
層されている光磁気記録媒体を用い、低パワーと高パワ
ーの光を照射し２値の情報をオーバーライト記録する。 【効果】 磁気超解像が全磁性層を薄膜化した光磁気記
録媒体で実現でき、高速記録が可能な低材料コストの高
密度光磁気記録媒体および良好な情報記録方法の提供が
可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光により情報の記録再生を行う光磁気記録媒
体に関し、媒体の高密度化を可能とする光磁気記録方法
および光磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。

【０００３】従来の光磁気記録媒体の記録方法では、記
録時に３段階のプロセス（旧データの消去、新データの
記録、新データが正しく記録されたか否かの確認）を必
要とする。そのため、情報を書き換えるためにディスク
を３回転する必要があり、それだけ情報の書き換えに時
間を要する。

【０００４】そのため、この３段階のプロセスのうち消
去プロセスをなくし、旧データの上に直接新データを記
録するオーバーライト方法（光変調方式と磁界変調方
式）が提示されており、盛んに検討されている。そのう
ち磁界変調方式は、光入射側と反対側から磁界を印加す
るために、２つのディスクを貼り合わせて記録容量を高
めることが不可能であり、また、磁気ヘッドの磁界変調
速度には限界があることから記録速度を高めることが困
難である。

【０００５】それに対して光変調方式は、レーザー光を
変調して磁区を形成し記録を行うものである。この方法
では、媒体を両面貼り合わせ構造として大容量化するこ
とが可能であり、また光レーザーのスイッチング速度は
磁気ヘッドの磁界変調速度に対して高速であるため、記
録速度を高めることができる。

【０００６】例えば、特開昭６２−１７５９４８号公報
では、例えばＴｂＦｅからなる記録層とＴｂＦｅＣｏか
らなる補助層との２層膜を備えた光磁気記録媒体を用
い、初期化を行った後、外部磁界の印加をパワーの異な
るレーザービームの照射によりオーバーライトを実現す
ることが試られている。

【０００７】この方式では、記録に先立ちあらかじめ初
期化磁界により補助層の磁化を一方向にそろえ、低出力
レーザーを照射して、補助層の磁化情報を補助層のキュ
リー温度より高い温度まで昇温させ、記録用磁界（初期
化磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化を反転さ
せ、媒体が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写さ
せることにより記録を行う。

【０００８】また、特開平１−５０９０２０号公報で
は、前述の特開昭６２−１７５９４８号公報記載の媒体
に初期化層を付加して、初期化磁界を必要としない光変
調オーバーライト記録の試みが開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら前記
特開昭６２−１７５９４８号公報記載の光磁気記録媒体
および特開平１−５０９０２０号公報記載の光磁気記録
媒体では、光入射側に最も近い記録層と他の層の副格子
磁化の方向が、再生時に必ずしも一致しないため、良好
なＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）を得るために、記録層以外の層の磁
区情報を十分マスクできる程度に記録層の膜厚を大きく
する必要がある。具体的には、特開平４−２５５９３８
号公報に記載されている通り、記録層の膜厚が１５ｎｍ
以下では記録層の下の層の影響が２５％以上出るため、
実用に必要な信号を得るためには２０〜３０ｎｍ以上の
膜厚の記録層が必要となる。このように前記光磁気記録
媒体では、記録層ひいては全磁性層の膜厚を低減するこ
とができない。

【００１０】近年、光磁気記録媒体の線速度を上げて記
録速度を高める要求が高まっているが、磁性層の膜厚が
大きい媒体は全体の熱容量が高いため、記録に大きな光
パワーを要する。半導体レーザー等の光パワーの出力に
は限度があるので、前記光磁気記録媒体はこの要求に応
えることが困難である。また、反射層を設けてエンハン
ス構造としてＣ／Ｎを上昇させることができない。

【００１１】さらに、磁性材料は一般に材料コストの高
い希土類金属を用いることが多く、厚膜の磁性層を用い
ると媒体の材料費が高くなり安価な光磁気記録媒体を提
供することが難しい。

【００１２】よって、このような従来の光磁気記録媒体
および記録再生方法においては、光変調オーバーライト
を高速記録と同時に実現し安価な光磁気記録媒体で提供
することが困難である。

【００１３】本発明は上記問題に鑑み、全磁性層を薄膜
化した光磁気記録媒体で磁気超解像を実現し、高速記録
が可能な低材料コストの高密度光磁気記録媒体およびそ
の媒体を用いた良好な情報記録方法を提供することを目
的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも各
々垂直磁化膜からなる第１磁性層、第２磁性層および第
３磁性層が、光の入射面より第１磁性層、第２磁性層お
よび第３磁性層の順に基板上に積層され、前記第１磁性
層のキュリー温度は前記第２磁性層のキュリー温度より
低く、前記第２磁性層は前記第１磁性層より室温での保
磁力が小さく、該第２磁性層と該第３磁性層は、同種の
元素の副格子磁気モーメントが互いに逆向きに配向して
いることを特徴とする光磁気記録媒体、ならびにその光
磁気記録媒体に対して、光入射前に垂直方向に初期化磁
界を印加して、第２磁性層の磁化を初期化磁界の方向に
揃えた後、垂直方向に初期化磁界とは逆向きの記録磁界
を印加しながら、全磁性層を有してなる磁性膜を、
（ａ）光照射によって、前記第１磁性層のキュリー温度
以上で前記第２磁性層のキュリー温度より低い温度まで
昇温させ、該第１磁性層と初期化磁界の方向に揃った前
記第２磁性層とを交換結合させて安定化させる第１種の
記録と、（ｂ）前記第１種の記録の場合より高パワーの
光照射によって、前記磁性膜を第２磁性層のキュリー温
度以上に昇温させることで、前記第１磁性層および第２
磁性層の磁化を記録磁界の方向に揃えて安定させる第２
種の記録により、２値の記録を行う情報記録方法を提供
する。

【００１５】さらに本発明は、少なくとも各々垂直磁化
膜からなる第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層および
第４磁性層が、光の入射面より第１磁性層、第２磁性
層、第４磁性層および第３磁性層の順に基板上に積層さ
れ、前記第１磁性層のキュリー温度は前記第２磁性層の
キュリー温度より低く、前記第４磁性層のキュリー温度
は前記第１磁性層および第２磁性層のいずれのキュリー
温度より高く、前記第２磁性層は前記第１磁性層よりも
室温での保磁力が小さく、前記第４磁性層および第３磁
性層は、前記第１磁性層および第２磁性層のいずれより
室温での保磁力が大きく、前記第４磁性層と前記第３磁
性層は、同種の元素の副格子磁気モーメントが互いに逆
向きに配向することを特徴とする光磁気記録媒体、なら
びにその光磁気記録媒体の第４磁性層の磁化を垂直の一
方向に配向させた後に、垂直方向に外部磁界を印加しな
がら、全磁性層を有してなる磁性膜を、（ａ）光照射に
より、前記第１磁性層のキュリー点より以上で前記第２
磁性層のキュリー点より低い温度まで昇温させ、前記第
１磁性層を前記第２磁性層に交換結合させて安定化させ
る第１種の記録と、（ｂ）前記第１種の記録の場合より
高パワーの光照射によって、前記磁性膜を第２磁性層の
キュリー温度以上に昇温させることで、前記第１磁性層
および第２磁性層の磁化を記録磁界の方向に揃えて安定
させる第２種の記録により、２値の記録を行う情報記録
方法を提供する。

【００１６】本発明の光磁気記録媒体は、従来の光変調
オーバーライト媒体に薄膜からなるθｋキャンセル層を
設けており、記録層以外の磁性層とθｋキャンセル層の
副格子磁気モーメントが互いに逆向きである２層膜構成
としてこれらの層のカー回転角（θｋ）が見かけ上ゼロ
となるようにしてある。このため、レーザー光が記録層
を透過しても記録層の磁区情報が検出されることがな
い。よって、記録層ひいては磁性層全体の膜厚を小さく
することが可能となる。よって、本発明の光磁気記録媒
体および記録方法では高線速記録が実現でき、記録速度
が向上し、コストが低減し、同時に反射膜構成の膜構造
にすることもできるため、エンハンス効果によるＣ／Ｎ
上昇も可能となる。

【００１７】

【作用】以下、図面を用いて本発明の光磁気記録媒体な
らびにその媒体を用いた記録および再生の方法について
詳しく説明する。

【００１８】以下、第１磁性層を記録層、第２磁性層を
書き込み層、第３磁性層をθｋキヤンセル層、第４磁性
層を初期化層、第５磁性層を中間層、第６磁性層をスイ
ッチング層と称して取り扱う。

【００１９】本実施例の光磁気記録媒体は図１（ａ）に
示すように、少なくとも記録層、書き込み層、θｋキャ
ンセル層を積層してなるものである。またより特性を向
上させるためにさらに反射層を設けると良い。さらにθ
ｋキャンセル層と反射層の間に誘電体からなる干渉層を
設けても良い。

【００２０】記録層は、垂直磁気異方性が大きく安定に
磁化状態が保持できるものが好適で、中でも、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類−
鉄族非晶質合金が最も望ましい。あるいは、ガーネッ
ト；Ｐｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの白金族−鉄族周期構
造膜；ＰｔＣｏ、ＰｄＣｏなどの白金族−鉄族合金など
を用いても良い。

【００２１】θｋキャンセル層は、記録層以外の磁性層
（書き込み層、中間層、スイッチング層、初期化層等を
指す）と反対の向きのＴＭ副格子磁化を持つ磁性層であ
り、記録層以外の磁性層で発生するカー回転角を補償し
て相殺するものである。このθｋキャンセル層と書き込
み層あるいは初期化層等の光入射側にある磁性膜とはＴ
Ｍ副格子磁化の向きが逆向きであることが必要である。
このためには、これらの層の間に誘電体などの交換力を
切断する層を入れるのが好ましい。

【００２２】また、記録層と書き込み層の間に生じる磁
壁部分のエネルギーを下げて安定に記録層の磁化情報を
保持するために記録層と書き込み層の間に、これらの層
よりも磁壁エネルギーの小さい中間層を設けても良い。

【００２３】上記構成に加えて、初期化磁界をなくすた
めに初期化層を設けてもよい。またこの場合さらに書き
込み層と初期化層の間にキュリー温度の低いスイッチン
グ層を設けてもよい。

【００２４】また再生層、中間層および記録層等の全体
の磁性層は、上記高温領域においては、光が透過してθ
ｋがキャンセルできる程度に薄くする必要がある。この
ためには、少なくとも３５ｎｍ以下が好ましく、より好
ましくは２５ｎｍ以下、更に好ましくは２０ｎｍとす
る。なお、上述の磁性層には、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｎｂなどの耐食性改善のための元素添加を行なって
も良い。

【００２５】記録方法 次に、本発明の光磁気記録媒体の記録方法を述ベる。本
発明の光磁気記録媒体に記録を行う場合、光変調オーバ
ーライトによって、記録層に磁化情報を記録する。

【００２６】本発明の媒体は、基本的に記録層、書き込
み層、θｋキャンセル層を有する。さらにこれらに加え
てスイッチング層、初期化層、中間層を設けることがで
きる。図２はその例をいくつか示したものであり、１は
第１磁性層（記録層）、２は第２磁性層（書き込み
層）、３は第３磁性層（θｋキャンセル層）、４は第４
磁性層（初期化層）、５は第５磁性層（中間層）、６は
第６磁性層（スイッチング層）、７は界面磁壁もしくは
遮断層である。

【００２７】まず、記録層１、書き込み層２、θｋキャ
ンセル層３を有する基本媒体（Ａ）を用いて光変調オー
バーライトを行う方法を述ベる。この媒体は、図２
（ａ）に示した構成を有する。この媒体に光変調オーバ
ーライトを行う場合は、記録用の光ビームを照射する前
に初期化磁界により書き込み層の磁化を初期化磁界の方
向へ一様にそろえる。記録層の磁化は初期化磁界には影
響を受けない。この様子を図２（ａ）に示した。その
後、記録磁界を印加しながら、低パワーもしくは高パワ
ーの光を照射して新情報に基づいたマークの記録および
消去を旧情報の上に直接行い、２値の情報をオーバーラ
イト記録する。なお、図２では白抜きの矢印が全体の磁
化を、黒印の矢印が副格子磁化の向きを示している。こ
れは、例えば記録層に鉄族元素優勢であり、書き込み層
に希土類元素優勢であるフェリ磁性の希土類−鉄族元素
合金を用いた場合、白抜きの矢印が全体の磁化を、黒印
の矢印が鉄族元素の磁化を示す。

【００２８】（１）消去（第１種の記録） 消去は、低パワーの記録パワーを照射して行う。この
時、記録層はキュリー温度近辺またはそれ以上に昇温
し、書き込み層はそのキュリー温度より低い温度であっ
て、初期化された状態を保持している。そして、記録層
は保磁力が低下して書き込み層と交換結合等により磁気
的に結合して、書き込み層にならい旧情報の如何に関わ
らず、消去状態となる。記録層を書き込み層にならわせ
ることを容易にするため、記録層のキュリー温度は書き
込み層のキュリー温度より低いことが望まれる。

【００２９】（２）記録 記録は、消去の場合より高パワーの記録パワーを照射し
て行う。この時、書き込み層は記録層とともにキュリー
温度付近もしくはそれ以上に昇温される。昇温された後
書き込み層と記録層は、記録磁界に対して安定な方向に
磁化が配向して安定となる。この向きは、消去状態とは
異なり、記録状態である。

【００３０】次に（Ａ）で述べた媒体に初期化層を加え
た媒体（Ｂ）（図２（ｃ））について述べる。この場合
は、初期化磁界の印加は必要でなく、記録磁界を印加し
ながら、低パワーもしくは高パワーの光を照射して記録
消去を旧情報の上に直接行い、２値の情報をオーバーラ
イト記録する。また、書き込み層は記録後は、常に初期
化層と交換結合等により磁気的に結合している。なお、
初期化層は、他の磁性層に比ベて大きな保磁力を有して
おり、媒体作成後大きな磁場によって一方向に磁化され
た後は、その状態を記録、再生、保存時、全てについて
保持している。 （１）消去 消去は、低パワーの記録パワーを照射する。この時、記
録層はキュリー温度付近もしくはそれ以上の温度となる
が、書き込み層はそのキュリー温度より低く、初期化状
態となっている。そして、記録層は保磁力が低下して書
き込み層と交換結合等により磁気的に結合して、書き込
み層にならい旧情報の如何に関わらず、消去状態とな
る。

【００３１】（２）記録 記録は、高パワーの記録パワーを照射する。この時、書
き込み層は記録層とともにキュリー温度付近もしくはそ
れ以上に昇温される。昇温後、書き込み層と記録層は、
記録磁界に対して安定な方向に磁化が配向して安定とな
る。この向きは、消去状態とは異なり、記録状態であ
る。

【００３２】記録後に、温度が下がり、消去の時と同じ
温度になるが、この時再び形成された記録磁区が消去さ
れないようにする必要がある。このため、高パワーを照
射した後に、記録層に安定に記録磁区が形成されるまで
は、記録層と書き込み層は結合しており、記録層に安定
に記録磁区が形成された後に、書き込み層が再び初期化
層と結合する必要がある。この過程をスムーズに行うた
め、図２（ｄ）に示したようにスイッチング層を初期化
層と書き込み層の間に設けても良い。このスイッチング
層は初期化層と書き込み層よりもキュリー温度を低くし
て、記録層の保磁力が十分大きくなった後に書き込み層
が初期化層にならうようにする。

【００３３】また、（Ａ）と（Ｂ）のいずれの媒体も、
記録層と書き込み層の間に生じる磁壁部分の工ネルギー
を低減し安定に記録層の磁区を保存する等の目的で、記
録層と書き込み層の間に磁壁エネルギーの小さい中間層
を設けても良い。このように媒体（Ａ）に中間層５を設
けた場合を図２（ｂ）に、媒体（Ｂ）に中間層５、スイ
ッチング層６を設けた場合を図２（ｄ）に示した。

【００３４】再生方法 次に、本発明の光磁気記録媒体の再生方法を述ベる。

【００３５】再生は、記録後の磁区状態が安定に保たれ
るように、記録時の低パワー（消去パワー）よりも低い
パワーの光を照射して行う。

【００３６】また、本媒体では、従来の光変調オーバー
ライト媒体にθｋキャンセル層が設けてあるのが特徴で
ある。この層を設けることにより、記録層のみの磁化情
報が検出されて、θｋキャンセル層以外の層（例えば、
上述の（Ａ）媒体では基本的には書き込み層であり、中
間層を設けた場合は書き込み層および中間層を指す。さ
らに、上述の（Ｂ）媒体では基本的には書き込み層、初
期化層およびスイッチング層であって、さらに中間層を
設けた場合には書き込み層、初期化層、スイッチング層
および中間層を指す。）の磁化情報が検出されないよう
にする。

【００３７】まず、媒体（Ａ）の場合について説明す
る。

【００３８】再生時には、図２（ａ）に示したように、
書き込み層とθｋキャンセル層のＴＭ副格子磁化の向き
が逆向きとなっている。この状態を達成する方法の例と
して、図２（ａ）に示したように書き込み層とθｋキャ
ンセル層を、ＴＭ副格子磁化の向きと全体の磁化の向き
が同じ層と異なる層からなるようにし、外部磁界、例え
ぱ、記録時にかける初期化磁界を利用して、全体の磁化
方向を同じ向きにするものが挙げられる。

【００３９】ここで書き込み層とθｋキャンセル層はＴ
Ｍ副格子磁気モーメントが互いに逆向きに配向している
ため、基板を透過した光は、まず情報を再生する意味で
記録層で偏光面が回転するが、その後、書き込み層で偏
光面が回転した後、θｋキャンセル層で書き込み層での
回転とは逆向きに偏光面が回転して光磁気記録装置に戻
る。このため書き込み層で偏光した偏光面の回転角が、
θｋキャンセル層で偏光した偏光面の回転角と等しくな
るようにすれば、カー回転角は書き込み層およびθｋキ
ャンセル層の影響を受けないこととなる。すなわち、入
射光が記録層を透過しても、他の磁性層の磁化情報が検
出されることはない。

【００４０】このため、本発明の光磁気記録媒体は、再
生層を再生信号が劣化しない程度まで薄くすることがで
きる。よって磁性層の膜厚を従来より小さくすることが
可能となる。

【００４１】次に、（Ａ）媒体に初期化層を加えた媒体
（Ｂ）について再生時の磁化状況等を説明する。

【００４２】媒体（Ｂ）は初期化層を有しており、再生
時には、書き込み層のＴＭ副格子磁化は初期化層のＴＭ
副格子磁化にならっている。また、初期化層とθｋキャ
ンセル層はＴＭ副格子磁気モーメントが互いに逆向きに
配向している。この状態は、初期化層に加えて、θｋキ
ャンセル層も、媒体作成後大きな磁場によって一方向に
磁化し、その後は、その状態を記録時、再生時および保
存時の全てについて保持することで実現される。このた
め、基板を透過した光は、まず情報を再生する意味で記
録層で偏光面が回転するが、その後、書き込み層および
初期化層で偏光面が回転した後、θｋキャンセル層で書
き込み層および初期化層での回転とは逆向きに偏光面が
回転して光磁気記録装置に戻る。このため書き込み層お
よび初期化層で偏光した偏光面の回転角が、θｋキャン
セル層で偏光した偏光面の回転角と等しくなるようにす
れば、カー回転角は書き込み層およびθｋキャンセル層
の影響を受けないこととなる。すなわち、入射光が記録
層を透過しても、他の磁性層の磁化情報が検出されるこ
とはない。

【００４３】このため、本発明の光磁気記録媒体は、再
生層を再生信号が劣化しない程度まで薄くすることがで
きる。よって磁性層の膜厚を従来よりも薄くすることが
可能となる。

【００４４】また、媒体（Ａ）に中間層などを、媒体
（Ｂ）に中間層、スイッチング層などを設けた場合は、
これらの層も合わせて、θｋキャンセル層でカー回転角
が補償されるようにする。

【００４５】また、入射光が記録層を透過する場合に
は、この光を反射させ戻光量の低下を防ぎ、また入射光
を磁性層と反射層の間でエンハンスさせるために、記録
層の入射面とは反対側に反射層を設けても良い。また反
射層に加えて干渉効果を高めるために、ＳｉＮ、ＡｌＮ
_x、ＡｌＯ_x、ＴａＯ_x、ＳｉＯ_x等の誘電体などを干渉層
として設けても良い。この干渉層は、記録層でのθｋが
キャンセルでき、また所望の反射率が得られるような膜
厚とする必要がある。もしくは磁界変調オーバーライト
を行う際の磁区形状を改善するなどの目的で熱伝導性を
高めるために熱伝導層を設けても良い。これらの反射層
および熱伝導層はＡｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣ
ｒ、Ｃｕなどを用いればよい。また反射層は、光を十分
反射できる程度に、また反射層と熱伝導層は光パワーが
大き過ぎない程度に薄くする必要がある。熱伝導と反射
を１つの層で行わせることも可能である。さらに保護膜
として前記誘電体層や高分子樹脂からなる保護コートを
付与しても良い。

【００４６】

【実施例】以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。

【００４７】（実施例１）まず、直流マグネトロンスパ
ツタリング装置に、ＳｉＮ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ａｌの各ターゲットを取り付け、φ１３０ｍｍのプリグ
ルーブのあるポリカーボネイト基板にＳｉＮ誘電体層を
８０ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏ記録層を８ｎｍ、ＧｄＦｅＣｏ
中間層を３ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ書き込み層を６ｎｍ、Ｓ
ｉＮ遮断層を５ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏキャンセル層を１０
ｎｍ、ＳｉＮ干渉層を３０ｎｍ、各々順々に成膜して本
発明の光磁気記録媒体を得た。

【００４８】ＴｂＦｅＣｏ記録層は、室温でＴＭリッ
チ、キュリー温度２００℃とした。

【００４９】ＧｄＦｅＣｏ中間層は、室温でＲＥリッ
チ、キュリー温度３００℃とした。

【００５０】ＤｙＦｅＣｏ書き込み層は、室温でＲＥリ
ッチ、キュリー温度は２８０℃とした。

【００５１】ＴｂＦｅＣｏキャンセル層は、室温でＴＭ
リッチ、キュリー温度２８０℃とした。

【００５２】測定の前に消去方向に５００ Ｏｅの磁界
を印加して消去した後、記録方向に５００ｋＯｅの磁界
を印加して、マーク長が０．６０μｍとなるように７．
５ＭＨｚ信号を記録パワー１３ｍＷで記録した。記録後
に低パワー（ＰＬ）光のパワーを７〜８ｍＷ、高パワー
（ＰＨ）光のパワーを１０〜１３ｍＷとし、光照射前に
消去方向に６ｋＯｅ（初期化磁界）、記録パワー照射部
に５００ Ｏｅの記録方向の外部磁界を印加しながら、
マーク長が０．７８μｍとなるように５．８Ｈｚの信号
を光変調により重ね書き記録した。

【００５３】記録後に５．８Ｈｚの新信号のＣ／Ｎ比を
測定した。また、７．５ＭＨｚの旧信号のＣ／Ｎ比も測
定した。結果を表１に示した。

【００５４】次に、この光磁気記録媒体を線速９ｍ／ｓ
で、記録マーク長が０．６０μｍとなるように７．５Ｍ
ＨｚのＲＦ信号を、また記録マーク長が０．７８μｍと
なるように５．８ＭＨｚのＲＦ信号を書き込んだ。その
後各々のマーク長でのＣ／Ｎを測定した。光学ヘッドの
対物レンズのＮＡは０．５５、レーザー波長は７８０ｎ
ｍとした。

【００５５】次に線速を５ｍ／ｓ（回転速度１３００ｒ
ｐｍ、半径３７ｍｍ）、１５ｍ／ｓ（回転速度３６００
ｒｐｍ、半径４０ｍｍ）、２０ｍ／ｓ（回転速度３６０
０ｒｐｍ、半径５４ｍｍ）、２５ｍ／ｓ（回転速度３９
８０ｒｐｍ、半径６０ｍｍ）と段階的に変えて、マーク
長が０．７８μｍとなるようにそれぞれ３．２ＭＨｚ、
９．６ＭＨｚ、１２．８ＭＨｚの信号を記録し、Ｃ／Ｎ
が４８ｄＢとなる最小記録パワーＰｗを求めた。再生パ
ワーは、各記録パワーにおいて約２．０ｍＷに設定し
た。

【００５６】結果を表２に示した。

【００５７】（実施例２）実施例１と同様の成膜機、成
膜方法で、同様にポリカーボネイト基板にＳｉＮ誘電体
層を８０ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏ記録層を７ｎｍ、ＤｙＦｅ
Ｃｏ書き込み層を６ｎｍ、ＳｉＮ遮断層を５ｎｍ、Ｔｂ
ＦｅＣｏキャンセル層を１０ｎｍ、ＳｉＮ干渉層を３０
ｎｍ、Ａｌ反射層を６０ｎｍ、各々順々に成膜して本発
明の光磁気記録媒体を得た。

【００５８】ＴｂＦｅＣｏ記録層は、室温でＴＭリッ
チ、キュリー温度２００℃とした。

【００５９】ＤｙＦｅＣｏ書き込み層は、室温でＲＥリ
ッチ、キュリー温度２８０℃とした。

【００６０】ＴｂＦｅＣｏキャンセル層は、室温でＴＭ
リッチ、キュリー温度２８０℃とした。

【００６１】次に、この光磁気記録媒体を用いて実施例
１と同様に記録再生特性を測定した。結果を表１および
表２に示した。

【００６２】（実施例３）実施例１と同様の成膜機、成
膜方法で、同様にポリカーボネイト基板にＳｉＮ誘電体
層を８０ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏ記録層を７ｎｍ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ中間層を２ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ書き込み層を８ｎ
ｍ、ＳｉＮ遮断層を５ｎｍ、ＴｂＣｏ初期化層を７ｎ
ｍ、ＴｂＦｅＣｏキャンセル層を１２ｎｍ、ＳｉＮ干渉
層を３０ｎｍ、Ａｌ反射層を６０ｎｍ、各々順々に成膜
して本発明の光磁気記録媒体を得た。

【００６３】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチ、キュリー温度２００℃とした。

【００６４】ＧｄＦｅＣｏ中間層の組成は、室温でＲＥ
リッチ、キュリー温度３００℃とした。

【００６５】ＤｙＦｅＣｏ書き込み層は、室温でＲＥリ
ッチ、キュリー温度２８０℃とした。

【００６６】ＴｂＣｏ初期化層は、室温でＴＭリッチ、
キュリー温度３００℃以上とした。ＴｂＦｅＣｏキャン
セル層は、室温でＴＭリッチ、キュリー温度２８０℃と
した。

【００６７】次に、この光磁気記録媒体を用いて実施例
１と同様に記録再生特性を測定した。ただしこの場合、
記録時の初期化磁界は印加しなかった。結果を表１およ
び表２に示した。

【００６８】（比較例１）実施例２と同様の成膜機、成
膜方法で、同様にポリカーボネイト基板上にＳｉＮ誘電
体層を８０ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏ記録層を８ｎｍ、ＧｄＦ
ｅＣｏ中間層を３ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ書き込み層を６ｎ
ｍ、ＳｉＮ遮断層を５ｎｍ、ＳｉＮ干渉層を３０ｎｍ、
各々順々に成膜して従来の光磁気記録媒体を得た。各Ｓ
ｉＮ層の屈折率は２．１とした。

【００６９】ＴｂＦｅＣｏ記録層は、室温でＴＭリッ
チ、キュリー温度２００℃とした。

【００７０】ＧｄＦｅＣｏ中間層は、室温でＲＥリッ
チ、キュリー温度３００℃とした。

【００７１】ＤｙＦｅＣｏ書き込み層は、室温でＲＥリ
ッチ、キュリー温度２８０℃とした。

【００７２】次に、この光磁気記録媒体を用いて実施例
１と同様に記録再生特性を測定した。結果を表１および
表２に示した。

【００７３】

【表１】

【００７４】

【表２】 以上の比較例１と実施例１〜３の結果を比較すると、本
発明の光磁気記録媒体では磁性層の膜厚が薄くても０．
４μｍのマーク長でＣ／Ｎが４５ｄＢ以上と超解像の記
録再生が可能であって、かつ高線速になっても記録に必
要なレーザーパワーが比較例ほど大きくならないことが
わかる。また現行の光磁気記録装置に用いられている半
導体レーザーの媒体板面上での最大出力は約１０ｍＷで
あるため、比較例の従来の光磁気記録媒体では可能な線
速度が最大１７ｍ／ｓであるが、本発明の実施例では２
５ｍ／ｓ程度まで線速度を向上させることができ、半導
体レーザーの出力がさらに向上した場合、本発明の媒体
と従来の媒体との記録感度の差はますます広がる傾向の
あることが分かる。よつて本発明の光磁気記録媒体は従
来の媒体と比較して高速記録が達成できることが分か
る。

【００７５】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体および記録方法
を用いれば、磁気超解像が全磁性層を薄膜化した光磁気
記録媒体で実現でき、高速記録が可能な低材料コストの
高密度光磁気記録媒体および良好な情報記録方法の提供
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の基本的膜構成を示す
模式図である。

【図２】本発明の光磁気記録媒体の膜構成および磁化状
態の例をいくつか挙げた模式図である。

【符号の説明】

１ 第１磁性層（記録層） ２ 第２磁性層（書き込み層） ３ 第３磁性層（θｋキャンセル層） ４ 第４磁性層（初期化層） ５ 第５磁性層（中間層） ６ 第６磁性層（スイッチング層） ７ 界面磁壁または遮断層

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも各々垂直磁化膜からなる第１
   磁性層、第２磁性層および第３磁性層が、光の入射面よ
   り第１磁性層、第２磁性層および第３磁性層の順に基板
   上に積層され、前記第１磁性層のキュリー温度は前記第
   ２磁性層のキュリー温度より低く、前記第２磁性層は前
   記第１磁性層より室温での保磁力が小さく、該第２磁性
   層と該第３磁性層は、同種の元素の副格子磁気モーメン
   トが互いに逆向きに配向していることを特徴とする光磁
   気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記第１磁性層と前記第２磁性層の間
   に、これらの磁性層のいずれより磁壁エネルギーの小さ
   い第５磁性層が設けられている請求項１記載の光磁気記
   録媒体。
3. 【請求項３】 前記光入射面から最も遠い層として、金
   属からなる反射層が設けられている請求項１または２記
   載の光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記光入射面と前記反射層との間に、誘
   電体からなる干渉層が設けられている請求項３記載の光
   磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 少なくとも各々垂直磁化膜からなる第１
   磁性層、第２磁性層、第３磁性層および第４磁性層が、
   光の入射面より第１磁性層、第２磁性層、第４磁性層お
   よび第３磁性層の順に基板上に積層され、前記第１磁性
   層のキュリー温度は前記第２磁性層のキュリー温度より
   低く、前記第４磁性層のキュリー温度は前記第１磁性層
   および第２磁性層のいずれのキュリー温度より高く、前
   記第２磁性層は前記第１磁性層よりも室温での保磁力が
   小さく、前記第４磁性層および第３磁性層は、前記第１
   磁性層および第２磁性層のいずれより室温での保磁力が
   大きく、前記第４磁性層と前記第３磁性層は、同種の元
   素の副格子磁気モーメントが互いに逆向きに配向するこ
   とを特徴とする光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 前記第１磁性層と前記第２磁性層の間
   に、これらの磁性層のいずれより磁壁エネルギーの小さ
   い第５磁性層が設けられている請求項５記載の光磁気記
   録媒体。
7. 【請求項７】 前記第２磁性層と前記第４磁性層の間に
   これら磁性層のいずれよりキュリー温度の低い第６磁性
   層が設けられている請求項６記載の光磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 前記光入射面から最も遠い層として、金
   属からなる反射層が設けられている請求項５ないし７の
   いずれかに記載の光磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 前記光入射面と前記反射層との間に、誘
   電体からなる干渉層が設けられている請求項８記載の光
   磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし４のいずれかに記載の
    光磁気記録媒体に対して、光入射前に垂直方向に初期化
    磁界を印加して、第２磁性層の磁化を初期化磁界の方向
    に揃えた後、垂直方向に初期化磁界とは逆向きの記録磁
    界を印加しながら、全磁性層を有してなる磁性膜を、 （ａ）光照射によって、前記第１磁性層のキュリー温度
    以上で前記第２磁性層のキュリー温度より低い温度まで
    昇温させ、該第１磁性層と初期化磁界の方向に揃った前
    記第２磁性層とを交換結合させて安定化させる第１種の
    記録と、 （ｂ）前記第１種の記録の場合より高パワーの光照射に
    よって、前記磁性膜を第２磁性層のキュリー温度以上に
    昇温させることで、前記第１磁性層および第２磁性層の
    磁化を記録磁界の方向に揃えて安定させる第２種の記録
    により、 ２値の記録を行う情報記録方法。
11. 【請求項１１】 請求項５ないし９のいずれかに記載の
    光磁気記録媒体の第４磁性層の磁化を垂直の一方向に配
    向させた後に、垂直方向に外部磁界を印加しながら、全
    磁性層を有してなる磁性膜を、 （ａ）光照射により、前記第１磁性層のキュリー点より
    以上で前記第２磁性層のキュリー点より低い温度まで昇
    温させ、前記第１磁性層を前記第２磁性層に交換結合さ
    せて安定化させる第１種の記録と、 （ｂ）前記第１種の記録の場合より高パワーの光照射に
    よって、前記磁性膜を第２磁性層のキュリー温度以上に
    昇温させることで、前記第１磁性層および第２磁性層の
    磁化を記録磁界の方向に揃えて安定させる第２種の記録
    により、 ２値の記録を行う情報記録方法。